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Fターム[5G435HH13]の内容

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Fターム[5G435HH13]に分類される特許

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光学/電子構造物を有するディスプレー装置の製造方法は、接着剤が塗布されている異形フィルムの第1面に光学/電子構造物を形成する第1段階と、異形フィルムの第1面を基板またはフィルムに附着させる第2段階と、光学/電子構造物が基板等に附着した状態で異形フィルムだけを基板等から分離してとり除く第3段階とを含む。光学/電子構造物は1次的に異形フィルムに附着した後、ディスプレー装置の基板等に移されるので、マイクロレンズ等の光学構造物や、薄膜トランジスタをはじめとする電子構造物等の所望の光学/電子構造物を、ディスプレー装置の基板等に容易に形成することができる。また、均一な形状と大きさの光学/電子構造物を形成することができる。ディスプレー装置に直接紫外線等を照射せずにディスプレー装置に光学/電子構造物を附着させることができ、ディスプレー装置の素子の劣化を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】結晶質シリコンを用いたTFTを備えた、画質の良好なフレキシブル発光装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜102と、下地絶縁膜102の第1の面に形成された薄膜トランジスタと、下地絶縁膜102の第1の面に、薄膜トランジスタを介して形成された層間絶縁膜111と、該第1の面の裏面である第2の面に形成された第1の画素電極116と、該第2の面に、第1の画素電極116を介して形成されたエレクトロルミネッセンス層と、該第2の面に、第1の画素電極116及びエレクトロルミネッセンス層を介して形成された第2の画素電極119と、層間絶縁膜111に設けられたコンタクトホールにおいて薄膜トランジスタの半導体層と電気的に接続し、且つ少なくとも層間絶縁膜111及び下地絶縁膜102を貫通する貫通孔112において第1の画素電極116と電気的に接続する配線113eと、を有するフレキシブル発光装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】配線基板の生産歩留りおよび生産性を向上する配線基板製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線基板製造装置1における欠損検出部110は、絶縁膜における欠損を検出する。続いて、欠損数算出部120は、検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する。そして、修正指示部130は、算出した欠損の数が0より多く、かつ、所定の閾値Th1未満である場合に、交差部における欠損を修正すべきであると判断する。 (もっと読む)


【課題】サージ電流による影響が発生しにくいTFT基板及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】本実施の形態にかかるTFT基板1は、表示領域2の外側に設けられ、第1の保護回路21、51及び第2の保護回路22、52がショート配線27と、アドレス配線4又はデータ配線5との間に並列に接続された並列保護回路20を有するものである。第1の保護回路21、51は、ショート配線27からアドレス配線4又はデータ配線5の方向を順方向とする第1のダイオード25、55と、第1のダイオード25、55に直列に接続された第1のコンデンサ23、53とを有する。そして、第2の保護回路22、52は、アドレス配線4又はデータ配線5からショート配線27の方向を順方向とする第2のダイオード26、56と、第2のダイオード26、56に直列に接続された第2のコンデンサ24、54とを有する。 (もっと読む)


【課題】レーザ転写法により形成された発光層の位置ズレまたは幅のばらつきなどの予兆を早期に発見することができる表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】有効領域110の外側の検査領域150に、有機発光素子10R,10G,10Bよりなる検査用画素Px2を設け、検査対象色の両側の検査用画素Px2の間の距離W2を、検査対象色の両側の表示用画素Px1の間の距離W1よりも狭くする。検査用画素Px2のELまたはPL発光の色度またはスペクトル形状の変化に基づいて、赤色発光層15CR,緑色発光層15CGの位置ズレなどの予兆を早期に発見する。 (もっと読む)


【課題】光センサーの熱電流及び迷光による誤差を効果的に除去できる電気光学装置を実現する。
【解決手段】第1および第2の基板間にネマティック相液晶材料922が挟持され、表示領域が形成された液晶パネル911と、前記パネルの周囲光の照度を検出する光検出部とを備え、前記光検出部は、第1または第2の基板の前記表示領域周縁部に設けられ、外光が照射される第1の光センサー(受光センサー350P)と、外光の照射が遮断される第2の光センサー(遮光センサー350D)とを備え、前記第1の光センサーと第2の光センサーは前記表示領域周縁部に複数配置される電気光学装置である。 (もっと読む)


【課題】薄い支持フィルムを使用しても、支持フィルムに皺が入ることなく薄膜トランジスタを形成し、表示層を貼り合わせて電子ペーパーを形成することができ、形成後は、特に洗浄工程を設ける必要がない電子ペーパーの製造方法を提供する。
【解決手段】電子ペーパーの製造方法は、電子ペーパー支持フィルム7を両面粘着テープ5で支持板6に仮固定した状態で、該電子ペーパー支持フィルム7上に薄膜トランジスタ8を形成してドライバ層を得、さらに、該ドライバ層上に画像表示機能を有する表示層9を貼り合わせる電子ペーパー形成工程を有する。 (もっと読む)


【課題】 フルメルト法による結晶化とパーシャルメルト法による結晶化を1回のレーザ照射によって簡単に実現することが可能なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板1上に形成された被結晶化薄膜(アモルファスシリコン薄膜3)に対してレーザ光(固体レーザの高調波)を照射して結晶化を行うレーザアニール装置である。被結晶化薄膜が形成された基板1を支持するステージ41を有し、ステージ41の表面は、基板1上に形成される回路のレイアウトに応じてレーザ光に対する反射率が変更されている。例えば、液晶表示パネルの作製において、ステージ41表面の反射率は、パネル領域21の画素部分31と周辺回路部分32とで異なる。 (もっと読む)


【課題】半導体膜に対する遮光メタルを、より少数のフォトリソグラフィ工程で形成した表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決しようとする手段】透明基板GAの上側に積層されたゲート電極GTと、透明基板GAとゲート電極GTの間に積層されて、ゲート電極GTとともに薄膜トランジスタを構成する半導体膜Sと、半導体膜Sと透明基板GAとの間に積層されて、透明基板GAから入射する光から半導体膜Sを遮光する遮光メタルLSと、遮光メタルLSと半導体膜Sとの間に積層されて、これらを絶縁する絶縁膜GI1とを含み、絶縁膜GI1は、半導体膜Sに応じた形状で積層され、遮光メタルLSは、絶縁膜GI1に応じた形状で積層されることを特徴とする表示装置。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁層におけるコンタクトホールを形成した領域での膜残りを検出し、且つ層間絶縁層の膜残りの厚みを精度良く求める。
【解決手段】基板11に半導体層13及び半導体層13よりも酸化され難い第1検査用金属層27を形成し、半導体層13及び第1検査用金属層27を覆うように絶縁膜20を形成した後、絶縁膜20に半導体層13及び第1検査用金属層27をそれぞれ一部露出させるためのコンタクトホール21a及び検査用コンタクトホール21bを形成することで層間絶縁層21を形成し、層間絶縁層21にコンタクトホール21a及び検査用コンタクトホール21bの内部から表面にそれぞれ引き出された金属層22及び第2検査用金属層28を形成し、第1検査用金属層27と第2検査用金属層28との間の電気的特性を測定する。 (もっと読む)


【課題】 ゲート線駆動TFTの駆動力を向上させた画像表示装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】複数の互いに交差するゲート線とドレイン線と、
隣接する一対のゲート線と隣接する一対のドレイン線とで囲まれる画素内に設けられる画素TFTと、
前記ゲート線のそれぞれに接続され前記ゲート線を駆動するゲート線駆動TFTと、
前記ゲート線駆動TFTを介し前記ゲート線を選択するシフトレジスタが形成されたTFT基板を備える画像表示装置であって、
画素TFTとゲート線駆動TFTは非晶質の半導体膜をチャネルとして構成され、
画素TFTは前記半導体膜下部にゲートを有するボトムゲート型として構成され、
前記ゲート線駆動TFTは半導体膜の下部と上部にそれぞれゲートを有するデュアルゲート型で構成され、
前記ゲート線駆動TFTの半導体膜の上部表面側の移動度が前記画素TFTの半導体膜の上部表面側の移動度より大である。 (もっと読む)


【課題】光劣化が抑制され、長寿命であり、かつ簡単な構成のTFT光センサ及びこのT
FT光センサを備えた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサは、半導体層14L1〜14Lnとしてアモルファスシリ
コン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサLS1〜LSnであって、前記薄膜ト
ランジスタからなる光センサLS1〜LSnのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応
じて光透過率が上昇する材料からなる層18が形成されていることを特徴とする。この外
光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層18としては、ポジ型感光性樹
脂材料からなるものを使用できる。本発明の光センサは、液晶表示装置のバックライト等
の明るさの制御に使用することができる。 (もっと読む)


【課題】焼付きを生じにくい有機EL装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、陽極と陰極との間に有機発光層を有する複数の有機EL素子を備えた有機EL装置の製造方法である。基板上に陽極と陰極との間に有機発光層を有する複数の有機EL素子を形成する形成工程S2と、複数の有機EL素子を初期劣化させ、初期劣化後の複数の有機EL素子における発光輝度の時間変化量を初期劣化前に比べて小さくするエイジング工程S31と、エイジング工程S31の後に、所定期間において有機EL素子に所定電圧を印加するとともに、有機EL素子に流れる電流値、又は有機EL素子の発光輝度を測定し、この測定値が所定電圧の印加開始からの時間に対して減少する有機EL素子を不良品として選別する。 (もっと読む)


【課題】使用可能な温度範囲を拡げつつ、外光強度の検出精度を向上した液晶表示装置の外光強度検出方法を提供する。
【解決手段】複数の副画素を有する表示領域の外方に、外光強度を検出する光センサ56を配置する。光センサ56に入射する外光の光路上に、液晶層と同一の液晶材料により形成したシャッタ部55を配置する。シャッタ部55により光センサ56に対する外光Lの透過強度を可変させつつ光センサ56により外光強度を検出するものである。シャッタ部55による透過強度が異なる外光Lに対応する光センサ56での検出外光強度の差分を取る。光センサ56での温度に起因する検出外光強度の変動を打ち消して、使用可能な温度範囲を拡げつつ外光強度の検出精度を向上できる。 (もっと読む)


【課題】耐用性、感度、線形性及び正確性に優れ、且つ複数の箇所から信号を入力することを実現できるタッチパネルを利用した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】タッチパネルを利用した液晶表示装置は、複数の透明電極を有するタッチパネル10を備える第一素子100と、前記第一素子と対向設置され、且つ各々半導体層を備える複数の薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタパネル220を備える第二素子200と、前記第一素子と前記第二素子の間に設置される液晶層310と、を備える。前記透明電極は、第一カーボンナノチューブ構造体を含み、前記半導体層は、第二カーボンナノチューブ構造体を含み、前記第一カーボンナノチューブ構造体及び前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブを備える。 (もっと読む)


【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】a−Si TFTから構成されるトランジスタTr1に光が照射されることによって出力される光電流信号Idを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Idを電圧に変換するトランジスタTr2と、電圧増幅を行うトランジスタTr3、Tr4と電流増幅を行うトランジスタTr5とを有し、何れもa−Si TFTから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、耐用性が良好で、感度が高く、線形性及び正確性も高いタッチパネルを利用した液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】本発明のタッチパネルを利用した液晶表示パネルは、透明導電構造体を含むタッチパネルが設置された上基板と、半導体層を含む薄膜トランジスタパネルが設置され、且つ前記上基板に向い合った下基板と、前記上基板と前記下基板との間に設置された液晶層と、を備え、前記タッチパネルの透明導電構造体が第一カーボンナノチューブ構造体を含み、前記薄膜トランジスタパネルの半導体層が第二カーボンナノチューブ構造体を含む。 (もっと読む)


【課題】ゲートバスライン間のリーク検査を、簡易ながら、省スペースで行うことのできる表示パネルおよび表示装置ならびに表示パネルの検査方法を実現する。
【解決手段】補助容量配線(CSLe、CSLo)は同じゲートバスライン(GLe、GLo)に接続された複数の絵素(PIXe、PIXo)からなる絵素行ごとに対応して設けられており、上記補助容量配線(CSLe、CSLo)が、短絡配線(SSe、SSo)によって互いに短絡された複数の上記補助容量配線(CSLe、CSLo)からなる複数の補助容量配線群に分割されており、各短絡配線(SSe、SSo)どうしは互いに電気的に分離されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、耐用性、感度、線形性、正確性に優れたタッチパネルを利用した液晶表示パネルを低コストで簡単に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、カーボンナノチューブ構造体を備えるタッチパネルを製造するステップと、前記タッチパネルの一表面に偏光層を形成するステップと、前記偏光層の表面に第一配向層を形成して上基板を形成するステップと、薄膜トランジスタパネルを製造するステップと、前記薄膜トランジスタパネルの薄膜トランジスタが形成された表面に被覆する第二配向層を形成するステップと、前記薄膜トランジスタパネルの表面に偏光片を設置して下基板を形成するステップと、前記上基板の第一配向層と前記下基板の第二配向層との間に液晶層を設置してサンドイッチ構造を形成することにより、液晶表示パネルを得るステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】開口率の高いタッチセンス機能付きアクティブマトリクスディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】各列に設けられたソース線(SL)と各行に設けられたゲート線(GL1、GL2)の交差部に、前記ソース線にソースが接続され、前記ゲート線にゲートが接続された薄膜トランジスタ(TFT11、TFT21)のドレインと共通電極線(CE)の間に液晶素子を備えた画素セル(PX)がマトリクス状に配置された画素部と、同一列の2つの隣接画素セル間に、前記隣接画素セルの各ゲート線にそれぞれゲートが接続され、直列接続された2つのタッチセンス用トランジスタ(TFT22、TFT12)および前記2つの隣接画素セル行で共用される機械的スイッチ(S)が当該列のソース線と共通電極線の間に接続されたタッチセンススイッチ部(SW)とを備える。 (もっと読む)


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