【課題】タッチによる液晶静電容量の変化を認識し、その有無及び位置を感知できる液晶表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２基板、画素領域を定義する第１基板上に形成されたゲートライン及びデータライン、ゲートラインとデータラインとの交差部に形成されたピクセルトランジスタ、画素領域に形成された画素電極、画素電極に接続された第１ストレージキャパシタ、第１基板に形成されたスイッチングライン、第１基板に形成されたリードアウトライン、第１基板に形成された第２ストレージキャパシタ、第２ストレージキャパシタに接続されたゲート電極、前記リードアウトラインに接続されたドレイン電極、及び駆動電圧ラインに接続されたソース電極を含むスイッチングトランジスタ、第２基板に形成された第１コラムスペーサ、第１コラムスペーサ上に形成されセンシングキャパシタを形成する共通電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】NMOSプロセスで作成された基板の場合、誤判定または検査に要する測定時間の増大を回避するために、表示領域近傍にダミー画素領域を設けその中に不良ダミー画素を配置することにより、基板毎に自己検査機能回路（BISAT）の検査条件の最適化をし得るアレイ基板の提供を目的とする。
【解決手段】
複数の信号線の一方の端に、検査用基準画素と信号線セレクターと走査線セレクターと、比較信号線と、センスアンプとＥＯＲ比較器と、ＯＲ出力部と、出力ライン部とから構成される自己検査回路（BISAT）を有効に活用するために、表示領域近傍にダミー画素領域を設けて、該自己検査回路の測定条件を定めるために、前記ダミー画素領域に不良画素を設置し、該不良画素を前記自己検査回路（BISAT）で検査し、正常に前記不良画素を不良と判定されることを確認して、基板ごとに最適な測定条件を定める。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性の高い表示装置およびそのマザー基板を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸからなる表示部ＤＹＰと、表示部ＤＹＰの一部となるアレイ表示部１０Ｄと、アレイ表示部１０Ｄを囲む周辺部とを備えたアレイ基板１０と、を備え、周辺部は、表示部ＤＹＰを駆動する駆動手段ＧＤ，ＳＤと、駆動手段ＧＤ、ＳＤに信号を供給する外部信号源が接続される接続部３０と、複数のスイッチング素子４２を備えたスイッチング回路４０と、検査用パッド群ＣＮＴと、を備え、接続部３０は、少なくとも複数の表示画素ＰＸの列数に対応する複数の接続端子ＴＡを備え、スイッチング回路４２は、複数の接続端子ＴＡと同数のスイッチング素子４２を備え、検査用パッド群ＣＮＴは、複数の接続端子ＴＡ数よりも少ない複数の検査用パッドＴＢを備えている表示装置ＰＮＬ。 （もっと読む）

【課題】歩留まりおよび信頼性が高い表示パネルおよび電子書籍を提供することを課題とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差する表示部を有する矩形シート状の可撓性表示パネル基板上に、前記可撓性の表示パネルの上面における一辺および該一辺と対向する一辺の少なくとも一方に設けられ、前記信号線に信号を出力する信号線駆動回路と、前記基板上に、前記信号線駆動回路と略垂直方向の前記可撓性の表示パネルの一辺および該一辺と対向する一辺の少なくとも一方に設けられ、前記走査線に信号を出力する走査線駆動回路と、を有する可撓性表示パネルの、少なくとも前記信号線駆動回路と前記走査線駆動回路と重畳する位置は、該重畳する位置以外の領域よりも機械的強度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と多結晶シリコン半導体層を共に用い得る有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体と、基板本体上に形成された第１ゲート電極及び第２半導体層と、第１ゲート電極及び第２半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介在して第１ゲート電極及び第２半導体層上にそれぞれ形成された第１半導体層及び第２ゲート電極と、第１半導体層と少なくとも一部が相接して重畳した複数のエッチングストッパ層と、複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを有し、第１半導体層及び第２ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成され、複数のエッチングストッパ層を通じて第１半導体層とそれぞれ直接的／間接的に接続された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、層間絶縁膜上に形成され、第２半導体層と接続された第２ソース電極及び第２ドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられる第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に接して設けられる第２の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、本電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を量産性高く作製する。
【解決手段】一定流量の水素を導入しつつ、第１の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程と、第２の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程とを繰り返して、水素及びシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を混合し、高周波電力を供給して、基板上に微結晶半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とＦＰＣを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板上の接続配線１８３は端子部１８２において異方性導電膜１９５によって、ＦＰＣ１９１に電気的に接続される。接続配線１８３はアクティブマトリクス基板上のＴＦＴのソース／ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜１４０と透明導電膜１４１の積層膜でなる。異方性導電膜１９５との接続部分において、接続配線１８３の側面は絶縁材料でなる保護膜１７３に覆われている。よって、接続配線の金属膜の側面は保護膜１７４で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜１４１、下地の絶縁膜１０９、保護膜１７４に接して囲まれ外気に触れることがない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】画素内に光センサ素子と暗電流補償素子を備えるものにあって、当該画素の開口率を向上させ、製造工数の増大を回避させた構成とする表示装置の提供。
【解決手段】基板上に光センサ素子および暗電流補償素子が備えられた画素を備え、
前記光センサ素子および前記暗電流補償素子は、それぞれ、ボトムゲート構造のＭＩＳ型薄膜トランジスタからなり、微結晶半導体と非晶質半導体の順次積層体からなる半導体層の上面に、互いに対向する一対の電極を備えて構成され、
少なくとも、前記暗電流補償素子は、ゲート電極が、平面的に観て、前記半導体層の形成領域をはみ出るように形成され、前記一対の電極は、平面的に観て、前記半導体層の形成領域をはみ出るように構成され、
前記暗電流補償素子の前記一対の電極の離間幅は、前記光センサ素子の前記一対の電極離間幅よりも小さく形成され、
前記前記暗電流補償素子の前記一対の電極の離間部に入射する光を遮光する遮光膜を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従
来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省ス
ペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下
の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを
特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり
、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素
子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接して保護膜となる酸化物絶縁膜を形成した後に、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行って、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。また、ゲート電極層、ソース電極層、及びドレイン電極層を透光性の導電膜を用いて作製し、開口率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電源供給線の配線抵抗による電位降下によって生じる電位のずれを軽減することにより、表示領域内のムラを軽減し、鮮明な多階調カラー表示が可能なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電源供給線の引き出し口を複数配置する。また、外部入力端子と画素部電源供給線の間の配線抵抗を、帰還増幅器をもって電源供給線に電位供給することにより、電位補償をおこなう。また、上記構成に加え、電源供給線をマトリクス状に配置する。 （もっと読む）

【課題】駆動トランジスタの特性変動量を短時間で取得する。
【解決手段】電圧調整回路４３(i)は、階調電圧生成回路４１(i)が生成した原階調電圧Ｖdata0(i)とオフセット電圧生成回路４２(i)が生成したオフセット電圧Ｖoffset(i,j)とを加算し、出力回路３４(i)は、電圧調整回路４３(i)が生成した出力電圧Ｖout(i)をデータ線Ｌd(i)に印加する。電流比較回路２０(j)のコンパレータ２３(j)は、電源線Ｌv(j)に流れる電源電流ＩLvが参照電流Ｉrefよりも小さければ比較結果Comp＝“０”を、大きければ、“１”をデータドライバ１６に供給する。オフセット電圧生成回路４２(i)は、この比較結果Compに基づいて二分探索により、駆動トランジスタの特性変動量に対応する特定オフセット電圧Ｖoffset_s(i,j)を取得する。 （もっと読む）

【課題】高分解能でカラーでの撮像が可能な安価なタッチパネルを提供することを課題とする。
【解決手段】対向する第１基板及び第２基板を有するパネルと、第１基板側から異なる波長領域の光をパネルに順にまたは並行して供給する複数の光源とを有し、第１基板と第２基板の間には、液晶素子、フォトダイオード及び薄膜トランジスタを各々有する複数の画素が設けられており、フォトダイオードが有する島状の半導体膜と、薄膜トランジスタが有する島状の半導体膜とは、第２基板上の一の半導体膜をエッチングすることで形成されているタッチパネル。 （もっと読む）

【課題】高感度のフォトセンサを有し、カラーでの撮像機能を有する安価なタッチパネル及びその作製方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】向かい合う第１基板及び第２基板と、第２基板側に配置されたバックライトとを有し、第１基板と第２基板の間に液晶素子と、トランジスタと、フォトダイオードとを有し、トランジスタ及びフォトダイオードは第１基板上に形成されており、第１基板及び第２基板は透光性を有し、第１基板の膜厚は１０μｍ乃至２００μｍ、好ましくは２０μｍ乃至４０μｍであるタッチパネル。トランジスタ及びフォトダイオードは、支持基板上に形成された後、剥離されて第１基板に接着されている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で高精細化が可能なアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、第１電極(5d)と接続された第１画素電極(PE)と、第２電極(5d)と接続され、第１画素電極の隣に配置された第２画素電極(PE)と、平面視において第１電極と第２電極との間に設けられた第１共通電極(5s)と、第１共通電極に接続されたデータ線(DL)と、第１電極、第２電極および第１共通電極の形成領域に一体に形成された第１半導体膜(7)と、を有し、第１画素電極と電気的に接続される第１トランジスタ(T(00))は、第１電極と第１共通電極との間を第１チャネル領域とし、第２画素電極と電気的に接続される第２トランジスタ(T(01))は、第２電極と第１共通電極との間を第２チャネル領域とする。このように、１つの半導体膜を２つの画素に係る２つのトランジスタによって共有することで、構成を簡素化でき、画素の縮小化、画素ピッチの短縮化にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】外部光の強さによって画面の明るさを変化させることができる電子ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】電子ディスプレイ装置は、表示領域と表示領域の周辺に形成された周辺領域とを含み、複数のゲートラインとデータラインとが形成された基板と、表示領域に複数のゲートラインと複数のデータラインとが互いに交差することにより、形成され映像を表示する複数の画素部と、周辺領域に形成され、外部光の強さを感知する少なくとも一つの光感知用薄膜トランジスタを有する光感知部と、光感知用薄膜トランジスタのドレーン電極と接続された電源供給ラインと、周辺領域に形成され、光感知部と接続された読み出しラインとを具備する。 （もっと読む）

【課題】光センサ機能をフラットパネルディスプレイ面内に配置する。
【解決手段】隣接する液晶セル部６００としては、第１の基板１と第２の基板２との間に光散乱型液晶分子３０が挟持され、第１の基板１の内面と第２の基板２の内面に、対向電極２６、２７が形成された一般的な液晶セル構造が形成されている。第２の基板側の対向電極２７は、ＴＦＴ１００のソース電極６とオーミック接触されている。また、第２の基板２の外側から第１の基板１側に向けてバックライト３００が照射されるようになっている。このように、ＴＦＴ１００は、光センサ部５００のセンサ機能と、液晶セル部６００のスイッチング機能とを兼用させることができる。また、スイッチ機構を設けることで、１セル内に形成された光センサ部５００と液晶セル部６００とを切り替えて利用することも可能である。 （もっと読む）