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Fターム[5G435HH13]の内容

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Fターム[5G435HH13]に分類される特許

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【課題】表示画素当たりの開口率の低下を抑制することが可能なように光センサが組み込まれた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示パネル10内に2次元配列された複数の表示画素のうちの列方向に隣接する2個の表示画素からなる表示画素対を挟むようにしてゲートライン111を配置するとともに、表示画素対の間にセンサゲートライン121を配置する。薄膜トランジスタ光センサT0、T1を各表示画素対に対して行方向に隣接するように配置する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成でヒロックの発生を抑制できる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素領域にトランジスタと、当該トランジスタを覆う第4層間絶縁膜と、画素領域の周辺に外部回路接続端子とを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記画素領域の周辺に、アルミニウムを含む金属層および当該金属層上にバリア層を積層させる工程(ステップS2,S3)と、前記金属層および前記バリア層を覆うように前記第4層間絶縁膜を形成する工程(ステップS4)と、前記金属層および前記バリア層上の第4層間絶縁膜を除去して熱処理を行った後(ステップS6,S7)に、バリア層を除去して外部回路接続端子を形成する工程(ステップS8)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 (もっと読む)


【課題】接続配線間の短絡を検査するための検査配線を端子配置領域に形成することなく、しかも、表示品質を向上できるアクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法を提供する。
【解決手段】走査配線40には、一端側に走査信号の入力端を有する第1走査配線と、他端側に走査信号の入力端を有する第2走査配線とを含み、かつ、表示領域4には、第1走査配線と第2走査配線とが、1本毎に交互に形成されており、アクティブマトリクス基板2は、複数の第1接続配線61のそれぞれと交差する第1検査配線70および第2検査配線72と、複数の第2接続配線64のそれぞれと交差する第3検査配線75および第4検査配線77とを備え、第1〜4検査配線70,72,75,77は、端子配置領域5および表示領域4以外の額縁配線領域6に形成される。 (もっと読む)


【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】溶液堆積(deposited)によって形成される下側導電性層と、前記下側導電性層の上に設けられかつそれと導電性相互接続を介して1つ以上の絶縁層を通じて電気的に接続されている上側導電性層とを備える電子装置を製造する方法であって、前記相互接続の作成は、下側導電性層と前記1つ以上の絶縁層とを区別する光溶発技術を使って少なくとも下側導電性層の一部へと下向きに延びる孔を前記少なくとも1つの絶縁層に定義する工程、およびその後前記孔に導電性材料を堆積する工程を含むことを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】装置全体として可撓性を有しつつ、かつ、デザイン上の制約が無く、製造上の歩留まりをも向上させることが可能な駆動回路が搭載されたディスプレイ装置を提供すること。
【解決手段】ディスプレイ装置100は、第1フレキシブル基板210上に表示素子層220及び画素駆動用薄膜トランジスタ230を有するディスプレイユニット200と、ディスプレイユニット200の第1面上に接合され、当該ディスプレイユニット200を駆動するデバイスであって、第2面上にディスプレイ制御用薄膜トランジスタ320を有する薄膜デバイス300と、から形成されている。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高密度な保持容量及びTFTに対する高い遮光性能を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に画素毎に設けられた画素電極(9a)と、基板と画素電極との間に画素電極に対応して設けられたトランジスタ(30)と、画素電極とトランジスタとの間に設けられ、画素電極及びトランジスタに電気的に接続された第1容量電極(71)と、画素電極と第1容量電極との間に、容量絶縁膜(75)を介して第1容量電極と対向配置されており、所定の電位が供給される第2容量電極(72)と、画素電極と第2容量電極との間にトランジスタと少なくとも部分的に重なるように設けられ、第2容量電極との間に配置された絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第2容量電極に電気的に接続される遮光膜(200)とを備える。 (もっと読む)


【課題】反射型液晶表示装置において、隣接する画素間にあって、画素電極が設けられていない間隙は、画素に占める表示領域の割合、所謂開口率の低下を招く。その結果、表示画像のコントラスト、及び明るさが損なわれてしまうという問題があった。表示画像のコントラストが高く、また表示画像が明るい液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】液晶表示装置の画素電極の端部を、隣接する画素電極の端部に絶縁層を挟んで重ねて設け、隣接する画素間にある間隙を狭め、画素に占める表示領域の割合を高めればよい。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が低く、電界効果移動度が高いなどの優れた特性を有するTFTを備え、駆動回路を内蔵して部材点数を減らすことが可能な半導体装置において、駆動回路内部における腐食などの発生を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置においては、駆動回路を内蔵したTFTアレイ基板100に、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜3と、結晶性半導体部分を含んでチャネル領域4cが形成される半導体層4と、チャネル領域4cを保護するチャネル保護膜5と、半導体層4に接続されたソース電極6及びドレイン電極7を備えたTFT、並びに、ゲート電極2と同層に形成された配線層2aとソース電極6と同層に形成された配線層6aを駆動回路内部においてコンタクトホール13を介し直接接触させて接続させる配線変換部12を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】効果的に不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜をキャパシタの電極として使用した有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上の同一層に形成され、それぞれ不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含む半導体層及び第1キャパシタ電極と、前記半導体層及び前記第1キャパシタ電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介在して前記半導体層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介在して前記第1キャパシタ電極上に形成され、前記ゲート電極と同一層に形成された第2キャパシタ電極とを含む。前記第2キャパシタ電極は、相対的に厚い厚さを有する電極凸部と、相対的に薄い厚さを有する電極凹部とを含む。前記第2キャパシタ電極の電極凹部は前記ゲート電極より相対的に薄い厚さを有する。 (もっと読む)


【課題】FPCを使用せずに信号や電力を入力することができる新規な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の基板と、第2の基板とを有する半導体装置であって、受信用のアンテナが第1の基板の表面側に設けられ、第2の基板には、送信用のアンテナと集積回路とが設けられ、第2の基板は、第1の基板の裏面側に貼り付けられており、受信用のアンテナと送信用のアンテナとは、第1の基板を介して重なっている。これにより、アンテナ間の距離を一定に保つことができ、信号や電力を高効率で受信することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】
有機EL表示装置を製造する際に、封止基板と有機EL素子の間に形成された光硬化性樹脂を、有機EL素子にダメージを与えることなく紫外線によって硬化させること。
【解決手段】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に画素と対応して形成された複数の第1電極と、前記第1電極を画素ごとに区画する複数の隔壁と、前記第1電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第2電極とを積層した積層面を有する第1基板と、前記第1基板の前記積層面と対向する対向面に前記有機発光層による発光を透過し、紫外線を吸収する紫外線吸収膜を形成した透明の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを接着する光硬化性の封止材と、を有し、前記第2基板の前記対向面に形成された前記紫外線吸収膜が、前記第1基板の前記隔壁により区画された各画素に対応した位置に設けられたことを特徴とする有機EL表示装置。 (もっと読む)


【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に反射電極と電気的に接続する第1のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第1画面領域に表示するタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第2画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 (もっと読む)


【課題】電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても動作可能な携帯電子機器を提供する。
【解決手段】携帯電子機器は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する反射型液晶ディスプレイと、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発性半導体記憶装置を有する信号処理部と、を有する。携帯電子機器において、充電池に蓄えられた電力は、前記反射型液晶ディスプレイ及び前記信号処理部に用いられる。 (もっと読む)


【課題】自己発熱を抑制し、多出力化することができる液晶パネル駆動装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル駆動装置1aは、チップの温度が所定の温度以上になった否かを検知する温度検知回路11と、温度検知回路11の検知結果に基づいて、複数のガンマ補正電圧の少なくとも1つを変更するガンマ補正回路15aとを有する。 (もっと読む)


【課題】静電気が可撓性のプリント配線板を介して基板に進入するのを防止し、基板上の電子素子の損傷を回避する新たなアクティブマトリクス表示装置が必要となる。
【解決手段】基板と、複数本の走査線と、複数本のデータ線と、複数の画素セルと、静電気放電リングと、配線板と、静電気防護回路とを備えており、このうち走査線、データ線、画素セルおよび静電気放電リングは基板の上に配設されており、データ線は走査線と縦横で交差しているアクティブマトリクス表示装置である。静電気防護回路は静電気放電リングと配線板との間に電気的に接続されることで、静電気が配線板を介して進入してくるのを防止している。 (もっと読む)


【課題】TFT−LCDアレー基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】TFT−LCDアレー基板の製造方法は、基板にゲートライン及びそのゲートラインと接続するゲート電極を形成し、前記ゲート電極にゲート絶縁層と半導体層とを形成し、前記半導体層にオーム接触層を形成することにより、基板にトランジスタ部を形成する工程と、前記工程で作製された基板に、ゲートラインとゲート電極と電気的に絶縁し、オーム接触層を介して前記半導体層の両側にオーム接触する透明画素電極層とソース・ドレイン電極金属層と順次堆積する工程と、作製された基板に、グレートーンマスクでマスキング及びエッチングを行うことにより、透明画素電極及びソース・ドレイン電極が同時に形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】表示部の光検出において、少ない素子数で出力電圧を安定化させることができるようにする。
【解決手段】表示装置の表示部には、映像信号に応じて内部の発光素子により発光する画素回路と、光を検出する受光回路61とが行列状に配置されている。受光回路61において、センサトランジスタTSEは、スイッチ素子として機能するとともに、オフの状態において光の検出量に応じた電流を流す光センサとして機能する。保持容量Cseは、センサトランジスタTSEと接続され、所定の電位を保持する。出力トランジスタTOUTは、センサトランジスタTSEがオフのとき流れるリーク電流によって、予め保持容量Cseに保持された電位が減少する方向に変化して、保持容量Cseが保持する変化後の電位に応じた光検出信号を出力する。本発明は、例えば、映像を表示するとともに、光検出をも行う表示装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】1つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射して表示を行う領域(反射領域)と、バックライトからの光を透過して表示を行う領域(透過領域)とを設け、照明光源として、外光を用いる反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。また、1つの画素にはそれぞれ別の画素電極層に接続された2つのトランジスタが設けられ、2つのトランジスタを別々に動作させることによって、反射領域の表示と、透過領域の表示とを独立して制御することができる。 (もっと読む)


【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第1の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第1の光センサと、赤外光に光感度を有し、第1の光センサより可視光に対する光感度が低い第2の光センサを設ける。第1及び第2の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第1の基板に向かい合って第2の基板を設け、第2の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 (もっと読む)


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