【課題】表示画素に有機電界発光素子を用いた場合に、装置全体の厚みを増大させることなくタッチセンサ機能を付加することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ボトムエミッション方式による有機ＥＬ表示装置１は、光取り出し面を有する透明基板１１上に、複数の画素電極１９Ａと、発光層を含む有機層２１と、上部電極２２と、封止用基板２４とをこの順に備える。透明基板１１と封止用基板２４との間に、透明基板１１の側から順に、検出電極１２と、この検出電極１２との間に容量素子Ｃ１を形成するセンサ用駆動電極１９Ｂとを備える。有機層２１から発せられた光は透明基板１１側から取り出される（透明基板１１側に画像が表示される）一方で、その透明基板１１の表面に接触または近接する物体の検出がなされる。 （もっと読む）

【課題】双安定機構を含み、かつ、削減された電力消費のために低電圧で駆動されることが可能な機械的に作動可能なディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳベースのディスプレイ装置に関する。特に、ディスプレイ装置は、２つの機械的にコンプライアントな電極を有するアクチュエータを含んでもよい。さらに、ディスプレイ装置に含まれる、双安定シャッタ組立体と、シャッタ組立体内でシャッタを支持するための手段とが開示される。 （もっと読む）

【課題】静止画表示時に再書き込みのタイミングを検知する手段を持つ低消費電力型の液晶表示装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液晶表示パネル側から照射される光の照度を検出する光センサを液晶表示パネルの端部近傍に設置し、極めてオフ電流の低いトランジスタを使用した液晶表示パネルの表示領域の画素とモニタ用画素に電位を供給して静止画を表示させ、少なくともモニタ用画素の液晶層を透過した光を光センサで検出させ、その照度の変化率が既定値に達したときに、液晶表示パネルの表示領域の画素及びモニタ用画素に再度電位を供給し、静止画像を維持させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、ディスプレイパネルを開示する。
【解決手段】前記非晶質酸化物薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体活性層はチャネル層とオーミック接触層を含み、前記チャネル層は前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高い。また、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、かつ前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の第１の領域、一対の第２の領域及び第３の領域を有する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介し、一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、一対の第１の領域は一対の電極と重畳し、第３の領域はゲート電極と重畳し、一対の第２の領域は一対の第１の領域及び第３の領域の間に形成され、一対の第２の領域及び第３の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、該元素の濃度は、第３の領域より一対の第２の領域のほうが高い構成とする。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）

【課題】光センサの感度を効率よく向上させる。
【解決手段】光センサは、受光した光を電流に変換する光検出素子Ｄ１と、光検出素子Ｄ１との間に寄生容量を発生させる導電膜ＬＳと、リセット信号および読み出し信号とを、光検出素子Ｄ１を介して蓄積ノードＩＮＴへ供給する制御信号配線ＲＷＳＴと、蓄積ノードＩＮＴおよび出力配線ＯＵＴに接続され、読み出し信号にしたがって、蓄積ノードＩＮＴの電位に応じた出力信号を出力配線ＯＵＴへ出力するスイッチング素子Ｍ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】スキャナ内のトランジスタの特性の差に起因するスジの発生を抑止することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置のＥＬＡ結晶化工程においてエキシマレーザのスキャン方向と、垂直スキャナ内のバッファを形成するトランジスタ（ＴＦＴ）２１０のＬ長方向（電流が流れる方向）が直交する方向になるようにし、かつ、スキャナの画素配列に対応する各段バッファ群の各トランジスタが、チャネル長方向と同方向である駆動信号の出力線の配線方向と直交する方向において、列をなすように形成され、列をなすように形成された各段バッファ群の各トランジスタは、チャネル幅方向において大きい部分と小さい部分とが混在し、かつ、チャネル幅方向における同様の領域において粒径の大きい部分と小さい部分とが存在する。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】視認者にとって裸眼での３次元表示を可能とする距離（表示画面と視認者の目との距離）範囲を拡大し、且つ消費電力を低減する。
【解決手段】視認者と表示パネルとの距離に応じてシャッターパネルにおける視差バリアを最適な配置となるよう制御する。具体的には、複数の光学シャッター領域による透光状態または遮光状態及び画素における表示素子単位を、保持状態毎に選択的に切り替えて適宜最適な視差バリアを形成する。また保持状態は、液晶層を挟持する電極の少なくとも一方の電極が酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタに接続され、当該トランジスタを非導通状態とすることで実現するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子を含む表示装置において、生産性および利便性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、表示部に画像情報を伝送する駆動部と表示部に設けられ、且つレーザ光を検出する受光部と、受光部で検出するレーザ光の位置を解析し、位置に基づいて画像情報を操作し、操作に基づいた画像情報とは異なる画像情報を駆動部に伝送する情報処理部を有し、表示部の複数の画素はそれぞれ薄膜トランジスタを有し、受光部は複数の光電変換素子、走査回路、リセット回路および読み出し回路を有し、薄膜トランジスタおよび複数の光電変換素子は、同一の基板に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板と、横方向のゲートラインと、ネット状のＶｃｏｍ線と、縦方向のデータラインと、を備えるＴＦＴ基板であって、前記ネット状のＶｃｏｍ線の各行におけるＶｃｏｍ線は電気的に接続され、Ｖｃｏｍ線はＶｃｏｍ線ＩＣ接続部を介してＩＣ素子と電気的に接続される。また、データラインの数をＮとする場合、前記Ｖｃｏｍ線ＩＣ接続部の数は０より大きく、且つＮ＋１より小さくなり、隣接する両行Ｖｃｏｍ線との間に少なくとも一組の対応するＶｃｏｍ線縦方向電気接続段がある。 （もっと読む）

【課題】プローブ数を減らし、かつ、検査時間の短縮に適した表示パネル用基板の検査方法、を提供する。
【解決手段】表示パネル用基板の検査方法であって、前記表示パネル用基板２００上に、マトリクス状に配置された複数の検査用電極１１１を備えた検査用基板１０１を対向させて配置するステップと、前記アクティブ素子Ｔ１を駆動することにより、前記画素電極２０２と前記検査用電極１１１とで形成される容量に電荷を保持させるステップと、前記検査用電極１１１に電気的に接続された測定回路１０２により、前記容量に保持された電荷を前記検査用基板１０１を介して測定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能なＥＬ表示装置及びそれを具備する電気器具を提供する。
【解決手段】画素１０４に設けられたＥＬ素子１０９の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用ＴＦＴ１０８の特性バラツキによる影響を防ぐ。また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】入射光が確実に遮光され安定した動作が得られるトランジスターを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ソース領域３０ｓと、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄの間に形成された接合領域３０ｆとを有する半導体層３０ａと、半導体層３０ａを覆う第１絶縁膜を介してチャネル領域３０ｃに対向するゲート電極部３０ｇと、平面的に接合領域３０ｆに沿って第１絶縁膜および第２絶縁膜に設けられた溝としてのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６と、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６内に、ゲート電極部３０ｇから延在して設けられる第１導電膜と、データ線６ａを構成する第２導電膜とを含む少なくとも２層の導電膜を有する遮光性の側壁部と、を備えた。 （もっと読む）