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Fターム[5G435HH13]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (89,878) | 特徴的材質 (5,982) | 電気的 (1,625) | 半導体 (392)

Fターム[5G435HH13]に分類される特許

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【課題】多数の電気的なラインの接続の問題がなく情報表示器と駆動装置とを着脱自在に構成して携帯性を有し、表示メモリー性を充分に発揮することができ、さらに情報表示器を取扱う際の自由度が高い情報表示器およびそれを用いた情報表示システムを提供する。
【解決手段】表示メモリー性を有する情報表示用パネル12と、前記情報表示用パネルに印加する駆動電圧を制御するドライバーIC13(14)と、外部からのシリアル信号をパラレル信号に変換し、変換したパラレル信号を前記ドライバーICに伝達するシリアル‐パラレル変換手段15と、前記外部からのシリアル信号を受け取る情報表示器側コネクター16とを備え、前記情報表示器側コネクターが少なくとも二個設けられる。 (もっと読む)


【課題】カメラを、電子機器内のディスプレイの下に取り付けることができる。
【解決手段】ディスプレイ14の複数の層に開口を形成することができ、はめ込み層はカメラ22を収容する。開口内にスリーブ構造体146を取り付けることができる。カメラ22はレンズ素子の積み重ねによって形成されるレンズ構造体を含んでよい。ディスプレイの一つ以上の層が、レンズ構造体の中に挿入されてよい。ガラスはめ込み層はカラーフィルタ層60および薄膜トランジスタ層52における切り欠き内に取り付けられてもよいし、カラーフィルタ層60および薄膜トランジスタ層52の直線状の縁に沿って取り付けられてもよい。 (もっと読む)


【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置101は、基板111、前記基板111上に形成された前記第1透明導電膜1301及び前記第1透明導電膜1301上に形成された第1金属膜1302を含む多重膜構造と前記第1透明導電膜1301で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層153、そして前記半導体層上に形成された第2透明導電膜1701及び前記第2透明導電膜1701上に形成された第2金属膜1702を含む多重膜構造と前記第2透明導電膜1701で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 (もっと読む)


【課題】さらなる低温プロセス(350℃以下、好ましくは300℃以下)を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にn型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。 (もっと読む)


【課題】基板とFPCとの貼り合わせにおいて、接続端子の電極(パッド)の線幅方向に位置ずれが生じると、FPC端子と接続端子との接続面積が小さくなり、接触抵抗が大きくなってしまう。とくに、電源の電源電位が入力されている接続端子での接触抵抗の増加は表示不良の原因となる。そこで、電源供給ラインの抵抗を小さくし、電源供給ラインでの電圧降下を抑制し、表示不良を防止することを課題とする。
【解決手段】接続端子部には、複数の接続端子を有し、該複数の接続端子は、それぞれ接続端子の一部を成す接続パッドを備え、該複数の接続パッドには、第1の接続パッドと、該第1の接続パッドと線幅の異なる第2の接続パッドが含まれ、複数の接続パッドのピッチは等しくする。 (もっと読む)


【課題】1つのTFTアレイ領域に2つのゲート駆動回路が設けられた基板においてゲート駆動回路の検査を行う場合において、いずれか一方のゲート駆動回路に欠陥がある場合でもゲート駆動回路の欠陥を検出する。
【解決手段】検査対象である基板が備えるゲート駆動回路に駆動信号を供給するゲート駆動回路用ドライバ部と、検査対象である基板が備えるTFTアレイ領域を走査し、走査で得られるTFTアレイ領域の走査画像に基づいて、ゲート駆動回路およびTFTアレイ領域の駆動状態を検出する検出部とを備える。ゲート駆動回路用ドライバ部は、2つのゲート駆動回路に対して駆動信号を個別に供給しTFTアレイ領域を個別に駆動する。検出部は、各ゲート駆動回路の駆動時における2つの走査画像を取得し、各走査画像上の非駆動部位を検出し、各走査画像で検出された非駆動部位の出現状態に基づいてTFTアレイ領域とゲート駆動回路の非駆動状態を検出する。 (もっと読む)


【課題】
TFT基板にドライバをCOG実装方式で実装する場合でも、大画面化や高精細化、さらには高信頼性を両立させることが可能な液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】
TFT基板と対向基板との間に液晶を封止した液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルに光を照射するバックライトと、前記液晶表示パネルを支持するフレームとを有する液晶表示装置において、前記TFT基板には映像信号線と接続している半導体チップが配置され、前記半導体チップは、前記TFT基板の辺に沿って配置され、前記TFT基板の前記辺と前記フレームとの間には、平面的に見て前記半導体チップと対向する位置に、第1のスペーサが配置され、前記TFT基板の前記辺とは異なる他の辺と前記フレームとの間には、前記第1のスペーサよりも熱伝導率が低い第2のスペーサが配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】過電流による保護からの自動復帰が可能で、電源回路の保護機能を安価に構成でき、コストを低減することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ベースに駆動電圧信号が入力され、エミッタから駆動電圧を出力する出力トランジスタと、出力トランジスタに過電流が流れたときにオンとなる第1トランジスタと、第1トランジスタがオンの時にオンとなり、出力トランジスタをオフとする第2トランジスタとを有し、出力トランジスタに過電流が継続して流れている期間を過電流動作期間、出力トランジスタが正常に動作している期間を正常動作期間するとき、過電流動作期間内に第1トランジスタと第2トランジスタとはオン・オフを繰り返し、出力トランジスタを間欠動作させ、過電流動作期間から正常動作期間に移行したときに、第1トランジスタと第2トランジスタとはオフとなり、出力トランジスタは、自動的に正常動作に復帰する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの作製工程を簡略化し、フォトマスクの枚数を従来よりも少なくするだけでなく、新たな工程を増やすことなく発光表示装置を作製することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを構成する半導体層に真性または実質的に真性な高抵抗の酸化物半導体を使用することによって、個々のトランジスタに対して半導体層を島状に加工する工程を省くことができる。半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 (もっと読む)


【課題】製造工程の複雑化や複数の表示装置間で接点押圧力及び画像品質に差異を生ぜず製造歩留まりの良い接点内蔵型タッチ式液晶表示装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】接点内蔵型タッチ式液晶表示装置においては、第1基板12aと第2基板14aとを相互に支持する基板支持構造16の柱状スペーサ42が、第2基板の対向面において、複数の接点用突起40と同時に同じ材料で同じ高さに形成されている。基板支持構造は、第1基板の対向面において複数の柱状スペーサの先端が接触される先端を有し夫々が相互に同じ高さを有した複数の土台30も含む。液晶操作構造の複数の画素電極22及びタッチ位置検出構造の複数の接点電極26a,28aが、土台の高さ調整部30bの形成前に形成された導電性の第1層FLと高さ調整部の形成後に第1層に重複して形成された導電性の第2層SLとで形成されている。 (もっと読む)


【課題】生産性が良く、低コストに、開口面積の大きい薄膜トランジスタアレイ、及びそれを用いた画像表示装置を作製することができる薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層に離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁層を介して半導体層に離間して配置されたゲート電極とを有する表示スイッチング用の薄膜トランジスタを備えた画素が絶縁基板上に複数形成された薄膜トランジスタアレイにおいて、複数の画素100は互いに隣接して格子状に配置され、この複数の画素100のうち互いに隣接する4つの画素100を一単位とし当該一単位の中心部分あに各画素100の薄膜トランジスタ1001が集中して配置される構成にした。 (もっと読む)


【課題】外部光を効率よく発電に利用でき、製造が容易なディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板と、少なくとも一つの太陽電池と、少なくとも一つの有機発光素子とを有し、太陽電池と有機発光素子が基板の同一面上にあり、太陽電池と有機発光素子が電気的に接続され、太陽電池が発電した電力を有機発光素子の駆動に利用する、ディスプレイ装置。 (もっと読む)


【課題】ドライバの半導体集積回路装置の出力端子数が増加しても、半導体集積回路装置内部の配線層による電圧降下を防止する。
【解決手段】第1の配線層と第2の配線層とが形成されたフィルム基板と、前記フィルム基板上にチップオンフィルム方式で実装された半導体チップとを有し、前記第1の配線層と前記半導体チップの出力端子とが電気的に接続され、前記第2の配線層によって、前記半導体チップの複数の端子同士が電気的に接続されており、前記第2の配線層を介して、前記半導体チップの電源、或いはクロックが伝達される。前記第2の配線層は、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に形成される。 (もっと読む)


【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ICPエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が60°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ICPエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が60°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 (もっと読む)


【課題】製造工程中に生じる静電気に起因する不良を防止しつつ、簡便なプロセスで製造可能であり、かつ、薄膜トランジスタ特性を維持しつつ検査に適した薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線1及びソース配線2の少なくとも一方と、抵抗体4を介して電気的に接続されるショートリング配線3を備える。抵抗体4は、ソース配線2及びショートリング配線3と同一の層からなり、ショートリング配線3と一体的に形成されたメタル膜13と、メタル膜13の直下に形成された第2半導体膜12と、その直下に形成された第1半導体膜11の積層体からなる。抵抗体4の平面視上の形状は、少なくとも一部の領域において第1半導体膜11の幅W1に比して第2半導体膜12及び前記メタル膜13の幅W2を小さくし、抵抗体4の抵抗値は、メタル膜13の形状により調整する。 (もっと読む)


【課題】画素駆動回路のレイアウト面積を増加させず、かつ、短絡箇所のリペアをしなくとも、高精細かつ高信頼性を有する表示品質を維持する。
【解決手段】複数の走査線13と複数のデータ線12との交差部に配置された発光画素11を複数具備する有機EL表示装置1であって、発光画素11は、走査線13を介して走査信号が供給される選択トランジスタ21と、選択トランジスタ21を介してデータ線12から供給されるデータ電圧を保持するコンデンサ23と、データ電圧がゲートに印加されることにより、ドレイン電流を制御する複数の駆動トランジスタ22A、22B及び22Cと、複数の分割電極に分割された下部電極を含む有機EL素子とを有し、各分割電極は、分割数と同数設けられた駆動トランジスタのそれぞれに接続されており、有機EL素子は、各駆動トランジスタにより制御された電流が同時に流れることにより、当該電流に応じた発光をする。 (もっと読む)


【課題】輝度ムラ補正パラメータを生成するためのタクト時間を短縮して製造コストを低減し、発光パネルの輝度ムラを抑制する。
【解決手段】有機EL表示装置の製造方法は、全画素を所定の色及び所定の階調で同時に発光させるステップS03と、発光画像を2次元色彩計に撮像させるステップS04と、表示パネルの分割領域毎に色度を求めるステップS06と、有機発光層と反射電極との間の膜厚に依存する色度カーブ及び発光効率カーブを記憶するステップと、ステップS06にて求められた色度に対応する膜厚を上記色度カーブから算出するステップと、算出膜厚に対応する発光効率を発光効率カーブから算出するステップS07と、算出発光効率を基準発光効率に補正するための補正パラメータを、分割領域毎に算出するステップS08と、算出補正パラメータを装置内記憶部に格納するステップS09とを含む。 (もっと読む)


【課題】消費電力の低減を実現することができる、タッチパネルを有する半導体表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部、及び、画素部への画像信号の入力を制御する駆動回路が設けられたパネルと、画素部においてパネルと重なる位置に設けられたタッチパネルとを有する。画素部は、入力される画像信号の電圧に従って表示を行う表示素子と、電圧の保持を制御するトランジスタとを有する。トランジスタは、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる。そして、駆動回路の駆動周波数、すなわち一定期間内における画像信号の書き込み回数を、タッチパネルから入力される操作信号に従って変更する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 (もっと読む)


【課題】PVエレメントと組み合わされたディスプレイ・エレメントであって、その2つのエレメントが少なくとも部分的に同じ領域を占めるディスプレイ・エレメントを提供する。
【解決手段】ディスプレイデバイスは、光学活性なディスプレイ部を含む第1層と、光電エレメントを含む第2層と、上記第1層に対して動作可能に接続された回路を含む第3層と、を備え、上記回路は、上記光学活性なディスプレイ部を駆動するように構成されており、上記第2層は、上記第1層と上記第3層との間に配置されている。 (もっと読む)


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