【課題】電気光学装置用基板において、製造コストを低減すると共に、アライメント精度を高める。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板上に設けられた第１の絶縁膜（３１０）と、複数の画素（２０）と、複数の画素にわたって第１の絶縁膜に設けられた第１の凹部と、第１の凹部の底面に設けられた第２の凹部と、第２の凹部に設けられた有機半導体層（２４１）と、該有機半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜（２４５）と、該ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を含み、複数の画素のうち一の画素に対応づけられた薄膜トランジスタ（２４）と、ゲート絶縁膜の上層であって、複数の画素にわたって第１の凹部に設けられた走査線（４０）と、薄膜トランジスタと電気的に接続されたデータ線（５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体膜とソース・ドレイン電極とを好適に電気的接合させる。
【解決手段】駆動トランジスタ６における半導体膜６ｂの表面凹凸はエッチバックにより緩和されており、その半導体膜６ｂが一対の不純物半導体膜６ｆ，６ｇと接する上面側が平坦化されているので、半導体膜６ｂと不純物半導体膜６ｆ，６ｇとの界面は乱れることなく好適に接合される。そして、不純物半導体膜６ｆ，６ｇを介して、ドレイン電極６ｈとソース電極６ｉが半導体膜６ｂに好適に接合されるので、ドレイン電極６ｈとソース電極６ｉが半導体膜６ｂに好適に電気的接合されるようになる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を新規な作製方法で作製することにより、従来の構成の画素よりも、歩留まりの高くすることを目的とする。
【解決手段】基板上に第１乃至第６の配線と、第１及び第２のトランジスタと、画素電極を有する半導体装置の作製方法であって、基板上に第１の導電膜を形成し、第１の導電膜をパターニングすることで、第１のトランジスタのゲート電極、第２のトランジスタのゲート電極及び第３の配線を形成し、第１のトランジスタのゲート電極、第２のトランジスタのゲート電極及び第３の配線上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、層間絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、第２の導電膜をパターニングすることで、第１の配線、第２の配線、第４の配線、第５の配線及び第６の配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層による光透過率の低下を防止することができる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１基板１１０上に位置する第１絶縁層１１６と、第１絶縁層１１６上に位置する下部電極１１８ｂと、下部電極１１８ｂの上面及び側面を囲むように形成された誘電体層１２０ａと、誘電体層１２０ａ上に位置する上部電極１２２ａと、を備える。第１絶縁層１１６は、誘電体層１２０ａに対してエッチング選択比を有してもよい。第１絶縁層１１６は、シリコン酸化物を含み、誘電体層１２０ａは、シリコン窒化物を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造のキャパシタを備える平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域の基板上に半導体で形成された活性層と、第２領域の基板上に半導体で形成された下部電極と、活性層及び下部電極を含む上部に形成された第１絶縁層と、活性層上の第１絶縁層上に第１導電層及び第２導電層で形成されたゲート電極と、下部電極上の第１絶縁層上に第１導電層で形成された上部電極と、ゲート電極及び上部電極を含む上部に形成され、活性層及び上部電極が露出するようにパターニングされた第２絶縁層と、露出した活性層に接続されるソース電極及びドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板を有する素子の形成方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるプラスチック基板を有する素子の形成方法は、プラスチック基板を形成する工程と、前記プラスチック基板を熱処理する工程と、前記熱処理されたプラスチック基板を素子に適用する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造を有する有機発光表示装置、及び、単純化された有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体１１１と、基板本体上に多結晶シリコンで形成された半導体層１３５と、半導体層を覆うゲート絶縁膜１４０と、ゲート絶縁膜上に順次に積層された透明導電層部１５５１及びゲート金属層部１５５２で形成されたゲート電極１５５及び画素電極７１０と、を含み、画素電極は、透明導電層部で形成された発光領域と、透明導電層部及びゲート金属層部で形成された非発光領域と、に区分される。 （もっと読む）

【課題】情報表示機能及び情報入力機能を共に有し、比較的単純な構造及び向上した性能を有する有機発光表示装置、及び単純化された有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、複数の画素領域を含む基板１１１本体、有機発光素子７０、及び複数の発光用薄膜トランジスター２０を含んで前記複数の画素領域毎に各々形成された発光部（ＳＰ）、フォトセンサー６０、及び複数のセンサー用薄膜トランジスター３０を含み、前記複数の画素領域のうちの少なくとも一部の画素領域に形成されたセンサー部（ＳＰ）を含む。また、前記複数の発光用薄膜トランジスター２０及び前記複数のセンサー用薄膜トランジスター３０、そして前記フォトセンサー６０は、各々同一層に同一素材から形成された酸化物半導体層１５２，１５３及び酸化物光電変換層１５６を含む。 （もっと読む）

【課題】駆動素子の破損が生じにくい表示装置用パネル、およびこれを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置用パネル１００は、平面視において、表示領域１２と、該表示領域１２の外側に並設された制御領域１４とを有する基板１０と、平面視において、基板１０の制御領域１４内に固定された半導体素子２０と、を含み、基板１０の厚みは、半導体素子２０の厚み以上であり、半導体素子２０の表面の少なくとも一部は、算術平均高さ（Ｒａ）が０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の輪郭曲線を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の電気的特性変化を防止できる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたゲート電極、ゲート電極を含む上部に形成された第１絶縁層と、ゲート電極を含む第１絶縁層上に酸化物半導体で形成された活性層と、活性層を含む上部に形成された第２絶縁層と、第２絶縁層上に活性層と連結されるように形成されたソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極を含む上部に有機物で形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上にソース電極又はドレイン電極と連結されるように形成されたアノード電極と、アノード電極を含む上部に形成されて発光領域のアノード電極が露出するようにパターングされた画素定義膜と、露出したアノード電極上に形成された有機発光層、及び有機発光層上に形成されたカソード電極を含み、アノード電極が活性層と重ならないように配置される。 （もっと読む）

【課題】基準電圧設定装置、それを備える照度測定装置及びディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】第１暗電流を供給する第１素子、及び第２暗電流を供給する第２素子を備える電流発生部１１０と、電流発生部１１０と連結される第１演算増幅部１２０と、第１演算増幅部１２０と連結されて、第１演算増幅部１２０のオフセット電圧が補償された基準電圧を設定する電圧設定部１３０と、を備える基準電圧設定装置１００及びそれを備える照度測定装置、並びにディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する表示装置における湾曲時の表示信頼性を確保し、発熱を抑制することが可能な、表示装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有する基板と、基板に配列された複数の発光素子を有し、映像信号に応じた画像を表示する表示部と、基板の表面又は裏面の少なくともいずれかに設けられ、基板の湾曲状態を検知する変位センサと、変位センサにより基板の湾曲が検知された場合に、発光素子の共通カソード電極のカソード電位を制御する電位制御部と、を備える、表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】明度やコントラストの大きい反射型画像表示装置、それに用いる微小ミラー付き透明構造体、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】表示面からほぼ垂直方向に突出した微小ミラーを有し、該微小ミラーは表示面とほぼ垂直方向に反射面を有することを特徴とする画像表示装置、および画像表示装置の表示面からほぼ垂直方向に突出し、表示面とほぼ垂直方向に反射面を有する複数の微小ミラーを含むことを特徴とする微小ミラー付き透明構造体、並びに透明構造体を形成し、該透明構造体の一部に金属膜を成膜し、さらに透明樹脂で覆うことを特徴とする微小ミラー付き透明構造体の製造方法、および透明構造体を形成し、該透明構造体の一部に金属膜を成膜し、さらに透明樹脂で覆い、別途作製した画像表示装置の表示面に貼り付けることを特徴とする画像表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シート検査が可能なように設計され、単純な構造の画素回路を採用しながらも、シート検査時の輝度偏差を防止できるようにした有機電界発光表示装置のマザー基板及びその検査方法を提供する。
【解決手段】複数の画素を含む複数の有機電界発光表示装置のパネルと、パネルの外郭領域に第１方向に形成されて外部から供給される検査用電源又は信号をパネルに伝達する複数のシート配線を含む第１配線グループと、パネルの外郭領域に第２方向に形成されて外部から供給される検査用電源又は信号をパネルに伝達する複数の他のシート配線を含む第２配線グループと、外部から供給されるシート検査信号からパネルの画素に備えられた駆動トランジスタの閾値電圧に相応する電圧を差し引いてパネルに供給する補償部と、を備え、第１及び第２配線グループに含まれたシート配線のうち、シート検査信号を伝達するシート配線は各パネルに連結する連結配線に接続される。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高開口率、高歩留まり及び安定する表示光学特性を持つインセル式タッチ液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るインセル式タッチ液晶表示装置の各タッチセンサーモジュールは、１つのタッチ信号読取線、１つのタッチ読取トランジスタ及び１つの接触電極を含む。タッチ読取トランジスタは、それに近接する１つのゲートラインから入力される制御電圧を受けると、タッチ読取待ち状態に入り、この時、第二基板に設けられた凸状ブロックがそれに対応する接触電極に電気接触されると、タッチ電圧信号は凸状ブロックから接触電極を経由して、対応するタッチ読取トランジスタに入力される。従って、タッチ読取トランジスタが触発されて、それに接続されるタッチ信号読取線へ感応結果信号を出力し、駆動制御モジュールは、タッチ読取トランジスタに接続されたゲートライン及びタッチ信号読取線の位置に基づいて、タッチ位置を検知する。 （もっと読む）

【課題】本発明が目的とする技術的課題は、均一な表示特性を有するシリコン結晶化方法及びそれを用いた有機発光表示装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板上に非晶質シリコン層を蒸着する工程と、レーザービームの透過領域と遮断領域を有するマスクを通じて前記レーザービームを照射することで前記非晶質シリコン層を溶融する工程と、前記溶融されたシリコン層が凝固して結晶化する工程とを含み、前記マスクの遮断領域と前記透過領域の境界線の少なくとも一部は階段状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】装置全体の薄型化を可能とした表示装置および当該表示装置を有する携帯端末を提供する。
【解決手段】複数の画素１１が行列状に配置されてなる画素部１２とこの画素部１２に対して画素信号を書き込むべく駆動する駆動系（１３，１４）とが形成された第１の基板と、この第１の基板に対して対向配置された第２の基板と、これら基板間に保持された液晶層とを具備する液晶表示装置において、駆動系（１３，１４）を制御する制御系（２３，２４，２５）を、半導体チップで第１の基板上にＣＯＧ法によって実装するようにする。 （もっと読む）

【課題】NMOSプロセスで作成された基板の場合、誤判定または検査に要する測定時間の増大を回避するために、表示領域近傍にダミー画素領域を設けその中に不良ダミー画素を配置することにより、基板毎に自己検査機能回路（BISAT）の検査条件の最適化をし得るアレイ基板の提供を目的とする。
【解決手段】
複数の信号線の一方の端に、検査用基準画素と信号線セレクターと走査線セレクターと、比較信号線と、センスアンプとＥＯＲ比較器と、ＯＲ出力部と、出力ライン部とから構成される自己検査回路（BISAT）を有効に活用するために、表示領域近傍にダミー画素領域を設けて、該自己検査回路の測定条件を定めるために、前記ダミー画素領域に不良画素を設置し、該不良画素を前記自己検査回路（BISAT）で検査し、正常に前記不良画素を不良と判定されることを確認して、基板ごとに最適な測定条件を定める。 （もっと読む）