【課題】溶断部の溶断を短時間で確実に行うことができ、絶縁被覆が燃える危険性が小さなヒュージブルリンクを提供する。
【解決手段】長尺状の導体１０と、導体１０の長手方向の中間部に設けられ圧延加工により導体１０の素線部１５の断面積より小さい断面積に形成されて所定の値の電流により溶断可能な溶断部１１と、溶断部１１に溶着された導体１０より低融点の低融点金属体１３と、溶断部１１を低融点金属体１３と共に覆う耐火絶縁体１２とで形成される。 （もっと読む）

【課題】簡単に製造することができ、かつ、異金属との抵抗溶接も可能な、小型で安価なヒューズユニットを提供する。
【解決手段】第１の金属層１１及び開口部２０を有する第２の金属層１２が積層されたクラッド材１０を圧延して、開口部２０内に第１の金属層１１の一部を押し出すことによって、開口部２０内に、第１の金属層１１ａを埋設した後、クラッド材１０を所定のパターンで打ち抜く。開口部２０内の第１の領域３１を打ち抜くことによって、第１の金属層１１のみで構成されたヒューズ部４１が形成され、開口部２０外であって、第１の領域３１と接続する第２の領域３２を打ち抜くことによって、ヒューズ部４１に連結し、第１の金属層１１及び第２の金属層１２で構成された溶接部４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】遮断部間のばらつきやヒューズエレメント間のばらつきを抑えながらも、Ｉ^２ｔ値の低減、コスト低減、小型化を図ることができる電力用ヒューズを提供する。
【解決手段】セラミック基板２０上に導電膜２２が形成されて構成され、導電膜２２による複数の放熱部２４と複数の遮断部２６とが一体的に連続形成されたヒューズエレメント１８を有する電力用ヒューズ１０において、導電膜２２は、セラミック基板２０の表面に対する１回以上の印刷による印刷層３２にて構成され、放熱部２４を構成する印刷層３２の積層数が、遮断部２６を構成する印刷層３２の積層数以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度ヒューズを実装基板に影響を与えることなく実装できる温度ヒューズの実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の温度ヒューズの実装方法は、Ｃｕで構成された第１の金属端子１１および第２の金属端子１２と、前記第１の金属端子１１の一端部１１ａと第２の金属端子１２の一端部１２ａとの間に橋設され、かつ周囲にフラックス１３が塗布された可溶合金１４と、前記可溶合金１４を覆うように設けられた絶縁体１５、１６と、前記可溶合金１４と絶縁体１５、１６からなる本体部１７とを備えた温度ヒューズの実装方法であって、前記第１の金属端子１１、第２の金属端子１２の上面に金属体２３を当接させた状態でレーザ照射することによって、前記第１の金属端子１１および第２の金属端子１２を実装基板２１の上面に形成された一対のランドパターン２２に接続するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】溶融させた半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断することが可能な保護素子を提供する。
【解決手段】各電極１１４は、基板１１１上に積層された第１の導電層１１２と、第１の導電層１１２が積層された基板１１１上の面方向に互いに離間した位置に積層された第２の導電層１１３とから形成され、半田ペースト１１６は、電極１１４との濡れ性が基板１１１よりも高く、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３とが積層された基板１１１上に積層され、抵抗体１０３が発する熱、及び、電極１１４と半田ペースト１１６とからなる積層部が発する熱との少なくとも一方により溶融することで、電極１１４間に積層された第１の導電層１１２を浸食しながら、基板１１１に比べて濡れ性が高い電極１１４側に引き寄せられて溶断される。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ部の焼損時に確実に電路を遮断することのできるプリント配線板、電子デバイス、及びプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板１０が、孔１１ａ（開口部）を有する絶縁性の樹脂基板１１と、樹脂基板１１上に形成された、導体からなる第１端子部１２ａ及び第２端子部１２ｂと、第１端子部１２ａ及び第２端子部１２ｂを相互に電気的に接続するヒューズ部１２ｃと、を有する。ヒューズ部１２ｃの少なくとも一部は、孔１１ａ上に配置され、且つ、絶縁性を有する多孔質の無機被覆材１３で覆われている。 （もっと読む）

【課題】過電流状態における電流ヒューズ素子の溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１と、第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２と、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３とを含んでいる。第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１は、焼成によって基体部１１の上面に形成された第１の導体層２１１を含んでいる。第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２は、焼成によって基体部１１の上面に形成された第２の導体層２２１を含んでいる。電流ヒューズ素子用めっきパターン２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１の上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の上面にかけて設けられて、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２を電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】電流ヒューズ機能および発熱抵抗体付き温度ヒューズ機能を一体的に有するとともに小型化を図ること。
【解決手段】ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、電流ヒューズ素子用パターン２と、温度ヒューズ素子３と、セラミック構造体１は、焼成によって一体的に形成されているとともに、下層１１と介在層１２と上層１３とを含んでいる。電流ヒューズ素子用パターン２は、焼成によってセラミック構造体１と一体的に形成されている。温度ヒューズ素子３は、上層１３の上面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】作動特性を良好にすることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することを目的とする。
【解決手段】複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に一対の凹部を有する基体と、前記基体上であって、平面視して前記一対の凹部で挟まれる領域に設けられる温度ヒューズエレメントと、前記基体内であって、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い温度で溶断されかつ抵抗値が小さい温度ヒューズを有する遮断機構を備えた電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】遮断機構１０は、基板１の上側に設けられ、それぞれが所定の電子回路に接続された一方の主配線導体２および他方の主配線導体２と、電流が流れることによって発熱するように基板１の主表面上に設けられたヒータ導体４とを備えている。さらに、遮断機構１０は、一方の主配線導体２と電極膜３とを接続する一方の低融点金属導体５と、他方の主配線導体２と電極膜３とを電気的に接続する他方の低融点金属導体５とを備えている。また、一方の低融点金属導体５および他方の低融点金属導体５のそれぞれが、一方の主配線導体２および他方の主配線導体２のいずれの融点よりも低い融点を有している。 （もっと読む）

電流ヒューズ装置及びそれを含む電池アセンブリ。前記電流ヒューズ装置（１００、２００）は、キャビティ（１０）を有する絶縁筐体（１）と、第１の内端部（２１１）を有する第１の導体（２１）と、第２の内端部（２２１）を有する第２の導体（２２）と、キャビティ（１０）内部の第１の導体（２１）及び第２の導体（２２）のうちの少なくとも１つに設けられる少なくとも１つの弾性部材（３１、３２）とを含む。前記弾性部材（３１、３２）は、第１及び第２の内端部（２１１、２２１）と同時に電気的接続を形成する。前記弾性部材（３１、３２）は、短絡中電気的接続を遮断するための弾性ポテンシャルエネルギーを有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】電流保護の素子構造、および、製造方法を提供する。
【解決手段】電流保護の素子構造は、基材、キャビティ、融解元素、および、電極端子からなる。基材は、上層部と下層部を有し、融解元素は、基材の上層部と下層部間に設置され、その外縁は基材の外部に露出する。キャビティは、融解元素の表面に設置されて、融解元素の融解空間を形成する。電極端子は導電電極を形成する。本発明は、電流保護の素子の製造方法も提供する。本方法は、基材を提供し、基材が上層部と下層部を形成するステップと、上層部、或いは、下層部がキャビティを形成するステップと、融解元素を、上層部と下層部間に設置するステップと、基材の外部に融解元素端部が露出するステップと、
端部が電極端子を形成するステップと、キャビティを有する素子を得るステップと、からなる。これにより、基材、キャビティ、融解元素、および、電極端子が、回路中で、多種の異なる大きさの電流の保護効果を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズ用銅合金材の溶断特性を改善する。
【解決手段】 銅合金基材の表面に、厚さ０．０１〜２０μｍのＮｉめっき層を形成し、その上に厚さ０．１〜３０μｍのＳｎめっき層を形成した後、リフロー処理又は加熱処理を行って、前記Ｎｉ，Ｓｎ含有合金層を形成するとともに前記Ｎｉめっき層を消滅させる。Ｓｎめっき及びその後のリフロー処理又は加熱処理の代わりに、溶融Ｓｎめっきを行うこともできる。銅合金基材１の表面にＮｉ−Ｓｎ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金、又はその両者からなるＮｉ，Ｓｎ含有合金層３が形成され、その上に最表層として純Ｓｎ層４が形成されたヒューズ用めっき付き銅合金材が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐インラッシュ性と速断性を両立させることができる回路保護素子を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の回路保護素子は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、この一対の上面電極１２を橋絡するように形成され、かつ前記一対の上面電極１２と電気的に接続されたエレメント部１３と、このエレメント部１３と前記絶縁基板１１との間に設けられた珪藻土を含有する下地層１４と、前記エレメント部１３を覆うように設けられた絶縁層１５とを備え、前記エレメント部１３を、Ｎｉからなる第１のエレメント部１６と、この第１のエレメント部１６の上面に形成されかつＣｕとＡｇもしくはＡｕとを積層することによって構成された第２のエレメント部１７とで構成したものである。 （もっと読む）

【解決手段】外部電源接続部（ＶＢＡＴ）、内部電源接続部（ＶＤＤ）、および給電を受けるために内部電源接続部（ＶＤＤ）と接続された集積回路（２）を含むチップパッケージ（１）において、外部電源接続部（ＶＢＡＴ）と電気的に接続するヒューズ（３）を、チップパッケージ（１）内に設ける。 （もっと読む）

【目的】ジャンクションブロックを不要とし、またワイヤーハーネスの占有スペースを縮小化し、過電流となった主電流を確実に遮断できて、電気経路を確実に開放できるヒューズ素子を半導体基板内に形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ半導体基板１に形成したトレンチ１８の内壁にシリコン酸化膜２１を介してヒューズ素子２２を形成し、トレンチ１８の開口部を塞ぐようにポリイミド膜２３を被覆することで、溶断したヒューズ素子２２が再度固化したときに、固化したヒューズ材で第１表面端子ａと第２表面端子ｂの間を短絡しないようにする。半導体装置内にヒューズ素子２２を有することで、ジャンクションブロックを不要とし、またワイヤーハーネスの占有スペースを縮小化できる。 （もっと読む）

【課題】半田層の厚み寸法が５０μｍより厚くしかも長手方向の厚み寸法のバラツキが小さい厚膜半田層付き金属条の製造方法を提供することにある。
【解決手段】下地メッキ層付き金属条１の一部の領域１Ａを加熱した状態を維持して、溶融半田供給装置１５と下地メッキ層付き金属条１との間に長手方向ＬＤに沿う相対的な動きを生じさせながら、下地メッキ層５の上に溶融半田供給装置１５から溶融半田１３を載せて、金属条３の上に厚膜半田層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒューズエレメント溶断時における溶断金属や溶断滓の端子部への付着を簡単な構成で効果的に防止し得る実効性の高いヒュージブルリンクを提供する。
【解決手段】一対のオス形又はメス形端子部２ａ、２ａ間が溶断部２ｄである略Ｕ字状をしたヒューズエレメント２と、ヒューズエレメント２を包囲する絶縁樹脂製のハウジング３と、ハウジング３の開口面３ａを覆う蓋体４とでヒュージブルリンク１を構成する。そして、ヒューズエレメント２の溶断部２ｄと、一対のオス形又はメス形端子部２ａとの間に、ヒューズエレメント２の溶断時における溶断飛沫や溶断滓Ｒの端子部２ａへの付着を防止する遮蔽板５を設ける。 （もっと読む）

【課題】定格電流内での温度上昇を抑制すると共に限流性能を維持して溶断時の遮断電流を小さくすること。
【解決手段】内筒１の外周に線状又は帯状の可溶体３を巻回し、当該内筒１と可溶体３の一体物を絶縁物の円筒体６に収納し、内筒１外壁と円筒体６内壁との間に消弧砂７を充填し、円筒体６の両端開口部を端子５にて封じる。可溶体３は、高融点金属材料からなる丸線１０又は帯状線２０の外周面に低融点金属材料からなる金属被覆材１１、２１を被覆した構造を有する。高融点金属材料としてタングステン又はモリブデンを用い、低融点金属材料として、鉛、亜鉛、スズ、カドミニウム、アルミニウム、銅、銀、又はこれらの合金を用いる。 （もっと読む）