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Fターム[5G502BD02]の内容

ヒューズ (5,808) | ヒューズの中間絶縁体 (526) | 中間絶縁体の形状 (480) | 基板を用いたもの (121)

Fターム[5G502BD02]に分類される特許

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【課題】高密度化された基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】遮断配線30は、過電流による発熱に応じて溶断することで当該遮断配線30を介した接続を遮断するように構成されている。そして、基板面を被覆するソルダレジスト28には、遮断配線30の一部を外方に露出させるための矩形状の開口28aが形成されている。この開口28aは、遮断配線30のうち最も発熱する部位であるその全長の中央近傍部位を外方に露出させるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】埋め込み(密閉)孔の補助を用いて電力供給の動作を切断する保護素子、およびこの保護素子を用いた保護装置を提供する。
【解決手段】パッケージ基板100、パッケージ基板100内に設けられ、第1の溶断作用領域を有する第1の溶断ユニット101、パッケージ基板100内に設けられ、第2の溶断作用領域を有し、第1の溶断ユニット101と隣接して設けられる第2の溶断ユニット102、および第1の溶断作用領域および第2溶断作用領域に対応してパッケージ基板100内に設けられ、第1と第2の溶断作用領域の1つが溶断した時、溶断で生じたエネルギーがもう1つの溶断作用領域を切断するのを補助するように設けられた第1の埋め込み孔103を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】従来から周知の過電流保護素子と過電圧保護素子とを一体化した回路保護素子は、過電圧保護素子が短絡した場合過電流保護素子が機能しなくなるという問題があった。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に形成された端子電極と、前記端子電極間の少なくとも二か所に直列に接続したヒューズと、前記ヒューズ間を結ぶ導電部から過電圧保護材料を介して形成された少なくとも二つのアース電極と、前記ヒューズと前記過電圧保護材料とを覆う保護樹脂層と、を有する過電流過電圧保護素子を採用することによって、二か所のギャップのうち一方の過電圧保護素子が短絡しても、過電流保護素子は正常に機能する。 (もっと読む)


【課題】遮断部間のばらつきやヒューズエレメント間のばらつきを抑えながらも、It値の低減、コスト低減、小型化を図ることができる電力用ヒューズを提供する。
【解決手段】セラミック基板20上に導電膜22が形成されて構成され、導電膜22による複数の放熱部24と複数の遮断部26とが一体的に連続形成されたヒューズエレメント18を有する電力用ヒューズ10において、導電膜22は、セラミック基板20の表面に対する1回以上の印刷による印刷層32にて構成され、放熱部24を構成する印刷層32の積層数が、遮断部26を構成する印刷層32の積層数以上である。 (もっと読む)


【課題】低い温度で溶断されかつ抵抗値が小さい温度ヒューズを有する遮断機構を備えた電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】遮断機構10は、基板1の上側に設けられ、それぞれが所定の電子回路に接続された一方の主配線導体2および他方の主配線導体2と、電流が流れることによって発熱するように基板1の主表面上に設けられたヒータ導体4とを備えている。さらに、遮断機構10は、一方の主配線導体2と電極膜3とを接続する一方の低融点金属導体5と、他方の主配線導体2と電極膜3とを電気的に接続する他方の低融点金属導体5とを備えている。また、一方の低融点金属導体5および他方の低融点金属導体5のそれぞれが、一方の主配線導体2および他方の主配線導体2のいずれの融点よりも低い融点を有している。 (もっと読む)


【課題】基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】遮断配線30は、一側接続配線40および他側接続配線50を介して電源配線23およびランド26に接続されている。一側接続配線40は、両側の側縁41,42が遮断配線30の両側の側縁31,32となだらかに連続しており電源配線23に向かうにつれて円弧状に広がるように、形成されている。また、他側接続配線50は、両側の側縁51,52が遮断配線30の両側の側縁31,32となだらかに連続しておりランド26に向かうにつれて円弧状に広がるように、形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子に接続された一対の導電ライン間に、電源平滑用などのコンデンサを設けてなる電子装置において、コンデンサを2個直列とすることなくコンデンサの短絡によるFHを適切に防止する。
【解決手段】外部と接続される第1の端子11および第2の端子12と、第1の端子11および第2の端子12に電気的に接続された回路基板20と、回路基板20に搭載され、第1の端子11および第2の端子12に電気的に接続された集積回路40を有する半導体素子30と、を備え、第1の端子11に電気的に接続された第1の導電ライン80と第2の端子12に電気的に接続された第2の導電ライン81との間に、コンデンサ90とヒューズ33aとが直列に接続されており、ヒューズ33aは半導体素子30内に形成された配線により構成され、ヒューズ33aの周りに、ヒューズ33aをヒューズ33a以外の部位と非接触とする空間部33bを設けている。 (もっと読む)


【課題】 低融点金属の単体や合金を使用することなく、比較的高い融点を有する可溶性金属の単体または合金をヒューズエレメントに用いた回路保護素子を提供する。
【解決手段】 所定の温度で溶断する可溶金属のヒューズエレメント10と、絶縁層を介在してヒューズエレメントの表面に巻回配置した発熱抵抗体20と、ヒューズエレメント10および発熱抵抗体20を電気的に接続する接合部位30とを備える回路保護素子であり、500℃〜800℃の融点を有するPbフリー可溶金属からなる前記ヒューズエレメント10は、発熱抵抗体20の発熱により加熱され、溶断する回路保護素子である。ここで、ヒューズエレメントはメイン動作回路に、発熱抵抗体はメイン動作回路の異常を感知し作動するサブ動作回路に、それぞれ接続されて回路保護素子として機能する。 (もっと読む)


【課題】 作動特性を向上させることが可能なセラミックヒューズおよびセラミックヒューズ用基体を提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ1であって、複数のセラミック基板を積層して成る基体6と、基体6の最上層4aに設けられた温度ヒューズエレメント3と、基体6内に設けられた電流ヒューズエレメント7と、基体6内に設けられ、温度ヒューズエレメント3と電流ヒューズエレメント7の両方を電気的に接続した導体接続部5と、を備え、導体接続部5の上下方向の電気抵抗は、導体接続部5の平面方向の電気抵抗よりも小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 多機能性のセラミックヒューズおよびセラミックヒューズパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ1であって、セラミック基板4と、セラミック基板4に設けられた温度ヒューズエレメント3と、セラミック基板4に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重なる領域に配置された発熱抵抗体5と、セラミック基板4に設けられた、流れる電流の電流値が所定以上の電流値になると溶断する電流ヒューズエレメント6と、セラミック基板4に設けられた、温度が所定温度以上になると溶断する低融点合金7とを備えている。 (もっと読む)


【課題】銅(Cu)からなる配線状の金属層上に、スズ(Sn)からなる低融点金属層が積層された構成の例えばチップ型薄膜であるヒューズにおいては、定格使用状態においても、銅(Cu)のスズ(Sn)中へのエレクトマイグレーション(EM)に起因する金属層の細線化、断線の障害が発生する。このEMの進行を抑制し同ヒューズの長寿命を図る。
【解決手段】低融点金属層(スズ)の融点より低い再結晶化温度レベルで、製作されたヒューズに対する熱処理を行うことなどにより、低融点金属層(スズ)中の平均結晶粒径の大きさを、その低融点金属層の厚さの二分の一以上にする。これにより大幅にEMの進行レベルが低下し、金属層厚の増加などの行うことなく、ヒューズ溶断特性を変えることなく、このチップ型薄膜ヒューズの長寿命化が可能となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低電流で動作させることができる回路保護素子を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の回路保護素子は、エレメント部14の互いに対向する側面14aから前記エレメント部14の中心方向に向かって交互にレーザ照射して複数の溶断部形成用トリミング溝15a〜15dを形成することにより設けられた溶断部16と、前記エレメント部14における前記複数の溶断部形成用トリミング溝15a〜15dよりも外側の箇所にレーザ照射することにより形成された2つの抵抗値調整用トリミング溝17とを備え、下地層13に切欠部18を2箇所形成するとともに、前記切欠部18および抵抗値調整用トリミング溝17をそれぞれ溶断部16に対して点対称に形成し、さらに前記抵抗値調整用トリミング溝17を前記切欠部18の内部に形成するようにしたものである。 (もっと読む)


【課題】 作動特性を良好にすることが可能なセラミックヒューズを提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ1であって、セラミック基板2と、セラミック基板2に設けられた温度ヒューズエレメント3と、セラミック基板2の平面透視して温度ヒューズエレメント3と重なる領域に温度ヒューズエレメント3と間をあけて設けられた、単位長さ当たりの抵抗値が両端部F2に比べて中央部F1で大きい発熱抵抗体5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ヒューズ部の焼損時に確実に電路を遮断することのできるプリント配線板、電子デバイス、及びプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板10が、孔11a(開口部)を有する絶縁性の樹脂基板11と、樹脂基板11上に形成された、導体からなる第1端子部12a及び第2端子部12bと、第1端子部12a及び第2端子部12bを相互に電気的に接続するヒューズ部12cと、を有する。ヒューズ部12cの少なくとも一部は、孔11a上に配置され、且つ、絶縁性を有する多孔質の無機被覆材13で覆われている。 (もっと読む)


【課題】生産性を改善しつつ小型化を図ったヒューズ装置を提供すること。
【解決手段】ヒューズ装置は、セラミック基体1と、発熱抵抗体21および第1の温度ヒューズ素子22を含む発熱抵抗体付き温度ヒューズ部2と、第2の温度ヒューズ素子31とを含んでいる。発熱抵抗体21は、セラミック基体1の内部にセラミック基体1と一体的に設けられている。第1の温度ヒューズ素子22は、セラミック基体1の表面に設けられているとともに、発熱抵抗体21に熱的に結合されている。第2の温度ヒューズ素子31は、セラミック基体1の表面に設けられており、第1の温度ヒューズ素子22に電気的に直列接続されているとともに、保護対象に熱的に結合される。 (もっと読む)


【課題】過電流状態における電流ヒューズ素子の溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体1と、第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21と、第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22と、電流ヒューズ素子用めっきパターン23とを含んでいる。第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21は、焼成によって基体部11の上面に形成された第1の導体層211を含んでいる。第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22は、焼成によって基体部11の上面に形成された第2の導体層221を含んでいる。電流ヒューズ素子用めっきパターン23は、第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21の上面から第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22の上面にかけて設けられて、第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21および第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22を電気的に接続している。 (もっと読む)


【課題】低融点合金片両側の空間を排除するにもかかわらず良好な作動性を有する小サイズ化された合金型温度ヒューズを提供する。
【解決手段】リード導体1、1の表面端部間に低融点合金片2の溶湯を配給し、表面開放の充分に速い冷却速度のもとで冷却して、当該溶湯の表面張力と当該リード導体1の表面の表面張力とが平衡する前の段階で冷却凝固させて、再溶融に対し表面張力変形性能を保有させた。 (もっと読む)


【課題】 作動特性の向上に寄与することが可能な、抵抗温度ヒューズ、ならびに抵抗温度ヒューズパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】 抵抗温度ヒュー1ズであって、基板2と、基板2の上面に設けられた一対の電極3と、基板2の上面に設けられ、一対の電極3間に配置された発熱抵抗体4と、基板2内に設けられ、一対の電極3の一方および発熱抵抗体4の一端に電気的に接続され、且つ一対の電極3の他方および発熱抵抗体4の他端に電気的に接続された一対の内部電極5と、発熱抵抗体4の上面から一対の電極3の両方の上面にかけて設けられた温度ヒューズエレメント6とを備えたことを特徴とするものである。作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズ1となる。 (もっと読む)


【課題】電流ヒューズ素子用導体パターンの溶断箇所におけるジュール熱の損失を低減させて、過電流状態における電流ヒューズ素子用導体パターンの溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体1と、電流ヒューズ素子用導体パターン2とを含んでいる。セラミック構造体1は、凹部112の開口部を含む上面111を有する基体部11と、基体部11の上に設けられているとともに開口部を囲んでいる枠体部12と、枠体部12の上に設けられた蓋体部13とを含んでいる。電流ヒューズ素子用導体パターン2は、焼成によって基体部11の上面111に形成されているとともに、開口部を跨ぐように設けられている。 (もっと読む)


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