【課題】コストの低減を図りつつ、かつ、精度よく基準電流を生成することが可能な半導体装置、光ディスク装置及び半導体装置のテスト方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基準電流を生成する電流生成回路と、記生成された基準電流をテスタ３００へ出力する外部端子Ｔ１と、基準電流の電流値を制御するための電流制御データを、外部端子Ｔ１から出力された基準電流に応じてテスタ３００により設定される外部端子Ｔ２と、テスタ３００により設定された電流制御データにしたがって、電流生成回路により生成される基準電流が所定値となるように調整する電流制御部１４と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ参照電源回路の応答を速くすること。
【解決手段】温度係数が正の絶対温度比例電流を生成する絶対温度比例電流生成回路と、前記絶対温度比例電流のミラー電流を生成するミラー電流生成部と、前記ミラー電流に基づいて生成される温度係数が正の絶対温度比例電圧及び係数が負の相補的電圧から温度係数の絶対値が前記絶対温度比例電圧より小さいバンドギャップ参照電圧を生成するバンドギャップ参照電圧生成部とを有し、前記ミラー電流生成部と前記バンドギャップ参照電圧生成部の間の接続ノードから共通の出力ノードに接続され、当該出力ノードから前記バンドギャップ参照電圧を出力する複数のバンドギャップ参照電圧出力回路とを有し、前記複数のバンドギャップ参照電圧出力回路のうちの一部の回路は、前記ミラー電流生成部と前記接続ノードの間及びバンドギャップ参照電圧生成部と前記接続ノードの間それぞれに設けられた１及び第２のスイッチ回路を有すること。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の温度特性を補正し、出力電圧の変動を抑制することができるバンドギャップリファレンス回路及び電源回路を提供すること。
【解決手段】ＢＧＲ回路１００は、電源端子ＶＤＤとグランド端子ＧＮＤとの間に接続さ、ベースが出力端子Ｔ_ＯＵＴと接続されるバイポーラトランジスタＱ１及びＱ２を有する。グランド端子ＧＮＤとバイポーラトランジスタＱ１との間には抵抗Ｒ１が接続される。抵抗Ｒ１とバイポーラトランジスタＱ２との間には抵抗Ｒ２ａ及びＲ２ｂが直列に接続される。抵抗Ｒ２ａ及びＲ２ｂ間のノードとグランド端子ＧＮＤとの間には温度補正回路１０が接続される。温度補正回路１０は抵抗Ｒ２ａ及びＲ２ｂ間のノードとグランド端子ＧＮＤとの間に接続され、ベースが抵抗Ｒ１のバイポーラトランジスタＱ１側端とトランジスタＱ１１を有する。また、トランジスタＱ１１と直列に接続される抵抗Ｒ１１を有する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下又は低温環境下であっても温度依存性を効果的に抑制し得る基準電圧発生回路をより簡易に実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路１は、基準電圧Ｖｒｅｆを生成すると共に、環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路３と、ダイオードＶｆ１（基準素子）の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部４と、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧Ｖｒｅｆを補正する基準電圧補正部５とを備えている。そして、基準電圧補正部５は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧回路３における所定電流経路の電流量を変化させている。 （もっと読む）

【課題】温度依存性が少ない低電圧（１．２５Ｖ以下）の定電圧を発生する、基準電圧回路を提供すること。
【解決手段】二つのＰＮ接合を有し、いずれかのＰＮ接合に基づいた電圧Ｖｋと、二つのＰＮ接合の電圧の差に基づいた電流Ｉｋと、を出力するバンドギャップ電圧発生回路と、電圧Ｖｋを分圧する分圧回路と、を備え、分圧回路は入力する電流Ｉｋにより分圧電圧を補正して、基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＲとレギュレータの温度特性を正しく補正する機能を持つ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】分圧回路５０は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを分圧した電圧ＶＴ１およびＶＴ２を出力する。レギュレータ６は、差動アンプＡＭＰ１と、差動アンプＡＭＰ１の出力とグランドとの間に直列接続された抵抗Ｒ４および抵抗Ｒ５とを含む。差動アンプＡＭＰ１の正の入力端子は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを受け、負の入力端子は、抵抗Ｒ１とＲ２の接続ノードＮＤ６と接続する。ＢＧＲ回路４は、ＢＧＲ回路４内を流れる所定量の電流と所定の抵抗とによって定まる温度に応じて変化する電圧ＶＰＴＡＴを出力する。温度特性補正回路２は、電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ１との差、および電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ２との差に応じた大きさの補正電流ＩＣＯＲＲＥＣＴを接続ノードＮＤ６に流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】温度に対し高精度なリファレンス電圧の発生を実現する。
【解決手段】ダイオード接続されたトランジスタのベース−エミッタ間電圧を用いた、温度に対して負の特性を持つ電圧に、絶対温度に比例する正の特性を持つ電圧を加えて１次の温度補償を行うとともに、さらに前記トランジスタのベース−エミッタ間電圧に含まれる例えば２次の温度特性成分を打ち消す温度補償信号を発生するＮ次温度補償信号発生回路１０５を設け、ベース−エミッタ間電圧に、Ｎ次温度補償信号発生回路１０５からの温度補償信号Ｖｃｏｍｐを加えることにより、ベース−エミッタ間電圧に含まれる２次の温度特性成分による変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】オフセットの影響を低減すると共に、温度依存性を微調整して基準電圧を目標値に近づけることのできる基準電圧回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】第１および第２入力端子を有し、基準電圧VBGRを出力する第１増幅器AMPBM1と、第１負荷素子R1および第１ｐｎ接合素子Q1と、第２および第３負荷素子R2,R3並びに第２ｐｎ接合素子Q2と、を有し、さらに、前記第１増幅器における前記第１および第２入力端子間のオフセット電圧を低減するオフセット電圧低減回路AMPBS1と、第１および第２接続ノードIP,IMの電位を取り出す接続ノード電位取り出し回路ＲＥＧ１と、前記接続ノード電位取り出し回路により取り出された前記第１および第２接続ノードの電位に従って、前記第２ｐｎ接合素子Q2の面積を調整する面積調整回路PNPB1,CAREAと、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードのアノード側電圧を用いて出力電圧を生成する基準電圧回路において、ダイオード温度非直線性を補正し、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を小さくすること。
【解決手段】温度補償型基準電圧回路は、ダイオードのアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路と、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタから成る差動対を有する温度補償回路とを備え、第１のトランジスタは定電流源とダイオードのアノード端子との間に接続され基準電圧回路の第１のノードの電圧をゲート電極に受け、第２のトランジスタは定電流源と基準電位点との間に接続され記基準電圧回路の第２のノードの電圧をゲート電極に受け、第１のノードの電圧の温度依存性は第２のノードの電圧の温度依存性よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】基準電流の大きさを温度勾配を維持したまま調整することができる基準電流出力装置を提供する。
【解決手段】基準電圧・電流出力回路１２により基準電流ｉ３’を出力し、変換出力回路１４により、基準電圧・電流出力回路１２から出力された基準電圧を調整用電流ｉ４に変換して出力し、重畳出力部１６により、基準電流ｉ３’に調整用電流ｉ４を重畳して重畳電流ｉ６を出力する。 （もっと読む）

【課題】スタートアップ回路を必要とせず、入力安定度の良い定電流回路及び基準電圧回路を提供する。
【解決手段】定電流回路は、定電流生成ブロック回路１１２と、差動増幅回路１１１と、デプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１３及び１４で構成され、差動増幅回路１１１は、出力端子をデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１３及び１４のゲート端子に接続され、反転入力端子をデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１３のソース端子と定電流生成ブロック回路１１２に接続され、非反転入力端子をデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１４のソース端子と定電流生成ブロック回路１１２に接続される。定電流源ブロック回路１１２は、ゲート端子同士を接続したエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ１１及び１２と、抵抗１５を備えている。デプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１４のソース端子が定電流回路の定電流出力端子１０２に接続される。 （もっと読む）

【課題】最低動作電圧を引き下げることが可能な基準電圧生成回路を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１１は、可変電圧ＶＴと下限電圧ＶＬが各々ベースに入力されるｎｐｎ型トランジスタＡ１及びＡ２を含む第１入力段と、エミッタが基準電圧ＶＲＥＦの出力端に接続されたｐｎｐ型トランジスタＡ３を含む第１出力段と、可変電圧ＶＴと下限電圧ＶＬの高い方と基準電圧ＶＲＥＦが一致するように第１出力段を制御する第１増幅段（オペアンプＡ４）と、を備えた第１アンプ回路Ａと基準電圧ＶＲＥＦと上限電圧ＶＨが各々ベースに入力されるｎｐｎ型トランジスタＢ１及びＢ２を含む第２入力段と、エミッタが基準電圧ＶＲＥＦの出力端に接続されたｐｎｐ型トランジスタＢ３を含む第２出力段と、基準電圧ＶＲＥＦと上限電圧ＶＨが一致するように第２出力段を制御する第２増幅段（オペアンプＢ４）と、を備えた第２アンプ回路Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】高電圧電源に接続される基準電圧回路であって、当該基準電圧回路が生成する基準電圧より高くて電圧変動の小さいクランプ電圧を電源電圧とするともに、当該クランプ電圧を小規模な回路で実現する基準電圧回路を提供することにある。
【解決手段】この基準電圧回路１００は電流供給回路３と定電圧回路１およびクランプ回路２で構成され、クランプ回路２のＰＭＯＳＦＥＴ９のゲートに基準電圧Ｖｒｅｆを入力してＰＭＯＳＦＥＴ９をソースフォロア回路として動作させることで、ソース電圧をクランプ電圧にクランプし、このソースと接続する定電圧回路１の電源端子８の電圧はこのクランプ電圧に決められる。 （もっと読む）

【課題】オペアンプのオフセット電圧の影響を抑えたバンドギャップ電圧と最低動作電圧を抑えたバンドギャップ電圧とを得ることを目的とする。
【解決手段】開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタ、第２のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第１の抵抗、第１のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第１の抵抗の他端が入力に接続され、負帰還制御が行われる第１のオペアンプを有する。また、開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタのエミッタにベースが接続された第３及び第４のＰＮＰトランジスタ、第４のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第２の抵抗、第３のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第２の抵抗の他端が入力に接続された、負帰還制御が行われる第２のオペアンプを有する。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズに対して安定に基準電圧を生成することができる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】基準電圧発生回路が、ノードＮ_１とノードＮ_２の電位差が０になるようにフィードバックを行う演算増幅器ＡＭＰと、演算増幅器ＡＭＰの出力とノードＮ_１、Ｎ_２の間に接続された抵抗素子Ｒ_１１、Ｒ_２１と、ノードＮ_１、Ｎ_２と接地端子の間に接続されたダイオード接続のバイポーラトランジスタＱ_１、Ｑ_２と、バイポーラトランジスタＱ_１のエミッタとノードＮ_１との間に接続された抵抗素子Ｒ_１２と、バイポーラトランジスタＱ_２のエミッタとノードＮ_２との間に接続された抵抗素子Ｒ_２０、Ｒ_２２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を持たないバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】第１及び第２の入力端に供給される電位差に基づいて電流経路ＰＡ，ＰＢに流れる電流量を制御することによりリファレンス電圧を生成するオペアンプＯＰと、第１及び第２の入力端が電流経路ＰＡ，ＰＢに含まれる接続点Ａ，Ｂにそれぞれ接続されている場合に得られるリファレンス電圧ＶＲＥＦ１と、第１及び第２の入力端が接続点Ｂ，Ａにそれぞれ接続されている場合に得られるリファレンス電圧ＶＲＥＦ２との中間値を生成するローパスフィルタＬＰＦとを備える。これにより、オペアンプＯＰのオフセット電圧がキャンセルされることから、オフセット電圧がゼロである場合に得られる理想的なリファレンス電圧ＶＲＥＦを生成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】抵抗のばらつきの影響を受けないで一定の電流を発生することが可能な定電流発生回路およびそれを用いた半導体装置や電子機器を提供すること。
【解決手段】一方の入力端子が第１の基準電圧源ＶＢＩに接続された差動増幅回路Ａｍｐと、ゲートが差動増幅回路Ａｍｐの出力に接続され、ソースが第１の電源電圧に接続され、ドレインがローパスフィルタ（抵抗ＲＦ，キャパシタＣＦ）を介して差動増幅回路Ａｍｐの他方の入力端子に接続された第１のトランジスタＰ１と、第１のトランジスタＰ１のドレインに接続され、クロック信号により充電と放電が交互にかつ相補的に繰り返される第１のキャパシタＣ１および第２のキャパシタＣ２と、ソースが第１の電源電圧に接続され、ゲートが差動増幅回路Ａｍｐの出力に接続され、ソースから定電流が取り出される第２のトランジスタＰ２を有する。 （もっと読む）

【課題】
電源起動時の消費電力を抑制したバンドギャップレファレンス回路を提供する。
【解決手段】
バンドギャップレファレンス回路は，第１，第２の特性で変化する第１，第２の電圧を生成する第１，第２のＰＮ接合素子回路と，第１及び第２の電圧を入力端子対に入力し第１及び第２の電圧との差電圧に応じて高電位電源から出力端子に供給される出力電流を増減するアンプとを有し，出力電圧が第１及び第２のＰＮ接合素子回路に供給される。さらに，出力電圧が閾値電圧より小さいに，アンプに差電圧にかかわらず出力電流を出力端子に供給させる出力電流調整部を有する。 （もっと読む）

【課題】面積の大幅な増大なくレファレンス電圧生成回路を低消費電流化するとともに通常動作モード時とスタンバイモード時においてレファレンス電圧精度の大幅な劣化を抑制する。
【解決手段】スタンバイモード時に、分周制御回路１４は発振回路５が生成したクロックから、基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、容量充電レギュレータ１１のＯＮ／ＯＦＦを決めるイネーブル信号ＶＲＥＦＯＮと基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、ならびに容量充電レギュレータ１１がＯＮの際に、保持容量回路６内の保持容量ＣＨに充電し、ＯＦＦ期間に保持容量ＣＨに対してリーク電流パス以外は存在しないように制御するサンプリング／ホールド信号ＣＨＯＬＤＳＷを生成する。消費電流の大きい基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、容量充電レギュレータ１１を間欠動作させて低消費電流化を図る。 （もっと読む）