【課題】バンドギャップ参照電源回路の応答を速くすること。
【解決手段】温度係数が正の絶対温度比例電流を生成する絶対温度比例電流生成回路と、前記絶対温度比例電流のミラー電流を生成するミラー電流生成部と、前記ミラー電流に基づいて生成される温度係数が正の絶対温度比例電圧及び係数が負の相補的電圧から温度係数の絶対値が前記絶対温度比例電圧より小さいバンドギャップ参照電圧を生成するバンドギャップ参照電圧生成部とを有し、前記ミラー電流生成部と前記バンドギャップ参照電圧生成部の間の接続ノードから共通の出力ノードに接続され、当該出力ノードから前記バンドギャップ参照電圧を出力する複数のバンドギャップ参照電圧出力回路とを有し、前記複数のバンドギャップ参照電圧出力回路のうちの一部の回路は、前記ミラー電流生成部と前記接続ノードの間及びバンドギャップ参照電圧生成部と前記接続ノードの間それぞれに設けられた１及び第２のスイッチ回路を有すること。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で電源電圧の状態に関係なく安定した動作を確保することができる起動回路を提供する。
【解決手段】本発明は、低電源電位を基準として動作するバイアス回路の電流源（電源電圧ＶＥ）と並列に配置されて起動電流を流すためのＰチャネルトランジスタＭＰ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと高電位電源との間に配置された第１のスイッチＳ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと低電位電源との間に直列に配置された抵抗Ｒ３と第２のスイッチＳ２と、を備え、第１のスイッチＳ１は定電流源のバイアス電圧でオン／オフし、第２のスイッチＳ２はシステム電源の起動に関する電源起動信号でオン／オフする。 （もっと読む）

【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】出力電圧における温度補償をする際の抵抗のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成して出力端から出力するバンドギャップリファレンス回路（１）と、基準電圧の分割電圧（ノードＡの電圧）とダイオード（３６）の順方向電圧との差電圧に応じて差電圧を電流に変換する電圧電流変換回路（３に相当）と、を備え、電圧電流変換回路は、変換された電流（１９）を出力端にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下又は低温環境下であっても温度依存性を効果的に抑制し得る基準電圧発生回路をより簡易に実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路１は、基準電圧Ｖｒｅｆを生成すると共に、環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路３と、ダイオードＶｆ１（基準素子）の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部４と、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧Ｖｒｅｆを補正する基準電圧補正部５とを備えている。そして、基準電圧補正部５は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧回路３における所定電流経路の電流量を変化させている。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で低電圧な定電圧を安定して得られる定電圧回路を提供すること。
【解決手段】定電圧回路Ａは、閾値電圧が極小でゲート長が特大のＭＯＳトランジスタＮ１を用いて低電流を作り出し、基準電圧Ｖ_REFを発生するＭＯＳトランジスタＮ２、これと対を成してカレントミラー回路を構成する各ＭＯＳトランジスタＮ３、Ｎ４、Ｎ７、及びその他の各ＭＯＳトランジスタＮ５、Ｎ６の何れについても低閾値電圧タイプとし、且つＭＯＳトランジスタＮ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ７のゲート長ＬをＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のゲート長Ｌよりも増大させている。これにより、各ＭＯＳトランジスタＮ２〜Ｎ７のドレイン電極−ソース電極間の電圧Ｖｄｓが０．１Ｖ以上の飽和領域で動作する電圧値を保ち、所望の低い基準電圧Ｖ_REFを発生でき、カレントミラー回路を構成する際に正常動作が可能となり、定電圧出力端子４から低消費電流で低電圧な定電圧が得られる。 （もっと読む）

【課題】温度特性の校正に必要なパラメータの可変範囲を小さくすることが可能な基準信号発生回路を提供する。
【解決手段】第１の基準電圧を発生する第１の非線形素子１と、第２の基準電圧を発生する第２の非線形素子２と、出力電圧Ｖｏに基づいて第１の非線形素子１および第２の非線形素子２に流れる電流を制御する電流制御回路３と、電流制御回路３の出力電圧Ｖｏの温度特性を別個に調整する温度特性調整素子６−１、６−２とを備える。 （もっと読む）

【課題】定電圧発生回路の回路面積及び消費電流を削減しながら、負荷の直流的及び過渡的な変化に対する出力電圧の変化を小さくする。
【解決手段】ＦＥＴ４は、電圧源端子に接続されたドレインと出力端子に接続されたソースとを備える。ＦＥＴ２は、ＦＥＴ４のソースに接続されたゲートと、ＦＥＴ４のゲートに接続されたドレインとを有する。ＦＥＴ１は、ＦＥＴ２のソースと接地端子との間に設けられ、ダイオード接続されている。ＦＥＴ３は、電圧源端子とＦＥＴ２のドレインとの間に接続され、そのドレインとソースとの間に所定の電位差を有し、第１の定電流源として機能する。ＦＥＴ５は、出力端子と接地端子との間に接続される。ＦＥＴ１及びＦＥＴ５によりカレントミラー回路を構成することにより、ＦＥＴ５は第２の定電流源として機能する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が一時的に低下した場合であっても、その後電源電圧が上昇すれば基準電圧を素早く出力できるようにした電圧生成回路、および、リセット信号を素早く出力できるようにしたパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ５およびＭＰ６が第１電源線Ｎ１およびノードＮ６間に直列接続されている。トランジスタＭＰ５が起動電流Ｉｓをセンシングし、トランジスタＭＰ６が基準電流Ｉｐをセンシングする。電源電圧ＶＤＤが低下したとしても、両トランジスタＭＰ５およびＭＰ６には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられる虞がなくなり、充電回路８には充電電流Ｉｏが充電されにくくなる。したがって、電源電圧ＶＤＤが再復帰して電源電圧が上昇したときには、トランジスタＭＰ４が起動電流ＩｓをノードＮ５に素早く供給でき、電流生成回路６は基準電流Ｉｐを素早く生成できる。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ基準電圧回路１００を確実に起動させることができる。
【解決手段】電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前には、ｐＭＯＳトランジスタＰ６により電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を開放させている。このため、電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前に、抵抗素子Ｒ３ａによってコンデンサＣ１から電荷を放出させて、コンデンサＣ１のプラス電極の電位をｐＭＯＳトランジスタＰ４のゲート端子の電位の閾値よりも低くすることができる。電源電圧が上昇してｐＭＯＳトランジスタＰ６が電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を接続すると、ｐＭＯＳトランジスタＰ４がオンして、電源ＶｄｄからｐＭＯＳトランジスタＰ６、Ｐ４を通してスタートアップ電流をｎＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２のゲート端子に流すことができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤランプの小型化や薄型化（延いては、ＬＥＤに電力供給を行う電源モジュールの小型化や薄型化）を実現する。
【解決手段】駆動電流生成回路２５は、変動電圧Ｖａを基準として動作する半導体装置Ｘと、半導体装置Ｘの指示に基づいてＬＥＤモジュール１０の駆動電流ＩＬＥＤを生成する駆動電流生成部Ｙと、接地電圧を基準とした第１調光電圧Ｖｄ１から変動電圧Ｖａを基準とした第２調光電圧Ｖｄ２を生成する調光電圧変換部Ｚと、を有し、半導体装置Ｘは、第２調光電圧Ｖｄ２に基づいて駆動電流生成部Ｙの駆動制御を行う。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１、２、３と、スイッチング素子であるスイッチ６〜９とで電源回路を構成している。ＦＥＴ１、２、３でカレントミラー回路を構成している。スイッチ６、７、８、９によって選択回路５０が構成される。選択回路５０は、スイッチ６〜９の切り替えにより、ミラー電流Ｉｂ２をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ｉｂ１をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ｉｂ１とミラー電流Ｉｂ２とを入れ替えて交互に、オペアンプ４、５にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない基準電圧を発生する回路を、従来並みのサイズで提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体接合に異なる電流密度の電流を流したときの差電圧に比例する電圧と、半導体接合に生ずる順方向電圧に比例する電圧とを加算して出力電圧とするバンドギャップリファレンス回路において、
前記差電圧が印加される第一のトンネル電流素子と、
第二のトンネル電流素子もしくは第二の複数のトンネル電流素子を直列接続した回路と、
前記第一のトンネル電流素子に流れる電流に比例した電流を前記第二のトンネル電流素子に流す手段によって、
上記「差電圧に比例する電圧」を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】何れかのバンドギャップ電圧基準回路内のバイポーラ素子に格子欠陥等の不具合が発生しても、基準電流の供給先の回路を安定に動作させることができる電流源回路を得ることを目的とする。
【解決手段】シリコンＳｉのバンドギャップ電圧を利用して、基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２を出力するバンドギャップ電圧基準回路２，４と、バンドギャップ電圧基準回路２，４から出力された基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２の総和を基準電流Ｉｒｅｆとして出力する電流出力回路５とを備える。 （もっと読む）

【課題】動作の信頼性の向上を図る。
【解決手段】定電流源回路は、複数のＰＭＯＳトランジスタを含む第１カレントミラー回路１１、複数のＮＭＯＳトランジスタを含む第２カレントミラー回路１２を備え、正の温度特性を有する第１電流を発生する第１電流発生回路１０と、前記複数のＮＭＯＳトランジスタの閾値電圧に依存し、負の温度特性を有する第１電圧が入力され、前記第１電圧と等しい第２電圧を出力するフィードバック回路２１を備え、前記第２電圧に基づいて負の温度特性を有する第２電流を発生する第２電流発生回路２０と、前記第１電流と前記第２電流とを加算することで、任意の温度特性を有する定電流を発生する電流合成回路３０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 １つのトリミング抵抗により出力電流の増加方向と減少方向の両方向の調整が可能な定電流回路を提供する。
【解決手段】 トリミング抵抗ＴＲ１１と抵抗Ｒ１１の電圧降下をトランジスタ対Ｑ１４、Ｑ１５により比較し、トリミング抵抗ＴＲ１１の電圧降下が抵抗Ｒ１１より小さい場合は、トランジスタＱ１１にトリミング抵抗に流れる電流のみを流し、トリミング抵抗ＴＲ１１の電圧降下が抵抗Ｒ１１より大きい場合は、トランジスタＱ１１にトリミング抵抗に流れる電流に加えて、トランジスタＱ１７から電流を供給する。この回路構成により、トリミング抵抗の抵抗値の増加に従い、出力電流Ｉｏｕｔが減少した後、増加する特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート容量が大きなトランジスタを有する増幅器に接続しても発振を防止できる定電圧回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路４０は、所定の電圧が印加される第１の入力端子４４と、出力端子４６に接続された第２の入力端子とを備えた差動増幅部４１と、ソースが接地され、ドレインが出力端子４６に接続され、ゲートに差動増幅部４１の出力が与えられるトランジスタＴ46を備えたソース接地型増幅器４２とを有する。そして、トランジスタＴ46のゲートとドレインとの間には、抵抗４７とコンデンサ４８とが直列に接続されている。定電圧回路４０から出力される電圧Ｖｇは、増幅器２０のバイアス端子２６ｂからバイアス給電用インダクタ２５ａ，２５ｂを介してトランジスタＴ3，Ｔ4に供給される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に対する出力電流の変動が小さいカレントミラー回路を提供すること。
【解決手段】カレントミラー回路5は，トランジスタM12の第2のドレイン電流を第2の比率で複製した第2の複製電流を生成する第2の複製電流生成回路J2と，基準電流と第2の複製電流が流入する接続ノード接続ノードQ1とグランドとの間に設けられ，トランジスタM11の第1のドレイン電流を第1の比率で複製した第1の複製電流を生成する第1の複製電流生成回路J1とを有し，出力トランジスタM10のゲートとトランジスタM11，M12のゲートと接続ノードQ1とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】ダイオードのアノード側電圧を用いて出力電圧を生成する基準電圧回路において、ダイオード温度非直線性を補正し、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を小さくすること。
【解決手段】温度補償型基準電圧回路は、ダイオードのアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路と、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタから成る差動対を有する温度補償回路とを備え、第１のトランジスタは定電流源とダイオードのアノード端子との間に接続され基準電圧回路の第１のノードの電圧をゲート電極に受け、第２のトランジスタは定電流源と基準電位点との間に接続され記基準電圧回路の第２のノードの電圧をゲート電極に受け、第１のノードの電圧の温度依存性は第２のノードの電圧の温度依存性よりも大きい。 （もっと読む）