【課題】温度依存性が少ない低電圧（１．２５Ｖ以下）の定電圧を発生する、基準電圧回路を提供すること。
【解決手段】二つのＰＮ接合を有し、いずれかのＰＮ接合に基づいた電圧Ｖｋと、二つのＰＮ接合の電圧の差に基づいた電流Ｉｋと、を出力するバンドギャップ電圧発生回路と、電圧Ｖｋを分圧する分圧回路と、を備え、分圧回路は入力する電流Ｉｋにより分圧電圧を補正して、基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】温度特性の校正に必要なパラメータの可変範囲を小さくすることが可能な基準信号発生回路を提供する。
【解決手段】第１の基準電圧を発生する第１の非線形素子１と、第２の基準電圧を発生する第２の非線形素子２と、出力電圧Ｖｏに基づいて第１の非線形素子１および第２の非線形素子２に流れる電流を制御する電流制御回路３と、電流制御回路３の出力電圧Ｖｏの温度特性を別個に調整する温度特性調整素子６−１、６−２とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない基準電圧を発生する回路を、従来並みのサイズで提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体接合に異なる電流密度の電流を流したときの差電圧に比例する電圧と、半導体接合に生ずる順方向電圧に比例する電圧とを加算して出力電圧とするバンドギャップリファレンス回路において、
前記差電圧が印加される第一のトンネル電流素子と、
第二のトンネル電流素子もしくは第二の複数のトンネル電流素子を直列接続した回路と、
前記第一のトンネル電流素子に流れる電流に比例した電流を前記第二のトンネル電流素子に流す手段によって、
上記「差電圧に比例する電圧」を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作する参照回路を提供すること。
【解決手段】低電圧参照回路は、一対の半導体装置を有し得る。各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。ゲート絶縁体は、メタルゲートとｎ型半導体領域との間に挿入され、メタルゲートとｎ型半導体領域とを通りキャリアはトンネリングする。メタルゲートは、ｐ型ポリシリコンの仕事関数と整合する仕事関数を有し得る。ゲート絶縁体は、約２５オングストロームより薄い厚さを有し得る。メタルゲートは、第一の端子を半導体装置に対して形成し得る。ｎ＋領域およびｎ型半導体領域は、第二の端子を半導体装置に対して形成し得る。第二の端子は、接地に結合され得る。バイアス回路は、異なる電流を半導体装置に供給するために第一の端子を用い得、対応する参照出力電圧を１ボルト未満の値で提供し得る。 （もっと読む）

【課題】ダイオードのアノード側電圧を用いて出力電圧を生成する基準電圧回路において、ダイオード温度非直線性を補正し、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を小さくすること。
【解決手段】温度補償型基準電圧回路は、ダイオードのアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路と、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタから成る差動対を有する温度補償回路とを備え、第１のトランジスタは定電流源とダイオードのアノード端子との間に接続され基準電圧回路の第１のノードの電圧をゲート電極に受け、第２のトランジスタは定電流源と基準電位点との間に接続され記基準電圧回路の第２のノードの電圧をゲート電極に受け、第１のノードの電圧の温度依存性は第２のノードの電圧の温度依存性よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ型基準電圧発生回路において、高温における寄生ダイオードのリーク電流の影響を制御して、基準電圧の温度特性の向上を図る。
【解決手段】ＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１の寄生ダイオードＤ_１とは別に、ｉ個（ｉは１以上の自然数）の温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉをＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１のコレクタに接続する。温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉは、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ_１，Ｍ_２からなるカレントミラー回路を介して、寄生ダイオードＤ_２１〜Ｄ_２Ｋのリーク電流の増加による基準電圧Ｖrefへの影響をキャンセルするように作用する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性をもたない基準電圧を発生させる。
【解決手段】ＳＯＩ層膜厚のみが異なることで互いにしきい値電圧が異なる２つの完全空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴＭＮ１，ＭＮ２について、ソース及びボディを接地し、ゲート及びドレインを定電流源ＣＣＳ１，ＣＣＳ２とボルテージフォロア回路Ａｍｐ１−１，１−２の入力端子に接続し、ボルテージフォロア回路Ａｍｐ１−１，１−２の出力端子に第１抵抗Ｒ１−１，Ｒ１−２と第２抵抗Ｒ２−１，Ｒ２−２を直列に接続する。第２抵抗Ｒ１−２を接地し、第１抵抗Ｒ２−１と第２抵抗Ｒ２−１の間の端子を差動増幅器Ａｍｐ２の非反転入力端子に接続する。第２抵抗Ｒ２−２を差動増幅器Ａｍｐ２の出力端子に接続し、第１抵抗Ｒ１−２と第２抵抗Ｒ２−２の間の端子を差動増幅器Ａｍｐの反転入力端子に接続する。差動増幅器Ａｍｐ２の出力電圧を基準電圧Ｖｒｅｆとして出力する。 （もっと読む）

【課題】可変負荷デバイスへ安定した電圧及び電流信号を提供する。
【解決手段】装置は、無線周波数信号を変調するスイッチングモジュール２２に対して、略定常状態の正電圧信号及び負電圧信号を生成し、正電圧信号及び負電圧信号は、スイッチングモジュール２２のスイッチングイベントの間略安定なままである。装置は、正電圧信号よりも低い電圧レベルを有する略定常状態の基準電圧信号を生成するバイアス信号生成モジュール１００と、正電圧信号を生成する正信号生成モジュール３００と、負電圧信号を生成する負信号生成モジュール４００とを有する。正信号生成モジュール３００は、第１のキャパシタを用いて基準電圧信号に基づき正電圧信号の一部を生成し、負信号生成モジュール４００は、第２のキャパシタを用いて基準電圧信号に基づき負電圧信号の一部を生成する。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧で動作するバンドギャップ基準電圧発生回路は、分流パスを設けるため消費電流が多くなってしまう。公知技術の消費電流は、従来の低電源電圧動作のバンドギャップ回路から電流を削減したとはいえ、未だ多い。本発明では、低電源電圧で動作し、かつ、消費電流のさらに少ないバンドギャップ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】本発明の基準電圧発生回路では、低電源電圧動作の本質を維持したまま、さらに分流パスを共通化することで、消費電流を削減する。 （もっと読む）

【課題】基準電圧生成回路を低耐圧素子で構成することが可能で、かつ大きな出力電流を得ることのできる定電圧出力回路を提供する。
【解決手段】中間電圧生成部１は、外部電源ＶＤＤの電圧を降圧して、出力電圧Ｖｏｕｔよりも高く基準電圧生成部２で使用される素子の耐圧よりも低い中間電圧Ｖｍを生成し、基準電圧生成部２へ電源電圧として供給する。基準電圧生成部２は、基準電圧Ｖｒｅｆを生成する。出力用のＰ型ＭＯＳトランジスタＰ１は、ソース端子が外部電源ＶＤＤへ接続され、ドレイン端子が出力端子ＯＵＴへ接続される。分圧部４は、出力電圧Ｖｏｕｔを分圧して帰還電圧Ｖｂを生成する。比較器３は、帰還電圧Ｖｂを基準電圧Ｖｒｅｆと比較して、帰還電圧Ｖｂが基準電圧Ｖｒｅｆと一致するようＰ型ＭＯＳトランジスタＰ１のゲート端子へ印加する電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】外部からトランジスタの閾値電圧を制御する必要のないボディバイアス制御回路などを提供すること。
【解決手段】制御回路２ａは、トランジスタの閾値電圧の基準値を定めるトランジスタＴｒ１と、ボディバイアス発生器ＢＢＧ１によって制御されるボディバイアスＶＢＢがバックゲート端子に供給され、閾値電圧を可変に制御可能なトランジスタＴｒ２とを備える。また、制御回路２ａは、トランジスタＴｒ１の閾値電圧Ｖｔｈ１とトランジスタＴｒ２の閾値電圧Ｖｔｈ２との差電圧ΔＶｒに応じた制御信号Ｖｅｎを出力する比較器ＣＯＭＰ１を備える。ボディバイアス発生器ＢＢＧ１は、閾値電圧Ｖｔｈ２が閾値電圧Ｖｔｈ１よりも高くなると、ボディバイアス発生器ＢＢＧ１を停止して、閾値電圧Ｖｔｈ２を低下させる。また、閾値電圧Ｖｔｈ２が閾値電圧Ｖｔｈ１よりも低くなると、ボディバイアス発生器ＢＢＧ１を動作させ、閾値電圧Ｖｔｈ２を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】正の温度係数を有する電圧を出力すると共に、正の温度係数を任意に設定することができる電圧発生回路を提供する。
【解決手段】減算回路１６のオペアンプOP1の反転入力端子（−端子）を第１抵抗R7aを介して第２の電圧源１４に接続する。−端子と出力端子との間に第２抵抗R8aを接続する。OP1の非反転入力端子(+端子）を第３抵抗R8bを介して第１の電圧源１２に接続する。＋端子を第４抵抗R7bを介して接地する。第１の電圧源１２から正の温度係数を有する電圧Vptatを＋端子に入力し、第２の電圧源１４から負の温度係数を有する電圧Vpnを−端子に入力する。電圧Vpnの負の温度係数は減算により符号が逆転し、電圧Vptatの正の温度係数に電圧Vpnの温度係数の絶対値が足されて、正の温度係数を有する電圧Toutが出力される。 （もっと読む）

【課題】基準電圧発生回路を有する半導体装置において、電源投入の際に速やかに基準電圧値に到達する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基準電圧発生回路であるバンドギャップ基準回路１０１と、バンドギャップ基準回路１０１の出力端子に接続された電源電流供給回路２０１とを有する。電源電流供給回路２０１は、バンドギャップ基準回路１０１の出力端子の電圧レベルが基準電圧に到達するまでの間、出力端子の電圧レベルに対応して、電源電圧の上昇に応じ電源電流をバンドギャップ基準回路１０１の出力端子へ供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被保護トランジスタについて不必要な過熱検知を抑えつつ被保護トランジスタを熱破壊から確実に保護する。
【解決手段】ダイオード３の検出温度が保護制御開始温度よりも高くなると、ダイオード３の順方向電圧Ｖｆがしきい値生成回路１３のしきい値電圧Ｖthよりも低くなり、コンパレータ９はＬレベルの過熱検出信号を出力し、ＭＯＳＦＥＴ２は電流遮断状態となる。第１のしきい値補正回路１４は、ＭＯＳＦＥＴ２に流れる電流ＩＬが大きくなるほどしきい値電圧Ｖthを高める。第２のしきい値補正回路１５は、電源電圧ＶＢが高くなるほどしきい値電圧Ｖthを高める。第３のしきい値補正回路１６は、ＩＣ１１の周囲環境温度が高くなるほどしきい値電圧Ｖthを高める。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ電源回路が立上らない現象を生じさせることがないバンドキャップ電源回路を提供する。
【解決手段】第１のダイオードの順方向電圧と第１のダイオードに直列に接続された抵抗の電圧降下との和が、第１のダイオードより接合面積小さい第２のダイオードの順方向電圧と等しくなるように第１、第２のダイオードに流れる電流を制御する差動増幅回路を有するバンドギャップ電源回路が、起動時において差動増幅回路に起動信号を出力して差動増幅回路を起動させ、差動増幅回路の立上りを検出した後、起動信号の出力を停止する起動制御回路を有する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ電圧よりも低い電源電圧で動作し、低消費電力かつ高精度の基準電圧発生回路を提供すること。
【解決手段】第１のダイオードＤａの両端と、直列に接続した第２のダイオードＤｂと第１抵抗Ｒ₁との間に同じ電圧が掛かるように差動増幅回路Ａ１でフィードバックをかけ、正の温度依存性を持つ差分電圧Ｖ_Sを第２電流Ｉ₂に変換する。また、第２ダイオードＤｂに第３の抵抗素子Ｒ_3Aを接続し、第１のダイオードＤａに第４の抵抗素子Ｒ_3Bを接続して、負の温度依存性を持つ順方向電圧を第３電流Ｉ₃に変換する。そして、この第２電流Ｉ₂と第３電流Ｉ₃とを合成することで、温度依存性のない第１電流Ｉ₁を生成する。さらに、第３の抵抗素子Ｒ_3Aと第４の抵抗素子Ｒ_3Bを出力ノードＮ３に接続して、第２の抵抗素子Ｒ₂にＩ₁＋Ｉ₃×２となる電流を流して出力電圧Ｖoutを生成する。 （もっと読む）

【課題】温度係数が実質的に零でありながら低い電源電圧で動作する基準電圧発生回路を、ディプレッション型トランジスタを使用せずに実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路が、演算増幅回路ＯＡ１と、抵抗素子Ｒ１１と、ダイオードＤ１１と、抵抗素子Ｒ１２と、ダイオードＤ１２と、演算増幅回路ＯＡ１の出力をゲートに受けるＰＭＯＳトランジスタＭ１１、Ｍ１２とを具備する。ダイオードＤ１２のＰＮ接合の面積の、ダイオードＤ１１のＰＮ接合の面積に対する比をｎ１１とし、ＰＭＯＳ
トランジスタＭ１１のＷ／Ｌ比のＰＭＯＳトランジスタＭ１２のＷ／Ｌ比に対する比をｎ１２としたとき、これ等のパラメータは、Ｒ１２・ｌｎ（ｎ１１・ｎ１２）／（Ｒ１２−ｎ１２・Ｒ１１）の値がほぼ２３．２５となるように調節され、これにより、演算増幅回路ＯＡ１の入力端子の電圧の温度係数が実質的に零に調節される。 （もっと読む）

【課題】最適な充電状態を維持するように、電池の充電を管理することができ、バッテリが電力供給を要求される場合、中断することなく電力を高い信頼性で確実に放電することができるバッテリ用の電子システムを提供する。
【解決手段】バッテリ用の電子システムであって、充電器Ｋ３Ｃを備えるバッテリ充電回路３０と、放電スイッチＫ２を備える第一のバッテリ放電回路２０と、放電の持続性を確実にする構成部品Ｄ３と、放電スイッチＫ２の開動作・閉動作を制御し、また、充電器Ｋ３Ｃを制御する電子制御ユニットとを備え、制御ユニットは、放電を要求されない限りバッテリの充電を維持し、適用装置から電力要求が検出されると、バッテリ充電を中止して放電スイッチＫ２を閉位置に設定し、構成部品Ｄ３は放電スイッチＫ２を閉じる移行段階において放電電流を流す。 （もっと読む）

【課題】従来の基準電圧生成回路は、出力電圧が所定の電圧値を超えてしまう期間がある問題があった。
【解決手段】本発明にかかる基準電圧生成回路は、第１の電源Ｖｄｄと第２の電源Ｖｓｓとの間に設けられ、出力端子Ｖｏに対して出力電圧を出力する電圧生成回路１０と、出力端子Ｖｏと第１の電源Ｖｄｄの間に接続され、第１の電源Ｖｄｄの電圧を出力端子Ｖｏに与える起動補助回路１２と、出力端子Ｖｏの電圧の値に応じて起動補助回路１２の動作状態と非動作状態とを切り替える制御回路１３と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】パワーアップ時に確実に起動するバンドギャップ基準電源回路を提供する。
【解決手段】バンドギャップ基準電源のダイオード対回路BGR_Diode_Pairと、基準電圧出力端子BG_REFに出力が接続されたオープンドレイン出力差動増幅回路AMP1と、ドレインが基準電圧出力端子BG_REFに接続された第２のPチャネルMOSトランジスタMP2と正入力端子IN（＋）が基準電圧出力端子BG_REFの所定の出力電圧よりも低い第１のバイアス電圧VR1に接続され、負入力端子IN（−）が基準電圧出力端子BG_REFに接続され、出力端子OUTBが第２のPチャネルMOS MP2のゲートに接続された第２の差動増幅回路A2とからなるオープンドレイン出力差動増幅回路AMP2とを備えている。 （もっと読む）