【課題】昇圧時間を短縮させるとともに、最終的に得られる昇圧電圧の低下を防止することができるチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】昇圧動作の開始前に、初期充電用の整流素子３およびトランジスタ４を介して容量素子１を初期充電する。昇圧動作の開始後には、初期充電用のトランジスタ４のゲートに電源電圧より高い電圧が印加されるので、初期充電用のトランジスタ４のオフリーク電流が減少する。この結果、最終的に得られる昇圧電圧の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】起動抵抗の抵抗値を小さくすると、待機電力が増加し、現状の回路構成では、無負荷時に入力電力の低電力化と出力電圧の起動時間高速化することを目的である。
【解決手段】ＡＣ電源入力をブリッジ整流ダイオード及び平滑コンデンサと、二次側の出力を制御するためのスイッチング素子と、スイッチング素子のオンオフを制御するスイッチング制御手段と、一方が平滑コンデンサの正極に接続され、他方が前記スイッチング素子と接続されている一次巻線とスイッチング制御手段に接続されている補助巻線と二次側に出力する二次巻線を備えたスイッチングトランスからなる装置では、平滑コンデンサの正極とスイッチング素子の制御端子の間に接続された起動抵抗に並列にコンデンサを接続する。 （もっと読む）

【課題】低コストでマルチフェーズ電源を実現可能な電源装置を提供する。
【解決手段】例えば、複数の半導体デバイスＤＥＶ［１］〜ＤＥＶ［ｎ］のそれぞれが、トリガ入力端子ＴＲＧ＿ＩＮ、トリガ出力端子ＴＲＧ＿ＯＵＴ、およびＴＲＧ＿ＩＮから入力されたパルス信号を遅延させてＴＲＧ＿ＯＵＴに出力するタイマ回路ＴＭを備える。ＤＥＶ［１］〜ＤＥＶ［ｎ］は、自身のＴＲＧ＿ＩＮが自身以外の１個の半導体デバイスのＴＲＧ＿ＯＵＴに接続されることで、互いにリング状に接続される。ＤＥＶ［１］〜ＤＥＶ［ｎ］のそれぞれは、ＴＲＧ＿ＩＮからのパルス信号を起点としてスイッチング動作を行い、自身に対応するインダクタＬに電流を流す。また、ＤＥＶ［１］は、スタートトリガ端子ＳＴが例えば接地電圧ＧＮＤに設定されることで、起動時に一度だけ前述したパルス信号の生成を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回路規模増大やコストアップを招くことなく、軽負荷時や無負荷時の消費電流を低減することが可能なスイッチング電源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るスイッチング電源装置１００は、出力電圧Ｖｏｕｔの目標値に対する乖離度に応じて電圧レベルが変動する誤差信号ＥＲＲと、所定の発振周波数を有する三角波信号ＯＳＣと、を比較することで生成されるＰＷＭ信号を用いて、出力トランジスタのスイッチング制御を行い、エネルギ貯蔵素子（コイルなど）を駆動することで、入力電圧Ｖｉｎから所望の出力電圧Ｖｏｕｔを生成するものであって、上記の誤差信号ＥＲＲは、その下限値ＶＬが三角波信号ＯＳＣの下限値よりも低い値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な回路で高速に電流モード制御のためのインダクタンス電流に略比例する、もしくはインダクタンスの充電電流の２次関数となる電流を生成・出力可能とし且つスイッチングノイズの影響を低減できる電流負帰還回路およびそれを用いるDC-DCコンバータを提供する。
【解決手段】カレントミラー回路を構成する第一のPch MOSFET 21と第二のPch MOSFET 22、電流調整抵抗20、電流検出抵抗12、および、定電流源23とで電流検出部300を構成し、定電流源24、第一のスイッチ素子であってキャパシタ27への充電経路となるPch MOSFET 25、第二のスイッチ素子であってキャパシタ27の放電経路となるNch MOSFET 26、及び、キャパシタ27でもって鋸歯状波生成部400を構成し、電流検出部300と鋸歯状波生成部400とで電流負帰還回路500を構成する。 （もっと読む）

【課題】主スイッチング周波数の高周波化を可能とする電源装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｑ２とインダクタＬ１の直列回路と、前記スイッチング素子とインダクタの共通接続点に一端が接続された回生ダイオードＤ１と、前記スイッチング素子をオン／オフ制御する制御手段ＩＣ１，Ｑ３とを備えた電源装置であって、前記制御手段は、前記回生ダイオードに回生電流が流れている間は、前記スイッチング素子をオフとし、前記回生電流が流れていないときに前記スイッチング素子をオンとし、前記スイッチング素子をターンオフする際に、前記スイッチング素子の一方の端子と制御端子の間を低インピーダンスでしきい値電圧以下に維持する電源装置により前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】昇圧電圧を目標電位までに立ち上げる時間を短縮することができると共に、消費電力のコストダウンを図ることができるようにしたチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】第２のドライバ回路７５用の電源回路８０を設け、電源回路８０の構成を、第２のドライバ回路７５に電圧（ＶＯＵＴ−｜Ｖthp１０１｜)を供給するだけでなく、入力電圧ＶＩＮの投入後、ポンピング開始前に、電圧入力端子５１から電源回路８０内のＰＭＯＳトランジスタ１００のソースとＮウェルとのＰＮジャンクションを通して昇圧電圧出力端子５２に電荷を供給することができる構成とする。 （もっと読む）

電力段及びドライバ段を含み、全ての段がIII族窒化物電力デバイスを用いる集積回路。
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【課題】ゲート寄生振動の発生を抑制し、又、ターンオフ時の損失のアンバランスの発生を防止することが可能な電源装置を提供すること。
【解決手段】並列に接続された複数のスイッチング素子５と、上記複数のスイッチング素子を駆動するスイッチング素子駆動回路９と、を備えた電源装置において、上記スイッチング素子駆動回路は、上記並列に接続された複数のスイッチング素子の何れか一つを所定の信号で駆動する時にはその他のスイッチング素子をオフとするように構成されているもの。 （もっと読む）

【課題】 電圧の高い２次巻線電圧を利用して、整流側電界効果トランジスタ及び還流側電界効果トランジスタは、ゲート耐圧以下でゲートを駆動し、かつターンオフを早くすることで、同時にオンすることを防止し、発振防止のゲート抵抗があっても、ターンオフを早くすることができる同期整流駆動回路を実現する。
【解決手段】 トランスの２次側コイルに接続されている整流側電界効果トランジスタと還流側電界効果トランジスタとを有する同期整流回路において、第一のゲート電圧駆動回路と、第二のゲート電圧駆動回路とを有し、第一のゲート電圧駆動回路および第二のゲート電圧駆動回路は、整流側電界効果トランジスタ及び還流側電界効果トランジスタを交互に導通させることにより、整流側電界効果トランジスタ及び還流側電圧効果トランジスタのターンオフ時にゲート抵抗を介さず、ダイオードを介してゲート電圧を下げるため、ターンオフが速くなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】高電圧入力が可能で、しかもチップ面積を小さくすることができ、応答速度も速くすることができる降圧型スイッチングレギュレータを得る。
【解決手段】スイッチングトランジスタＭ１のオン／オフ制御を行う第１ドライブ回路３の正側電源入力端にダイオードＤ２を介して第１電源回路４からの電源電圧ＶＬを入力すると共に、第１ドライブ回路３の負側電源入力端を接続部ＬＸに接続し、更に第１ドライブ回路３の正側電源入力端と接続部ＬＸとの間にブートストラップコンデンサＣ１を接続して、第１ドライブ回路３の電源電圧を低耐圧トランジスタの耐電圧以下になるようにした。 （もっと読む）

【課題】回路サイズを極力小さく抑えつつスルーレートを容易に制御可能なドライブ回路を提供する。
【解決手段】電流値制御回路３１は、電源電圧ＶＢを検出してβ（一定値）×ＶＢなる電流ＩＨを出力するように電流出力回路２１に指令する。駆動指令信号Ｓd1がＨレベル、駆動指令信号Ｓd2がＬレベルに変化すると、ＭＯＳＦＥＴ２０がオンとなりＭＯＳＦＥＴ１４、１６をオフさせるとともに、ＭＯＳＦＥＴ１３にミラー比ｍ×ＩＨなる電流が流れる。このとき、電源線４からＭＯＳＦＥＴ１３、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量ＣgdおよびＭＯＳＦＥＴ２４を介して電源線５に至る経路で電荷引き抜き電流ＩＨが流れ、電源電圧ＶＢによらず一定時間でＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量Ｃgdの放電が行われる。 （もっと読む）

【課題】軽負荷・無負荷時にもブートストラップ回路に用いられるコンデンサに十分な充電が可能で、本来の降圧コンバータの性能を阻害することのないブートストラップ回路および該回路を用いる降圧コンバータを提供する。
【解決手段】ＰＷＭ信号１１によりハイサイドのドライバ１２を介してスイッチング素子Q₁（１３）をオン／オフし、スイッチング素子Q₁（１３）のオン期間に同期してスイッチQx（１１２）をオンすることでCB−端子をスイッチング素子Q₁（１３）のソース端子に接続し、スイッチング素子Q₁（１３）のオフ期間に同期してスイッチQy（１１４）をオンすることでCB−端子を接地する構成（コンデンサ充放電経路形成手段）１１０を付加する。これにより、ブートストラップ回路に用いられるコンデンサC_B（６）のCB−端子を降圧コンバータ回路から分離・独立させる。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ−ＤＣコンバータの起動時に発生するサージ電圧を抑制する技術を提供する
【解決手段】ハイサイドトランジスタと、同期整流器として機能するローサイドトランジスタと、制御回路とを備える降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータであって、ハイサイドトランジスタは、ハイサイドトランジスタＱ１と、ハイサイドトランジスタＱ１とは逆極性であるハイサイドトランジスタＱ３と、を並列接続して、制御回路は、ハイサイドトランジスタＱ１を十分にオンとするため、入力電圧よりも高い電圧を得るためのブートストラップ回路と、ハイサイドトランジスタＱ１のドライブ回路１０３と、ハイサイドトランジスタＱ３のドライブ回路１０２と、ローサイドトランジスタＱ２のドライブ回路１０４と、を有し、起動時において、ハイサイドトランジスタＱ１をオフとし、ハイサイドトランジスタＱ３をオンとし、ローサイドトランジスタＱ２をオフとするように、制御した。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオン/オフの切り替えを高速にし、かつ、小型化してコストを低減することができるようにする。
【解決手段】JKフリップフロップU1は、ON/OFF信号に基づいて、クロックCLKに同期したパルス信号を出力し、パルストランスL1においては、そのパルス信号が１次側コイルに入力される。ダイオードブリッジ１１は、パルストランスL1の２次側コイルからの出力を整流し、パルス信号を整流することで得られた駆動電圧をMOS-FETQ1およびMOS-FETQ2のゲートに出力する。そして、MOS-FETQ1およびMOS-FETQ2は、その出力電圧に応じてスイッチング動作をして、リニアモータのコイルに流す電流をオン/オフする。本発明は、半導体露光装置のステージ等に使用されるモータの駆動装置にて使用されるモータ励磁切り替え回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータを備えたピエゾアクチュエータ駆動装置において、ＤＣ／ＤＣコンバータのコンデンサの充電エネルギーが不足するのを防止する。
【解決手段】燃料噴射制御装置５０は、昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータ５１のコンデンサＣ０に充電したエネルギーにより、各気筒のインジェクタを開閉弁させるためのピエゾアクチュエータ（以下単に、ピエゾと記す）Ｐ１〜Ｐ４を駆動するが、コンデンサＣ０を充電するために昇圧スイッチＳＷ０をオン／オフさせる制御に用いる電流検出用抵抗Ｒ０は、コンデンサＣ０に流れる電流を検出しない位置に設けられており、更に、ピエゾＰ１〜Ｐ４を充放電させる制御に用いる電流検出用抵抗Ｒ１，Ｒ２も、ダイオードＤ０からコンデンサＣ０への充電電流を検出しない位置に設けられている。このため、ピエゾＰｎを充放電させる制御中でもコンデンサＣ０の充電を実施できる。 （もっと読む）

【課題】少ない損失で、高速に出力電圧を可変することが可能な可変電源装置を提供する。
【解決手段】異なる電位の直流電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を発生するＮ個の電源１，２，３，４を予め用意し、パワーアンプＰからの指令電圧の情報を受ける毎に、切替制御手段６１がＮ個の電源１，２，３，４のそれぞれに設けたスイッチ手段１１，２１，３１，４１をスイッチング動作させて、電圧供給路５１中に０〜Ｎ個の電源を選択的に直列接続する。これにより、指令電圧に見合う出力電圧Ｖｏを電圧供給路５１の両端間に生成させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】従来の多段接続ＤＣ−ＤＣコンバータは、制御電圧−出力電圧の伝達関数が４次以上の高次となり、回路が不安定になったり、レギュレーションが悪いという欠点があった。
【解決手段】
多段接続ＤＣ−ＤＣコンバータであって、二段目以降のＤＣ−ＤＣコンバータのインダクタと、その前段のＤＣ−ＤＣコンバータのインダクタとを電流トランスを介して結合することを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。 （もっと読む）

たとえばＤＣ／ＤＣコンバータにおける、電力用ＭＯＳＦＥＴに対するゲートドライバは、ＭＯＳＦＥＴを完全オン状態と完全オフ状態との切換えに代えて、完全オン状態と低電流状態とを切換える。それによって、ＭＯＳＦＥＴのゲートを充電および放電するために伝達されるべき電荷量は減少され、かつＭＯＳＦＥＴの効率が改善される。フィードバック電流は、ＭＯＳＦＥＴの電流の大きさがその低電流状態において正しいことを保障するために用いられてもよい。あるいは、トリミングプロセス（微調整過程）は、低電流状態において、ゲートドライバによって電力用ＭＯＳＦＥＴのゲートに供給される電圧の大きさを修正するために用いられてもよい。
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【課題】DC/DCコンバータにスイッチング電圧を供給するように構成されるゲートドライバ回路を提供する。
【解決手段】ゲートドライバ回路とDC/DCコンバータの双方は、少なくともトランジスタと、少なくとも一つのさらなる部品を備える。DC/DCコンバータは、入力電圧Vinを出力電圧Voutに変換して、Voutを負荷に供給するように構成する。さらに、ゲートドライバ回路とDC/DCコンバータを備える電力変換装置を提供する。ゲートドライバ回路は、トランジスタがMMICプロセス（マイクロ波モノリシック集積回路）またはRFICプロセス（高周波集積回路）による製造に適したトランジスタの形態をとるように設計する。 （もっと読む）