【課題】入力される多相交流の電圧を昇圧して、高電圧を安定的に供給できる電圧制御装置を提供する。
【解決手段】電圧制御装置１０は、三相交流電圧のゼロクロス点を測定するゼロクロス検出手段２０と、ゼロクロス点を検出した、例えばＴ相と、Ｔ相と同極性のＲ相との相間の導通を指示する電圧調整手段５０と、電圧調整手段５０からの指示により各相間を導通させる相間導通手段８０とを備えている。電圧調整手段５０は、相間導通を、ゼロクロス点から開始したり、ゼロクロス点から位相角をシフトさせた位置から開始したりして、相間導通期間の開始時間、期間幅、シフト量とを、電圧測定手段３０により測定された電圧を監視しながらＰＩＤ制御にて決定する。 （もっと読む）

【課題】蓄電池のような電源から任意の大きさの交流電圧を作り出す電源装置において、起動時や蓄電池の充電時までも含めて電力変換部を駆動することが可能な電源装置を提供する。
【解決手段】この電源装置１００は、入力側に蓄電池５が接続され、出力側に負荷７または商用電源６が選択して接続され、双方向に電力変換が可能な電力変換部８と、ダイオード９１ａ〜９１ｆ、ダイオード９２ａ〜９２ｄおよびコンデンサ９３を含み、ダイオード９１ａ〜９１ｆ、ダイオード９２ａ〜９２ｄにより出力交流電圧を整流してコンデンサ９３を充電し、電力変換部８の動作時に生じるサージ電圧を吸収するスナバ回路９と、主制御電源３１と、蓄電池５に基づく直流電圧と、コンデンサ９３に充電された直流充電電圧との高い方の電圧を選択して主制御電源３１に供給するダイオード３３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】従来は、電力変換回路毎に半導体モジュールが必要となっていたため、種類が増加するという問題があった。また、需要の少ない回路方式では、その回路方式に合ったモジュールをカスタマイズ化することは型費や歩留まりなどの問題でコストアップ要因となるため、必然的に既存の半導体モジュールを組み合わせて回路を構成する必要があった。
【解決手段】半導体モジュールの構成を、ダイオードを逆並列接続したＩＧＢＴ２個と双方向スイッチ2個、又は双方向スイッチ4個を1個のモジュールに内蔵させ、5つの外部端子を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】漏洩電流が小さく、ノイズ対策が容易で製造コストが低い電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置６００は、交流電源１０１からの電力をＡＣ／ＤＣコンバータ６１０に供給する電源ライン６０１と、交流電源１０１からの電力をヒータ４０１ａに供給するヒータライン６０２と、第１のスイッチ６０５ａ及び第２のスイッチ６０５ｂをその２つの接点部とする２極スイッチであるオン／オフ部６０５とを有している。第１のスイッチ６０５ａを介して、交流電源１０１のライブラインＬが電源ライン６０１に接続されている。第２のスイッチ６０５ｂを介して、交流電源１０１のニュートラルラインＮがヒータライン６０２に接続されている。２極スイッチの２つのスイッチ６０５ａ，６０５ｂのうち一方が電源ライン６０１の接続をオン／オフし、他方がヒータライン６０２の接続をオン／オフするので、スイッチオフ時の漏洩電流は、比較的小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 従来のサイリスタを用いた位相制御方式の電力調整器だけでは、入力電圧と出力電圧の比率に関係なく、入力電流と出力電流の値は同じになる。たとえば、抵抗値０．５Ωのニクロム線に電流４０Ａをかけようとする時、入力電圧が２００Ｖの場合はサイリスタを用いた位相制御方式で２０Ｖに落として使用する。その場合入力電力量は２００Ｖ×４０Ａ＝８ＫＶＡとなるが、出力電力量は２０Ｖ×４０Ａ＝０．８ＫＶＡとなる。
従ってエネルギー効率が悪いといえる。
【解決手段】 本発明は、サイリスタを用いた位相制御方式の電力調整器だけで電圧調整をするのではなく、サイリスタを用いた位相制御方式の電力調整器の後ろに、電圧を下げるダウントランスを設けたものを使用する。 （もっと読む）

【課題】寄生動作を抑制し、コストを抑えること。
【解決手段】浮遊基準回路１３は、ＳＯＩ基板であるＢ基板１０２に設けられ、ＧＮＤ基準回路３３である制御回路１１と駆動回路１２は、Ａ基板１０１に設けられている。また、Ａ基板１０１とＢ基板１０２とは、同一のリードフレームに載置されている。Ｂ基板１０２に設けられた第１レベルシフト抵抗１５と、高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ１４と、によってレベルアップ回路を構成し、Ｂ基板１０２に設けられた高耐圧ＰＭＯＳＦＥＴ１７と、Ａ基板１０１に設けられた第２レベルシフト抵抗１８と、によってレベルダウン回路を構成している。なお、浮遊基準回路１３、高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ１４、高耐圧ＰＭＯＳＦＥＴ１７は、それぞれ絶縁分離用トレンチ１６、１９、２０で囲まれており、高耐圧化されている。また、レベルシフト抵抗１５は、浮遊基準回路１３を囲む絶縁分離用トレンチ１６内に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動に必要な絶縁型の直流電源の数を減らして回路を簡素化し、低コストのマトリクスコンバータ回路を提供する。
【解決手段】単相交流電源１を所定の周波数の交流電圧に直接変換して３相モータ３の巻線に供給する３相のマトリクスコンバータ回路であって、電流方向に対応して２個のゲート入力を有し単相交流電源１の端子間に直列に接続され相毎に設けられた双方向スイッチ２ａ，２ｄと、直列の対となる双方向スイッチ２ａ，２ｄのうち下流側の双方向スイッチ２ｄを制御するゲート入力用の直流電源８ｂと、直流電源８ｂの電圧を整流した電荷が充電されるコンデンサ１１とを備え、直列の対となる双方向スイッチのうち上流側の双方向スイッチ２ａを制御するゲート入力用の電源としてコンデンサ１１の電圧を使用するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のミラー期間を精度良く検出できない場合でもサージとスイッチング損失の低減を図ることが可能な半導体駆動装置の提供。
【解決手段】本発明は、半導体素子Ｑ２と、前記半導体素子のゲート端子と電源又はグランドの間に設けられるスイッチング素子ＭＯＳ１，ＭＯＳ２と、入力される制御信号に基づいて前記スイッチング素子を駆動して、前記半導体素子を駆動制御する駆動制御手段６２と備える半導体駆動装置５０であって、前記駆動制御手段は、前記制御信号に基づいて前記半導体素子のオン／オフ状態を１回反転させる際に、複数個のパルスを持つパルス信号を生成し、該生成したパルス信号により前記スイッチング素子をＰＷＭ制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく損失を低減できるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａはソース端子ｓ同士、ゲート端子ｇ同士が接続され、ボディダイオード２ａと同極性に外付けダイオード５が接続されるとともに、駆動回路６ａにより主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａが同時にスイッチング制御される。主ボディダイオード２ａに環流する電流は従ボディダイオード４ａによって遮断されるので、環流電流及びリカバリ電流はともに外付けダイオード５に流れることになり、全体の損失を低減できる。また、従ＭＯＳＦＥＴ３ａには電圧吸収手段が施されているので、外付けダイオード５の導通直後に従ＭＯＳＦＥＴ３ａに印加されるサージ電圧を吸収でき、従ＭＯＳＦＥＴ３ａのドレイン端子ｄ、ソース端子ｓ間の耐電圧を低くできるので、従ＭＯＳＦＥＴ３ａの損失を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】従来技術に指摘される欠点を持たない多相回路装置を提供する。
【解決手段】供給電源に接続された三相一次巻線２と、３つの二次巻線３、４、５と、前記二次巻線３、４、５と加熱される半導体材料８とから成る３つの加熱回路から成る三相整流装置９において、当該装置のトランスのこれら３つの二次巻線３、４、５はそれぞれ２つより多くの電圧タップ６とこれら電圧タップ６に直列接続された電力制御器とを有しており、前記電圧タップ６は、トランスとは逆の側で、スイッチング素子７に直接電気的に接続されており、前記３つの加熱回路は負荷抵抗８によって熱エネルギーを個別に制御するために星形結線で接続されており、前記制御器の電力コンポーネントは体積を最適化するために場所的に三相トランスに接して配置される。 （もっと読む）

【課題】装置や機械にかかる負担をより軽減して機械寿命を延ばすことができる、改善された誘導負荷装置用の電圧印加開始装置を提供する。
【解決手段】電源から誘導負荷装置に電流を流し始める電圧印加開始装置において、電源から誘導負荷装置の電力供給端子に印加する電圧を徐々に増大し、誘導負荷装置に流れる電流が増大し、該電流のピークを求め、ピークを超えると、第１の電圧に至るまで電力供給端子に急激に電圧を増大し、前記第１の電圧から再び電圧を徐々に増大して目標電圧まで上昇させることにより、誘導負荷装置の立ち上がり時の電気振動を除き、かつ該誘導負荷装置への負荷を軽減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘導性負荷のフライホイル電流が流れる接合ダイオードの逆回復電流を実質的に低減するパワースイッチング回路を提供すること。
【解決手段】たとえばMOSFET４１ｈの寄生ダイオードからなる第１ダイオード４２ｈからなる第１転流経路と並列に、第２ダイオード４３ｈとインダクタンス素子４４ｈとを直列接続してなる第２転流経路を設ける。フライホイル電流によりインダクタンス素子４４ｈに蓄積された磁気エネルギーにより、第１ダイオード４２ｈを流れる逆回復電流を吸収する。これにより、下アームスイッチのMOSFET４１ｌに流れ込む逆回復電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】導通損失やスイッチング損失を低減し、かつスイッチング速度の高速化に適した双方向スイッチを提供する。
【解決手段】所定の信号によりオンまたはオフにされて、オン時に生じる電圧とその流れる電流とが非線形関係にあり、一の通流方向を有する非線形スイッチング素子として、例えば自己消弧能力があるＩＧＢＴやＧＴＯ等の半導体スイッチング素子と、所定の信号によりオンまたはオフにされて、オン時に生じる電圧とその流れる電流とが線形関係にある線形スイッチング素子として、例えば自己消弧能力があるＭＯＳＦＥＴやＪＦＥＴ等の半導体スイッチング素子とを具備した双方向スイッチング回路であって、この双方向スイッチは、前記非線形スイッチング素子と前記線形素子との通流制御方向が互いに逆方向になるように逆並列に接続した並列回路を２組直列に接続した。 （もっと読む）

【課題】２点間の電位差を解消でき、しかも、２点間に過大な電流が流れるのを防止することができる電位差解消回路を提供する。
【解決手段】スイッチＳ１がオンすると、直流電源Ｅ１、スイッチＳ１、抵抗Ｒ２およびコンデンサＣ１の直列回路に電流が流れる。トランジスタＱ１のバイアス電圧を生成する抵抗Ｒ１の両端に電位差が生じようとするが、抵抗Ｒ１に並列接続されたコンデンサＣ１は未充電状態にあるのでその両端の電位差は、スイッチＳ１がオンしてから徐々に大きくなる。こうしてトランジスタＱ１のバイアス電圧を徐々に増加させることで、トランジスタＱ１が流せる電流の値も徐々に増加する。 （もっと読む）

【課題】ゲートドライブ回路の電源および制御回路の電源の構成部品を減らすことにより、コスト低減および容積を縮小する。
【解決手段】マトリックスコンバータのスイッチング素子のゲート遮断時の過電圧を整流機構と各相共通のコンデンサＣｂで抑制するスナバ回路と、交流電源とスナバ回路との間に設けた抵抗Ｒ１〜Ｒ３とスイッチＳ１〜Ｓ３でコンデンサを予備充電する交流予備充電回路と、主回路のスイッチング素子のゲートドライブ回路および制御回路の電源を得るスイッチングレギュレータＳＲとを備えたマトリックスコンバータにおいて、スナバ回路のコンデンサを直流電源として、ゲートドライブ回路の電源および制御回路の電源に交流電源を供給する。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路の小形（集積）化，損失低減化を図り、低コストにする。
【解決手段】第一の変圧器６とスイッチング素子１の直列回路を直流電源５と並列に接続するとともに、電圧をクランプするクランプ素子１３とダイオード１１との直列回路を直流電源５と並列に接続し、クランプ素子１３と並列に第二の変圧器７を接続し、各変圧器の二次側を制御対象となるスイッチング素子９，１０にそれぞれ接続して駆動する構成とすることで、ゲート駆動回路２２のスイッチング素子数を4個から１個に低減できるようにする。 （もっと読む）

【課題】定常状態における電力消費が少なく、且つ、電源投入直後においても出力状態の確定が保証できるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】第一のスイッチＭ１１は、入力信号ＩＮの電位がハイレベルであるときにはオン状態となり、該入力信号の電位がローレベルであるときにはオフ状態となる。第二のスイッチＭ１２は、この入力信号の電位がハイレベルであるときにはオフ状態となり、該入力信号の電位がローレベルであるときにはオン状態となる。ラッチ回路１０は、二次側の電源電位Ｖ２ＨとＶ２Ｌとの間で動作する２つのインバータＵ１２及びＵ１３の入出力を相互に接続して構成されており、それぞれの入力がダイオードＤ１１，Ｄ１２を介してスイッチＭ１１，Ｍ１２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子にワイドバンドギャップ半導体を用いても装置全体のコストアップを抑えられるような電力変換装置を得る。
【解決手段】主スイッチング素子（13）をＳｉＣ半導体からなるチップによって構成する。そして、そのチップサイズは、オン電圧降下が従来のＳｉ半導体からなるチップと同等以上になるようなサイズにする。これにより、チップの小型化を図ることができ、装置全体の小型化及びコストの低減を実現することができる。 （もっと読む）

タップ切換装置を作動するための制御信号を受信するための汎用入力を提供する制御システムが開示される。本システムは、タップ切換装置の制御のために一般的に使用される実質的に全ての信号電圧レベルに適応し、受信した信号を所望の形式に変更し、当該変更された信号を、解読及びタップ切換モータの作動を行うコントローラに入力する。本システムは、完全に電子式であり、タップ切換器の制御のための電気機械的接点の使用を排除し、タップ切り替え装置の遠隔地からも監視及び診断に対してフレキシブルなアプローチを行うことができる。
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【課題】絶縁耐圧試験に際して、双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子の過電圧破壊を防止したマトリクスコンバータ装置を提供する。
【解決手段】交流電源１に接続される各相入力端子と、任意の直交流電圧を出力する各相出力端子と、逆方向に直列接続されたＩＧＢＴトランジスタ１０２、１０３と前記各ＩＧＢＴトランジスタに逆並列接続されたダイオード１０４、１０５を備える双方向スイッチと、前記各相入力端子と各相出力端子との間を繋ぐ各前記双方向スイッチで構成される双方向スイッチ群５を備え、前記双方向スイッチ群をＰＷＭ制御して前記交流電源電圧を任意の直交流電圧に変換して前記各相出力端子から出力するマトリクスコンバータ装置において、前記双方向スイッチを構成するＩＧＢＴトランジスタの直列接続部と前記相入力端子または相出力端子との間に接続された抵抗器Ｒ１，Ｒ２を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）