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Fターム[5H740BB09]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子の接続と負荷態様 (2,347) | 交流負荷 (497) | 多相負荷(三相) (214)

Fターム[5H740BB09]に分類される特許

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【課題】順変換器と逆変換器とからなり、両者の直流部分を共通接続した電力変換装置の入出力間を、流れる循環電流を極力抑制し得るようにする。
【解決手段】逆変換器各相の正側半導体スイッチ8,10,12の全てが同時に導通状態となるか、または各相の負側半導体スイッチ9,11,13の全てが同時に導通状態となるゼロ電圧出力状態とならないよう、半導体スイッチのスイッチング動作パターンに工夫をすることによって循環電流を抑制し、直流中間コンデンサ14が過電圧とならないようにする。 (もっと読む)


【課題】フェライトコアによるノイズ低減に、小型化、コストダウンを図る。
【解決手段】交流電源1の入力部に高周波除去用フィルタ回路2、3を設け、半導体素子を主回路スイッチ素子としてコンバータ4で直流に電力変換し、インバータ5で交流電力に変換して誘導電動機6に供給するインバータ装置において、CRフィルタとコンバータとインバータおよび誘導電動機のアース線2E,4E,5E,6Eはアース母線10まで引き回し配線し、各アース線は各部から漏洩するノイズを低減するためのフェライトコア11、12との間に必要ターン数だけ巻回させてアース母線に接続する。
各アース線は、それらに流れるアース電流のうちの主電流の極性が互いに逆極性になるようフェライトコアに巻回させた構成を含む。 (もっと読む)


【課題】バスバーのインダクタンスを抑制し、サージの発生を容易に抑制することができる平滑コンデンサモジュール、及びこれを用いた小型化が容易な電力変換装置を提供すること。
【解決手段】直流電源出力を平滑化するための平滑コンデンサモジュール2において、コンデンサ素子をモールド材22によってモールドしてなると共に、コンデンサ素子の一対の電極及び直流電源の正極と負極とにそれぞれ電気的に接続される正極バスバー31と負極バスバー32とを有してなる。正極バスバー31及び負極バスバー32は、その少なくとも一部において、絶縁紙23を介在させた状態で互いに対向配置されている。絶縁紙23の一部はモールド材22に埋設してある。 (もっと読む)


【課題】サージ電圧を抑制する接続導体を提供する。
【解決手段】電圧が変化する電気回路に用いられる接続導体であって、一の極に接続されるための正極側バスバー1と、他の極に接続されるための負極側バスバー2とを備える。正極側バスバー1および負極側バスバー2は、それぞれが板状に形成されている。正極側バスバー1および負極側バスバー2のそれぞれは、断面形状がU字形に形成されているU字部1e,2eを含む。 (もっと読む)


【課題】電源が発生する所望の高調波成分が負荷側へ流出することは防げたが、共振周波数よりも高い周波数帯域の高調波成分が流出する課題があった。
【解決手段】任意の高調波成分を含む電源1と負荷2との間に、電源に対して並列に第1のリアクトルLと第1のコンデンサCと抵抗Rとからなる第1の直列回路を接続し、抵抗に並列に第2のリアクトルLrと第2のコンデンサCrとからなる第2の直列回路を接続し、第1のリアクトルと第1のコンデンサからなる直列回路に第3のコンデンサCaを並列に接続してフィルタ回路4を構成し、電源と第1の直列回路との間の配線に存在する配線インダクタンス3と第1の直列回路と第2の直列回路と第3のコンデンサにより、電源から負荷へ伝達される高調波成分のうち特定の高調波成分を低減するとともに、特定の高調波成分よりも高い帯域の高調波成分を低減するようにした。 (もっと読む)


【課題】スイッチング損失の減少や、サージ電圧の低下を図ることができる新たな技術を提案する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子(IGBT1)の駆動方法であって、前記電圧駆動型半導体素子のターンオン又はターンオフの指令のタイミングからサージ電圧発生のタイミングまでのサージ期間(ターンオン時間tON/ターンオフ時間tOFF)を記憶し、次回のターンオン時又はターンオフ時において、今回記憶したターンオン時又はターンオフ時における前記サージ期間に基づいて、前記電圧駆動型半導体素子の実効ゲート抵抗値を変更する、こととするものである。 (もっと読む)


【課題】スイッチング周波数を低下させたりゲート抵抗の高抵抗化、またはゲート・エミッタ間容量を高容量化したりせずに、ダイオードチップの温度上昇を低減できるようにする。
【解決手段】従来のゲート駆動回路に、フィルタ23、コンパレータ24、論理回路26、スイッチ素子27および抵抗28等を付加し、フィルタ23に絶縁器15の出力信号であるゲート駆動信号(PWM制御信号)を入力し、その出力をコンパレータ24において設定値25と比較する。オンデューティが低いとコンパレータ24,論理回路26の出力はLレベルで、ターンオン用ゲート抵抗は11のみとなって動作が遅くなり、結果としてオンデューティが低いときの逆回復損失が減少する。 (もっと読む)


【課題】 フィルタ電流を接地線に流すことなしにモータ端子サージ電圧、電源側への高周波ノイズ、モータに流れるコモンモード電流、電源側で流れる基本波成分の漏れ電流を低減する電力変換装置のフィルタとこのフィルタを用いた電力変換装置を提供する。
【解決手段】
インバータおよびマトリクスコンバータ等に代表されるような電力変換装置に使用されるフィルタ装置で、前記電力変換装置の入力フィルタと、前記電力変換装置の出力フィルタとを一体構造にしたフィルタ装置において、前記入力フィルタは雑音端子電圧低減のためのフィルタであり、前記出力フィルタはコモンモードフィルタとノーマルモードフィルタを一体構造にしたものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、簡単な回路構成で電圧駆動型素子のターンオン時のスイッチング動作に伴って発生するノイズを低減し、且つ効率の高いスイッチング動作を駆動制御することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、電圧駆動型素子のゲート端子にターンオンのための駆動信号を出力する駆動回路が、少なくとも2つのスイッチング素子の並列回路を有して構成され、制御回路が、ターンオン時のゲート電圧がミラー電圧に到達したとき並列回路のスイッチング素子を切り換えて、電圧駆動型素子の駆動能力を低くするよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子にワイドバンドギャップ半導体を用いても装置全体のコストアップを抑えられるような電力変換装置を得る。
【解決手段】主スイッチング素子(13)をSiC半導体からなるチップによって構成する。そして、そのチップサイズは、オン電圧降下が従来のSi半導体からなるチップと同等以上になるようなサイズにする。これにより、チップの小型化を図ることができ、装置全体の小型化及びコストの低減を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体素子が低耐熱性部品に熱的な悪影響を及ぼすことを防止しつつ、熱電発電モジュールによって電力変換部の熱を効果的に電力に変換する。
【解決手段】インバータ本体(20)の基板を、SiC素子で構成されるIGBT(41)及び帰還ダイオード(42)が実装された高温基板(62)と、該高温基板(62)と熱的に絶縁され、Si素子で構成される整流ダイオード(32)が実装された低温基板(63)とに分割する。熱電発電モジュール(7)を、高温基板(62)に熱的に接続された高温側熱電発電モジュール(7A)と低温基板(63)に熱的に接続された低温側熱電発電モジュール(7B)とに分割する。 (もっと読む)


【課題】冷却フィンの接地線を介して流れる電流経路により不要な共振電流及びノイズの発生を抑制する電力変換装置を得る。
【解決手段】直流電源系統から受電し、負荷を駆動するインバータ4と、インバータ4を冷却する冷却手段であるフィン5と、直流電源系統とインバータ4とを接続する高圧配線21、及びインバータを接地する接地配線22を通す貫通孔を有するコア8と、フィン5を接地する接地線9とを備え、接地線9がコアに巻回されてから接地される。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ小型でコモンモードノイズを低減することができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】交流電源1のR相と、単相PFC整流器4のP相との間、および交流電源1のS相と、単相PFC整流器4のN相との間に、負荷6とアース9との間の浮遊静電容量の数倍の大きさの容量をもつコンデンサ13,14をそれぞれ接続し、単相PFC整流器4のスイッチング前後に生じる電位変動によって浮遊静電容量を介して流れる漏洩電流を、コンデンサ13,14を介して交流電源1側に分流することで、コモンモードノイズ電流を低減するようにしている。 (もっと読む)


【課題】ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成されたパワースイッチング素子とそれを制御するための受光素子を含む半導体装置を低コストで提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板(1)を用いて形成されたフォトダイオード(5)と、シリコン基板上に形成されていてシリコンに比べて大きなバンドギャップを有するワイドバンドギャップ半導体層(2)と、そのワイドバンドギャップ半導体層を用いて形成されたスイッチング素子(9)とを含み、そのスイッチング素子はフォトダイオードからの制御信号によってオン・オフ制御されるようにフォトダイオードに電気的に接続(7、28)されている。 (もっと読む)


【課題】高電圧側から低電圧側に信号を伝達する際、従来必要とされていたフォトカプラを不要にして装置保護ができるようにし、低コスト化と高信頼化を図る。
【解決手段】IGBT4のコレクタに接続された電源短絡検知用ダイオード25を流れる電流経路上に、トロイダルコアのような磁性体33を設け、これに二次巻線34を形成してそこに誘起される電圧VCTを検出することにより、IGBTの過電流状態または電源短絡状態、もしくはゲート駆動回路の電源電圧異常などを検出できるようにし、装置の保護が図れるようにする。 (もっと読む)


【課題】圧接形スイッチング素子の適用範囲は狭く、高価である。このため半導体電力変換装置自体を安価にすることが難しい。
【解決手段】各スイッチング素子の主電極間に所定の電圧以上印加されていることを検出する電圧印加検出手段と、電圧検出手段が検出した信号を駆動回路内部で増幅した状態信号と、制御回路が出力したオン・オフ指令と状態信号を比較する手段を有し、制御回路がオン指令を出力している状態でスイッチング素子主電極間に電圧が印加された状態であることを搬送波の1/2周期以内に検出した場合または、制御回路がオフ指令を出力している状態でスイッチング素子主電極間に電圧が印加されていないことを搬送波の1/2周期以内に検出した場合、変換器の運転モードに応じてスイッチング素子の短絡故障,開放故障または駆動回路異常を3種類の不具合を検出することを特徴とした半導体電力変換装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】回生エネルギー消費回路を備える電源装置において、専用回路を設けることなくその回生エネルギー消費回路の故障を検出する。
【解決手段】DC/DCコンバータ1は、所定の直流電圧を生成して負荷3に供給する。電流検出回路12により得られる電流値は、DC/DCコンバータ1の通常動作時は、過電流の発生を検出するため又はスイッチ回路11を制御するために利用される。回生エネルギー消費回路13は、回生抵抗Rおよびスイッチング素子Qrから構成されている。回生抵抗Rの状態を診断する際には、DC/DCコンバータ1の出力を実質的に無負荷状態とし、スイッチング素子Qrをオン状態に制御する。電流検出回路12により得られる電流値に基づいて回生抵抗Rの抵抗値を検出する。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体素子が並列接続された半導体電力変換装置において、いずれか一つのIGBTが故障した場合でも、簡易な回路構成で残りのIGBTを故障から防止する。
【解決手段】温度検出手段3を有する第1のIGBT1と電流検出手段4を有する第2のIGBT2を並列接続し、第1及び第2の半導体素子1,2をスイッチ動作させる半導体電力変換回路10と、第1のIGBT1の温度検出手段3から得られる温度情報にもとづき第1及び第2のIGBT1,2の過熱保護を行う過熱保護回路5と、第2のIGBT2の電流検出手段4から得られる電流情報にもとづき第1及び第2のIGBT1,2の過電流保護を行う過電流保護回路6とを備えた。 (もっと読む)


【課題】PWM整流器とPWMインバータで構成する交直/直交変換装置の中性点を互いに接続した中性線接続型無停電電源システムにおいて、中性線を通したリップル電流を抑制する。
【解決手段】PWM整流器1のPWM制御装置11~14は、交流入力の各相U,V,Wと比較する三角波キャリア信号発生部14のキャリア位相を互いに120°だけずらした3つのキャリア信号を発生し、PWM波形生成部13はこれらキャリア信号とU,V,W相の正弦波信号との相別の比較によりPWM波形を生成することで、三相全てがONとなる期間を無くす。
PWMインバータの制御装置も同様にすること、さらにPWM整流器とPWMインバータの両方の制御装置に適用することも含む。 (もっと読む)


【課題】直列接続IGBT3,4の接続点7のdV/dtによる誤動作発生時に、上下アーム短絡などの事故を回避できる高信頼性IGBT駆動装置を提供する。
【解決手段】高低圧側IGBT3,4は、デッドタイムを挟み相補的にオン/オフ制御される。これらデッドタイム期間中に、高圧側IGBT3をオフさせるリセットパルスRSを、例えば、次のような要領で発生させる。(1)低圧側IGBT4のオン指令LDの直前に、(2)低圧側IGBT4のオン指令LDの直前から、このオン指令LDと重なる期間tdをもつように、(3)デッドタイムDT期間中、継続して、(4)低圧側IGBT4がオンとなる直前のデッドタイム期間中、継続して、(5)高圧側IGBT3のオン状態を観測したとき、低圧側IGBTのオン指令を無効とするように、リセットパルスを生成する。 (もっと読む)


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