【課題】 ダイオードのオープン故障を比較的簡単な構成で確実に検出することが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】 変換アームをブリッジ構成し、誘導性の負荷２に電力を供給する電力変換回路１と、電流検出器３と、ゲート出力制御手段６とを備えた電力変換装置において、測定対象ダイオードと同相で逆極性の変換アームのスイッチング素子と、異相で同極性の変換アームのスイッチング素子をオンする第１のゲートオン手段と、一方の測定対象ダイオードと同相で逆極性の変換アームのスイッチング素子をオフし、他方のスイッチング素子のオンを継続する第２のゲートオン手段と、第１のゲートオン手段が動作して所定時間後の出力電流が所定値より大きいとき、第２のゲートオン手段へ移行し、第２のゲートオン手段が動作して所定時間後の前記出力電流が所定値より小さいとき、前記測定対象ダイオードはオープン故障していると判定する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、且つ、ゲート駆動ユニットの過電流時にも他のゲート駆動ユニットに影響を与えることなく実質的に切り離し可能な半導体電力変換装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】 高周波入力電力を絶縁トランス２１を介して直流に変換するコンバータ部２２と、このコンバータ部２２の出力に設けられた過電流抑制回路２３と、この過電流抑制回路２３の出力を平滑するコンデンサ２５と、前記過電流抑制回路２２の出力を電源として半導体電力変換装置の１アームの電力用半導体素子１１を駆動するためのゲート電圧駆動回路２４とを備え、前記過電流抑制回路２３は、過電流保護素子２３１の正抵抗サーミスタ特性を用いてその出力電流が所定値以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 超低損失で、小型で、しかも高温環境でも動作可能な炭化珪素半導体インバータ装置を提供する。
【解決手段】 電力用パワーデバイスの第１横型ＭＯＳＦＥＴ１と第２横型ＭＯＳＦＥＴ２とが共通の炭化珪素基板１００上に素子分離領域１８によって電気的に絶縁されて形成され、第１横型ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電極１６と第２横型ＭＯＳＦＥＴ２のソース電極１５とが炭化珪素基板１００上で電気的に接続されており、横型ＭＯＳＦＥＴ１、２の制御回路２１を構成する素子も同一炭化珪素基板１００上に素子分離領域２２によって横型ＭＯＳＦＥＴ１、２とは電気的に絶縁されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＰＷＭインバータ駆動による水中モータポンプにおいてインバータ装置から水中モータに至る水中ケーブルから放射される高周波ノイズを抑制する。
【解決手段】 地上ユニット２内に設けられたインバータ装置から水中モータ３に駆動電力を供給する水中ケーブル６を３φコモンモードチョークコイル５を介して接続し、水中モータポンプ１の近傍の水中ケーブル６にセラミックコンデンサ１１をΔ接続する。３φコモンモードチョークコイル５によりインバータ装置から水中ケーブル６に出る高周波ノイズが制限され、セラミックコンデンサ１１と水中ケーブル６のＬ成分とにより構成されるＬＣフィルタにより高周波ノイズ成分が減衰するので、水中ケーブル６からの高周波ノイズの放射が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高速で小型、低損失で信頼性の高いＰＷＭモータ駆動回路を実現する。
【解決手段】ソースを電源＋Ｖ_DDと接続したＰチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴ_ru+ とソースをＧＮＤと接続したＮチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴ_ru- のドレインを接続し、モータコイルの出力とする。また、前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴ_ru+ のソースとゲート間にバイアス抵抗Ｒ４を接続し、その抵抗Ｒ４と並列にソースとゲートを前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴ_ru+ のオフ時に短絡するトランジスタＱ２を設けるとともに、前記ゲートとコレクタを接続し、ベースを電源＋Ｖ_DDに接続した入力用のＮＰＮトランジスタＱ１のエミッタをマイコン２のポートＰ１に接続する。一方、前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴ_ru- のゲートをマイコン２のポートＰ２と接続して両ポートＰ１、Ｐ２から駆動信号を入力する。この回路を用いることで簡便で高速動作ができて小型化が図れ、低損失で信頼性の高いＰＷＭモータ駆動回路を実現する。 （もっと読む）

【課題】
アーム短絡を確実に回避した高い信頼性の電力変換装置の提供。
【解決手段】
本発明の電力変換装置は、直流電圧端子と交流電圧端子とを接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を生成する信号生成部と、前記信号生成部からの信号により前記スイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路間を接続する通信回路とを有し、前記駆動回路はオフ信号が入力されてからスイッチング素子がオフするまでの遅延時間よりもオン信号が入力されてからスイッチング素子がオンするまでの遅延時間の方が長い。 （もっと読む）

【課題】 過負荷によるパワー素子の過熱破壊を防止しつつ、装置能力を十分に発揮することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】 制御装置２０は、インバータ１０からの電流値Ｉがしきい値Ｉｔｈ１を超えると電流集中状態であると判断する。そして、制御装置２０は、電流値ＩがＩｔｈ＿ｍａｘを超えるときを最短に、電流値Ｉが小さくなるほど電流制限時間を長く設定する。また、制御装置２０は、インバータ１０の冷却水温度が低いほど電流制限時間を長く設定する。たとえば、電流値ＩがＩｔｈ＿ｍａｘを超えているとき、制御装置２０は、冷却水温度がＴｗ３よりも低いＴｗ２であれば、電流制限時間をΔｔ１（Ｔｗ３）よりも長いΔｔ１（Ｔｗ２）に設定する。 （もっと読む）

【課題】絶縁電源の個数を減少させて装置全体の小型軽量化、低コスト化を可能にした双方向スイッチの駆動電源回路を提供する。
【解決手段】逆阻止ＩＧＢＴ１，２が逆並列接続された双方向スイッチを駆動するために、各ＩＧＢＴ１，２の駆動回路に電源を供給する双方向スイッチの駆動電源回路に関する。逆阻止ＩＧＢＴ１の駆動回路２３に電源を供給する直流電源１９と、逆阻止ＩＧＢＴ２の駆動回路２４に電源を供給するコンデンサ２２と、直流電源１９とコンデンサ２２との間に直列に接続され、かつ、そのオン時に逆阻止ＩＧＢＴ１を介して直流電源１９によりコンデンサ２２を充電する駆動電源用半導体スイッチとしてのＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２０と、を備える。 （もっと読む）

本発明の目的は、小型で、しかも、金属接合部の劣化を精度良く検知できる半導体素子を用いたパワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置並びに移動体を提供することにある。パワー半導体素子（２）の表面電極と電極用の金属板（３）は、金属ワイヤ（８）により金属接合される。接合部特性検出回路（２０）は、金属接合の接合部の特性を検出し、接合部の劣化による抵抗ＲＴ８の上昇と寿命の関係から決定したしきい値ＶＬを用いて、接合部の劣化を予測する。
（もっと読む）

【課題】
【解決手段】能動ＥＭＩフィルタは、アース線を流れる電流を、そのアース線に結合されたコンデンサにかかる電圧として検出する。ＥＭＩフィルタは、同相電圧を検出し、該同相電圧と雑音との差を決定することによって、アース線への出力を提供し、その差の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の冷却性能の向上による電力変換装置の小型化にある。
【解決手段】熱伝導性を有する樹脂２２に、インバータケース１０内に配設された制御基板１５に複数実装されると共に、発熱量が異なる少なくとも２種類の電子部品のうち、発熱量の小さい電子部品及び制御基板１５と物理的に非接触状態で、発熱量の大きい電子部品或いは発熱量の大きい電子部品に設けられた放熱器２３を埋め込み、樹脂２２に熱伝達された発熱量の大きい電子部品の発熱をインバータケース１０に熱伝達する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズフィルタによる発生熱を放熱フィンに効率よく放散させ、かつ、必要な絶縁性を得ること。
【解決手段】 放熱容器内に、該放熱容器の熱伝導特性と略同等の熱伝導特性を有する樹脂絶縁材１６を用いてノイズフィルタ部２を封止して収納し、該ノイズフィルタ部２が収納された放熱容器と、駆動部１０とを、放熱用フィン１１上に直接取り付けた。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率の向上、及び寄生インダクタンスの低減を図ること。
【解決手段】 液冷式冷却器１３Ａの冷却管１４Ａを絶縁基板１９に近い線膨張係数を有する金属基複合材料により形成し、この冷却管１４Ａの外面に絶縁基板１９の裏面を直接に接触させた状態で取り付けているので、冷却効率が向上している。そして、絶縁基板１９及び冷却管１４Ａの各線膨張係数は互いに近いものであるため、絶縁基板１９に熱応力が生じることはない。また、熱緩衝板２８を介して幅広導体２５，２６が半導体チップに接続されているので寄生インダクタンスが低減されている。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路を各アームに3個以上の電圧駆動型半導体素子を直列接続して構成する場合、各アームのいずれかの電圧駆動型半導体素子の素子破壊を高速に検出する方法を提供する。
【解決手段】各アームが３個の電圧駆動型半導体素子の直列接続からなる場合、各直列接続された電圧駆動型半導体素子がターンオフ動作中に、印加される電圧が過電圧かどうかを過電圧判別回路ＯＶで監視し、素子故障判別回路ＣＶにより2個の電圧駆動型半導体素子が過電圧と判別されたときには、素子破壊が発生したとする。 （もっと読む）