【課題】電力変換装置のスナバ回路の小形化、簡略化を行いつつ、逆変換部の素子のスイッチング損失の低減をすることにより、装置の小形化などを実現する技術、製品を供給することを課題とする。
【解決手段】逆変換部のＰ相、Ｎ相と、平滑コンデンサの正極、または負極とを接続したバスバーと直列接続されたコンデンサの中間層を接続する配線バスバーの形状を大きくし、互いに重なり合う面積を大きくして、流れる電流を互いに逆方向とすることで、インダクタンスを低減する。 （もっと読む）

【課題】直列接続されたパワートランジスタの導通・遮断の電流を抑制し、同時導通防止を施したゲートドライバおよびこれを含むモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】パワートランジスタ１を導通させる電流源１１と遮断させる電流源１２とを備え、電流源１１はパワートランジスタ１を遮断から導通に切替える際、第１電流値を出力し、導通に切替った後はその状態を保持する第２電流値を出力するものであり、電流源１２はパワートランジスタ１を導通から遮断に切替える際、第３電流値を出力し、遮断に切替った後はその状態を保持する第４電流値を出力するものであり、第２，第４電流値は第１，第３電流値に比べて小さな値の電流値であり、パワートランジスタ２を遮断から導通に切替える際、電流源１２に第３電流値を出力させることで、パワートランジスタ１のゲート電極の電位上昇を防止するように構成したゲートドライバおよびこれを含むモータ駆動装置。 （もっと読む）

【課題】 装置を複雑化させず、ＩＧＢＴ等の電圧駆動型半導体スイッチング素子の損失を低減する。
【解決手段】 ゲート駆動回路２３１の電源電圧Ｖｇｓを、電圧指令装置（マイコン）２３４からの指令により制御可能とし、素子の温度情報、インバータの直流側電圧Ｖｐ情報等に応じて変化させ、ＩＧＢＴ２１１のゲート電圧Ｖｇを調整する。例えば、素子の冷却水の温度が低く、熱的に余裕がある場合には、ゲート電圧を低く設定しノイズを低減する。他方、インバータ２１の直流側電圧Ｖｐが高い場合には、ゲート電圧Ｖｇを高くして、ＩＧＢＴのスイッチング損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】 列車編成中に、送風機付電力用変換器を搭載した車両と送風機なし電力用変換器を搭載した車両が混在する場合に、後者の冷却能力の不足を補う電力用変換器の運転方法を提供する。
【解決手段】 ＰＷＭコンバータを有する電力用変換器を搭載した車鉄道両を複数両連結して編成した列車における電力用変換器の運転方法において、列車編成中に送風機付電力用変換器１と送風機なし電力用変換器２が混在している場合に、送風機付電力用変換器１−１〜１−４を複数台まとめて送風機付グループとし、送風機なし電力用変換器２−１，２−２を複数台まとめて送風機なしグループとし、それぞれのグループで独立したキャリア周波数を用いてキャリア位相差方式で運転する。 （もっと読む）

【課題】 昇圧回路を含むインバータ装置の各回路構成部品を１つにまとめて効率的に配置するとともに、前記各回路構成部品を電気的に接続するバスバーの形状を単純化し、インダクタンスを低減することが可能なインバータ装置を提供する。
【解決手段】 モータ・ジェネレータＭＧ１、ＭＧ２の各相の相電流を生成するための複数の各相用スイッチングユニットＳ２〜Ｓ７と、昇圧用のリアクトルＬに接続される昇圧用スイッチングユニットＳ１とを、各スイッチングユニットＳ１〜Ｓ７の正極端子Ｔｐ１〜Ｔｐ７及び負極端子Ｔｎ１〜Ｔｎ７が配される一側面Ｓ１ａ〜Ｓ７ａを同一方向に揃えるとともに、各スイッチングユニットＳ１〜Ｓ７の正極端子Ｔｐ１〜Ｔｐ７と負極端子Ｔｎ１〜Ｔｎ７とを結ぶ方向に対して直交する方向に一列に並べて配置する。 （もっと読む）

【課題】並列接続した複数の電圧駆動型素子の特性にばらつきがあっても、熱破壊を回避可能な電圧駆動型スイッチング回路、多相インバータ装置および電圧駆動型スイッチング制御方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１０を構成する並列接続した複数の電圧駆動型素子ＩＧＢＴ(Ｑ１)〜（Ｑ３）それぞれをＰＷＭ駆動する複数のゲート駆動部としてプッシュプル接続したＰｃｈＭＯＳＦＥＴ（Ｑ４，Ｑ６，Ｑ８）、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ(Ｑ５，Ｑ７，Ｑ９)をゲート駆動回路１１に備え、そのいずれか１乃至複数のゲート端子に順番にオンになる入力信号ＰＷＭ１〜ＰＷＭ３を入力することにより、対応するＩＧＢＴ(Ｑ１)〜（Ｑ３）を順次切り替えて交互駆動することを可能とし、たとえば、ＩＧＢＴ(Ｑ１)〜（Ｑ３）のスイッチング損失が定常損失よりも大きい場合、前記交互駆動を行い、そうでない場合は、ＩＧＢＴ(Ｑ１)〜（Ｑ３）すべてを同時駆動する。 （もっと読む）

【課題】
電源電圧低下保護回路に過熱保護機能を持たせた半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明の半導体装置の保護回路は、電源電圧を抵抗と正のツェナー電圧温度依存性があるツェナーダイオード直列接続体とで分割してコンパレータの一方の入力端に接続し、コンパレータの他方の入力端に、電源電圧を抵抗分割して加えたので、過熱が無い場合の電源電圧の変動の有無をツェナー電圧と抵抗分割電圧を比較して検出し、電源電圧の変動が無い場合の半導体装置の過熱の有無をツェナー電圧の変動で検出する。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧試験に際して、双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子の過電圧破壊を防止したマトリクスコンバータ装置を提供する。
【解決手段】交流電源１に接続される各相入力端子と、任意の直交流電圧を出力する各相出力端子と、逆方向に直列接続されたＩＧＢＴトランジスタ１０２、１０３と前記各ＩＧＢＴトランジスタに逆並列接続されたダイオード１０４、１０５を備える双方向スイッチと、前記各相入力端子と各相出力端子との間を繋ぐ各前記双方向スイッチで構成される双方向スイッチ群５を備え、前記双方向スイッチ群をＰＷＭ制御して前記交流電源電圧を任意の直交流電圧に変換して前記各相出力端子から出力するマトリクスコンバータ装置において、前記双方向スイッチを構成するＩＧＢＴトランジスタの直列接続部と前記相入力端子または相出力端子との間に接続された抵抗器Ｒ１，Ｒ２を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バスバーの形状や外部端子の構成に対する規制が少なく、防水対策を容易に、かつ安定した精度を得ることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】 スイッチング素子７を有するパワー基板６の上部に配設されスイッチング素子７を駆動制御する制御基板４と、パワー基板６の放熱を行うヒートシンク１０と、一端１ａをパワー基板６の各スイッチング素子７間に接続され他端１ｂに外部と接続するための外部端子１２を有するバスバー１と、バスバー１の電流により発生する磁束を集める空隙部３ａを有する集磁コア３と、集磁コア３の磁束を検出するとともに制御基板４に接続された磁気検出素子２と、バスバー１および集磁コア３は樹脂ケース８に一体成形され、バスバー１の一端１ａはベント部１１を介しパワー基板４と接続されているものである。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子が電流を手段或いは導通する際に生じるサージ電圧を抑制する駆動装置並びにその制御方法を提供する。
【解決手段】主電流を通流或いは遮断するパワー半導体素子の駆動装置において、制御電圧に応じて第１の抵抗を変化させる第１の抵抗可変手段と、第１及び第２端子間の電圧に応じて第２の抵抗を変化させる第２の抵抗可変手段を備え、制御電源の電圧或いは第１及び第２端子間の電圧のいずれか一方を第１の抵抗と第２の抵抗で分圧すると共に、分圧された電圧を主電流の通流或いは遮断時に制御ゲート端子に印加する。
【効果】本発明によれば、それぞれ制御電圧と入出力端子間電圧に応じて変化する第１，第２の抵抗可変手段で分圧したゲート電圧をパワー半導体素子に印加することで電流下降期間に生じるサージ電圧を安定に抑制低減できる。 （もっと読む）

【課題】
電源電圧変動が大きい電源において、特に低電圧時でも負荷を安定して駆動する駆動装置を提供する。
【解決手段】
上流スイッチング素子２５を駆動するための上流駆動回路２３と、下流スイッチング素子２６を駆動するための下流駆動回路２４とを有する駆動装置であって、バッテリ電圧
４ａに基づいて上流駆動回路２３へ供給される昇圧電源出力電圧２１ａを生成する昇圧電源回路２１と、昇圧電源出力電圧２１ａに基づいて下流駆動回路２４へ供給される降圧電源出力電圧２２ａを生成する降圧電源回路２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 発電時に主ＭＯＳ回路のスイッチング速度を上げ、力行時にスイッチング速度を落とすことにより、主ＭＯＳ回路のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの跳ね上がりを抑制できる回転電機制御装置を提供する。
【解決手段】 回転電機２の複数の固定子巻線端子とバッテリの高電位との間に接続された複数の上アームスイッチング素子６と、複数の固定子巻線端子とバッテリＶＢ３の低電位との間に接続された複数の下アームスイッチング素子７と、複数の上アームスイッチング素子６及び下アームスイッチング素子７をそれぞれＯＮ／ＯＦＦすることにより、力行または発電を制御する制御部１３とを備え、制御部１３は、複数の上アームスイッチング素子６及び複数の下アームスイッチング素子７のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御パルス信号を出力し、力行時における制御パルス信号のスルーレートは、発電時における制御パルス信号のスルーレートより小さくなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でノーマリオン型の半導体スイッチング素子を駆動する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドとローサイドの半導体スイッチング素子１５，１７とが直列（トーテムポール型）に接続され、各半導体スイッチング素子１５，１７をそれぞれの駆動回路１９，２１でオンオフ駆動する際、ハイサイド駆動回路１９に対する負電圧を、定電圧ダイオード３５によりフローティング動作で生成する。尚、正電圧はブートストラップ回路によりフローティング動作で生成する。ノーマリオフ型に比べて、定電圧ダイオード３５と負電圧源２５を追加するだけでハイサイド半導体スイッチング素子１５を容易にオフにでき、ノーマリオン型の電力変換器を容易に構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 容易にＩＣ化して小型化でき，消費電流や誤動作要因が少ない保護機能付きスイッチング回路および保護回路を提供すること。
【解決手段】 本発明のスイッチング回路は，ＩＧＢＴスイッチＱ２，Ｑ１２に遅れてオンされるＮチャネルＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ１１を有している。そして，ＩＧＢＴスイッチＱ２，Ｑ１２が飽和状態から脱しているときに限りＮチャネルＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ１１のドレイン電流Ｉ１，Ｉ１１を許容するツェナーダイオードＺ１，Ｚ１１を有している。さらに，ＩＧＢＴスイッチＱ２，Ｑ１２が飽和状態から脱したときにＩＧＢＴスイッチＱ２，Ｑ１２を緩やかにシャットダウンさせるソフトシャットダウン回路３，１３を有している。これにより，電力消費が軽微で，誤動作や素子破壊の可能性も少ない保護機能付きのスイッチング回路が実現されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズフィルタ回路の温度上昇によるＹコン容量減少時の特性悪化を防止すること。
【解決手段】ノイズフィルタ回路２の雰囲気温度を測定する温度センサ２１を設け、予め設定された温度を上回った場合には制御部にてＹコン１０〜１３の容量減少を判断し、追加Ｙコン１５〜１８のスイッチ１９，２０をオンにすることでＹコンの容量減少分を補うものである。これによって、高温時のＹコンの容量減少を防止することが可能であり、低温時の漏れ電流を増加させることなく高温時にもノイズフィルタ回路の性能悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 新たな電源装置を設けることなく、ＩＧＢＴをカットオフさせる際に、ゲートに逆バイアスを与えることができるＩＧＢＴ駆動回路を提供する。
【解決手段】 ＩＧＢＴ１、ＩＧＢＴ２をオン・オフするためにこれらのＩＧＢＴのゲートに制御電圧を印加するＩＧＢＴ駆動回路であって、これらのＩＧＢＴのオン・オフ制御を行うために出力電圧を変化させる制御回路の出力点Ｃ、ＤとＩＧＢＴのゲートとの間に、ＩＧＢＴ側にカソードを有するダイオードＤ２、Ｄ３とコンデンサＣ３、Ｃ４を並列接続した回路を有し、さらにダイオードＤ２、Ｄ３のカソードとＩＧＢＴ１、ＩＧＢＴ２のエミッタ間に設けられた抵抗Ｒ３、Ｒ４を有することを特徴とするＩＧＢＴ駆動回路。 （もっと読む）

【課題】キャリア周波数や出力フィルタの抵抗容量の制約に起因する装置の大形化、コスト上昇を防止した電力変換装置を提供する。
【解決手段】パルス幅変調制御におけるキャリア周波数を設定可能な電力変換器と、その出力側と負荷との間に接続され、かつ、リアクトル、コンデンサ及び抵抗を備えたサージ抑制用の出力フィルタと、を備えた電力変換装置に関する。前記出力フィルタ３は、リアクトル３１及びコンデンサ３２による共振周波数をＰＷＭ制御のキャリア周波数の最大値よりも大きく設定すると共に、抵抗３３またはその周辺温度を検出する温度センサ３４を備え、この温度センサ３４による温度検出値が所定値以上になった場合に電圧形インバータ２の運転を停止し、またはキャリア周波数を低下させて抵抗３３の過熱を防止する。 （もっと読む）

【課題】絶縁トランスの体積を小さくし、光ファイバケーブル等の伝送回路を省略可能として装置の小型，低コスト化を図る。
【解決手段】直流／交流変換回路１３で直流を高周波交流に変換した電力と、インターフェイス回路２７からのゲート信号とを変調回路２６にて重畳し、絶縁トランス２１からｎ段目の絶縁トランス１８を介して駆動回路２５〜２２へと順次伝送することで、絶縁トランスの耐圧を低くして体積を小さくし、光ファイバケーブル等を省略できるようにする。 （もっと読む）

【課題】マイコン制御部の論理構成のみで、光ファイバケーブルの誤接続をフィードバック信号の様態の違いで検出し、自動で相順の入れ替えを行う電力変換装置を得る。
【解決手段】半導体素子１を駆動する駆動回路２は、マイコン制御部３からの試験信号３０に応答して固有フィードバック信号３２を出力する試験信号認識部３１を含む。マイコン制御部３は、固有フィードバック信号３２に基づいて光ファイバ８の誤接続状態を検知する光ファイバ誤接続検知手段２９、３３を含む。光ファイバ誤接続検知手段は、固有フィードバック信号３２とあらかじめ記憶された各正規フィードバック信号とを比較して、少なくとも１つの固有フィードバック信号と正規フィードバック信号とが不一致を示す場合に、光ファイバ８の誤接続状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子のスイッチング動作によって流れる過渡電流により生じうる保護回路の誤動作を防止することができる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】 電力用半導体装置は、直列に接続された２個の半導体スイッチング素子からなる複数の直列回路が並列に接続されてなるブリッジ回路と、ブリッジ回路における下アーム側の対応する半導体スイッチング素子を駆動する各駆動回路部とを備える。各駆動回路部の負側電源入力端と該各駆動回路部に対応する各半導体スイッチング素子の所定の電流出力端とは、それぞれ対応して接続される。各駆動回路部の負側電源入力端は、それぞれ個別の配線パターンを介して、所定の直流電源の負側電極に接続される。 （もっと読む）