【課題】 電源装置のインバータ回路を駆動するスイッチング素子駆動回路の逆バイアス電圧が低くなると、ターン・オフ損失が増加しスイッチング素子の劣化に繋がる。
【解決手段】 直流変換回路と、直流電圧を高周波交流電圧に変換するフルブリッジのインバータ回路と、インバータ回路を制御すると共に変圧器の入力電流が基準電流以上になると所定時間インバータ回路を停止する出力制御回路と、出力制御信号に応じてスイッチング素子を駆動すると共に逆バイアスコンデンサに電流を供給するスイッチング素子駆動回路とを備え、インバータ回路が停止しているとき、第１のスイッチング素子及び第４のスイッチング素子が０から１／２周期の間で重ならないようにオンし、第２のスイッチング素及び第３のスイッチング素子が１／２から１周期の間で重ならないようにオンするスイッチング制御回路、を備えたことを特徴とするアーク加工用電源装置である。 （もっと読む）

【課題】負荷駆動装置において負荷を駆動するためのスルーレートが狙い値となるように負荷駆動装置を製造する。
【解決手段】まず、半導体基板に第１基準電源３２、スイッチング素子３４、電流生成部３５、およびオペアンプ３３を備えた駆動回路３０を形成する。この場合、第１基準電源３２の第１基準電圧を調整することにより、負荷１０に流す定電流の大きさを調整する。続いて、電流生成部３５で生成されるテール電流が大きくなるようにテール電流のトリミングを行うことでオペアンプ３３のスルーレートを調整する。これにより、オペアンプ３３がスイッチング素子３４を駆動したときに負荷１０に流れる定電流が一定値に達するまでの定電流の立ち上がりの傾きを狙い値に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】負荷を駆動するための定電流のばらつきを低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】シャント抵抗２０の一端側をオペアンプ３４の反転入力端子に接続し、シャント抵抗２０の他端側を基準電源３２を介してオペアンプ３４の非反転入力端子に接続する。シャント抵抗２０に流れる電流は、駆動回路３０内の第１スイッチング素子３５を介して負荷１０であるＩＧＢＴのゲートに流れるようになっている。これにより、基準電源３２の基準電圧の値をＶｒｅｆとし、シャント抵抗２０の抵抗値をＲｏｕｔとし、負荷１０に流れる定電流の値をＩｃとすると、Ｖｒｅｆ＝Ｒｏｕｔ×Ｉｃとなるようにオペアンプ３４が第１スイッチング素子３５のゲートをフィードバック制御する。これにより、シャント抵抗２０に流れる電流の大きさが一定に制御され、ひいては負荷１０に流す定電流のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】 上下アームのスイッチング素子を駆動するとともに、上下アームの異常を検出して異常信号を出力するゲート駆動回路を備える情報処理装置において、異常信号の通知機能が正常であるか否かを判定する。
【解決手段】 情報処理装置（ＥＣＵ）において、ブートストラップ式のゲート駆動回路は、ゲート駆動の開始前に、通常駆動時ならば先に下アーム駆動信号を出力すべきところ先に上アーム駆動信号Ｄ１を出力し（Ｓ１０）、ダミー異常信号Ｅｄを意図的に発生させる（Ｓ２０）。ここで異常信号通知機能が正常であれば、ダミー異常信号Ｅｄは、異常信号出力部から出力され、異常信号線を経由して伝達され、異常信号受信部に受信される。そこで、異常信号受信部がダミー異常信号Ｅｄを受信したか否かを確認することで、異常信号通知機能が正常であるか否かを判定する（Ｓ３０）ことができる。 （もっと読む）

【課題】２段フィルタの減衰特性悪化を防止することにより、小型なフィルタでノイズ規格をクリアできるようにする。
【解決手段】コモンチョークコイルＬ１，Ｌ２にアース電位相当の冷却フィン３を近接させる構成とすることにより、コモンチョークコイルＬ１，Ｌ２とアースとの静電結合を大きくし、コモンチョークコイルＬ１とＬ２間の静電結合を小さくし得るようにする。これにより、２段以上のフィルタの減衰特性悪化を防止できるようにし、小型なフィルタでノイズ規格をクリアできるようにする。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体装置がＯＦＦ状態の時に電源電圧の急峻な増加が発生した場合であっても、出力トランジスタがＯＮすることを防止する。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置は、電源端子と出力端子との間に接続された出力トランジスタと、出力トランジスタのゲートに接続された第１ノードを充放電し、出力トランジスタをＯＮ／ＯＦＦ制御するゲート充放電回路と、第１ノードと出力端子との間に接続されたショートスイッチ回路と、ショートスイッチ回路を制御するショート制御回路と、を備える。ターンオン期間、ＯＮ期間及びターンオフ期間において、ショート制御回路は、ショートスイッチ回路を介した第１ノードと出力端子との間の電気的接続を切断する。ＯＦＦ期間において、ショート制御回路は、ショートスイッチ回路を介して第１ノードと出力端子との間を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁電源を別に設けることなくハイサイド側の回路に負のゲート電圧を供給することが可能なゲートドライバ回路を実現する。
【解決手段】
第１トランジスタ２１と第２トランジスタが直列に接続されたハーフブリッジ回路において、ハイサイド側の第１トランジスタ２１に負のゲート電圧を第１の制御回路１１を介して供給するためのコンデンサ１３、及び、ローサイド側の第２トランジスタ２２に負のゲート電圧を第２の制御回路１２を介して供給するための制御回路電源１４を備え、コンデンサ１３の一端をスイッチ素子３０を介して制御回路電源１４の−端子側の負電圧ＶＥＥと接続し、他端を出力端子４の電圧と接続するように構成したドライバ回路１であって、スイッチ素子３０は、第２トランジスタ２２がオン状態となるタイミングでオンされるように制御される。 （もっと読む）

【課題】フェール信号を出力するフェール用フォトカプラＰＣｆの２次側を直列接続する場合、その配線長が長くなることから、フェール信号のノイズに対する耐性が低下するおそれがあること。
【解決手段】インバータＩＶ１、コンバータＣＶおよびインバータＩＶ２を構成する上側アームのスイッチング素子と下側アームのスイッチング素子とは、基板３０に対して２列に配置され、その制御端子（ケルビンエミッタ電極ＫＥ、センス端子ＳＴ、ゲートＧ）が基板３０に差し込まれている。これら２列の間には、フェール用フォトカプラＰＣｆが配置されている。インバータＩＶ１に対応するフェール用フォトカプラＰＣｆは、隣接するもの同士で直列接続され、各列の端部が接続されることでＵ字型の配線構造を有し、その端部がマイコン２０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに電流が流れており、かつ、流れている電流の差が所定値以下であるとき、ＩＧＢＴ１１０ｄが異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのオン故障や誤動作によって発生する、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができ、ＩＧＢＴ１１０ａの熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】コンバータで発生するスイッチングノイズが伝導および輻射するのを抑制可能なフィルタ回路およびそれを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】コンバータ４４とコンバータ４４の入力側の電源あるいは出力側の負荷４２との間に設けられるフィルタ回路４３であって、高電位側のラインに第１のインダクタＬ９が設けられるとともに、低電位側のラインに第２のインダクタＬ１０が設けられ、第１のインダクタＬ９と第２のインダクタＬ１０とのインダクタンス値がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でスイッチング素子の負バイアス駆動を行う駆動回路及び当該駆動回路を備えた半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の駆動回路は、ＩＣチップに搭載され、半導体スイッチング素子４ａを駆動する駆動回路であって、前記ＩＣチップ外部の単一電源から供給される第１の電圧Ｖ１を受け、第１の電圧Ｖ１から第２の電圧Ｖ２を生成して、これを半導体スイッチング素子４ａの基準端子に印加する電源回路８と、前記ＩＣチップ外部からの入力信号に応じて、半導体スイッチング素子４ａの制御端子に第１の電圧Ｖ１を印加／非印加することにより半導体スイッチング素子４ａを駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】従来の自給型ゲート駆動用電源回路では、ＲＣＤスナバ回路を充放電動作で使用するため、スナバ抵抗における充放電損失が大きくなり高周波動作では変換効率が低下し、装置が大型になる。さらに駆動用の電源として単一電源しか作れないため、ＩＧＢＴのゲートに逆バイアスをかけることができずターンオフ損失が大きい。
【解決手段】上下アーム対の半導体スイッチング素子が交互にオンオフ動作することにより、上アーム側スイッチング素子駆動回路と、下アーム側スイッチング素子駆動回路との間に生じる電位差変動により充放電を繰り返すバイパスコンデンサを備え、バイパスコンデンサの充放電電流を上アーム側スイッチング素子駆動回路と下アーム側スイッチング素子駆動回路の各々の電源部に設けた整流回路で整流し、記整流回路の出力を各々のスイッチング素子駆動回路用電源とする。 （もっと読む）

【課題】誤動作を防止することによって従来よりも信頼性を高めた、スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｑ５の駆動回路ＨＶＩＣにおいて、論理回路Ｕ１５は、内部状態に応じて高電位側のスイッチング素子Ｑ５をオン／オフに切替えるための制御信号を出力する。第１の抵抗部ＲＰ１は、第３の電源ノードＶＢと第１のノードＮＤ１との間に設けられる。第２の抵抗部Ｒ２は、第１のノードＮＤ１と第２のノードＮＤ２との間に設けられる。第１の制御用スイッチング素子Ｑ１は、第２のノードＮＤ２と第１の電源ノードＧＮＤとの間に設けられ、第１のパルス信号ＰＬＳ１を受けたときに導通する。第１の比較部Ｕ４は、第１のノードＮＤ１の電位が第１の閾値以下の場合に活性状態となる第１の信号Ｓｏｎを出力する。第１および第２の抵抗部ＲＰ１，Ｒ２の少なくとも一方の抵抗値は、上記の制御信号の変化に基づいたタイミングで変化する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができ、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を高くしてもトランジスタのゲート耐圧を上げる必要がなく、低電源電圧から高電源電圧まで広範囲に使用できるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフトトランジスタ１０５は、入力トランジスタ１０１と負荷トランジスタ１０３との間に、レベルシフトトランジスタ１０６は、入力トランジスタ１０２と負荷トランジスタ１０４との間にそれぞれ接続される。レベルシフトトランジスタ１０５，１０６の各ゲートＧは共通接続され、その共通接続点にはレベルシフト電圧生成回路１２０で生成されたレベルシフト電圧Ｖｓｃが電圧源Ｖ１の大きさに応動して印加される。負荷トランジスタ１０３，１０４のソース−ゲート間に印加される電圧Ｖ_ＳＧは、レベルシフト電圧Ｖｓｃによって、電圧源Ｖ1が増減してもほぼ一定になるように設定される。これにより、負荷トランジスタ１０３，１０４を低耐圧のトランジスタで構成することができる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】インバータのゲート駆動にソフトターンオフ（Ｓｏｆｔ Ｔｕｒｎ Ｏｆｆ）を設けてＩＧＢＴを安定して保護できるようにしたインバータ駆動装置を提供する。
【解決手段】本発明のインバータ駆動装置は、ＩＧＢＴのターンオンまたはターンオフを制御し、ＩＧＢＴで短絡または過電流が検出されればＩＧＢＴを強制的にターンオフさせるゲート駆動部と、前記ゲート駆動部から出力されるＩＧＢＴのターンオンまたはターンオフ制御電流を増幅させる電流バッファと、前記ゲート駆動部から出力されるＩＧＢＴの強制ターンオフ制御電流を遅延させてＩＧＢＴのソフトターンオフ時間を長く維持させるフィルタと、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の双方向スイッチを小型化する技術を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴを用いた双方向スイッチにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートＴＧを介して接続する。ＭＯＳＦＥＴのバッグゲート端子とトランスファゲートＴＧ間の接続点と、グラウンド電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｎチャネルの場合）または電源電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｐチャネルの場合）との間にスイッチを用いてもよい。 （もっと読む）