【課題】電圧駆動型半導体素子のスイッチング時に配線インダクタンスにより発生する素子間のサージ電圧を低減するためにゲート駆動回路のゲート抵抗を大きくすると、スイッチングの動作遅れ時間が長くなる。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のターンオフ時において、オフ信号によりゲート電荷を放電させる時にはオフ信号印加の初めに第１の抵抗体とコンデンサにより早く放電させることにより、スイッチング動作時間遅れの増加を防止し、その後第２の抵抗体に切換ることによりゲート電流を減少させることによって、素子間のサージ電圧を低減する。また、電圧駆動型半導体素子のターンオン時には、ダイオードが導通状態となることにより、該第１の抵抗体と該第２の抵抗体が並列構成となるので、前記第１の抵抗体の抵抗値により、早くゲート電荷を充電することができる。 （もっと読む）

【課題】コンフォート機能付きシートベルトモータ駆動用のモータ制御装置に見られるように、二通り以上の電流モードを必要とするアプリケーションにおいて、各々の電流モードにおいて最適とされるノイズ低減およびスイッチング損失の低減が図れるよう、各素子の定数を最適化することはできなかった。
【解決手段】電流能力が異なる複数のプリドライバ回路を予め備えておき、実行するアプリケーションに応じてプリドライバ回路１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃなどを選択的に使用する。ノイズの増大を許容してでもスイッチング素子の発熱を抑えたい電流モードでは、プリドライバ回路の電流能力を高く設定し、スイッチング速度を高速化する。他方、スイッチング損失の増大を許容してでもノイズの増大を抑えたい電流モードでは、プリドライバ回路の電流能力を低く設定し、ノイズの発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】直流を平滑するコンデンサの寿命を正確に判定することができる電源装置及びコンデンサ寿命判定方法を提供する。
【解決手段】ダイオードブリッジ２と電解コンデンサ３の間に直列に検出用コンデンサ４を介挿して電解コンデンサ３の端子電圧を検出できるようにし、直流電源ＰＳの投入直後でインバータ回路１１を起動する前に検出用コンデンサ４の端子電圧Ｖｄを検出し、その検出結果と電解コンデンサ３の初期時における検出用コンデンサ４の端子電圧Ｖｄに相当する基準電圧Ｖｒｅｆを比較し、端子電圧Ｖｄが基準電圧Ｖｒｅｆ以上であれば電解コンデンサ３が寿命であると判定する。 （もっと読む）

【課題】低コストで実現でき、小型化、低消費電力化及び高周波化に資するとともに、フリップフロップ回路の誤動作を防止するレベルシフト回路及びレベルシフト回路を用いたスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】それぞれ一端がレベルシフト電源に接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２と、抵抗Ｒ１の他端にドレインが接続されたトランジスタＭＮ３と、抵抗Ｒ２の他端にドレインが接続されたトランジスタＭＮ４と、入力信号に基づいてトランジスタＭＮ３，ＭＮ４のオン／オフを制御するパルス発生回路１０と、トランジスタＭＮ３がオンである場合にセット信号、トランジスタＭＮ４がオンである場合にリセット信号を生成する制御部と、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】直流を平滑するコンデンサの寿命を正確に判定することができる電源装置及びコンデンサ寿命判定方法を提供する。
【解決手段】電源電圧の０Ｖ電圧のタイミングで平滑コンデンサ３に充電を行い、充電開始直後の平滑コンデンサ３の充電電流のピーク値ΔＶと、該ピーク値ΔＶに到達するまでのピーク電流到達時間Δｔを求める。そして、求めたピーク値ΔＶを寿命の判定基準値Ｖｒｅｆと比較し、さらにピーク電流到達時間Δｔを判定基準時間Ｔｒｅｆと比較する。この比較において、ピーク値ΔＶが寿命の判定基準値Ｖｒｅｆ以下で、かつピーク電流到達時間Δｔが判定基準時間Ｔｒｅｆ以下であれば、平滑コンデンサ３が寿命であると判定する。 （もっと読む）

【課題】外部に高耐圧用の素子を設けることなく、コレクタの状態を検出することができる半導体電力変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電力制御素子２のコレクタ２ｄの状態に基づいてゲート入力を制御して電力変換を行う半導体電力変換装置１であって、電力制御素子２のゲート２ａを分割して形成された入力部２ｂと、電力制御素子２のゲート２ａを分割して形成された状態検出部２ｃと、状態検出部２ｃとコレクタ２ｄ間の寄生容量を用いてコレクタ２ｄの状態を検出するコレクタ状態検出手段３を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのハーフブリッジ回路の中点電圧の検知装置を提供する。
【解決手段】第１トランジスタＭ１及び第２トランジスタＭ２からなるハーフブリッジ回路は、中点電圧が低電圧値から高電圧値へ及びその逆への遷移を経験するように駆動され、コンデンサ内を流れる電流信号Ｉｓｉｎｋ，Ｉｓｏｕｒｃｅに対して低インピーダンスノードを形成すべく適合されている。装置は、電流信号Ｉｓｉｎｋ，Ｉｓｏｕｒｃｅを検知すべく適合されており且つ電流信号に基いて低電圧値から高電圧値への又は高電圧値から低電圧値への遷移を表す少なくとも１個の第１信号ＨＬ＿ｃｏｍｍ，ＬＨ＿ｃｏｍｍを出力すべく適合されている検知手段１０を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の故障に繋がるような特性劣化を検出することができる半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置（ＩＰＤ）１は、ＩＰＤ１の初期特性値に基づき定められた設定値を記憶する設定値記憶部３と、所定のタイミングにおけるＩＰＤ１の特性値と設定値記憶部３に記憶された設定値とに基づき、ＩＰＤ１の特性劣化を検出する検出回路４と、を備える。また、本発明にかかる半導体装置（ＩＰＤ）１の特性劣化検出方法は、初期特性値に基づき定められた設定値を記憶し、所定のタイミングにおけるＩＰＤ１の特性値と記憶された設定値とに基づき、ＩＰＤ１の特性劣化を検出する。 （もっと読む）

【課題】光ファイバの本数を削減し、電圧アンバランスを更に低減すると共に、直列数の増加変更を容易に行なうことが可能な駆動回路を有する自励式電力変換装置を提供する。
【解決手段】同時スイッチングすべく直列接続されたスイッチング素子１１〜１ｎと、スイッチング素子１１〜１ｎを駆動するためのゲート駆動回路２１〜２ｎと、基準ゲート信号を遠隔から光によって絶縁して供給する光伝送手段５０と、伝送されたオンオフ信号を受光して電気信号に変換し、この電気信号を分配して再び光信号に変換する光分配回路９１と、光分配回路９１の各々の出力であるパルス信号をゲート駆動回路２１〜２ｎに供給するライトガイド４１〜４ｎとで構成する。ゲート駆動回路２１〜２ｎは、パルス信号を受光して電気信号に変換し、パルスのオンオフタイミングを調整するタイミング調整手段６１〜６ｎを介してスイッチング素子２１〜２ｎを夫々駆動する。 （もっと読む）

【課題】整流スイッチ又は整流ダイオードが短絡した状態で短絡診断を行っても昇圧スイッチを保護することができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ３０１は、入力端１１と共通電圧線１９とを接続する入力コンデンサ１２と、一端が入力端１１に接続する昇圧インダクタ１３と、昇圧インダクタ１３の他端と共通電圧線１９とを接続する昇圧スイッチ１４と、昇圧スイッチ１４と並列に接続される放電回路２１と、昇圧インダクタ１３の他端と出力端１８とを接続する整流スイッチ１５と、カソードを出力端１８側にして整流スイッチ１５と並列に接続される整流ダイオード１６と、出力端１８と共通電圧線１９とを接続する出力コンデンサ１７と、放電回路２１の導通と遮断を制御するとともに、昇圧インダクタ１３の他端と出力端１８との電位差を測定する制御回路２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】３レベルインバータ２内の各スイッチング素子を駆動するためのゲート駆動電源の個数を低減する。
【解決手段】３レベルインバータ２は、直流電源４の正負端子間に接続され、２直列ＩＧＢＴによる各相ブリッジ回路（ＳｕＨ，ＳｕＬ）と、各相ブリッジ回路（ＳｕＨ，ＳｕＬ）の交流出力端子Ｖｕ０と直流電源４の中間電圧端子ＶＭとの間に接続され、双方向特性を有する各相スイッチ回路９ａとを有する。高圧側素子ＳｕＨのゲート駆動電圧源（コンデンサＣｕＨ）は、ＳｕＭＨがオンする期間に、スイッチ回路９ａ内のＳｕＭＬ、ＳｕＭＨのゲート駆動電源ＶｃｃＵＭからブートストラップ回路７により電力供給して駆動電圧を保持する。そして出力停止時において、各相交流出力端子Ｖｕ０の電位に基づいてＳｕＭＨがオンする期間を設けてコンデンサＣｕＨの電圧を保持する。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動素子のスイッチ時のサージ電圧とリンギングを抑制して、ノイズ放射による誤動作を防止する。
【解決手段】電圧駆動素子であるＩＧＢＴ（Ｑ１１）に、誘導性負荷Ｌ１１とユニポーラ型の還流ダイオードＤ１２が接続されている。Ｑ１１のターンオフ時に、Ｑ１１のコレクタからコンデンサＣ１１とダイオードＤ１１及び抵抗Ｒ１９を介して、ベース抵抗Ｒ１２へ電流が流れ、ベース抵抗Ｒ１２で電圧が発生し、ＰＮＰトランジスタＱ１２のベース電圧Ｖｂは上昇する。この電圧上昇速度は、コンデンサＣ１１とベース抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１９によって決まる時定数により決定され、上昇電圧はベース抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１９で分圧される。これによりＱ１２のベース電圧Ｖｂの変化速度、即ちＱ１１のゲート電圧Ｖｇの変化速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を防止する。
【解決手段】ローサイドオフ検出回路１０は、ローサイドトランジスタＭ２のゲート信号ＳＧ_Ｌを所定の第１レベルＴＨ_Ｌと比較することによって、ローサイドトランジスタＭ２がオフしたことを示すローサイドオフ検出信号Ｓ１を生成する。ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌは、ローサイドトランジスタＭ２と同型であり、そのソースが接地端子１０８に接続され、そのゲートにローサイドトランジスタＭ２のゲート信号ＳＧ_Ｌを受ける。第１抵抗Ｒ１１は、ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌのドレインと電源端子１０６の間に設けられる。第１バイパス回路１２は、第１抵抗Ｒ１１と並列に設けられ、制御信号Ｓ_ＩＮがローサイドトランジスタＭ２のオフを指示するレベルをとるときに導通し、オンを指示するレベルをとるとき遮断する。ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌのドレインの信号が、ローサイドオフ検出信号Ｓ１として出力される。 （もっと読む）

【課題】ＢＪＴ型ＳｉＣ半導体デバイスを駆動させるベース電流制御型駆動回路において、スイッチング速度を高め、エネルギー損失の少ない電流制御型駆動回路を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ−ＢＪＴ２００を２０ｋＨｚ以上の周波数でスイッチング動作させるにあたり、ＳｉＣ−ＢＪＴの起動時にベース電流を供給するための第１駆動電圧２１を印加させる第１制御回路２０と、ＳｉＣ−ＢＪＴを駆動し続けるために必要なベース電流を保持するための第２駆動電圧３１を印加させる第２制御回路３０と、ＳｉＣ−ＢＪＴの停止時にベース電流を取り除くための第３駆動電圧４１を印加させる第３制御回路４０とを備える電流制御型駆動回路１００であって、第３駆動電圧は前記第１駆動電圧に対して逆極性であり、第１駆動電圧の値は第２駆動電圧の値より大きく設定されるとともに、第１駆動電圧の印加時間は１μ秒以内に設定される。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の発熱を抑制して小型化を図りつつ、開閉タイミングを正確に制御して、調光制御等の高度な負荷制御を行うことができる負荷制御装置を提供する
【解決手段】操作部２８に入力された操作に応じて、制御部１３が交流電源の１／２周期のうちトランジスタ構造の主開閉部１１を導通させるために計数される主開閉部導通時間を設定し、電圧検出部１８が第３電源部１６に入力される電圧が所定の閾値に達したときから計数される第１所定時間と、主開閉部導通時間とが重複している時間だけ、主開閉部１１を導通させることにより調光制御する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を駆動するためのドライバを低コストで得ることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、ノーマリーオン型の第５の電界効果トランジスタ１６，１７を含み、入力信号処理部６５から受けたスイッチング制御信号の基準電圧をシフトした信号を出力するためのレベルシフト部６２と、ノーマリーオン型の第１の電界効果トランジスタ５１および第３の電界効果トランジスタ５３と、ノーマリーオフ型の第２の電界効果トランジスタ５２および第４の電界効果トランジスタ５４とを備え、レベルシフト部６２、第１の電界効果トランジスタ５１および第３の電界効果トランジスタ５３は第１の半導体チップ７１に含まれている。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング損失を抑制しつつ、広い帯域に存在する高調波周波数成分を低減できるスイッチング回路およびスイッチング回路の制御方法の提供。
【解決手段】 スイッチング回路1は、狙いとするノイズ低減帯域を２つの帯域に分割して両帯域の高調波周波数成分を小さくする最適波形をそれぞれ生成し、生成した２つの最適波形を１パルス毎に切り替えてパワートランジスタM1を駆動する規範電圧波形生成部3を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失低減のためにゲート抵抗を小さくすると、ゲート・ソース間電圧が振動しスイッチング素子が誤動作すること、ゲート駆動回路用電源が大型になることなどが問題となる。
【解決手段】トランス６ａとコンデンサ７の直列回路をスイッチング素子と並列に接続し、前記トランスと磁気結合した第１の巻線を第１のダイオード８を介して前記スイッチング素子の正極端子とゲート端子との間に、前記トランスと磁気結合した第２の巻線を第２のダイオード９を介して前記スイッチング素子の負側端子とゲート端子との間に、各々接続する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズによる誤動作や短絡を防止して安全に駆動できるゲート駆動回路を有する電力変換装置をより少ない部品と簡単な構成で実現する。
【解決手段】 上側スイッチング素子（１−ＳＷ２）を駆動する上側ゲート駆動回路（１−Ｇ２）と、下側スイッチング素子（１−ＳＷ１）を駆動する下側ゲート駆動回路（１−Ｇ１）と、を有する電力変換装置に、前記上側ゲート駆動回路については負電圧電源回路（１−Ｅ３）を備え、前記下側ゲート駆動回路については負電圧電源を作り出す下側ブートストラップ回路（１−Ｂ２）を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスへの入力電圧のデューティ比が略５０％でなくても不具合が生じず、また小規模で小型な構成で実現できるゲート駆動回路、電力変換回路及びゲート駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】トランス２の二次側に前記スイッチング素子と直列にコンデンサ１３を設ける。またトランス２の二次側に並列にスイッチング素子４に印加される電圧がトランス２の二次側の電圧よりも低い値になるよう電圧を制限するツェナーダイオード１６を設ける。そしてまたトランス２の二次側の電圧が０Ｖになる、若しくはスイッチング素子４が逆極性となったとき、ＰＮＰトランジスタ７によってコンデンサ１３を短絡する。 （もっと読む）