【課題】貫通電流の発生を防止することのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のドレイン端子に入力電圧ＶＤＩＮが印加され、ソース端子ＯＵＴにＬＣ回路およびダイオードＤが接続される。この出力回路は、ＮＭＯＳトランジスタＮ１およびＮ２が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に直列に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＮ３が、ＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＮ２の接続点と接地電位端子ＧＮＤとの間に接続され、制御回路１が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００が非導通のときに出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に短絡経路が形成されるようＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ３の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチング素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続されたコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、並列回路にコンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２と抵抗Ｒ２からなる直列回路がさらに並列接続され、コンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２との接続点にダイオードＤ１のアノードが接続され、ダイオードＤ１のカソードとスイッチング素子Ｑ２のゲートはスイッチング素子Ｑ１のソースに接続され、制御信号のオフ信号に対してスイッチング素子Ｑ１ゲートを負電位にバイアスする。 （もっと読む）

【課題】両極性ブートストラップ回路のキャパシタ充電を短絡電流が流れることがなく安全かつ確実に実施できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】各レグ２〜４を構成する上下の各アームのスイッチング素子ＳｕＨ、ＳｕＬ、・・・に対しオン／オフ駆動用の正負両極の電圧を印加するアーム駆動回路ＤＲｕＨ、ＤＲｕＬ、・・・を個別に設け、直流電源Ｖｇ１〜Ｖｇ３からの電力により正負の各電圧を充電する各キャパシタＣ１ｕ、Ｃ２ｕ、・・・を上下の各アームに設け、かつ各レグ２〜４に両極性ブートストラップ回路５〜７を配置し、キャパシタ充電制御を行う制御回路８は、多相交流電源１の各相の電圧の中で最も高い電圧が入力されているレグの上段アーム側のスイッチング素子と、最も低い電圧が入力されているレグの下段アーム側のスイッチング素子のみをオンする制御信号を各相の電圧変化に応じて繰り返し出力する。 （もっと読む）

【課題】バスバを含む接続配線において、比較的簡単な構造で、バスバに電流が流れるときのインダクタンスを効果的に抑制することである。
【解決手段】電力変換器１０においてバスバを含む接続配線３０は、平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する正極側バスバ３２と、正極側バスバ３２と対をなして平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する負極側バスバ３４と、絶縁物４０を介して正極側バスバ３２の外周全体を被覆する正極側導体４２と、絶縁物４４を介して負極側バスバ３４の外周全体を被覆する負極側導体４６と、正極側導体４２と負極側導体４６とを相互に電気的に接続する接続導体５０，５２を備える。 （もっと読む）

【課題】オンデューティが５０％以上のパルス信号でもスイッチング素子のゲートをドライブできる安価なゲートドライブ回路。
【解決手段】直流電源Vcc1の両端にトーテムポール接続され且つ各ベースにパルス信号が入力されるトランジスタQ2,Q3と、直流電源Vcc2の両端にトーテムポール接続され且つ各エミッタがスイッチング素子Q1のゲートに接続されるトランジスタQ4,Q5と、一次巻線P1がトランジスタQ2,Q3の各エミッタとトランジスタQ2,Q3の一方のコレクタとにコンデンサC1を介して接続され、二次巻線S1がトランジスタQ4,Q5の各ベースとトランジスタQ4,Q5の各エミッタとに接続されたトランスT1とを有し、パルス信号Vinの最大オンデューティは、トランスT1の一次巻線電圧VpとトランジスタQ4,Q5のベース−エミッタ間順方向電圧とに基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを介してＤＣモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の耐数年数をのばすと共に、駆動電圧を低下させることによるスイッチング素子の損失増加も改善させるインバータ装置およびそれを用いた誘導加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】交流電圧を直流電圧に変換するコンバータ回路３０と、スイッチング素子２４で構成され直流電圧を任意の電圧と周波数の電力に変換し、負荷に高周波電流を供給するインバータ回路３１と、インバータ回路３１のスイッチング素子２４にスイッチング信号を供給する駆動回路２５と、インバータ回路３１の出力電力を検知する電力検知手段２６とを備え、電力検知手段２６で検知した電力に応じて、インバータ回路３１のスイッチング素子２４に供給するスイッチング信号の駆動電圧を可変させる駆動電圧可変手段２７とを備えた構成とすることで、インバータの出力電力に応じて、スイッチング素子２４の駆動電圧を可変させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置を構成するＦＥＴの発熱を低下させ、最大出力電力を高めた改良された電力変換装置を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂに逆並列接続された還流ダイオードＤ１ａ、Ｄ１ｂとにより半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂを構成し、スイッチング動作を行う２個１組の半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂと、平滑コンデンサＣ１とを有し、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂの相補的スイッチング動作により電力変換を行う電力変換装置１０において、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きを検出する電流センサＣＳ１と、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きが負であるときに、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＰＷＭゲート信号のオン信号を間引くゲート生成部１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子の回生動作時の電力損失を抑制し、かつ、安定してターンオン／オフさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】制御回路とスイッチング素子Ｑ１のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とダイオードＤ１からなる直列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間にＰＮＰ型トランジスタＱ２が抵抗Ｒ２を介して接続され、トランジスタＱ２のコレクタ・ベース間にダイオードＤ２が接続され、さらにトランジスタＱ２のベースはダイオードＤ１のアノードに接続され、制御回路からのオフ信号が入力されると、トランジスタの接合電圧とダイオードＤ２との順方向電圧との差分電圧を残してゲートとソースとの間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング素子である電圧駆動型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のターンオン・オフ時の電圧変化（ｄＶ／ｄｔ）と電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を緩和して、ノイズとサージ電圧の発生を抑制する電源回路を提供する。
【解決手段】トランス２に流れる電流をスイッチングさせるためのＭＯＳＦＥＴ１のゲート抵抗値を、スイッチング期間内で、ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電圧Ｖｄｓの変化の検出と共に切り替える、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧Ｖｇは、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧の最大定格Ｖｇｍａｘ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ベース電流による電力損失を低減するドライブ回路を提供する。
【解決手段】ＢＪＴ２１のベース端子にベース電流を供給するドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のベース電流を生成するベース回路部３０と、制御端子に供給される制御電圧に基づき、ベース電流を生成するための駆動電圧をベース回路部３０に供給するドライブ部１０と、ＢＪＴ２１のベース端子とＢＪＴ２１のエミッタ端子との間に発生する第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを検出し、検出した第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給するベース電流制御部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間において、電圧駆動型素子のゲート電圧を柔軟に制御するための技術を提供する。
【解決手段】駆動装置１は、電圧駆動部３と電流駆動部４を備えている。電圧駆動型素子２を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間のうちの一部の区間では、電圧駆動部３を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が停止され、電流駆動部４を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が実行されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、２つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置１００は、第１回路１１０と第２回路１２０との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第１回路１１０は、第２回路１２０から伝達される異常パルス信号Ｓｂを監視して第２回路１２０の異常有無を判定し、第２回路１２０は、第２回路１２０で異常が検出されてから少なくとも第１回路１１０で第２回路１２０の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Ｓｂを異常状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】 リカバリー電流を低減させつつ、出力ＭＯＳトランジスタのスイッチング応答性を高くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】 制御信号Ｓｃｄの信号レベルが所定の第１レベルＬから第２レベルＨへ遷移する第１遷移を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第１チャージ回路６と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移または第１期間Ｔｐ１の経過を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへの充電を開始する第２チャージ回路７と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移から第１期間Ｔｐ１より長い所定の第２期間Ｔｐ２経過後に出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第３チャージ回路８とを備え、第２チャージ回路７の単位時間あたりの充電量は、第１チャージ回路６および第３チャージ回路８の単位時間あたりの充電量より少ない。 （もっと読む）

【課題】 簡便な回路構成で、高速に動作するゲート駆動回路を提供することである。
【解決手段】 パワー半導体素子のゲート端子に正電圧を印加するためのＮＰＮトランジスタと、パワー半導体素子のゲート端子に負電圧を印加するためのＰＮＰトランジスタと、ＮＰＮトランジスタと、ＰＮＰトランジスタとに直列に接続された遮断用抵抗器と、遮断用抵抗器に、正極がパワー半導体素子のゲート端子側となるように並列に接続された遮断用抵抗器切換え半導体スイッチとを備えたゲート駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路とそれを構成するスイッチ素子を駆動・制御する駆動・制御回路において、追加回路規模が少なく、所望の負電位を動的に印加できる駆動・制御回路、また、インバータ回路における短絡電流を削減し、損失の少ない電力変換回路を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第１，第２スイッチ素子（下側アームのスイッチ素子ＬＳＷ，同様の上側アームのスイッチ素子）を有するインバータ回路と駆動回路（Ｌ側ゲート駆動回路ＬＧＤ，同様のＨ側ゲート駆動回路）と制御回路とを有し、駆動回路は、スイッチ素子のゲート電極をソース電位に駆動する回路と、スイッチ素子のゲート電極を負電位に駆動する回路とを有し、負電位に駆動する回路の出力ノードとスイッチ素子との間に直列にコンデンサが接続され、制御回路は、スイッチ素子がオフ状態からオン状態になる直前のスイッチ素子のゲート電極の電圧をソース電位と同じであるように制御する。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート６６にスリット１００，１０２を設ける。一方、正極接続プレート６６が配置される固定台６８上にかしめ突起１０５を設ける。かしめ突起１０５を、正極接続プレートのスリット１００，１０２に貫通させ、かしめ突起１０５の先端をつぶして正極接続プレート６６をかしめ、固定台６８に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート７０の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路に無駄な電流が流れないようにし、消費電力を低減する。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路は、制御電源１２と、一次巻線と二次巻線とを有するトランス８と、第１のスイッチング素子２１と、第２のスイッチング素子１４と、整流素子１５と、容量素子２０と、を備え、第１のスイッチング素子２１は、制御電源１２と前記一次巻線の一端との間に接続され、第２のスイッチング素子１４は、前記一次巻線の他端に接続され、整流素子１５の両端は、前記一次巻線の両端に並列接続され、容量素子２０の一端は、前記一次巻線の一端または他端に接続され、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち一方の導通時に容量素子２０が制御電源１２により充電され、且つ、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち他方の導通時に容量素子２０が放電されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の電力用半導体素子を並列接続する場合において、スイッチング損失を従来よりも低減する。
【解決手段】電力用半導体装置２００は、互いに並列に接続された第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２と、駆動制御部１００とを備える。駆動制御部１００は、外部から繰返し受けるオン指令およびオフ指令に応じて第１および第２の電力用半導体素子の各々をオン状態またはオフ状態にする。具体的には、駆動制御部１００は、オン指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２を同時にオン状態にする場合と、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオン状態にした後に他方をオン状態にする場合とに切替え可能である。駆動制御部１００は、オフ指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオフ状態にした後に他方をオフ状態にする。 （もっと読む）

【課題】オフ保持用スイッチング素子４６をオフ状態とすべき期間において、この素子が誤ってオフ状態とされることに起因するスイッチング素子Ｓ＊＃の信頼性の低下を抑制することのできるスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】オフ保持回路４８は、信号生成部２６の操作信号ＩＮを入力としてゲートの充電処理の実行中であると判断された場合、オフ保持用スイッチング素子４６をオフし、操作信号ＩＮを入力としてゲートの放電処理の実行中であると判断されて且つゲート電圧検出部５０の出力信号ＧＰＲを入力としてゲート電圧Ｖｇｅが低いと判断された場合、オフ保持用スイッチング素子４６をオンする。ここで、上記駆動回路は、ゲート電圧Ｖｇｅが閾値電圧を跨いでから出力信号ＧＰＲの論理が反転するまでの時間を、操作信号ＩＮを入力としてオフ保持回路４８によって把握される充電処理指示時間の最小値以下とするように構成される。 （もっと読む）