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Fターム[5H740NN17]の内容

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Fターム[5H740NN17]に分類される特許

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【課題】電力損失が少なく、低コストなスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の駆動回路は、電源と、前記電源の正極性端子とスイッチング素子の制御端子との間に挿入される第1スイッチと、前記電源の負極性端子と前記スイッチング素子の制御端子との間に挿入される第2スイッチと、前記スイッチング素子の電流出力端子に一端が接続される第3スイッチと、前記スイッチング素子の前記電流出力端子に一端が接続される第4スイッチと、前記第3スイッチの他端に高電位側の端子が接続され、前記第4スイッチの他端に低電位側の端子が接続される電圧出力部とを含む。 (もっと読む)


【課題】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える新たな駆動回路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える駆動回路において、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に電荷を充電するための充電経路を備え、前記集積回路には、電流量を規制する内側流通規制要素と、前記充電経路を介した電流の流通および遮断を制御する制御手段と、前記制御手段の出力端子を前記集積回路内の部材に接続することで前記内側流通規制要素を前記充電経路として用いるか前記集積回路の備える外部出力端子に接続するかを切り替える切替回路と、前記集積回路の外部入力端子からの信号に基づき前記切替回路を操作することで前記切り替えを行う操作手段とを備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、突入電流抑制回路のバイパス手段(サイリスタ)の制御線から商用電源側へ流出するノイズを抑制することが可能な半導体電力変換装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、整流回路4と、整流回路4からの入力を平滑化する平滑コンデンサ5と、半導体素子6aのスイッチングにより平滑コンデンサ5の電圧を変換する電力変換回路6と、整流回路4と平滑コンデンサ5との間に配置されている突入電流抑制回路7とを備えている半導体電力変換装置1において、バイパス手段7bの切替動作を制御する制御線V,Wに配置され、バイパス手段7bの制御線V,Wから商用電源2側へ伝播するノイズを低減させるように構成された第1のノイズフィルタ回路11と、突入電流抑制回路7と前記平滑コンデンサ5との間に配置され、電力変換回路6から商用電源2側へ伝播するノイズを低減させるように構成された第2のノイズフィルタ回路12とを備えている半導体電力変換装置1が提供される。 (もっと読む)


【課題】スイッチングデバイスが過電流の状態ではないが、過電流からの保護に先立ち、スイッチングデバイスの遮断時のサージ電圧を抑制するようにする。
【解決手段】本発明は、電流センサ10と、コンパレータ501と、タイマラッチ502と、制御回路80と、トランジスタ95とを備える。電流センサ10は、スイッチングデバイスQ1の電流を検出し、これに応じた検出電圧ESを出力する。コンパレータ501は、検出電圧ESが基準電圧ER1以上のときに信号を出力する。タイマラッチ502は、その出力信号の継続時間が設定時間以上の場合に、サージ抑制検出信号S3を出力する。制御回路80は、そのサージ抑制検出信号S3を基に、スイッチングデバイスQ1をターンオフさせる駆動信号S12を、トランジスタ95に出力する。基準電圧ER1は、スイッチングデバイスQ1に流れる過電流検出時の基準電圧ER2よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置における負荷電流のゼロ交差検出を提供する。
【解決手段】 ゲート電極と、エミッタとコレクタ電極との間の負荷電流経路と、を有する逆導通トランジスタを含む回路装置が開示される。トランジスタは、負荷電流経路を介し順方向と逆方向に負荷電流を導通できるようにするとともにゲート電極においてそれぞれの信号により活性化または非活性化されるように構成される。回路装置はさらにゲート制御手段と監視手段を含む。ゲート制御手段はゲート電極に接続されるとともに、トランジスタが逆導通状態である場合にゲート電極を介しトランジスタを非活性化するまたはトランジスタの活性化を防止するように構成される。監視手段は、トランジスタが非活性化されるまたは非活性化がゲート制御手段により防止されている間に負荷電流がゼロを交差するときに発生する逆導通トランジスタのコレクタ−エミッタ電圧の突然の上昇を検出するように構成される。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成により誤動作を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】パワー素子Q1とパワー素子Q2がトーテムポール接続されている。駆動回路1が入力信号INに応じてパワー素子Q2を駆動し、駆動回路2が入力信号/INに応じてパワー素子Q1を駆動する。駆動回路1は、電源に接続された高圧端子と、低圧端子とを有する。抵抗R1の一端がパワー素子Q2のエミッタに接続され、抵抗R1の他端が駆動回路1の低圧端子に接続されている。スイッチング素子Q3が駆動回路1の高圧端子と抵抗R1の一端との間に接続されている。スイッチング素子Q3は入力信号INに応じてオン・オフする。入力信号INがオフ信号の場合に、駆動回路1は低圧端子の電圧VGNDをパワー素子Q2のゲートに供給してパワー素子Q2はオフする。入力信号INがオフ信号の場合に、スイッチング素子Q3はオンする。 (もっと読む)


【課題】系統連系用の開閉器のオフ故障を正確に判定し、系統連系動作を安全に行えるパワーコンディショナを提供する。
【解決手段】燃料電池装置1から供給される直流電力を電力系統2に連系可能な交流電力に変換するパワーコンディショナにおいて、インバータ部32と開閉器33との間に線路間の電圧を監視する監視回路40aを設ける。そして、PC制御部34は、系統連系動作を開始させるにあたり、インバータ部32に出力動作を行わせる前に、開閉器33に対してインバータ部32と電力系統2とを接続させる制御信号を出力し、このときに監視回路40aが電力系統2の電圧に相当する電圧を検出することを条件として、インバータ部32による出力動作を開始させる。 (もっと読む)


【課題】プリント配線基板上に搭載されるFETに流れる電流を、FETオン時のオン抵抗Ronと配線パターン抵抗Rpによる電圧降下VDGを基に検出する際に、配線パターンの抵抗Rpにより発生する電圧降下分(オフセット分)をキャンセルして、FET(Qo)のドレイン・ソース間電圧VDSを検出する。
【解決手段】本発明の電流検出回路1は、FET(Qo)のドレイン端子Dと回路グランドGとの間に、第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roの抵抗直列回路を接続する。そして、第2の抵抗Ronと第1の抵抗Rdの抵抗値の比(Ro/Rd)が、FET(Qo)のオン抵抗Ronと配線パターンRpの抵抗値の比(Ron/Rp)に一致するように設定する。そして、この第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roとの接続点(ノードN1)と回路グランドGとの間の電圧VRoを、FET(Qo)に流れる電流の検出信号として出力する。 (もっと読む)


【課題】 電力損失が小さく、発生ノイズが小さいパワー半導体モジュールを実現する。
【解決手段】 ワイドバンドギャップ半導体を利用したユニポーラ型スイッチング素子(ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子)1とシリコン半導体を利用した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Si−IGBT)2を並列接続したパワー半導体モジュールで、ワイドバンドギャップ半導体素子1のチップ面積はSi−IGBT2のチップ面積よりも小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】インバータのスイッチングにより給電母線で発生したノイズを抑制することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】 電源から出力される電力を変換するインバータと、前記インバータ及び前記電源の正極側に接続された第1の給電母線と、前記インバータ及び前記電源の負極側に接続された第2の給電母線と、前記第1の給電母線と容量結合された第1の導電体と、前記第2の給電母線と容量結合された第2の導電体と、抵抗を含み、前記第1の導電体と前記第2の導電体との間を電気的に接続する接続回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】主基板を大きくすることなく、ダンピング抵抗の発熱による他の電子部品への影響を抑制することのできる電力変換回路およびこの電力変換回路を備えた空気調和機を提供する。
【解決手段】この電力変換回路1は、外部交流電力を周波数の異なる交流電力に変換する変換回路60と、外部交流電力の周波数よりも高い高周波を減衰させる高周波抑制回路80とを備えている。この高周波抑制回路80はコンデンサ81と、リアクトル82と、ダンピング抵抗86とを備えている。そして、ダンピング抵抗86とリアクトル82は並列接続されて一体モジュール90とされている。 (もっと読む)


【課題】高電圧バッテリ10に接続される部材(インバータINV1〜INV4)が増加すると、高電圧バッテリ10と車体との間の浮遊容量が大きくなったり、絶縁抵抗の抵抗値が小さくなったりすることで、これら浮遊容量や絶縁抵抗に起因したインピーダンスが低下し、絶縁不良の診断精度の低下を招くおそれがあること。
【解決手段】製品出荷に先立ち、高電圧バッテリ10にインバータINV1〜INV4が接続され、これらが車体に搭載された後、出力部40から診断信号dsを出力する。そして、これに伴う抵抗体42およびコンデンサ44間の電位の変動量に基づき、絶縁不良の有無を判断する判定値を生成して、不揮発性メモリ48に記憶する。 (もっと読む)


【課題】上側のスイッチング素子の誤動作を抑制できる電力変換装置用の駆動回路を提供する。
【解決手段】第1回路10は、直流電源E1の低電位端と高電位端との間で相互に直列に接続される第1素子11及び第2素子12を有し、第1素子11は高電位端側に設けられ、第2素子12は低電位端側に設けられる。第1素子11及び第2素子12は、その両方がスイッチである。第2回路20は、第2素子12の両端の電圧が所定値よりも大きいときにスイッチング素子Tx1を非導通とし、当該電圧が所定値よりも小さいときにスイッチング素子Tx1を導通させる。スイッチ素子32は、第1素子11と並列に接続され、スイッチング素子Tx1が非導通である状態で導通し、スイッチング素子Tx1が導通する状態で非導通する。 (もっと読む)


【課題】地絡を確実に検出すると共に、地絡の検出に要する時間を短縮する。
【解決手段】地絡検出装置1では、演算制御部5の各種機能を実行することにより、2つの太陽電池ストリング103,103nが太陽光発電システム100から解列され、そして、一方の太陽電池ストリング103nについての測定が測定器3により実施されるのと並列的に、当該測定前の他方の太陽電池ストリング103が充放電部4によって充放電される。つまり、後段のステップで太陽電池ストリング103を測定器3に接続した後即座に測定を実施できるように、太陽電池ストリング103の充放電が太陽電池ストリング103の測定と同じタイミングで予めなされることとなる。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置を構成するFETの発熱を低下させ、最大出力電力を高めた改良された電力変換装置を得る。
【解決手段】FET1a、FET1bとFET1a、FET1bに逆並列接続された還流ダイオードD1a、D1bとにより半導体スイッチS1a、S1bを構成し、スイッチング動作を行う2個1組の半導体スイッチS1a、S1bと、平滑コンデンサC1とを有し、半導体スイッチS1a、S1bのFET1a、FET1bの相補的スイッチング動作により電力変換を行う電力変換装置10において、半導体スイッチS1a、S1bに流れる電流の向きを検出する電流センサCS1と、半導体スイッチS1a、S1bに流れる電流の向きが負であるときに、半導体スイッチS1a、S1bのPWMゲート信号のオン信号を間引くゲート生成部11を備えた。 (もっと読む)


【課題】直流負荷を効率よく、安定して稼動可能なパワーコンディショナを提供する。
【解決手段】発電設備21からの発電に基づく直流出力を交流変換するDC/AC変換または系統22からの交流を直流変換するAC/DC変換を選択的に実行する双方向インバータ12と、双方向インバータ12を系統22に接続する系統連系スイッチ13と、系統連系スイッチ13の系統側に接続されて系統22からの交流を整流する整流部14と、発電設備21からの発電に基づく直流出力または双方向インバータ12の直流出力と整流部14の整流出力とのいずれかを直流負荷に給電するためのDC出力スイッチ16と、直流負荷へ給電する動作モードを記憶する記憶部17と、動作モードに従って系統連系スイッチ13およびDC出力スイッチ16を制御、かつDC出力スイッチ16に直流出力または整流出力のいずれを給電するのかを選択するする制御部18と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、2つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置100は、第1回路110と第2回路120との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第1回路110は、第2回路120から伝達される異常パルス信号Sbを監視して第2回路120の異常有無を判定し、第2回路120は、第2回路120で異常が検出されてから少なくとも第1回路110で第2回路120の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Sbを異常状態に保持する。 (もっと読む)


【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート66にスリット100,102を設ける。一方、正極接続プレート66が配置される固定台68上にかしめ突起105を設ける。かしめ突起105を、正極接続プレートのスリット100,102に貫通させ、かしめ突起105の先端をつぶして正極接続プレート66をかしめ、固定台68に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート70の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動回路に無駄な電流が流れないようにし、消費電力を低減する。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路は、制御電源12と、一次巻線と二次巻線とを有するトランス8と、第1のスイッチング素子21と、第2のスイッチング素子14と、整流素子15と、容量素子20と、を備え、第1のスイッチング素子21は、制御電源12と前記一次巻線の一端との間に接続され、第2のスイッチング素子14は、前記一次巻線の他端に接続され、整流素子15の両端は、前記一次巻線の両端に並列接続され、容量素子20の一端は、前記一次巻線の一端または他端に接続され、第1のスイッチング素子21及び第2のスイッチング素子14のうち一方の導通時に容量素子20が制御電源12により充電され、且つ、第1のスイッチング素子21及び第2のスイッチング素子14のうち他方の導通時に容量素子20が放電されるように構成される。 (もっと読む)


【課題】オフ保持用スイッチング素子46をオフ状態とすべき期間において、この素子が誤ってオフ状態とされることに起因するスイッチング素子S*#の信頼性の低下を抑制することのできるスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】オフ保持回路48は、信号生成部26の操作信号INを入力としてゲートの充電処理の実行中であると判断された場合、オフ保持用スイッチング素子46をオフし、操作信号INを入力としてゲートの放電処理の実行中であると判断されて且つゲート電圧検出部50の出力信号GPRを入力としてゲート電圧Vgeが低いと判断された場合、オフ保持用スイッチング素子46をオンする。ここで、上記駆動回路は、ゲート電圧Vgeが閾値電圧を跨いでから出力信号GPRの論理が反転するまでの時間を、操作信号INを入力としてオフ保持回路48によって把握される充電処理指示時間の最小値以下とするように構成される。 (もっと読む)


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