【課題】アクセラレータで演算処理される機能に応じてプログラマブルデバイスの構成を適正化することにより、アクセラレータによる演算処理の効率化と省エネを図る。
をする。
【解決手段】コンフィギュレーションデータにより構成又は再構成可能なプログラマブルデバイス２２０を有するアクセラレータ２００を使用して演算処理を実行する情報処理装置であって、コンフィギュレーションデータが機能別に複数格納された領域内から前記演算処理の機能に応じたコンフィギュレーションデータに関する情報を選択するデータ選択部１２０と、前記選択されたコンフィギュレーションデータに関する情報を前記アクセラレータ２００に転送するデータ転送部１２５と、を備える情報処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】
出力電圧が可変な電源を適用していない場合や電源を複数部品で共有している場合においても、PLDの消費電力を低減することが出来る情報処理回路を提供する。
【解決手段】
再構成可能な論理回路と、回路データを格納する記憶素子とから成る情報処理回路であって、記憶素子に格納された前記回路データは、前記再構成可能な論理回路の製造プロセスを検出するプロセス検出回路データと、前記検出された製造プロセスに応じたタイミング対策を施した複数の再構成用回路データであること特徴とする情報処理回路。 （もっと読む）

【課題】 再構成可能なプログラマブル・デバイスを搭載するアクセラレータと連携して処理を実行する情報処理装置、演算方法およびプログラムを提供すること。
【解決手段】
本発明の情報処理装置１１０は、プログラマブル・デバイス１５０に接続されている。情報処理装置１１０は、各々前記プログラマブル・デバイス上で実現させる機能を定義する構成データが、複数格納される構成データ蓄積手段１２０と、各々対応する構成データによりプログラマブル・デバイス１５０上に実現される機能を利用するソフトウェア・プログラムが、複数格納されるプログラム蓄積手段１１８と、プログラマブル・デバイス１５０に、複数の構成データのうち選択された選択機能に対応する構成データを転送し、構成を要求する構成要求手段１１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制し、低消費電力化を実現するフラッシュ型ＡＤ変換器を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態によると、第１のＣＭＯＳ回路と、共通するローティングゲートを有し、３個のゲートが前記フローティングゲートに配置され、アナログ入力電圧を入力する端子と前記第１のＣＭＯＳ回路とに並列に接続する２^ｎ−１−１個（ｎは３以上の整数）のニューロンＣＭＯＳ回路と、を備える量子化出力部と、前記量子化出力部から出力される量子化出力電圧を演算するエンコード部と、前記量子化出力部又は前記エンコード部に接続するｎ個のデジタル変換出力端子と、を備えることを特徴とするニューロンＣＭＯＳ回路を備えるフラッシュ型アナログ−デジタル変換器が提供される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給を停止しても論理回路の結線状態を保持可能なプログラマブルロジックデバイスにおける処理速度の向上及び低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】論理状態を切り替え可能な複数の演算回路と、演算回路の論理状態を切り替えるコンフィグレーション状態切り替え回路と、演算回路の電源電圧の供給または停止を切り替える電源制御回路と、複数の演算回路の論理状態及び電源電圧の状態を記憶する状態記憶回路と、状態記憶回路の記憶情報に応じて、コンフィグレーション状態切り替え回路及び電源制御回路の制御を行う演算状態制御回路と、を有し、演算回路とコンフィグレーション状態切り替え回路との間に、酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成されるトランジスタが設け、電源制御回路からの電源電圧の停止時に該トランジスタの導通状態を保持する。 （もっと読む）

【課題】電源が遮断されてもデータが保持される新規な論理回路を提供する。また、消費電力を低減できる新規な論理回路を提供する。
【解決手段】２つの出力ノードを比較する比較器と、電荷保持部と、出力ノード電位確定部とを電気的に接続することにより、論理回路を構成する。それにより、電源が遮断されてもデータが保持される論理回路を得ることができる。また、論理回路を構成するトランジスタの総個数を低減させることができる。更に、酸化物半導体を用いたトランジスタとシリコンを用いたトランジスタを積層させることで、論理回路の面積の削減が可能になる。 （もっと読む）

【課題】電源電位の供給が遮断されたときでもデータの保持が可能で、且つ、低消費電力化が可能なプログラマブルなアナログデバイスを提供する。
【解決手段】アナログ素子を含むユニットセルを複数並列に接続されたプログラマブル回路とし、ユニットセル毎に導通または非導通の切り替えを行う。また、当該ユニットセルのスイッチとして、オフ電流を十分に小さくすることができる第１のトランジスタと、ゲート電極が第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続された第２のトランジスタと、を含む構成とし、当該第２のトランジスタのゲート電位によってユニットセルの導通または非導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】電源が遮断されてもデータが保持される新規な論理回路を提供する。また、消費電力を低減できる新規な論理回路を提供する。
【解決手段】２つの出力ノードを比較する比較器と、電荷保持部と、出力ノード電位確定部とを電気的に接続することにより、論理回路を構成する。それにより、電源が遮断されてもデータが保持される論理回路を得ることができる。また、論理回路を構成するトランジスタの総個数を低減させることができる。更に、酸化物半導体を用いたトランジスタとシリコンを用いたトランジスタを積層させることで、論理回路の面積の削減が可能になる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給を停止しても、論理回路部間の接続関係、又は各論理回路部内の回路構成を維持できる半導体装置を提供する。また、論理回路部間の接続関係の変更、又は各論理回路部内の回路構成の変更を高速で行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】再構成可能な回路において、回路構成や接続関係等のデータを記憶する半導体素子に酸化物半導体を用いる。特に、半導体素子のチャネル形成領域に、酸化物半導体が用いられている。 （もっと読む）

【課題】電源遮断後の起動時間が短く、高集積化及び低消費電力化を図ることが可能であるプログラマブルロジックデバイスを提供する。
【解決手段】入出力ブロックと、論理エレメントを有する複数の論理ブロックと、該複数の論理ブロックを接続する配線とを有するプログラマブルロジックデバイスにおいて、論理エレメントは、コンフィギュレーションデータが保持されたコンフィギュレーションメモリ及び選択回路を有するルックアップテーブルを有する。また、コンフィギュレーションメモリは、酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタと、該トランジスタ及び選択回路の間に設けられた演算回路とを有するメモリ素子を複数有し、入力信号に応じて選択回路によりコンフィギュレーションデータを選択的に切り替えて出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路における消費電力を低減すること。また、半導体集積回路における動作の遅延を低減すること。
【解決手段】記憶回路が有する複数の順序回路のそれぞれにおいて、酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されるトランジスタと、該トランジスタがオフ状態となることによって一方の電極が電気的に接続されたノードが浮遊状態となる容量素子とを設ける。なお、酸化物半導体によってトランジスタのチャネル形成領域が構成されることで、オフ電流（リーク電流）が極めて低いトランジスタを実現することができる。そのため、記憶回路に対して電源電圧が供給されない期間において当該トランジスタをオフ状態とすることで、当該期間における容量素子の一方の電極が電気的に接続されたノードの電位を一定又はほぼ一定に保持することが可能である。その結果、上述した課題を解決することが可能である。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる、プログラムユニットを用いた半導体装置を提供する。また、信頼性の高い、プログラムユニットを用いた半導体装置を提供する。さらに集積度の高い、プログラムユニットを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＰＬＤ等のロジックセル間の接続構造を変更する機能を有する半導体回路において、ロジックセル間を接続や切断、あるいはロジックセルへの電源の供給を、オフ電流またはリーク電流が小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いたプログラムユニットによって制御する。プログラムユニットにはトランスファーゲート回路を設けてもよい。駆動電圧を下げるため、プログラムユニットには容量素子を設けて、その電位をコンフィギュレーション時と動作期間とで異なるものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】電源電位の供給が遮断されたときでも論理回路の切り替え状態の保持が可能で、電源投入後の論理ブロックの起動時間が短く、低消費電力化が可能な、否定論理積（ＮＡＮＤ）回路および否定論理和（ＮＯＲ）回路を容易に切り替えることができる論理回路を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを介して、ノードへの電荷保持状態を切り替えることによって、否定論理積（ＮＡＮＤ）回路および否定論理和（ＮＯＲ）回路を容易に切り替えることができる。当該トランジスタにはワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いることによって、トランジスタのオフ電流を十分に小さくできるため、ノードに保持した電荷の状態を不揮発とすることができる。 （もっと読む）

【課題】電源電位の供給が遮断されたときでもコンフィギュレーションデータの保持が可能で、電源投入後のプログラマブルスイッチの起動時間が短い、低消費電力化が可能なプログラマブルロジックデバイスを提供すること。
【解決手段】各論理ブロック間の配線接続を制御するプログラマブルスイッチのメモリ部のトランジスタに、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて当該トランジスタを構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、電源電位の供給が遮断されたときでもコンフィギュレーションデータを保持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スピン・トランスファ・トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ技術を用いるソフトウェア・プログラマブル・論理のためのシステム，回路および方法を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子と、ＭＴＪ素子に結合されるプログラマブル・ソースと、書込み及び読出し部を備え、前期読出し部は、書込み動作の間中、高インピーダンス状態に設定されるように構成されるＭＵＸドライバを具備し、前記ＭＴＪ素子の第一グループを入力プレーンに配列し、第二グループを出力プレーンに配列し、入力プレーンおよび出力プレーンを、各々のＭＴＪデバイスの自由層の相対的な極性に基づいた論理関数を形成するために組み合わせられるプログラマブル・論理アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、動的コンフィギュレーションにも対応可能なプログラマブルＬＳＩを提供する。
【解決手段】複数のロジックエレメントを有し、複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有する。複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、異なる演算処理を行い、且つ、ロジックエレメント間の電気的接続を変更する。コンフィギュレーションメモリは、揮発性の記憶回路と、不揮発性の記憶回路との組を有し、不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、当該トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなるノードに一対の電極のうちの一方が電気的に接続された容量素子と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速、不揮発性、低消費電力のメモリ回路を提供する。
【解決手段】一方のソース／ドレインがノード４０に接続された第１導電型スピンＭＯＳＦＥＴ１０と、一方のソース／ドレインがノード４０に接続された第１導電型スピンＭＯＳＦＥＴもしくは第１導電型のＭＯＳＦＥＴ１２と、ノード４０にゲート電極が接続され一方のソース／ドレイン電極が出力端子３７に接続されたｐチャネルスピンＭＯＳＦＥＴもしくはｐチャネルのＭＯＳＦＥＴ１４と、ノード４０にゲート電極が接続され、一方のソース／ドレイン電極が出力端子３７に接続されたｎチャネルスピンＭＯＳＦＥＴもしくはｎチャネルのＭＯＳＦＥＴ１６と、出力端子３７と、を備え、第３トランジスタ１４と第４トランジスタ１６はインバータ回路を構成し、第３トランジスタ１４および第４トランジスタ１６の少なくとも一方がスピンＭＯＳＦＥＴであり、出力端子３７からインバータ回路が出力される。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を削減した半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態による半導体集積回路は、第１の電源と第２の電源との間に２つの不揮発メモリと複数のスイッチング素子が接続されたメモリセルを複数含む半導体集積回路であって、少なくとも２つの前記メモリセルの出力配線が接続され、出力配線が接続されたメモリセルに含まれるスイッチング素子の制御ゲートに入力信号もしくはこの入力信号の反転信号が入力されて、出力配線が接続されたメモリセルの少なくとも１つのメモリセルに含まれる前記入力信号もしくはこの入力信号の反転信号が入力されたスイッチング素子が非導通となり、少なくとも１つのメモリセルに含まれる前記入力信号もしくはこの入力信号の反転信号が入力されたスイッチング素子が導通する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、且つ、動的コンフィギュレーションにも対応できる高速なコンフィギュレーションを可能とし、起動するための時間が短いプログラマブルＬＳＩを提供する。
【解決手段】複数のロジックエレメントと、複数のロジックエレメントに入力するためのコンフィギュレーションデータを記憶するメモリエレメントと、を有し、複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有し、コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、異なる演算処理を行い、且つ、ロジックエレメント間の電気的接続を変更し、メモリエレメントは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、当該トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなるノードと、を有する記憶素子を用いて構成する。 （もっと読む）

【課題】ＯＮ状態とＯＦＦ状態のコントラスト（Ｈｉｇｈ／Ｌｏｗ比）を高くし、消費電力を低減する。
【解決手段】論理回路は、ゲート１０，１１が入力端子３，４に接続され、ドレイン１２が出力端子５に接続され、ソース１３がグランド端子８に接続されたインプレーンダブルゲートトランジスター１と、ゲート２０，２１およびソース２３がインプレーンダブルゲートトランジスター１のドレイン１２に接続され、ドレイン２２がバイアス端子６に接続されたインプレーンダブルゲートトランジスター２とを備える。 （もっと読む）