【課題】ＰＷＭ制御の電圧パルスの立上がり／立下がりでの大電流変化の繰返しによるノイズが発生せず、負荷の立上がりへの違和感が生じない車両用電源装置の提供。
【解決手段】制御部４は、複数の電気負荷１Ｌ〜ＮＬが同時的にオン指示されたときは、電気負荷１Ｌ〜ＮＬへの各電圧パルスを同時的に立上げ、それぞれへの各ＰＷＭ制御を開始する迄、立上げた電圧をそれぞれ維持する出力手段（４）と、電気負荷１Ｌ〜ＮＬ内での電圧パルスへのＰＷＭ制御を開始する順番を定める決定手段（４）とを備え、出力手段（４）が電圧パルスを同時的に立上げた後は、決定手段（４）が定めた順番に従って、先順の電気負荷（Ｎ−１）Ｌの電圧パルスの立下がりで、次順の電気負荷ＮＬの電圧パルスへのＰＷＭ制御を開始し、ＰＷＭ制御を開始した後は、先順の電気負荷（Ｎ−１）Ｌの電圧パルスの立下がりで、次順の電気負荷ＮＬの電圧パルスを立上げる構成である。 （もっと読む）

【課題】 異常が発生した際に速やかに異常状態を知らせることができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】 電源１とリレースイッチ２との間に設けられリレースイッチ２に印加される電源１の電圧をオン／オフするスイッチ手段３と、スイッチ手段３を駆動する制御手段６とを備えた負荷駆動回路であって、制御手段６は、スイッチ手段３と制御手段６とを接続する配線における第１の電圧レベルと、スイッチ手段３とリレースイッチ２とを接続する配線における第２の電圧レベルとの間に論理差が生じた場合には異常状態であるとして、異常状態を伝達するように促す制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】異常高温の原因がスイッチング素子であっても、スイッチング素子ではなくても、スイッチング素子を異常な高温から保護することができる負荷駆動装置及び半導体素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子であるＦＥＴ３１〜３３の近傍の温度を検出する素子温度センサ４１の検出結果が所定温度を超えており、且つ、例えばＦＥＴ３１に対応する電流センサ５１の検出結果が所定電流値を超えているときは、異常高温の原因がＦＥＴ３１であるため、ＦＥＴ３１をオフにする。全てのＦＥＴ３１〜３３に対応する電流センサ５１〜５３の検出結果が所定電流値を超えていないときは、異常高温の原因がＦＥＴ３１〜３３ではないため、車両における重要度が低いリアフォグランプ６１に接続されているＦＥＴ３１をオフにする。ただし、既にＦＥＴ３１がオフにされている場合は、２番目に重要度が低いフォグランプ６２に接続されているＦＥＴ３２をオフにする。 （もっと読む）

【課題】配線ショートの発生時とコネクタの接触不良とを区別して回路を保護することが可能な電力供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の電力供給装置では、半導体素子Ｔ１のドレインの電圧Ｖ１が、コンパレータＣＭＰ１の同相入力最低電圧を下回る前に半導体素子Ｔ１を遮断するので、負荷回路を確実に保護することができる。また、第１判定電圧をＬ＿Ｖ１とし、第２判定電圧をＶ３としたとき、電圧Ｖ１が「Ｖ１＜Ｌ＿Ｖ１」となった場合に、リトライ動作を実行し、「Ｖ１＜Ｌ＿Ｖ１」となる回数がＮ１回に達した場合、または、「Ｌ＿Ｖ１＜Ｖ１＜Ｖ３」となる回数がＮ２回に達した場合に、半導体素子Ｔ１の遮断状態を保持して負荷回路を保護する。更に、コネクタ１１の接触不良に起因して電圧Ｖ１が急激に低下した場合には、電圧Ｖ１の最低値が安定した値とならず、半導体素子Ｔ１の遮断状態は保持されない。 （もっと読む）

【課題】 ノイズを発生させ難い出力回路等を提供する。
【解決手段】 出力回路（１０）は、入力ノード（ＩＮ）と、出力ノード（ＯＵＴ）と、入力ノードと出力ノードとの間に配置され、第１のゲート（１３）を有する第１の出力トランジスタ（１２）と、入力ノードと出力ノードとの間に配置され、第２のゲート（１６）を有する第２の出力トランジスタ（１５）と、入力ノードと出力ノードとの間に配置され、第３のゲート（１９）を有する第３の出力トランジスタ（１８）と、を備える。第１のゲート（１３）および第２のゲート（１６）は、第１の方向（ＤＲ１）に、第３のゲート（１９）を介さず、互いに接続される。第２のゲート（１６）および第３のゲート（１９）は、第１の方向とは異なる第２の方向（ＤＲ２）に、第１のゲート（１３）を介さず、互いに接続される。第１のゲート（１３）および第３のゲート（１９）は、第２のゲート（１６）を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】ソースフォロア構成の出力トランジスタのゲートと負荷が接続される出力端子との間に、出力トランジスタのシャットダウンとして設けられたデプレーション型トランジスタに、比較的低耐圧（すなわち、小素子面積）のものを用いて、そのオン、オフを制御できるようにする。
【解決手段】電源ライン１０１と出力端子１０３との間に接続されるソースフォロア構成の出力トランジスタ１０２と、出力端子１０３と電源ライン１０５との間に接続される負荷１０４と、出力トランジスタ１０２のゲートと出力端子１０３との間に接続されるデプレーション型トランジスタ１０８と、デプレーション型トランジスタ１０８のオン、オフを、そのゲート・ソース間に電源ライン１０１および１０５間電圧よりも小さい電圧を印加することにより制御する制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】ソースフォロワ構成の出力トランジスタのゲートと負荷が接続される出力端子との間に設けられたデプレーション型トランジスタは、出力トランジスタがオン状態のときはオフ状態となるべきところ、オン状態となってしまう。
【解決手段】ソースフォロワ構成の出力トランジスタのゲートと負荷が接続される出力端子との間に設けられたデプレーション型トランジスタに対するオン、オフ制御電圧を、当該トランジスタの制御端子（ゲート）と基板端子（バックゲート）との両方に供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来技術の欠陥に鑑み、パーツが少ない、回路が簡単、省エネと過電圧保護を有する定電流源装置を提供する。
【解決手段】本発明は、省エネと過電圧保護を有する定電流源装置であって、パーツが少い、回路が簡単、省エネと過電圧保護を有する定電流源装置を提供する。本発明には、整流回路（１）、フィルタコンデンサ（２）と負荷（３）を有して、同時に一つデプレッション型電界効果トランジスタ（４）を有して、これらはリード線で接続され構成され、前記デプレッション型電界効果トランジスタ（４）は、特製パーツでらう。本発明は、前記負荷が高電圧ＬＥＤ発光ダイオード部品または若干ＬＥＤ発光ダイオードの直列または直並列で構成されたランプに広範に応用され、または前記負荷が動作電圧の高い電子回路にも応用され、または前記負荷が高動作電圧である直流モーターにも応用され、または前記高抵抗電熱負荷にも応用される。 （もっと読む）

【課題】オペアンプを使用せずに過電流の発生を検出する過電流保護装置を提供する。
【解決手段】電源ＶＢとグランドとを接続する第１の回路として、抵抗Ｒ３、トランジスタ（Ｔ３）、及び抵抗Ｒ４の直列接続回路を備え、ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）のソースとグランドとを接続する第２の回路として、抵抗Ｒ１、トランジスタ（Ｔ２）、及び抵抗Ｒ２の直列接続回路を備える。そして、トランジスタ（Ｔ２）と抵抗Ｒ２との接続点ｙの電圧Ｖｙが、トランジスタ（Ｔ３）と抵抗Ｒ４との接続点ｘの電圧Ｖｘよりも、所定電圧ＶSを超えて小さくなったときに、過電流であると判定して、ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）を遮断する。このような構成により、負荷回路に過電流が流れた際には、迅速且つ高精度に回路を回路を遮断して回路を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】電力用変換器の過電流においてオン抵抗損失の著しい増大を抑制して、電力用変換器の小型・軽量化および低価格化をはかる。
【解決手段】定格電流容量の５倍ないし２０倍のサージ電流が流れる電力用変換器に炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタを適用するにあたり、該静電誘導トランジスタのオン時のゲート電圧を定格電流以下の正常動作時にはゲート接合のビルトイン電圧以下として高速、低損失、高効率の電力変換を行い、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止する制御方法によって変換器に使用される炭化ケイ素静電誘導トランジスタの電流容量を変換のそれを大幅に超えない小容量とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチ回路のポート数が増加しても挿入損失を増加させず、且つ歪みによる高調波の影響を低減することのできるスイッチ回路を提供する。
【解決手段】１個の共通出力ポートと、一端が第１ノードで共通接続されたＭ（Ｍは２以上の整数）個の第１スイッチと、一端が共通出力ポートに共通接続されたＮ（Ｎ≧１の整数）個の第２スイッチと、一端が共通出力ポートに接続され、他端が第１ノードに接続された第３スイッチと、第１スイッチの他端にそれぞれ接続されたＭ個の第１入出力ポートと、第２スイッチの他端にそれぞれ接続されたＮ個の第２入出力ポートとを備え、第１入出力ポート及び第２入出力ポート中の選択されたいずれか１つのポートのみを共通出力ポートに接続させるように駆動され、第１入出力ポートのいずれかが選択された時には、第３スイッチを閉塞することを特徴とするスイッチ回路とした。 （もっと読む）

【課題】 電流増幅半導体のベース電流をコレクタ電流に応じた必要最小限の値に制御するようにし、高速で低消費電力の電流増幅半導体素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】 ２個の直流電源の正側電源２の正極と負極の間に、チョッピング用スイッチング素子４とインダクタ６と被制御電流増幅半導体１のベース及びエミッタとの直列回路を接続するとともに、チョッピング用スイッチング素子とインダクタの接続点に該接続点側にカソード及び負側電源３の負極にアノードとなるようダイオード８を接続し、被制御電流増幅半導体のベースと負側電源の負極間に制御用スイッチング素子７を接続した回路構成をなし、被制御電流増幅半導体のコレクタ及びエミッタ間の電圧を検出し、被制御電流増幅半導体がオン状態時に、該電圧が準飽和電圧近辺の２値間になるようにチョッピング用スイッチング素子のオンオフ期間を制御する制御回路５を有する電流増幅半導体の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】過電流検出において精度の高い温度補償を行う。
【解決手段】制御回路２０は、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ０と出力端子ＯＵＴ間を接続するワイヤ１７に流れる負荷電流Ｉａとワイヤ１７の抵抗分とによってワイヤ１７の両端に生じる電位差を検出し、電位差が所定値より大きくなった場合に負過電流Ｉａを制限するようにＮＭＯＳトランジスタＮＭ０を制御する。制御回路２０は、一端から電流源Ｉ１によって電流を順方向に流すと共に他端をワイヤ１７の一端に接続するダイオード群２１と、一端から電流源Ｉ２によって電流を順方向に流すと共に他端をワイヤ１７の他端に接続するダイオード群２２と、を備え、ワイヤ１７の抵抗分の温度変化によって生じる出力電流制限値の変化が少なくなるように、ダイオード群２１、２２の一端間の電位差に基づいて所定値を補正する。 （もっと読む）

【課題】出力ポートに接続された後段回路のインピーダンスが変動した場合でも、定在波比、及び、通過特性の周波数特性の悪化を低減することができる分配器を提供する。
【解決手段】 １つの入力ポートＰｉｎと、後段回路２１、２２が接続される２つの出力ポートＰｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２とを有し、前記入力ポートＰｉｎから入力された信号を前記２つの出力ポートＰｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２に分配して出力する分配器１であって、前記入力ポートＰｉｎから分岐した２つの出力端であるノードＮ１、Ｎ２を有し、入力ポートＰｉｎからみたインピーダンスを、前記後段回路２１、２２の第１インピーダンスに整合する分配回路１０を備え、前記２つのノードＮ１、Ｎ２のそれぞれに、互いに等しい電気長Ｌｃ及び所定の特性インピーダンスＺｃを有する移相器１３、１４を設け、前記移相器１３、１４の出力端のそれぞれを前記出力ポートＰｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２に接続する構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の発熱による瞬間的な温度変化によらず、半導体スイッチング素子が形成されたチップの実際の緩やかな温度変化となる素子全体の温度に基づいてパワー素子を駆動できるようにする。
【解決手段】温度センサ６を制御ＩＣ３に内蔵し、スイッチＩＣ５には備えない構造とする。そして、スイッチＩＣ５と制御ＩＣ３とが金属もしくはセラミックスにて構成される基板８を介して機械的に接続された構造とする。このような構造の場合、温度センサ６は、スイッチＩＣ５の温度を直接検出することができないが、スイッチＩＣ５の温度が上昇すると、それが基板８を通じて制御ＩＣ３に伝わり、制御ＩＣ３の温度が上昇するため、制御ＩＣ３に内蔵された温度センサ６によって制御ＩＣ３の温度変化を間接的に検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】負荷駆動回路において、品質または信頼性の向上を実現する。
【解決手段】例えば、出力トランジスタＱ３のゲートとプリドライバ回路ＰＤの間に抵抗Ｒ４を設け、Ｒ４の一端とＱ３のソース端子Ｓとの間にＺＤ１，ＺＤ２からなる第１クランプ回路を設け、Ｒ４の他端とソース端子Ｓとの間にＺＤ３，ＺＤ２からなる第２クランプ回路を設ける。また、Ｑ３のゲートと接地端子ＰＧの間に抵抗Ｒ２を設け、ＳとＰＧは、パッケージ上で同一の外部ピン（接地電圧ＧＮＤ）に接続する。第２クランプ回路のクランプ電圧は第１クランプ回路よりも大きく設計される。Ｑ３のゲートに対して端子ＭＰよりストレス電圧を印加する際、第２クランプ回路のクランプ電圧まで印加可能となり、また、ＭＰ１とＳによってＲ２の影響を受けずにＱ３のゲートリーク電流を測定可能となる。 （もっと読む）

【課題】負荷をスイッチング駆動するためのトランジスタのスイッチング速度を向上させ、ひいてはスイッチング損失を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ドライバ回路３０に備えられた平面サイズが異なる複数のＬＤＭＯＳトランジスタ３１ａ〜３１ｃの一部または全部を、プリドライバ回路２０で生成されたスイッチング信号によって駆動する。これにより、トランジスタ３１ａ〜３１ｃ個々のスイッチング速度を向上させ、ひいてはスイッチング損失を低減させる。 （もっと読む）

【課題】過温度保護を適切に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、スイッチ素子ＳＷ１と、スイッチ素子ＳＷ１に電圧を供給する駆動回路３と、周囲温度を検出し、検出した周囲温度が基準温度より高い場合には駆動回路３によるスイッチ素子ＳＷ１への電圧供給を制御してスイッチ素子ＳＷ１をオフ状態とする過温度保護回路１と、ワイヤＷ２を含み、ワイヤＷ２が剥離した場合には基準温度を低くする故障検出回路２とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラ等の高価な絶縁式の信号伝達手段を用いることなく、外部との間で絶縁しつつ信号を伝達することが可能なパワー半導体の駆動回路、およびパワー半導体の駆動回路の信号伝達方法を提供する。
【解決手段】駆動回路１００に、外部から入力されたパルス信号を受信するトランス１２０と、前記パルス信号を増幅して増幅信号を生成するチョッパ型アンプからなる増幅回路１３０と、前記増幅信号のパルス幅を拡張して拡張信号を生成するピークホールド回路からなる拡張回路１４０と、前記拡張信号がセット入力端子に入力されるＲＳフリップフロップ回路１５０と、ＲＳフリップフロップ回路１５０の出力信号に対して所定時間遅延した遅延信号を生成し、ＲＳフリップフロップ回路１５０のリセット入力端子に入力する遅延回路１６０と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】１種類のデプレッション型ＦＥＴのみを提供するＭＭＩＣプロセスにおいて、１つの制御電圧で２つの出力電圧の出力制御が可能である電源回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＴ０（デプレッションｎ型ＦＥＴ）のドレインが負の基準電位Ｖｒ１（第１の電圧源）に接続され、トランジスタＴ０のソースが抵抗Ｒ３（第１の抵抗）を介してアース電位（接地電位）に接続され、トランジスタＴ０のゲートが直列接続された抵抗Ｒ１（第２の抵抗）と抵抗Ｒ２（第３の抵抗）とを介して正の基準電位Ｖｒ２（第２の電圧源）と接続される。また、ゲートに負の制御端子（Ｖｃ）（入力端子）が接続され、ソースに出力端子２（Ｖ２）（第１の出力端子）が接続され、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続部位に出力端子１（Ｖ１）（第２の出力端子）が接続される。 （もっと読む）