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Fターム[5J055EZ01]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 機能的回路 (8,211) | 積分回路、CR時定数回路 (122)

Fターム[5J055EZ01]に分類される特許

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【課題】ソレノイドに流れる電流を検出するタイミングと、PWM信号を出力するタイミングとのずれを抑制可能なソレノイドの通電制御装置を提供する。
【解決手段】ソレノイドの通電制御装置100は、ソレノイド50に流れる電流の電流値の取得用の電流取得用タイマ10と、当該電流取得用タイマ10の計数結果に基づいて、ソレノイド50の通電を制御するスイッチング素子51を駆動するPWM信号の1周期内において予め設定された回数だけ電流値を取得する電流値取得部11と、PWM信号の出力用のPWM制御用タイマ20と、1周期内に取得された電流値に基づき、次の1周期にスイッチング素子51に通電する通電時間を設定し、当該設定した通電時間に応じたPWM信号を出力するPWM制御部21と、PWM制御用タイマ20の計時結果に基づき、電流取得用タイマ10の計時値を更新する計時値更新部41と、を備える。 (もっと読む)


【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路10は、圧電センサ2の受信信号SP及びSNを増幅するアンプ15と、圧電センサ2の一端とアンプ15の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ11a及び11b(ないしは12a及び12b)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】より簡単な構成で波形歪みのエネルギーを消費させ、リンギングを確実に抑制できるリンギング抑制回路を提供する。
【解決手段】一対の信号線3P,3N間に、NチャネルMOSFET7を接続し、制御回路14は、伝送線路3を介して伝送される差動信号のレベルがハイからローに変化したことを検出すると、NチャネルMOSFET7を一定期間オンさせる。すなわち、差動信号のレベルが遷移する期間にNチャネルMOSFET7が導通することで信号線3P,3N間のインピーダンスを大きく低下させ、差動信号波形の歪みエネルギーを吸収させてリンギングの発生を確実に抑制する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子、特にIGBTの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。
【解決手段】IGBTのゲート電荷QGに対応する電圧VQGを検出する電荷検出手段22と、IGBTの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧VREFを発生する基準電圧発生手段25と、電荷検出手段22で検出された電圧VQGがIGBTの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段27と、判断手段27が短絡状態を検出したときにIGBTを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段21とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段25に、IGBTの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧VQGのハイレベルで安定した電圧VPEAKを検出して記憶する記憶手段26を設ける。 (もっと読む)


【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるMOSトランジスタ型のスイッチ1が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線VccBとの間に、プルアップ抵抗2が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路3が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗2による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路4が、加速回路3の作動期間を制御する。 (もっと読む)


【課題】端子切替時の歪みの増加を抑制した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路と、駆動回路と、スイッチ部と、補正回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記電源回路は、電源電位と異なる第1の電位を生成する。前記駆動回路は、前記第1の電位と異なる第2の電位と前記第1の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第1の電位及び前記第2の電位の少なくとも一方を出力する。前記スイッチ部は、前記駆動回路の出力に応じて共通端子と高周波端子との接続を切り替える。前記補正回路は、前記端子切替信号の変化を検出し、前記第1の電位の極性と等しい極性の電荷を前記駆動回路に供給して前記第1の電位を補正する。 (もっと読む)


【課題】電力効率を低下させずに高速動作可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路は、入力電圧を第1の電圧に変換する第1のDC/DCコンバータB1と、制御信号に応じて第1の電圧を出力するか否か切り替える第1のスイッチ回路C1と、第1のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第1の制御回路D1と、高圧側電源に一端が、出力端子に他端が接続され、第1の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第1の能動素子A1と、入力電圧を第2の電圧に変換する第2のDC/DCコンバータB2と、制御信号に応じて第1のスイッチ回路とは相補的に第2の電圧を出力するか否か切り替える第3のスイッチ回路C3と、第3のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第2の制御回路D2と、出力端子に一端が、低圧側電源に他端が接続され、第2の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第2の能動素子A2とを備える。 (もっと読む)


【課題】電磁負荷を駆動する内燃機関制御装置において、電磁負荷の駆動周期が短い場合でも、該電磁負荷の故障診断精度を向上させ、ノイズに影響されない高速制御を安定して行う。
【解決手段】電磁負荷制御装置において、前記電圧異常を検出する手段をマスクするためのマスク手段を備え、前記マスク手段は、前記電圧異常の検出タイミングを、電磁負荷遮断と電磁負荷の通電とが繰り返される電磁負荷の通電開始タイミングに合わせて設定してあり、電磁負荷の通電遮断時より一定時間を内部タイマによってカウントすることにより、前記一定時間内に検出された電圧異常の誤検出をマスクするように構成する。 (もっと読む)


【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Tr7のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Tr7を駆動する駆動部(トランジスタTr1,Tr2,Tr4,Tr5)と、スイッチ素子Tr7の第1主端子(ドレイン)と第2主端子(ソース)との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Tr7に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Tr7の第1主端子と第2主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Tr7を駆動するアクティブクランプ回路(ダイオードD1、ツェナーダイオードZD1、抵抗R1、トランジスタTr3,Tr6)とを備える。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能な故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置は、入力されるパルスを増幅して出力するパルス増幅器11と、パルス増幅器11の入力端子に接続され、パルス増幅器11に入力されるパルスに同期したパルス増幅器11を動作させる制御信号を形成して、この制御信号を入力端子に入力するパルス増幅器制御回路12と、パルス増幅器制御回路12に接続され、制御信号を連続波に変換する平均化回路17と、平均化回路17に接続され、平均化回路17から出力された連続波の電圧Vgaveとしきい値電圧Vsとを比較する比較回路18と、比較回路18に接続され、比較回路18から出力される差分電圧(Vgave−Vs)に基づいて、パルス増幅器11の故障、あるいはパルス増幅器制御回路12の異常を検出する警報装置23と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】所定の電流値以上の電流が流れることを検出すると、電源から遮断する過電流保護回路の偶発的な故障に起因して、所定の電流値以上の電流を継続して出力装置に流れるのを未然に防止することが可能な過電流保護装置を提供する。
【解決手段】この過電流保護装置5は、レーザ出力装置4に供給する電流値を監視するとともに過電流が流れた際に電流を遮断する過電流保護回路5aと、過電流保護回路5aが正常に動作するか否かを確認するトランジスタ32(TR2)、抵抗33(R4)、接点RY1−3、接点RY1−2、電源23、接点RY1−1、および、フォトカプラ34(PHC1)とを設ける。 (もっと読む)


【課題】自励型発振回路を備えるD級増幅装置における音質を従来から更に向上させることが可能な自励型発振回路等を提供する。
【解決手段】信号出力端子OUTに接続されたスイッチング素子15A及び15Bと、信号入力端子INと、の間に接続される自励型発振回路SBにおいて、入力端が信号入力端子INに接続され且つ増幅素子を含む電流駆動型の電圧/電流変換部10と、電圧/電流変換部10の出力端に一端が接続され且つ他端が直接接地された積分コンデンサ11と、スイッチング素子15A及び15Bの出力段と、積分コンデンサ11の上記一端と、の間に接続された帰還抵抗14と、積分コンデンサ11の上記一端と、ゲートドライバ13と、の間に接続されたヒステリシスコンパレータ12と、を備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部1、デコーダ部3、ドライバ部2、DC−DCコンバータ5、第1のフィルタ回路9n、第1のフィルタバイパス回路10、及び第1のバイパス制御回路11aを備える。DC−DCコンバータ5は、第1のフィルタ回路9nを介して第1の電位をドライバ部2に出力する。第1のフィルタバイパス回路10が、第1のフィルタ回路9nと並列に電気的に接続される。スイッチ部1の入出力端子Pと複数の高周波信号端子T1〜Tnのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第1のフィルタバイパス回路10が導通状態になるように、第1のバイパス制御回路11aが、第1のフィルタバイパス回路10に第1のモード信号Vmode1を供給する。 (もっと読む)


【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部11が、短絡や過電流が発生したと判断して半導体遮断器12が電流を遮断するとき、スイッチS,Sの電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器12のゲート電圧Vを半導体遮断器12が遮断を開始する閾値電圧Vよりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチS,Sの電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器12のゲート電圧Vを半導体遮断器12が遮断を完了する閾値電圧Vよりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パワーオンした瞬間に生じる雑音を除去することができる静音制御回路及び該静音制御回路を有する電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電子装置は、処理ユニット、静音制御回路、オーディオアンプ及びオーディオ出力インターフェースユニットを備え、前記オーディオアンプは、前記電子装置が生成するオーディオ信号を増幅し、且つ増幅されたオーディオ信号を前記オーディオ出力インターフェースユニットに出力し、前記処理ユニットは、静音制御信号を出力し、前記静音制御回路は、前記静音制御信号によって前記オーディオアンプを制御して静音状態と再生状態との間で切替させるメイン回路と、前記電子装置にパワーオンした瞬間、前記オーディオアンプの出力を接地により釈放させて、前記オーディオアンプと前記オーディオ出力インターフェースユニットとの間の通信を切る補助回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 (もっと読む)


【課題】ミリメートル波周波数において有効な切替え可能減衰器を提供する。
【解決手段】入力減衰器22は、直列結合されているRF_IN+端子、第1のノード、伝送線路TL3、直流遮断キャパシタCbl3、第2のノード、第3のノード、及び出力端子を有する第1の入力回路215を有する。第1のノードは、直列結合されているキャパシタCm3及び第1のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタQ9を介して選択的に接地へ結合される。第2のノードは、キャパシタCm1を介して接地へ結合されている。第3のノードは、直列結合されている直流遮断キャパシタCbl1、抵抗Ratt1及び第2のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタQ7を介して選択的に接地へ結合される。入力減衰器22は、更に、第1の入力回路215と並列に、第1の入力回路215と同じ構造を有する第2の入力回路216を有する。 (もっと読む)


【課題】電源投入時に初期状態を確実に設定できる電子回路、パワーオンリセット回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電子回路は、各回路素子がトランジスターで構成される複数の回路素子XA1〜XB2と、第1の高電位電源電圧VDDが供給され、VDDが所定の電圧レベルになるまでは、低電位電圧レベルに設定され、VDDが所定の電圧レベルを越えると、VDDに追従して電圧レベルが上昇する第2の高電位電源電圧VINTを出力する電源出力回路100とを含む。複数の回路素子のうち、初期状態においてその出力ノードが高電位電圧レベルになる回路素子である第1のグループの回路素子XA1、XA2には、VDDが供給され、初期状態においてその出力ノードが低電位電圧レベルになる回路素子である第2のグループの回路素子XB1、XB2には、VINTが供給される。 (もっと読む)


【課題】 小型・低雑音のスイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】 導通、遮断の2状態が交互に切り替わる複数のトランジスタで構成されたスイッチングレギュレータの出力段と、その出力段トランジスタを各々個別に駆動するための駆動回路から構成され、当該駆動回路は、各々出力段トランジスタにおける遮断から導通状態への遷移時間が、導通から遮断状態への遷移時間に比べて長くなるように立ち上がり、立ち下がり時の駆動能力をアンバランスに設定され、各々の遷移時間は、出力信号の電位があらかじめ設定された電位に達したことを判定して変化させることを特徴とするスイッチングレギュレータとして構成される。 (もっと読む)


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