【課題】主に自動車のドアの施解錠などに用いられる受信装置に関し、安価であり、かつ受信装置単体で正負逆転した電圧に耐えうることを両立したものを提供することを目的とする。
【解決手段】保護手段３５を、一つのツェナーダイオード３４と複数の整流手段３１〜３３で構成し、ツェナーダイオード３４のアノード電極をグランドに接続すると共に、カソード電極を、複数の整流手段３１〜３３の一端と接続し、複数の整流手段３１〜３３の他端はスイッチ手段５〜７と接続する。 （もっと読む）

【課題】切替え時のノイズを低減したアナログスイッチ回路を提供する。
【解決手段】入力信号をｎ個（ｎは、１以上）の出力信号としてそれぞれ出力するｎ個のスイッチ素子と、前記ｎ個のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、前記入力信号の負荷となるインピーダンス素子と、前記インピーダンス素子を制御するインピーダンス制御回路と、を備え、前記スイッチ制御回路は、前記ｎ個のスイッチ素子のすべてがオフ、またはいずれか１つがオンとなるように制御し、前記インピーダンス制御回路は、前記ｎ個のスイッチ素子のいずれか１つがオンのときは、前記インピーダンス素子を最大のインピーダンスに制御し、前記ｎ個のスイッチ素子がすべてオフのときは、前記インピーダンス素子を前記最大のインピーダンスよりも小さい第１のインピーダンスに制御する、ことを特徴とするアナログスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリーズＦＥＴおよびシャントＦＥＴとして４端子ＮＭＯＳＦＥＴを用いるＳＰＳＴスイッチ回路では、シリーズＦＥＴがオン状態で、シャントＦＥＴがオフ状態のときに、ＳＰＳＴスイッチ回路はオン状態になる。ＦＥＴのバックゲートには寄生ダイオードが存在し、入力交流信号電圧が所定の閾値を超えると、寄生ダイオードがオン状態になる。その結果、ＳＰＳＴスイッチ回路はスイッチ・デバイスとしての線形動作を維持できなくなり、挿入損失特性やゆがみ特性が悪化する場合がある。
【解決手段】ＦＥＴのバックゲートに、バイアス電圧を印加するためのバイアス電源を設ける。このバイアス電源として、ＤＣ−ＤＣ変換回路を用いることで、ＳＰＳＴスイッチ回路をシリコン半導体チップ化することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作が可能でありながら、中間電源電圧の供給の有無に関わらず動作可能である表示パネルドライバを提供する。
【解決手段】データ線ドライバ３が、出力アンプ回路１４と出力端子１６Ａ、１６Ｂとを具備する。出力アンプ回路１４は、電源電圧ＶＤＤと電圧ＶＭＬとの供給を受けて、正の駆動電圧を出力する正専用出力段２４Ａと、電源電圧と接地電圧の間の駆動電圧を出力可能な正負共用出力段２８とを備えている。正専用出力段２４Ａのプルダウン出力トランジスタは、ディプレッション型であり、正負共用出力段２８のプルダウン出力トランジスタは、エンハンスメント型である。電圧ＶＭＬがＶＤＤ／２に設定されたときは、正専用出力段２４Ａが正の駆動電圧を出力端子１６Ａ又は１６Ｂに出力する。電圧ＶＭＬが接地電圧ＶＳＳに設定されたときは、正負共用出力段２８が正の駆動電圧を出力端子１６Ａ又は１６Ｂに出力する。 （もっと読む）

【課題】信号の電力漏洩を抑制することができる切替回路を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の端子（Ｐ１）と、第２の端子（Ｔｘ）と、第３の端子（Ｒｘ）と、前記第１の端子及び前記第２の端子間に直列に接続される第１のトランジスタ（３０１）と、前記第１の端子及び前記第３の端子間において前記第１の端子側から順に接続される第１のインピーダンス変換素子（３１２）、第２のトランジスタ（３０２）、第３のトランジスタ（３０３）及び第２のインピーダンス変換素子（３１３）とを有し、前記第２のトランジスタは、前記第３のトランジスタ及び前記第１のインピーダンス変換素子の相互接続点と基準電位ノードとの間に接続され、前記第３のトランジスタは、前記第１のインピーダンス変換素子及び第２のインピーダンス変換素子間に直列に接続される切替回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】より適切にリセット信号を出力することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、信号端子の電圧に応じてリセット信号が出力される出力端子と、信号端子と電源との間に接続され、接地にゲートが接続された第１のＭＯＳトランジスタと、信号端子と接地との間に接続された第１の容量素子と、信号端子と接地との間に接続され、第１の端子にゲートが接続された第２のＭＯＳトランジスタと、電源と第１の端子との間に接続され、接地にゲートが接続された第３のＭＯＳトランジスタと、第１の端子と第２の端子との間に接続され、接地にゲートが接続された第４のＭＯＳトランジスタと、電源と第２の端子との間に接続された第２の容量素子と、第２の端子と接地との間に接続され、電源にゲートが接続された第５のＭＯＳトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘導負荷に流れる負荷電流を止めなくても、負荷電流の電流検出部のオフセットを検出して補正をすることができる、誘導負荷制御装置の提供を目的とする。
【解決手段】誘導負荷３０に流れる負荷電流の電流検出値を出力する電流検出回路１２と、電流検出値に電流検出回路１２のオフセットを反映することにより電流検出値を補正した補正検出値を出力する補正回路１３と、負荷電流の電流値がその指示値に一致するように、補正検出値に基づいて、誘導負荷３０を駆動するためのＰＷＭ信号のデューティ比を制御する制御回路１４とを備えており、制御回路１４は、負荷電流の電流値が安定した状態での制御方式を、閉ループ制御からその閉ループ制御で制御されていたデューティ比を維持するように制御する開ループ制御に切り替え、開ループ制御に切り替えられた状態で電流検出回路１２のオフセットが検出される、誘導負荷制御装置。 （もっと読む）

エネルギ効率を改善するよう、スイッチ回路（２）に給電する供給回路（１）は、電源（７）から第１の量の入力電力を受けて、スイッチ回路（２）の制御部（３）を有する出力回路（５）へ第１の量の出力電力を供給する第１の供給モードと、第２の量の入力電力を受けて、第２の量の出力電力を供給する第２の供給モードとを有する。第１の量の出力電力は、第２の量の出力電力よりも大きい。第２の量の入力電力は、零よりも大きく、且つ、スイッチ回路（２）を動作させるのに必要なスイッチ電力の量よりも小さい。スイッチ回路（２）は、負荷（８）を切り換えるリレーを有してよい。第１の量の入力電力は、リレーの主接触部を介して到達してよい。スイッチ（４７）は、出力信号レベルを切り替えてよい。リレーは、双安定リレーであってよい。
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【課題】周辺回路を誤動作させないスイッチ回路を提供する。
【解決手段】第一端子Ｐ１が内部回路への負の入力電圧を入力される時、ＮＭＯＳトランジスタ１２はオフするよう制御されているが、入力電圧が負であるので、この時のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲート・ソース間電圧に基づき、ＮＭＯＳトランジスタ１２が完全にオフしないで例えば弱反転領域で動作する。すると、接地端子ＶＳＳから第一端子Ｐ１にＮＭＯＳトランジスタ１２、１３を介して電流が流れる。よって、電源端子ＶＣＣでなくて接地端子ＶＳＳからこの電流は流れるので、この電流が流れることにより、電源電圧が低くならず、その電源電圧を使用する周辺回路が誤動作しない。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で受信系の性能を維持しつつ、受信時の入力電力に応じて信号を切り替えることができる半導体スイッチを提供する。
【解決手段】第１入出力端子Ｐ１と第２入出力端子Ｐ２との間に直列に接続された第１ＦＥＴ２と、第１入出力端子Ｐ１と第３入出力端子Ｐ３との間に接続された伝送線路４と、伝送線路４と平行に配置され、伝送線路４を通過する高周波信号の一部を分岐させる伝送線路７と、伝送線路７の一端に接続され、分岐された高周波信号の電力レベルに応じた直流電圧を出力する検波回路８とを備え、検波回路８からの出力に応じて第１ＦＥＴ２がスイッチング制御されることにより、第１入出力端子Ｐ１から第２入出力端子Ｐ２または第３入出力端子Ｐ３までの経路が切り替えられる。 （もっと読む）

【課題】低損失かつ高精度の電流検出手段を有するレノイド電流制御回路を提供することにある。
【解決手段】
直流電源１に対して直列接続されたハイサイドＭＯＳＦＥＴ４とローサイドＭＯＳＦＥＴ５との接続点からソレノイド６に電流を供給する。制御回路３は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ及びローサイドＭＯＳＦＥＴのオンオフを制御する。センスＭＯＳＦＥＴ７とセンス抵抗８との直列回路が、ローサイドＭＯＳＦＥＴ５と並列に接続される。誤差増幅器９は、センス抵抗８の両端の電圧を増幅する。制御回路２の電流算出部２Ａ，２Ｂは、誤差増幅器の出力値を用いて、ローサイドＭＯＳＦＥＴがオフとなる期間の電流を算出する。 （もっと読む）

【課題】入力信号電圧が変化する場合にも、オン抵抗の変動によって入力信号波形に生ずる歪みを低減し、入力連続信号の広い周波数帯域に渡ってオン抵抗を一定に保つことができるアナログスイッチ回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ソースが第１のスイッチ端子に接続され、ドレインが第２のスイッチ端子に接続される第１の電界効果トランジスタ（ＭＮ）と、電荷を充電するための第１の容量（ＣＰ）と、電荷を充電するための第２の容量（ＣＡ）と、直流電圧ノードと基準電位ノードとの間に第１の容量を接続するための第１のスイッチ回路（Ｓ１ＨＰ，Ｓ１ＬＰ）と、第１の容量及び第２の容量を並列に接続するための第２のスイッチ回路（Ｓ１ＨＳ，Ｓ１ＬＳ）と、第１の電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に第２の容量を接続するための第３のスイッチ回路（Ｓ２ＨＳ，Ｓ２ＬＳ）とを有するアナログスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】回路を構成する二重ゲート電界効果トランジスタの動作モードを、回路組み上げ後に適宜変更できるようにした二重ゲート電界効果トランジスタを用いたＭＯＳトランジスタ回路およびＣＭＯＳトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】二重ゲート電界効果トランジスタを用いたＭＯＳトランジスタ回路は、二重ゲート電界効果トランジスタＸ１（２１）の第１ゲートＧ１に第１の入力信号ｉｎ１を加え、第２ゲートＧ２に選択回路１１ａを接続し、その選択回路１１ａに第１の入力信号ｉｎ１と第２の入力信号ｉｎ２を加え、選択回路１１ａにより第１の入力信号ｉｎ１または第２の入力信号ｉｎ２を選択して第２ゲートＧ２に加える。第２ゲートＧ２に切り替えて入力される入力信号に応じて、３端子動作又は４端子動作を行わせる。 （もっと読む）

【課題】高集積化および低消費電力化を可能にする。
【解決手段】第１乃至第４の方向にそれぞれ設けられた第１乃至第ｎ（≧１）の信号線と、前記第１乃至第４の方向にそれぞれ設けられた第１乃至第ｎの入出力部であって、各方向における第ｉ（１≦ｉ≦ｎ）の入出力部は、一端が対応する方向の第ｉの信号線に接続する第１乃至第ｎの入出力部と、第１乃至第２ｎの接続端子と、前記第１乃至第４の方向にそれぞれ設けられ、各方向において前記第１乃至第ｎの入出力部のそれぞれと、前記第１乃至第２ｎの接続端子のそれぞれを接続するためにそれらの間に１個ずつ設けられ、ゲートにクロック信号を受ける２ｎ^２個のスピンＭＯＳＦＥＴと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの劣化を抑制する。
【解決手段】第１の期間と、第２の期間とを有する。第１の期間において、第１のトランジスタと第２のトランジスタとが交互にオンとオフとを繰り返し、第３のトランジスタと第４のトランジスタとはオフになる。第２の期間において、第１のトランジスタと第２のトランジスタとはオフになり、第３のトランジスタと第４のトランジスタとが交互にオンとオフとを繰り返す。こうして、トランジスタがオンになる時間を短くすることができるので、トランジスタの特性劣化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電圧パルスで振動子を駆動する送信回路において、誤送信や波形オーバーシュートを改善するため出力がハイインピーダンス状態にならない回路構成を提供し、且つ複数チャネルを集積化した半導体集積回路装置を実現する。
【解決手段】最も絶対値の大きい正電圧VPP1及び負電圧VNN1が供給された従来のパルス発生回路部10と、2番目に絶対値が大きい正電圧VPP2が供給されたP型アナログスイッチタイプのパルス発生回路部20と、2番目に絶対値が大きい負電圧VNN2が供給されたN型アナログスイッチタイプのパルス発生回路部30と、接地電位が供給されたN型アナログスイッチタイプの接地レベルダンピング回路部40とを備える送信回路において、10、20、30、及び40がそれぞれ出力端子OUTに接続される。スイッチ制御信号S1〜S5によって10、20、30、及び40を各別にオンオフして超音波振動子50を駆動する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタと容量によって情報を記憶し、リフレッシュを必要としないＲＦＩＤタグを提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、容量およびバッファを有するＲＦＩＤタグであり、第２のトランジスタのソースおよびドレインの一方は入力端子に電気的に接続され、ソースおよびドレインの他方は、第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方かつ第３のトランジスタのソースおよびドレインの一方に電気的に接続され、第１のトランジスタのソースおよびドレインの他方は容量の一方の電極かつバッファの入力に電気的に接続され、容量の他方の電極は基準電圧端子に電気的に接続され、バッファの出力は出力端子および第３のトランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】様々な電気光学パネルに対応した場合にも適正な表示画像を得ることができる集積回路装置等の提供。
【解決手段】集積回路装置は駆動回路と制御回路を含み、制御回路はアドレス制御回路を含む。表示メモリーには電気光学パネルの第１、第２の表示領域の表示データを記憶する第１、第２のメモリー領域ＭＲ１、ＭＲ２が確保される。アドレス制御回路は、第１の表示モードでは第１、第２のメモリー領域ＭＲ１、ＭＲ２のアドレスを、第１のアドレスＡＤ１から第ＮのアドレスＡＤＮへと変化させて、表示データを読み出し、第２の表示モードでは、第１のメモリー領域ＭＲ１のアドレスについては第１のアドレスＡＤ１から第ＮのアドレスＡＤＮへと変化させ、第２のメモリー領域ＭＲ２のアドレスについては第ＮのアドレスＡＤＮから第１のアドレスＡＤ１へと変化させて表示データを読み出す。 （もっと読む）

【課題】電子装置およびその外部電源供給装置の制御方法を提供する。
【解決手段】本発明による電子装置１は、オン状態とオフ状態を有する外部電源供給装置５と電気接続し、該電子装置はスイッチモジュール２と、内部電源モジュール３とを含み、スイッチモジュールが触発されると、スイッチ信号を生成する。内部電源モジュールは、スイッチ信号を受信し、トリガ信号を生成して、外部電源供給装置に伝送することにより、外部電源供給装置をオフ状態からオン状態に切り換え、該外部電源供給装置は、電子装置に電源を供給する。 （もっと読む）

【課題】改良された歪み特性，低減された消費電力，低減された回路サイズおよび向上されたサンプリングレートの少なくとも１つを可能にする電流モード回路の提供を図る。
【解決手段】電流信号Ｉ_INをサンプリングする電流モード回路４０であって、前記電流信号が印加される第１ノード（Ｉ_IN）と、それぞれ経路を通って前記第１ノードに導電的に接続され得るＸ個の第２ノードＡ〜Ｄと、前記第１ノードと前記第２ノード間の接続を、前記電流信号を構成する電荷の異なるパケットが、時間の経過により異なる前記経路を通ってステアされるように制御するステアリング手段４２と、を有し、前記Ｘは、３以上の整数であり、前記ステアリング手段は、Ｘ個の時間インターリーブされた湾曲の制御信号を生成する制御信号生成手段と、前記経路を通って分配され、前記Ｘ個の湾曲の制御信号に従って制御を実行するスイッチング手段と、を有するように構成する。 （もっと読む）