【課題】電磁機器の累積使用量が多くなっても少ないと同じ一定時間で電磁機器を動作状態から停止状態に移行させる。
【解決手段】電磁機器駆動装置は、励磁用電源から電磁コイルへの通電が停止したときに逆起電力によって電磁コイルの両端間に生じる電圧をクランプするフリーホイール回路と、フリーホイール回路によってクランプされた電圧が、電磁機器の累積使用量が少ないときよりも多いときの方が高くなるように、フリーホイール回路の動作を制御するコントローラーと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、急激な電流変化を回避してノイズの発生や不要輻射の放出を抑えると共に、ユーザの使用態様の多様性に柔軟に対応できるようにする。
【解決手段】 デューティ比を変えることをもってして、パルスの立ち上がりのタイミングをずらす、すなわち、ドライバトランジスタのオンするタイミングをずらす。また、いくつかの出力端子を束ねる構成とする場合には、それらの出力端子に対応する各ドライバトランジスタについては、デューティ比を同じとすることをもってして、各ドライバトランジスタを同時オンさせて個々のオーバーロードを回避する。言い換えれば、出力端子を束ねない限りにおいては、デューティ比を変えてパルスの立ち上がりのタイミングをずらすことが得策となる。 （もっと読む）

【課題】ソレノイドに流れる電流を検出するタイミングと、ＰＷＭ信号を出力するタイミングとのずれを抑制可能なソレノイドの通電制御装置を提供する。
【解決手段】ソレノイドの通電制御装置１００は、ソレノイド５０に流れる電流の電流値の取得用の電流取得用タイマ１０と、当該電流取得用タイマ１０の計数結果に基づいて、ソレノイド５０の通電を制御するスイッチング素子５１を駆動するＰＷＭ信号の１周期内において予め設定された回数だけ電流値を取得する電流値取得部１１と、ＰＷＭ信号の出力用のＰＷＭ制御用タイマ２０と、１周期内に取得された電流値に基づき、次の１周期にスイッチング素子５１に通電する通電時間を設定し、当該設定した通電時間に応じたＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ制御部２１と、ＰＷＭ制御用タイマ２０の計時結果に基づき、電流取得用タイマ１０の計時値を更新する計時値更新部４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電流制御装置をマイクロコントローラと電流制御用ＩＣを用いて構成するとともに、多チャンネル化した際にも小型で低コストな電流制御装置を提供することにある。
【解決手段】電流制御装置は、電流制御用半導体素子１と、電流制御用半導体素子１に、負荷を駆動するためのＰＷＭパルスを出力し、電流制御用半導体素子から、ハイサイド電流検出回路６とローサイド電流検出回路７の出力を入力するマイクロコントローラ１２とを有する。電流制御用半導体素子１の出力合成回路８は、ＰＷＭパルスに同期して、１つの信号線上にハイサイド電流検出回路６の出力と、ローサイド電流検出回路７の出力を切り替えて、マイクロコントローラ１２に出力する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５とコイル２との共通接続点；出力端子ＯＵＴとグランドとの間にフライホイールダイオード３を接続する。ＦＥＴ５のゲートには、ＮＰＮトランジスタ６及びＰＮＰトランジスタ７のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ７のベースとグランドとの間にＮＰＮトランジスタ１１を接続し、トランジスタ１１のベースとグランドとの間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を接続して、ＦＥＴ１４にＰＷＭ信号を入力する。ダイオード１３は、ＦＥＴ１４がオフ状態になるとトランジスタ１１のベースにベース電流を供給し、ダイオード１５をダイオード１３のアノードとトランジスタ６及び７のベースとの間に接続する。ＮＰＮトランジスタ２２をＦＥＴ５のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ２２をＰＷＭ信号に応じてＦＥＴ５がオフする際にオンさせる。 （もっと読む）

【課題】実際に発生しているフライバックエネルギーを定量的に評価した上で保護動作を行うことができるスイッチング素子の制御装置を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２を介してコイル１に供給される電流をセンスＭＯＳＦＥＴ６及び検出用抵抗素子２１により検出し、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２をターンオフさせた際に発生し、ドレインに印加される逆起電圧をクランプ回路３によってクランプする。電流検出回路２４は、クランプ回路３に発生するクランプ電圧によりＮチャネルＭＯＳＦＥＴがターンオンした際に、検出用抵抗素子２１に流れる電流を複数の閾値と比較し、保護動作部２６は、電流検出回路２４の比較結果により、前記電流がＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２をターンオフさせた時点からの時間経過に対応する特定の閾値を超えていると判定されると、逆起電圧に基づくエネルギーを減少させるようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２の制御状態を変更する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の制御に好適な制御信号発生回路を提供する。
【解決手段】ジョンソンカウンタ３１は、フリップフロップＦＦ１〜ＦＦ４およびゲート回路４１〜４４を含み、順次入力されるスタート信号ＳＴ１〜ＳＴ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｈ」レベルにした後、順次入力されるストップ信号ＳＰ１〜ＳＰ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｌ」レベルにする。したがって、多数のフリップフロップを用いることなく、所望の時間間隔で制御信号Ｃ１〜Ｃ４を順次「Ｈ」レベルにし、順次「Ｌ」レベルにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 衛星搭載コンポーネントのうち、衛星内部に配信される基準タイミングに同期して周期動作を行うようなコンポーネントでは、オシレータが有するクロック精度誤差のため、周期タイミングにずれが生じることがあり、これを回避する自動補正機能付き周期タイマを得る。
【解決手段】 基準タイミングの間隔を内部クロックによりカウントし、カウント値に従ってコンポーネントの周期タイミングを生成する。ユーザは予め周期タイミングの設定を「基準タイミングに対する分割数」として２の冪乗の値で与えて与えておき、基準タイミングの間隔のカウント値を分割数に従いビットシフトすることで周期タイマのカウント値を算出し、周期タイミングを生成する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の動作に起因するノイズの大きさが低減された、小型で製造コストの低いスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と、一定周期でパルス波のドライバ信号を出力するドライバ信号出力回路と、ドライバ信号のパルス波の周期を複数含む一定期間内において駆動力を変化させながら、ドライバ信号の周期に同期してスイッチング素子を駆動する駆動回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】直流電源１７からスイッチ用のＦＥＴ１８を経て負荷１６へ電力を供給する電源装置においては、２種類の保護回路が設けられていた。第１は、該ＦＥＴの温度を検出し、所定温度に達したら該ＦＥＴをオフする回路である。第２は、デッドショート時のような大過電流が流れた場合には、電流を所定電流に制限する電流制限回路である。保護回路を２種類設けると、部品コストが大になっていた。
【解決手段】比較基準電圧生成回路４０を電流供給部４１と比較基準電圧発生抵抗部４６とで構成し、比較基準電圧Ｖ_X を生成する。過電流検出電圧生成回路５０を電流供給部５１と過電流検出抵抗部５４とで構成し、ＦＥＴ１８の電圧Ｖ_DSが増大すると減少する電流検出電圧Ｖ_Y を生成する。電圧Ｖ_DSの増大を検出してＦＥＴ１８をオフすれば、過電流保護も過熱保護も可能となる。 （もっと読む）

【課題】直流電源１１からスイッチ用のＦＥＴ１２を経て負荷１４へ電力を供給する電源装置においては、２種類の保護回路が設けられていた。第１は、該ＦＥＴの温度を検出し、所定温度に達したら該ＦＥＴをオフする回路である。第２は、デッドショート時のような大過電流が流れた場合には、電流を所定電流に制限する電流制限回路である。保護回路を２種類設けると、部品コストが大になっていた。
【解決手段】ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧に比例した電流Ｉを生成する電流変換回路４と、容量素子を含む一次遅れ回路として構成された過電流検出用電圧発生回路６とを直列接続し、その接続点Ｓの電圧を過電流検出用電圧Ｖ_S とする。過電流検出回路５から制御回路３へ過電流検出信号が入力されて来たとき、制御回路３はＦＥＴ１２をオフする。過電流検出用電圧発生回路６の回路定数の設定を工夫することにより、Ｖ_S を速やかに大になるようにすることが出来、１種類の保護回路で大過電流時にも保護が出来る。 （もっと読む）

【課題】急激なアンダーシュート波形が生成されることにより発振状態になって不安定な動作を引き起こすことを防止する。
【解決手段】パワー素子４をオンさせる際に、パワー素子４の制御端子４１に比較的大きな電流を供給することで制御端子４１の電圧を比較的大きな勾配で上昇させつつ、制御端子４１の電圧がクランプ電圧に至ってから電圧状態が安定化するまでは、制御端子４１への比較的大きな電流の供給を保持する。そして、制御端子４１の電圧状態が安定化した後に、制御端子４１への電流供給が定電流回路３１のみから為されるようにし、比較的小さな電流が制御端子４１に供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】クロック信号が切り替えられた際の不具合の発生を低減する。
【解決手段】本発明に係るタイマ回路１１０は、入力クロック信号１１５を用いてカウント値１３４をカウントするカウンタ１２３と、入力クロック信号１１５が変更された際に、基準値１３５として第３設定値１３３を選択する選択部１２５と、カウント値１３４が基準値１３５分変化したタイミングで変化するタイマ出力信号１１６を生成する比較部１２７と、現在のカウント値より大きい値を第３設定値１３３として演算する第３設定値演算部１２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】出力アンプのスルーレートを、出力負荷変動があっても高精度に調整可能なスルーレート制御回路を提供すること。
【解決手段】制御時間設定回路がスルーレートを検出するタイミング信号を発生し、電圧比較回路が、出力アンプの出力信号と、上記のタイミング信号によるタイミングに応じた制御電圧との比較を行う。比較結果に応じて、出力アンプ制御回路が、出力アンプのバイアス電流を制御する。上記した処理を、スルーレート制御期間において複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】クロック源の消費電力を増大させることなく、動作クロック周波数に応じて駆動能力を変化させることにより消費電力低減可能なクロックバッファ回路を提供すること。
【解決手段】クロック信号を伝達するバッファ部１０２と、クロック信号の参照クロック信号に対する逓倍数をカウントし、バッファ部１０２に対して逓倍数に基づいたイネーブル信号を出力する駆動能力切替部１０１と、を備え、バッファ部１０２は、当該バッファ部１０２の入力に接続された入力インバータ７と、イネーブル信号によりオンオフが可能であって、それぞれの出力が当該バッファ部の出力に共通に接続された複数の出力インバータ１３〜２８と、を備え、入力インバータ７が１個のＣＭＯＳインバータからなるクロックバッファ回路。 （もっと読む）

【課題】接点スイッチの仕様が変わっても回路変更が必要なくコストダウンを図ったスイッチ回路を提供する。
【解決手段】電流可変回路９が、接点スイッチ３に対して直列接続される。電流可変回路９は、互いに並列接続された複数の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３と、この複数の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３に各々直列接続されると共に互いに並列接続された複数のトランジスタスイッチＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３と、を備えている。この電流可変回路９は、トランジスタスイッチＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３のオンオフによって接点スイッチ３がオンのときに当該接点スイッチ３に流れる電流を可変にする。そして、制御ユニットが、接点スイッチ３の仕様に応じた電流が接点スイッチ３に流れるように電流可変回路９を制御する。 （もっと読む）

【課題】大きな外付け容量素子による時定数に依存することなく遅延時間を設定でき、ユーザが実装システム上でリセット解除に代表されるパルス変化の遅延時間を容易に変更する事ができ、電源瞬停時にリセット解除に代表されるパルス変化までの遅延時間が短くなる虞を抑制する。
【解決手段】発振回路（３）の発振動作で生成されるパルス信号をカウントし、カウント値が所定値に達したところでリセット解除に代表されるパルス変化のタイミングを生成する技術において、半導体装置の外部端（Ｐ１）子に接続される抵抗素子（Ｒ８）の抵抗値によって発振回路の発振周波数を可変にする。外付け抵抗素子によってリセット解除に代表されるパルス変化のタイミングを可変に設定することができ、それは、大きな外付け容量素子を用いる時定数に依存する遅延時間を必要とせず、故に、電源瞬停時にリセット解除に代表されるパルス変化までの遅延時間は短くならない。 （もっと読む）

【課題】通信周波数を微小変動させる技術よりも、ノイズレベルの低減を更に図ることができるＰＷＭ制御のデューティ決定方法を提供する。
【解決手段】制御ＩＣ６３が、駆動回路に出力するＰＷＭ信号のデューティを、指令値を中心に、所定期間内における平均が前記指令値に一致するように微小変動させる場合、ＰＣ６８のデータベース６９に、実際にＰＷＭ信号を駆動回路に与えることで発生したノイズ成分のレベル測定結果を反映したデータを、そのデューティの変動態様と共に記憶する。そして、データベース６９に記憶されているデータを参照し、与えられた動作環境や動作条件等に応じて抑圧対象となる周波数帯のノイズレベルを低減するように、制御ＩＣ６３によるＰＷＭデューティの変動態様を決定する。 （もっと読む）

【課題】光学式のタッチセンサの検査を簡易に行うことの可能なセンサ画素検査用のバス幅変換回路、ならびにそれを備えた情報入出力装置および電子機器を提供する。
【解決手段】バス幅変換回路１１ｃは、複数の受光セルＣＲを有する入力パネル１１に設けられており、受光セルＣＲの受光信号を出力するＮ本のセンサ信号線ＳＳｉｇＸと、Ｍ本（２＜Ｍ＜Ｎ）の検査用出力線ＳｏｕｔＸとの間に接続されている。バス幅変換回路１１ｃは、Ｎ本のセンサ信号線ＳＳｉｇＸから入力されるパラレル信号を、Ｍ本またはＭ本よりも少ない数のパラレル信号として、複数の検査用出力線ＳｏｕｔＸに出力する。 （もっと読む）