【課題】Ｐ型電界効果トランジスタとＮ型電界効果トランジスタとが同時にオン状態になる期間内で発生する短絡電流に起因する消費電力の増大を抑制するともに、パワー素子を高速スイッチングさせることが可能なゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】このゲート駆動回路１１は、ＰｃｈＦＥＴ１２と、ＮｃｈＦＥＴ１３と、駆動信号が入力される入力側とＰｃｈＦＥＴ１２のゲート（Ｇ）およびＮｃｈＦＥＴ１３との間に設けられ、電源電位ＶＣＣに接続されているツェナーダイオード１４およびツェナーダイオード１５とを備え、ツェナーダイオード１４および１５は、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）に印加される電圧を、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）の閾値電圧側にシフトさせるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が変動しても半導体デバイスのオン動作及びオフ動作を安定して駆動できる半導体デバイス駆動回路を得る。
【解決手段】ドライブ回路１０は、入力回路１１より得られる制御信号Ｓ１１に基づき、インバータＧ４から電源電圧ＶＣＣにより決定される“Ｈ”（オンレベル）、あるいは接地電圧ＧＮＤにより決定される“Ｌ”（オフレベル）の出力電圧ＶＯＵＴ１を駆動信号として半導体デバイスＱ１のゲートに出力する。基準電源部１４は抵抗Ｒ１及びＲ２の直列接続により、電源電圧ＶＣＣ，接地電圧ＧＮＤ間の電位差を所定の分圧比率（抵抗Ｒ１及びＲ２による抵抗比）で分圧して得られる電圧が基準電圧ＶＲＥＦ１として得られる。バッファ回路８は基準電圧ＶＲＥＦ１により決定される基準信号となる出力電圧ＶＯＵＴ２を半導体デバイスＱ１のソースに付与する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の走査信号線の駆動回路において、走査信号線の出力波形なまりを改善し、表示品質を高めた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数の信号線Ｇ_ｎに対して、順に画素トランジスタを導通させる電位であるアクティブ電位を印加する駆動回路２１０を備え、前記駆動回路２１０は、前記複数の信号線のうちの一の信号線である出力信号線の一端に、より上位の前記出力信号線において出力されるアクティブ電位が入力されることに起因して、クロック信号を印加してアクティブ電位を出力させる主駆動回路２４０と、前記出力信号線の他端、及び前記クロック信号の信号線が、ソース／ドレインを介して接続されたトランジスタである補助トランジスタを含む補助駆動回路２５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 超音波診断装置等に適用され、送信信号または反射信号の電位変動に対しスイッチの誤動作や素子の破壊を起こすことなく、生体からの反射信号を広帯域、低雑音で受信回路に伝送するT/Rスイッチ回路を実現する。
【解決手段】 ２つのMOSトランジスタのソースを共通に直列接続した共有ソース端子と、双方向スイッチ回路のゲート端子を共通に接続した共有ゲート端子と、２つのMOSトランジスタのドレインが入出力端子に接続されて構成される双方向スイッチ回路と、共有ゲート端子と共有ソース端子に接続され共有ソース端子の電位変動に対して共有ゲート端子の電位を同相で追従させ、スイッチのオンまたはオフ信号を共有ゲート端子に送るフローティングゲート電圧制御回路と、によりスイッチ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】入力信号をレベルシフトして出力するレベルシフト回路を有しながらも、電源の電圧変動等による誤信号の出力を抑えることが可能となる信号伝達回路を提供する。
【解決手段】第１入力信号および第２入力信号の各々をレベルシフトし、それぞれ第１シフト済み信号および第２シフト済み信号として出力する、レベルシフト回路を備え、レベルシフト回路は、第１入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第１直列回路、および、第２入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第２直列回路が、電源と接地端との間において互いに並列に設けられており、第１直列回路上の電圧を第１シフト済み信号として、第２直列回路上の電圧を第２シフト済み信号として、それぞれ出力するようになっており、接地端から第１直列回路および第２直列回路に向かって逆電流が流れることを防止する、逆流防止部を備えた信号伝達回路とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位（ＶＤＤ、ＶＳＳ）が供給される第１のトランジスタ（３２、３３）を有するスイッチ回路（３１）と、入力信号が印加される入力端（ＩＮ）と第１のトランジスタの制御端子（ゲート）との間に接続された補正回路（３４、３６）とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量（Ｃ２、Ｃ３）と、該容量と前記制御端子との間のノード（Ｎ５、Ｎ６）と電源電位との間に設けられた、第１のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第２のトランジスタ（３５、３７）と、第２のトランジスタに直列に接続されたスイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）とを有するデジタル回路（３０）を提供する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタの駆動用電源から引き抜かれる無駄な駆動制限電流を低減する。
【解決手段】駆動制限回路１１は、トランジスタ５に流れる検出電流Ｉｓを入力すると、それに応じた駆動制限電流をチャージポンプ回路６から制御ライン１２を介して引き抜くことにより、電流Ｉｍを保護開始電流値Ｉm1以下に制限する。電流引受回路２５は、トランジスタ４の保護開始電流値Ｉm1に対応してトランジスタ５に流れる検出電流値よりも小さく設定された引受電流Ｉａを流し込む。検出電流Ｉｓが引受電流Ｉａ以下のときは、検出電流Ｉｓは全て電流引受回路２５に流れ込むので、チャージポンプ回路６の出力電流は全てトランジスタ４のゲート駆動に使われる。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とする。
【解決手段】負電圧レベルシフト回路４ａは、第３のレベルシフタ１３ａと、第４のレベルシフタ１４ａとを具備すると共に、レベルシフト基準電圧回路３からの切替信号に応じて第４のレベルシフタ１４ａを短絡、開放するレベルシフト切替スイッチ８ａとを具備してなり、負電圧ＶＳＳの大きさに応じて、レベルシフト切替スイッチ８ａのオン、オフを選択することで、負電圧ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドの拡張が可能に構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位（ＶＤＤ、ＶＳＳ）が供給される第１のトランジスタ（３２、３３）を有するスイッチ回路（３１）と、入力信号が印加される入力端（ＩＮ）と第１のトランジスタの制御端子（ゲート）との間に接続された補正回路（３４、３６）とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量（Ｃ２、Ｃ３）と、該容量と前記制御端子との間のノード（Ｎ５、Ｎ６）と電源電位との間に設けられた、第１のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第２のトランジスタ（３５、３７）と、第２のトランジスタに直列に接続されたスイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）とを有するデジタル回路（３０）を提供する。 （もっと読む）

【課題】直流給電において、負荷に過電流が流れた場合、負荷電流路を瞬時に自動的に遮断する。さらに、負荷短絡が発生した場合でも、瞬時に自動的に負荷電流路を遮断する。
【解決手段】第１コイルの一端に外部の直流電源の一方の極の電位が印加され、第１半導体素子の他端に外部の直流電源の他方の極の電位が印加されているとき、第１コイルの他端と第２コイルの他端間に所定の電流値を超えた電流が流れると、第１半導体素子の一端の電位により、第２制御端を制御し、さらに第２半導体素子の一端の電位により、第１制御端を制御し、第１半導体素子が有する電流路を遮断する。 （もっと読む）

【課題】センサノードチップでの消費電力を効果的に削減して、センサチップノードの小型化を実現する。
【解決手段】外部振動に応じて容量値が互いに差動的に変化する２つの可変容量素子ＣＰ，ＣＳからなるセンサ素子部１１と、順方向で直列接続した３つ以上のダイオードＤ１〜Ｄ３とその後端部に接続した固定容量素子ＣＳとからなるセンサ回路部１２とを設け、センサ素子部１１で得られた互いに差動的に変化する検知信号ＢＰ，ＢＮで、各ダイオードＤ１〜Ｄ３を交互に導通制御して固定容量素子ＣＳを徐々に充電することにより、外部振動に応じた電圧を示すセンサ出力信号ＳＯを得る。 （もっと読む）

【課題】 超音波診断システム等に用いられる送信回路を、小面積で振動子駆動回路部高圧電源の高電位側及び低電位側とも0〜±200V程度まで可変とし、もって複数チャネルの送信回路を集積化した半導体集積回路装置を実現する。
【解決手段】 ゲート駆動回路部10において入力電圧パルスを電流パルスに変換し、振動子駆動回路部20に印加される高電位側電圧+HV及び低電位側電圧-HVを基準として、再び電流パルスを電圧パルスに変換することによって入力電圧パルスの電圧レベルシフトを実現すると共に、そのシフトされた電圧パルスを入力とするゲート駆動回路部10の出力バッファの電圧パルス振幅を、同じく振動子駆動回路部20に印加される高電位側電圧+HV及び低電位側電圧-HVを基準としてゲート駆動回路部10にて生成する構成とする。ゲート駆動回路部10と出力負荷駆動回路部20とは直流的に結合される。 （もっと読む）

【課題】充分な昇圧電圧を確保しながら、挿入損失の低下を防ぐことによりアンテナスイッチの高調歪みを低減させる。
【解決手段】制御端子Ｔｘ１ｃＬにオン電圧が印加されて、アンテナ端子と送信端子Ｔｘ１との間に設けられたアンテナスイッチ部がオンとなり、ＰＣＳ／ＤＣＳ方式の送信信号が送信端子Ｔｘ１からアンテナ端子を通過する。その際、送信信号の一部分が供給された昇圧回路３０は、ダイオード３２，３３の整流作用により制御部から出力される制御電圧よりも高い昇圧電圧を出力端子ＤＣｇａｔｅに発生させ、アンテナスイッチ部のトランジスタ回路のゲートに印加する。この昇圧回路３０では、抵抗３６が出力端子ＤＣｇａｔｅに接続されているので入力された送信電力のＲＦ信号経路における抵抗通過が１個だけとなり、送信信号の減衰を小さく抑えて挿入損失特性を良好にする。 （もっと読む）

【課題】一度異常が検出されたなら、電源を遮断しても継続的に通電を制限できるパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】制御信号が入力される外部制御端子８と、出力電流が流入または流出する２つの外部出力端子３，４と、出力電流を制御するパワー半導体素子２とを有する半導体装置１に、パワー半導体素子２の動作状態に応じた電気信号を出力する動作状態検出回路６と、動作状態検出回路６の出力が入力され、動作状態検出回路６の出力がパワー半導体素子２の異常を示す値になると所定の出力状態となり、電源が遮断されても所定の出力状態を保持し続ける不揮発性の状態保持回路７と、前記制御信号および状態保持回路の出力に応じて、パワー半導体素子２の出力を制限する制御回路５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】導通状態においても消費電流を低減することができる半導体スイッチ回路を提供すること。
【解決手段】半導体スイッチ回路１００は、入出力端子１０１と入出力端子１０２間に、ソースを共有し、直列接続される導通用のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１０１，Ｑ１０２と、Ｑ１０１のゲートにドレインが接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１０３及びＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１０５と、Ｑ１０２のゲートにドレインが接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１０４及びＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１０６と、各トランジスタのゲートに接続された制御端子１０３とを備え、Ｑ１０３，Ｑ１０４のソース及びバックゲートはＱ１０１，Ｑ１０２のソースに接続される構成とし、制御端子１０３に印加する制御信号の電圧値Ｖｃｏｎｔによる電圧制御により、入出力端子１０１と入出力端子１０２間を導通／非導通に切り替える。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路を構成するトランジスタにおいて発生するアーリー効果の影響を排除して、過電流検出精度を向上可能な過電流検出回路を提供する。
【解決手段】過電流検出回路２１が、ＭＯＳトランジスタ２により負荷１を通電駆動すると、負荷電流の１／ｎの電流をＭＯＳトランジスタ３側に流し、更にその電流をカレントミラー回路６によりミラーさせて抵抗１０及び電圧検出回路１１により検出を行なう場合、カレントミラー回路６とＭＯＳトランジスタ３並びに電流検出抵抗１０との間に、アーリー効果キャンセル回路２９を配置する。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプ回路のクロックドライバーのサイズを縮小してコストダウンを図る。
【解決手段】本発明のチャージポンプ回路は、プラス昇圧チャージポンプ回路１００Ａにおいて、初段のノードａに生成された正の昇圧電圧２ＶＤＤを用いて、第１、第３及び第４のクロックドライバー４１，４３，５１の高レベル（ＶＤＤ）を出力するＭＯＳトランジスタをオンさせるためのゲート電圧として用いる。また、マイナス昇圧チャージポンプ回路２００Ａにおいて、初段のノードｄに生成された負の昇圧電圧−ＶＤＤを用いて、第２及び第５のクロックドライバー４２，５２の高レベルを出力するＭＯＳトランジスタをオンさせるためのゲート電圧として用いる。 （もっと読む）

【課題】電動機の性能向上のため、所定の短時間のみ電動機側への電流すなわちインバータからの出力電流を大電流化するようなインバータ装置においても、短絡過電流に対してスイッチング素子を保護することができる電圧駆動素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２つ以上の電圧駆動型スイッチング素子（Ｑ１、Ｑ２）を直列に接続したアームにおける電圧駆動素子の駆動方法において、インバータの出力電流要求値が所定の電流値以上となった場合に、通電に寄与しない電圧駆動型スイッチング素子のゲート電圧を、通電に寄与する電圧駆動型スイッチング素子のゲート電圧よりも低下させるとともに、通電に寄与しない電圧駆動型スイッチング素子の過電流検知レベルを、通電に寄与する電圧駆動型スイッチング素子の過電流検知レベルよりも低下させる（第１発明）。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子やスイッチング回路を構成する素子のオン抵抗を低減する。
【解決手段】 半導体装置１には、インバータＩＮＶ１、インバータＩＮＶ２、負電圧発生回路４、レベルシフタ１１、及びＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰ１が設けられている。インバータＩＮＶ２は、高電位側電源Ｖｄｄと負電圧発生回路４から出力される低電位側電源としての負電圧−Ｖｎの間に設けられている。Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰ１は、ソースが入力端子２に接続され、ドレインが出力端子３に接続され、ゲートに制御信号ＳＧ３が入力され、入力端子２から、高電位側電源Ｖｄｄが供給される。そして、制御信号ＳＧ３の信号レベルが“Ｌｏｗ”レベル（−Ｖｎ）のときに、Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰ１はオンして、出力端子３側に設けられた負荷に電力を供給する。 （もっと読む）