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Fターム[5J056BB18]の内容

論理回路 (30,215) | 目的、効果 (4,057) | 性能の向上 (1,590) | 動作電圧の低電圧化 (92)

Fターム[5J056BB18]に分類される特許

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【課題】駆動用のMOSトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧IN2が入力される入力端子104、入力電圧IN2に基づいてVCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ201、203、入力電圧IN2に基づいて2VCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ202、204、MOSトランジスタ201、202に一端が接続され、他端がMOSトランジスタ202、204に接続される容量素子206、ソース・ドレイン端子の一方に2VCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にVCCが供給され、2VCCまたはGNDがゲート端子に供給され、2VCCまたはGNDによってオン、オフされるMOSトランジスタ205と、によって昇圧回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】低電圧動作を実現可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】入力電位は、GNDとVDDとの間で切り替わる。電源端子には、VDDよりも高いVDDOが印加される。レベルシフト回路は、クランプ回路と接続制御回路を備える。クランプ回路は、ソースが第1ノードに接続され、ドレインがP側出力端子に接続され、ゲートが電源端子に接続された第1NMOSトランジスタと、ソースが第1ノードに接続され、ドレインがN側出力端子に接続され、ゲートがグランド端子に接続された第1PMOSトランジスタと、を備える。入力電位がGNDとVDDの一方の場合、接続制御回路は、P側出力端子にVDDOを印加し、且つ、N側出力端子とグランド端子との間の電気的接続を遮断する。入力電位がGNDとVDDの他方の場合、接続制御回路は、N側出力端子にGNDを印加し、且つ、P側出力端子と電源端子との間の電気的接続を遮断する。 (もっと読む)


【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な
振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路150および差動回路1
60を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ105、106を介して差動回路1
60に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場
合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能
とする。 (もっと読む)


【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な
振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路150および差動回路1
60を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ105、106を介して差動回路1
60に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場
合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能
とする。 (もっと読む)


【課題】広いダイナミックレンジと良好な周波数特性を得ることができる信号出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の信号出力回路は、ゲート端子へ一定の電圧Vgが印加され、ソース端子へ入力信号INが印加されるゲート接地型のNMOSトランジスタ1と、ゲート端子がNMOSトランジスタ1のドレイン端子に接続され、ソース端子から出力信号OUTが出力されるソースフォロワであるNMOSトランジスタ2とを備える。この信号出力回路は、バックゲートバイアス生成部3が、NMOSトランジスタ1およびNMOSトランジスタ2のバックゲート端子へ印加する共通のバックゲートバイアス電圧Vbを生成する。 (もっと読む)


【課題】低いデューティサイクル歪み及び高い電源電圧マージンの高速レベルシフティング回路を提供する。
【解決手段】レベルシフタ100は、反転回路104と、クロス接続されたレベルシフティングラッチ102と、SRロジックゲートラッチ103とを含み、レベルシフティングラッチ102の第1、第2出力は、SRロジックゲートラッチ103のセット(S)入力ノード121およびリセット(R)入力ノード120に接続され、反転回路104は、レベルシフティングラッチ102の第1入力ノード112に非反転の信号を供給すると共に、第2入力ノード113に反転の信号を供給し、入力信号のロウからハイへの変化はSRロジックゲートラッチ103をリセットし、ハイからロウへの変化はSRロジックゲートラッチ103をセットするように構成されている。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスの全ての受け容れられる変化及び全ての許容動作温度にわたって所与の周波数で正しい動作を保証する供給電圧を決定する。
【解決手段】集積回路は、テストに不合格となるまで、各々、より低い要求供給電圧大きさで集積回路のロジック回路のテストを繰り返すように構成された自己校正ユニットを備えている。テストに合格する最も低い要求供給電圧大きさを使用して、集積回路の要求供給電圧大きさを発生する。集積回路は、集積回路のエリアにわたって物理的に分布されたロジックゲートの直列接続体と、論理的遷移をその直列接続体へ送出し、そしてそれに対応する遷移をその直列接続体の出力において検出するように構成された測定ユニットとを備えている。送出と検出との間の時間量を使用して、集積回路の供給電圧大きさを要求する。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの供給する電源電圧の低下により、誤動作を起こす虞がある。
【解決手段】通常動作より低い消費電力状態である低消費電力モードを有する半導体集積回路であって、前記低消費電力モード状態時に、電源電圧レベルを検出する検出手段と、前記検出した電源電圧レベルを記憶する記憶手段と、前記通常動作時よりも小さい電流を流すことで、前記電源電圧を低下させる擬似負荷手段と、前記擬似負荷手段により電流を流す前に前記記憶手段で記憶した第1の電圧レベルに応じて前記検出手段の検出レベルを第2の電圧レベルに切り換える切換え手段と、前記擬似負荷手段により電流を流すことにより低下した前記電源電圧が、前記第2の電圧レベルとなるかを判定し、前記低消費電力モードを解除するか否かの制御を行う制御手段と、を有する半導体集積回路。 (もっと読む)


【課題】低電圧動作及び高速動作が可能な、判定帰還型のイコライズ回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる判定帰還型イコライズ回路は、ダイナミック型サンプル回路1、ラッチ回路2及びバッファ回路3を備える。ダイナミック型サンプル回路1は、入力データIN及びINB、フィードバック信号FB1〜FBn及びFBB1〜FBBnをサンプリングし、サンプリングした信号を加算したサンプル信号SS及びSSBを出力する。ラッチ回路2は、差動サンプル信号サンプル信号SS及びSSBの差電圧を増幅し、増幅した信号を保持する。なお、ラッチ回路2は、差動サンプル信号SS及びSSBが過渡状態にあるときの差電圧を増幅する。バッファ回路3は、ラッチ回路2により保持された信号を出力データOUT及びOUTBとして出力する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧が動作電圧以下でも出力が不定にならず、かつ面積の小さい出力回路を提供する。
【解決手段】インバータ回路の電源端子にスイッチ回路を設け、電源電圧が回路の動作電圧以下のとき、スイッチ回路がインバータ回路の動作を停止させる。そして、インバータ回路の出力端子に電流源を設け、インバータ回路の動作が停止したときに出力を電源電圧に固定する、ように構成した。 (もっと読む)


【課題】 ゲート−ソース逆バイアス駆動の動作原理を定量化し、MOSTのしきい電圧と動作電圧の関係を明らかにすることにより、逆バイアス駆動の原理を活用した複数のMOSTの組み合わせを用いて、動作電圧1V以下の高速低電圧動作を可能にする。
【解決手段】 低VtのMOSTを含む回路のリーク電流を、MOSTのゲート(G)とソース(S)を逆バイアスする各種の駆動方式によって低減する。低VtのMOSTに各種のG−S逆バイアスを加えることにより、リーク電流の少ない1V以下の高速低電圧CMOS論理回路、あるいはメモリ回路が実現される。 (もっと読む)


【課題】低コストで低電圧高速動作が可能なI/O回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】I/O回路において、I/O電圧vcc(例えば3.3V)をvcc_18(例えば1.8V)へ低電圧化した場合に、速度劣化を引き起こす部分が、レベル変換部と、メインの大型バッファを駆動するためのプリバッファ部分であることに着目し、レベルアップコンバータLUCとプリバッファPBFの回路に高電圧(電圧vcc)を印加することにより、低コストで低電圧高速動作が可能なI/O回路を実現する。 (もっと読む)


【課題】出力特性の自動調整が可能で、かつ低電力で動作できる高速デジタル出力ドライバを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】出力用ドライバ3は、参照電流Iref2の大きさに応じて、出力特性の調整が可能なスケーラブル低電圧信号方式のドライバである。出力用ドライバレプリカ4は、出力用ドライバを複製したものであり、自身の出力と基準電圧との差に基づいて、参照電流Iref2の大きさを調整して出力用ドライバ3へ出力する。 (もっと読む)


【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路150および差動回路160を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ105、106を介して差動回路160に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能とする。 (もっと読む)


【課題】モジュール化された画像形成装置における装置間の差動通信部の電圧レベルを検出することで、通信エラーの要因判別を可能にし、更に、差動伝送特有のインピーダンスのアンバランスにおける電圧レベルを検出することを目的とする。
【解決手段】モジュール化されたユニットにより構成され、前記モジュール化されたユニット間で差動伝送方式のシリアル通信を行う通信手段を備えた画像形成装置において、差動信号変換後の信号の電圧レベルを検出する電圧レベル検出手段106と、前記電圧レベル検出手段が検出した電圧レベルが所定の電圧レベルかを判断することで、異常検知を行う信号線異常検知手段102を備えたことを特徴とする画像形成装置。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の低電圧化に対応可能とし高速化を実現するレベルシフタ回路の提供。
【解決手段】第1の電源と基準電源に対応した振幅の入力信号に応答してオン・オフが制御される第1のトランジスタと、入力信号の相補信号に応答してオン・オフが制御される第2のトランジスタと、縦積み接続された第3、第4、第5、第6のトランジスタと、を備え、第1及び第2のトランジスタは第1導電型で、第3乃至第6のトランジスタは第2導電型で、第1、第3、第5のトランジスタは、基準電源と、第1の電源電圧と異なる電圧の第2の電源との間に接続され、第2、第4、第6のトランジスタは、基準電源と、第2の電源との間に接続され、第1のノードは、第4トランジスタの入力端子と第5のトランジスタの入力端子に共通に接続され、第2のノードは、第3トランジスタの入力端子と第6のトランジスタの入力端子に共通に接続する。 (もっと読む)


【課題】プリエンファシス機能を有する出力回路において、デエンファシス時における差動出力信号のコモンモード電圧のプリエンファシス時のコモンモード電圧からの変動を抑制する。
【解決手段】入力信号とその相補信号とを差動入力して差動出力し、差動出力信号のうち高電位側の出力信号にデエンファシスをかける際に、当該デエンファシス電流を供給するトランジスタ(N3、N4)に流れる電流を絞る回路(N5、N6、R3)を備え、デエンファシス時の前記出力信号のハイレベルの前記出力信号のプリエンファシス時のハイレベルからの変化量を縮減させ、デエンファシス時の前記差動出力信号のコモンモード電圧をプリエンファシス時のコモンモード電圧に近づける。 (もっと読む)


【課題】消費電流を低減することができ、信号伝達に必要な電源電圧を低減することができ、電源電圧が揺れても正確に信号を伝達することができるレベルシフト回路を得る。
【解決手段】本発明のレベルシフト回路は、インバータ回路INV2、レベルシフト素子MOS1、第1の抵抗R1及びカレントミラー回路CM1を備える。インバータ回路INV2は、入力信号を反転して出力する。レベルシフト素子MOS1は、入力信号を反転した信号をゲート信号として動作する。第1の抵抗R1の一端は、インバータ回路の出力に接続されている。カレントミラー回路CM1は、第1の抵抗R1を介してインバータ回路INV2の出力から入力した電流に対応する電流をレベルシフト素子MOS1のソースから接地点に流す。 (もっと読む)


【課題】電圧調整回路を提供するための改善された技法を提供する。
【解決手段】供給電圧ノードを出力電圧ノードに接続するプルアップp型閾値デバイスであって、制御信号に依存してオフに切り替えられるように構成されるプルアップp型閾値デバイスを備える電圧調整回路が提供される。プルダウンスタックは、出力電圧ノードを基準電圧ノードに接続し、プルダウンスタックは、直列で接続されるプルダウンp型閾値デバイスおよびプルダウンn型閾値デバイスを備える。インバータは、出力電圧ノードから入力を受け取るように構成され、カットオフ信号を生成するように構成され、プルダウンn型閾値デバイスは、制御信号に依存してオンに切り替えられるように構成され、プルダウンp型閾値デバイスは、カットオフ信号に依存してオフに切り替えられるように構成される。 (もっと読む)


【課題】 温度条件が変化しても停止電圧との適切な電位差を保ち低消費電力を実現する集積回路装置等を提供する。
【解決手段】 集積回路装置1であって、第1の振幅と比べて、入力された発振信号400の振幅の方が大きい場合に、第1の矩形波信号408を出力する第1の矩形波信号生成部11と、前記第1の振幅よりも大きな第2の振幅と比べて、前記発振信号400の振幅の方が大きい場合に、第2の矩形波信号402を出力する第2の矩形波信号生成部12を含む。 (もっと読む)


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