【課題】消費電力を低減できるＰＬＤ回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】ＰＬＤ回路は、各トランジスター列が直列接続されたプログラマブルな複数のトランジスターを有する第１〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍを含む。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの一端に第１の非直流電源ＶＳ１が供給される。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの各トランジスター列は、複数の入力信号ＸＰ（Ｘ１Ｐ〜ＸｉＰ）、ＸＮ（Ｘ１Ｎ〜ＸｉＮ）によってオン・オフされる。第１の非直流電源ＶＳ１の電圧により規定される第１のホールド期間に、第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの他端のノードである第１〜第ｍのノードＮＡ１〜ＮＡｍの電圧レベルを各々出力する。 （もっと読む）

【課題】レベル変換における動作範囲を広くする。
【解決手段】第１の電位（ＶＤＤ１）の波高値を有する入力パルス信号（ＶＩＮ）を入力するＣＭＯＳインバータ回路（Ｐ１、Ｎ１）と、第１の電位よりも高電位となる第２の電位（ＶＤＤ２）の電源で動作し、一端（ＮＤ１）をＣＭＯＳインバータ回路の出力端に接続し、他端から第２の電位の波高値を有し入力パルス信号と同相の出力パルス信号（ＶＯＵＴ）を出力するラッチ回路（ＩＮＶ１、Ｐ３）と、第１の電位以上かつ第２の電位未満の電源供給をＣＭＯＳインバータ回路に対して行う電源供給回路（Ｐ２、ＩＮＶ２）と、を備え、電源供給回路は、入力パルス信号が少なくとも接地レベルとなる場合に電源供給を制限するように機能する。 （もっと読む）

【課題】
内部回路の一部の回路が起動または停止したときに内部電源電圧の変動が緩和されるようにした集積回路を提供する。
【解決手段】
電源が供給される集積回路において，電源が供給され内部電源を内部に供給する電源配線と，内部電源を供給される第１及び第２の内部回路と，第２の内部回路を非動作状態から動作状態に制御するイネーブル信号を第２の内部回路に供給するイネーブル信号供給回路とを有し，イネーブル信号供給回路は，イネーブル信号が非動作状態から動作状態に変化したときに動作状態の期間を間欠的に発生する調整イネーブル信号を生成し第２の内部回路に供給する。 （もっと読む）

【課題】出力遅延を短縮できる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】信号ＰｅｎがＬレベルからＨレベルに切り替わり信号ＮｅｎがＨレベルからＬレベルに切り替わった直後において、定電流源Ｉｓ１が追従しきれずまた切り替わっていない場合には、ノードＰは未だＨレベルのままであるので、ノードＯＵＴはＬレベルのままである。この状態で、切り替え前にＨレベルのノードＮに接続されていたノードＡは、切り替えによりＨレベルのノードＰへ接続される。これと同時に、インバータｉｎｖ３の出力部がＨレベルからＬレベルに切り替わっているので、キャパシタＣ２を介して、ノードＡもＨレベルからＬレベルに切り替えられる。このとき、ノードＰの電位はノードＡと等しくなるまで引き下げられ、Ｌレベルへ遷移する。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ時における半導体装置の消費電力を低減する。
【解決手段】スタンバイ時においてハイレベルを出力すべき論理回路については、一対の電源ノードを擬似電源線ＶＤＤＴ１Ｌ，ＶＳＳＴＬに接続し、スタンバイ時においてローレベルを出力すべき論理回路については、一対の電源ノードを擬似電源線ＶＤＤＴＬ，ＶＳＳＴ１Ｌに接続する。スタンバイ時における擬似電源線ＶＤＤＴＬ，ＶＤＤＴ１Ｌ，ＶＳＳＴＬ，ＶＳＳＴ１Ｌの電位ＶＤＤＴ，ＶＤＤＴ１，ＶＳＳＴ，ＶＳＳＴ１は、ＶＤＤＴ＜ＶＤＤＴ１＜ＶＤＤ、ＶＳＳＴ＞ＶＳＳＴ１＞ＶＳＳを満たす。これにより、スタンバイ状態においてオンするトランジスタのゲート電極と基板との間を流れるリーク電流や、スタンバイ状態においてオフするトランジスタのドレインと基板との間を流れるリーク電流が低減される。 （もっと読む）

【課題】スイッチノードのデータ転送時間を極小として動作を高速化することができるプログラマブルデバイス回路を提供する。
【解決手段】二次元アレイ状に配置されている複数の回路ブロックに個々に接続されている複数のスイッチノード１００が相互接続により二次元の可変自在な接続網を形成する。このスイッチノード１００が、回路ブロックがデータ出力を実行しているときに並行してプリチャージ動作を実行するプリチャージロジック回路からなる。プリチャージロジック回路はプリチャージ動作に多分に時間を必要とすることでデータ転送時間を短縮できる。そのプリチャージ時間は回路ブロックのデータ出力時間と重複しているのでタイムロスとならない。 （もっと読む）

【課題】不均一なデューティサイクルを有する入力信号のデューティサイクル補正を行う方法を提供する。
【解決手段】不均一なデューティサイクルを有する入力信号をコンデンサ・デジェネレイティング差動対回路に入力し、前記回路内の１つ以上のコンデンサの両端に、前記入力信号のデューティサイクルの正の部分と負の部分との継続時間の差を表わす直流電圧を形成し、差動対回路のスイッチング動作を通じてデューティサイクルを有する出力信号を形成し、それによって出力信号のデューティサイクルの正の部分と負の部分の継続時間が、入力信号とスイッチングレベルとの交差点により規定される。必要に応じて、出力信号のデューティサイクルが少なくとも実質的に均一になるまで、信号（およびスイッチングレベル）が調整される。 （もっと読む）

【課題】変換する電位差が大きくても、小規模な回路で、高速に、低電圧から高電圧へ信号レベルを変換することのできるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】低電圧電源電圧ＶＤＤＬで動作する低電圧部１００からは、入力信号Ｓｉｎと同相の同相信号Ｓおよび逆相の逆相信号ＳＮが出力され、能動バイアス制御部１は、入力された逆相信号ＳＮの信号レベルに応じて、出力するバイアス信号ＶＭの電位を、高電圧電源電圧ＶＤＤＨに近い電位、または接地電位ＧＮＤに近い電位に、能動的に制御し、出力部２は、高電圧電源線ＶＤＤＨと反転出力端ＶＱとの間の導通が同相信号Ｓおよびバイアス信号ＶＭにより制御され、接地電位電源線ＧＮＤと反転出力端ＶＱとの間の導通が同相信号Ｓにより制御され、反転出力端ＶＱの信号の極性がインバータＩＮＶ１により反転される。 （もっと読む）

【課題】複数の入力信号が、競合回路を経由してメモリセルアレイに入力される半導体装置において、記憶容量の異なる複数のメモリマクロに対してそれぞれ異なる基本セルを用意することなく、データ・セットアップタイム、データ・ホールドタイムを変えずに、メモリマクロを自動設計できる半導体装置を提供する。
【解決手段】各々の入力信号は、それぞれ遅延回路を経由して競合回路に接続され、遅延回路はＰチャンネル及びＮチャンネルのクロックゲートを備えたクロックインバータで構成され、Ｐチャンネルクロックゲートのゲートは抵抗を経由して電源に、Ｎチャンネルクロックゲートのゲートは抵抗を経由して接地に、Ｐチャンネルクロックゲートのゲートは全てノードＡに接続され、ノードＡから抵抗を経由して接地に接続され、Ｎチャンネルクロックゲートのゲートは全てノードＢに接続され、ノードＢから抵抗を経由して電源に接続されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】高電位側のスイッチング素子ＳＷＨのオンオフ状態にかかわらずdv/dtノイズによる誤動作を対策することができるとともに、貫通電流の発生を抑制することのできるレベルシフト回路を提供する。
【構成】インバータＩＮＶ５，ＩＮＶ６、抵抗Ｒ８〜Ｒ１１およびトランジスタＭＰ３，ＭＰ４により、レベルシフトされたデータを記憶する記憶素子３０の出力を入力側にフィードバックするフィードバック回路を構成する。当該フィードバック回路により、第１および第２のスイッチ素子ＭＮ１，ＭＮ２をプルアップもしくはプルダウンする合成抵抗の抵抗値を上記記憶素子の出力に従い変化させて、貫通電流を発生させることなくdv/dtノイズによる誤動作を対策することができる。 （もっと読む）

【課題】チップの製造プロセスの微細化にともなって各種リーク電流（サブスレッショルドリーク電流、ゲートトンネルリーク電流、GIDL(Gate-Induced Drain Leakage)電流などの接合リーク電流）が増大している。それらのリーク電流はチップの消費電流を増加する。
【解決手段】第１回路ブロックと、前記第１回路ブロックに接続される第１電源線及び第２電源線と、前記第１電源線と第１電位を供給する第１電位点とを接続するための第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲートに接続される第１駆動回路と、前記第１駆動回路より駆動力の大きい第２駆動回路とを有し、第１の状態から前記第１の状態よりも前記第１電源線と前記第２電源線の間の電位差が大きい第２の状態へ遷移する場合に、第１の期間において前記第１トランジスタを前記第１駆動回路によって駆動し、その後第２の期間において前記第１トランジスタを前記第２駆動回路によって駆動する。 （もっと読む）

【課題】終端抵抗のオンオフの切り替え時に外部端子にインピーダンスの急激な変化が生じることを低減する。
【解決手段】外部端子（図２のＤＱに相当）と、外部端子に接続され、出力信号を外部端子に出力可能とする出力回路（図２の２１に相当）と、外部端子に終端抵抗をオンオフ可能に接続する終端回路（図２の２２に相当）と、終端抵抗がオフ状態又はオン状態のいずれか一方の状態から他方の状態に変化するまでの時間を、データ出力時に出力信号が一方の論理レベルから他方の論理レベルへ変化するまでの時間以上となるように制御する第１のスルーレート制御回路（図２の２３ａに相当）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の立ち上がるタイミングのばらつきを低減することの可能な駆動回路、およびこの駆動回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】バッファ回路１は、互いに直列に接続されたインバータ回路１０およびインバータ回路２０を備えている。インバータ回路２０は、３つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂，Ｔｒ₂₃を有している。そのうちの２つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂は、デュアルゲート型のトランジスタである。これらトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂のバックゲートの電圧を調整することにより、トランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂の閾値電圧を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】
正相出力信号と逆相出力信号とが１８０°の位相差で位相が一致する単相差動変換回路を提供する。
【解決手段】
単相差動変換回路は，単相入力信号が入力される入力端子と，正相出力信号が出力される正相出力端子と，正相出力信号と差動関係にある逆相出力信号が出力される逆相出力端子と，入力端子と正相出力端子との間に設けられ，直列に接続された第１，第２のインバータを少なくとも含む第１のインバータ列と，入力端子と逆相出力端子との間に設けられ，直列に接続された第３，第４，第５のインバータを少なくとも含み第１のインバータ列よりも段数が１段多い第２のインバータ列とを有し，第１のインバータ列は，さらに，第１のインバータの出力端子にドレインが接続され，導通しない電圧にゲートが接続されたトランジスタを有するダミーインバータを有する。好ましくは，第１，第２，ダミー，第３，第４，第５のインバータのゲート幅の比が，ｍ／２：ｍ^２：ｍ／２：１：ｍ：ｍ^２であり，前記ｍはインバータの増倍率である。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルまたはＬレベルを正しく検知できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、閾値調整信号に基づいて論理閾値電位を調整可能な入力バッファ（入力ＣＭＯＳ回路１１）と、入力バッファの入力と出力とが結線されたレプリカ（レプリカ１２）と、予め設定された基準電位（ノードＮｄＨの電位）を発生する基準電位発生回路（基準電位発生回路１３）と、レプリカ（レプリカ１２）の出力電位（ノードＮｄＲの電位）と基準電位（ノードＮｄＨの電位）とを比較し、閾値調整信号（閾値調整信号ＣＴＲＬ）を入力バッファ（入力ＣＭＯＳ回路１１）とレプリカ（レプリカ１２）とに出力する比較回路（比較回路１４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で安定に動作する回路装置及び電子機器等を提供する。
【解決手段】回路装置は、組み合わせ論理回路１００と、記憶回路１１０とを含む。組み合わせ論理回路１００は、断熱的回路動作を行い、記憶回路１１０の帰還ループを構成する回路１２０は、非断熱的回路動作を行う。記憶回路１１０は、組み合わせ論理回路１００の断熱的回路動作のホールド期間において、組み合わせ論理回路１００からの信号を取り込んで記憶し、非ホールド期間において、記憶された信号に基づいて組み合わせ論理回路１００への出力を変化させる。 （もっと読む）

【課題】従来技術において、制御回路に発生する電源ノイズを出力バッファに影響させないようにするには、出力バッファと制御回路の電源ラインを別々に設ける方法があった。しかし、この方法には、電源・グランドピン数の増加、給電ラインインダクタンスの増加といった問題があった。
【解決手段】本発明では、上記課題である（１）電源・グランドピン数増加と（２）給電ラインインダクタンスの増加を生じることなく、制御回路で問題となるノイズが出力バッファに回り込まないような技術を提供する。具体的な手法は、（Ａ）制御回路用のオンチップバイパスキャパシタンスを設け、AC的に制御回路と出力バッファの給電経路を切り分ける方法、と（Ｂ）給電経路の電気パラメータノイズの振動モードが過減衰になるような設計（抵抗の挿入）をする方法がある。 （もっと読む）

【課題】スルーレートを適切に調整可能なバッファ回路を提供する。
【解決手段】
ＣＭＯＳ出力バッファ回路は、バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ［１］〜［４］を備えている。各バッファ回路は、電源電圧端子又は接地端子と出力端子との間にトランジスタＰＯ及びＮＯを有している。各バッファ回路中の複数個のトランジスタＰＯ及びＮＯは、外部からの制御信号に従い選択的に動作可能な状態とされる。各バッファ回路中の３個のトランジスタＰＯは、所定のサイズ比を有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】内部動作に起因する半導体基板の電位的変動を抑制することが容易な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路（１）の内部において、外部電源端子（Ｐｖｃｃ）と半導体基板（Ｐｓｕｂ）との間および外部グランド端子（Ｐｖｓｓ）と半導体基板との間の何れか一方又は双方に可変インピーダンス回路（ＶＺ）を配置し、可変インピーダンス回路に対するインピーダンスの設定に従って、半導体集積回路に形成されたトランジスタの動作に応じて半導体基板に生起される電源電圧側の変動成分とグランド電圧側の変動成分とをバランスさせるようにその変動成分の大きさや波形を決定する。半導体集積回路の電源及びグランド側の変動に起因して半導体基板に与えられる変動成分が抑えられることにより、半導体基板を通して外部でコモンモード電流経路が形成されることを抑制することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】出力の反射を抑制しつつスルーレートを高い自由度を持って調整可能なバッファ回路を提供する。
【解決手段】
複数の出力トランジスタＰＯＡ１〜ＰＯＥ１は、電源端子（電源電圧ＶＣＣＱ）と出力端子ＤｏｕｔＰ１との間に電流経路を並列接続され導通することにより出力端子ＤｏｕｔＰ１の電圧を変化させる。ゲート制御用トランジスタＴＡ１〜ＴＥ１は、接地端子Ｄｇｎｄと出力トランジスタＰＯＡ１〜ＰＯＥ１のゲートとの間、又は２つの出力トランジスタのゲートの間に電流経路を形成するように接続され、出力トランジスタにゲート電圧を与える。ゲート制御用トランジスタＴＡ１〜ＴＥ１のゲートは、ゲート制御用トランジスタＴＡ１〜ＴＥ１のソースの電圧が変化したときにゲート−ソース間の電位差が閾値電圧以上となって導通するよう、所定の電圧を与えられている。 （もっと読む）