【課題】出力バッファのＩ−Ｖ特性が出力バッファ用の電源電圧に応じて変化しても、出力バッファのＩ−Ｖ特性に対して規定を満足させることを可能にする。
【解決手段】レプリカ回路（１１０、１２０、１３０）は、インピーダンスが可変であり、当該インピーダンスに応じた電圧を出力する。参照電圧生成部（１４１、１４２）は、出力バッファ用の電源電圧に依存する参照電圧を出力する。比較部（１５１、１５２）は、レプリカ回路の出力電圧と参照電圧とを比較する。調整部（１６０、１７０、１８０、１９１、１９２、１１０ａ、１２０ａ、１３０ａ）は、比較部の比較結果に応じて、レプリカ回路のインピーダンスを調整する調整部（１６０、１７０、１８０、１９１、１９２、１１０ａ、１２０ａ、１３０ａ）。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大させることなくトランジスタの閾値電圧に応じた制御電圧を精度良く生成することが可能な制御電圧生成回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる制御電圧生成回路は、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続された同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を参照電圧Ｖｐ１として生成する参照電圧生成部１１と、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続され参照電圧生成部１１と同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのゲートに参照電圧が供給され、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を制御電圧（バイアス電圧）として出力する電圧変換部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電荷の再利用効率を高め、複数のＬＳＩを搭載したシステム全体のエネルギー効率を向上することが可能な半導体回路および半導体装置を提供する。
【解決手段】入力端子２０にＬレベルの信号が入力されたとき、回路素子１０の出力端子２２に接続される信号線２４の配線容量Ｃｐに正の電荷が充電される。入力端子２０にＨレベルの信号が入力されたとき、ＮＭＯＳトランジスタＮｒ１は、論理素子のＮＭＯＳトランジスタＮ１が導通するのと同時に導通する。これにより、信号線２４から放電される電荷の一部が、ＮＭＯＳトランジスタＮｒ１およびダイオードＤ１を介して、電荷回収線２に移動する。電荷回収線２が回収した電荷は、電荷再利用端子３を介して半導体チップ１Ａの外部に放出されると、電荷再利用線３０に接続された電荷回収用の容量素子Ｃｅｘｔに蓄積される。蓄積され電荷は、他の半導体回路等の電源端子に供給される。 （もっと読む）

【課題】 電源ノイズを緩和しながら、内部回路が動作を開始するまでの時間を短縮する。
【解決手段】 内部回路は、基板電圧が供給されるトランジスタを含み、内部電源電圧を受けて動作する。電源スイッチは、内部回路を動作させるための電源オン信号の活性化中に外部電源線を内部電源線に接続する。基板電圧制御回路は、電源オン信号の活性化により上昇する内部電源電圧が目標電圧を超えたときに、基板電圧を第１電圧から第２電圧に変更する。第１電圧を基板電圧として受けているトランジスタのソース・ドレイン間電流は、第２電圧を基板電圧として受けているトランジスタのソース・ドレイン間電流より少ない。このため、電源スイッチがオンした後、内部電源電圧が低い期間にトランジスタのソース・ドレイン間電流を少なくでき、内部回路を流れる貫通電流を少なくできる。 （もっと読む）

【課題】バイアス調整回路やプリドライバ回路が不要で、しかも出力波形の波形歪みを低減することが可能なドライバアンプ回路および通信システムを提供する。
【解決手段】スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４を駆動するゲート電圧を均一にするため、スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４を電源およびＧＮＤ側に配置し、さらに、スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４の駆動振幅を安定させるために、各スイッチングトランジスタＭ１１のドレインと出力ノードＮＤ１１、ＮＤ１２間にそれぞれ第１から第４の抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１４を接続している。 （もっと読む）

【課題】解像度が小さく測定精度が高い時間測定を行うことができるＴＤＣ回路を提供する。
【解決手段】ＴＤＣ回路１は、共通の構成を有する３２個の単位セル１１_０〜１１_３１がリング状に接続されたリング部１０等を備える。単位セル１１は、第１インバータ回路１１１，第２インバータ回路１１２，スイッチＳＷ_０，スイッチＳＷ_１およびスイッチＳＷ_２を含む。第１インバータ回路１１１のＰＭＯＳトランジスタのゲート幅は、第２インバータ回路１１２のＰＭＯＳトランジスタのゲート幅のα_ｐ倍である。第２インバータ回路１１１のＮＭＯＳトランジスタのゲート幅は、第１インバータ回路１１２のＮＭＯＳトランジスタのゲート幅のα_ｎ倍である。α_ｐおよびα_ｎの双方が１より大きいか又は双方が１より小さい。 （もっと読む）

【課題】しきい値が従来例では動作しないような値でも動作させることが可能な半導体装置である。
【解決手段】第１乃至第３のＮ型トランジスタと、第１乃至第３のＰ型トランジスタと、アナログスイッチと、容量手段とを有し、容量手段の一方は、アナログスイッチ、第３のＮ型トランジスタのソース又はドレインの他方、及び第３のＰ型トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、容量手段の容量は、第１のＰ型トランジスタ及び第１のＮ型トランジスタで発生する容量より大きく、アナログスイッチには、第１のラッチ信号、第２のラッチ信号、及びデータ信号が入力され、第１のラッチ信号は、第２のＰ型トランジスタのゲート、及び第３のＮ型トランジスタのゲートに入力され、第２のラッチ信号は、第２のＮ型トランジスタのゲート、及び第３のＰ型トランジスタのゲートに入力される半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】しきい電圧Ｖ_Ｔが小さくてもリーク電流が小さく、また高速にかつ小さな電圧振幅で動作するＣＭＯＳ回路さらには半導体装置を提供することである。
【解決手段】ゲートとソースを等しい電圧にしたときにドレインとソース間に実質的にサブスレショルド電流が流れるようなＭＯＳＴ（Ｍ）を含む出力段回路において、その非活性時には、前記ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートとソース間を逆バイアスするように該ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートに電圧を印加する。すなわち、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｐチャンネル型の場合にはｐ型のソースに比べて高い電圧をゲートに印加し、また、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｎチャンネル型の場合にはｎ型のソースに比べて低い電圧をゲートに印加する。活性時には、入力電圧に応じて該逆バイアス状態を保持するかあるいは順バイアス状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のデータ入力回路における消費電力を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの少なくともいずれか一方の近傍の期間において活性状態となる制御信号を生成して出力する制御信号生成回路と、制御信号が活性状態である期間においてデータ信号を受信可能な活性状態となり、それ以外の期間において非活性状態となるデータ入力回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＣＭＯＳ回路を用いた半導体デバイス回路において、アクセススピードを損なわず、スタンバイ電流が少なく、スタンバイ状態からの復帰が早い半導体デバイス回路を提供する。
【解決手段】第１のＰＭＯＳＦＥＴと第１のＮＭＯＳＦＥＴとを含む機能回路を備えた半導体デバイス回路において、アクティブモード時に第１のＰＭＯＳＦＥＴを電源電圧源に接続し、スタンバイモード時に電源電圧源に接続しないように制御する第２のＰＭＯＳＦＥＴと、アクティブモード時に第１のＮＭＯＳＦＥＴを接地側電圧源に接続し、スタンバイモード時に接地側電圧源に接続しないように制御する第２のＮＭＯＳＦＥＴと、電源電圧源に接続されかつ第１のＰＭＯＳＦＥＴに並列に接続されその出力信号を保持する第３のＰＭＯＳＦＥＴと、接地側電圧源に接続されかつ第１のＮＭＯＳＦＥＴに並列に接続されその出力信号を保持する第３のＮＭＯＳＦＥＴとを備えた。 （もっと読む）

【課題】中間電位の電源を必要としない１段のレベルシフトで、しかもＮ型トランジスタのＯＮ電流が十分にとれるレベルシフタ回路を提供する。
【解決手段】入力端子と、出力端子と、高電圧レベル用の高電源と、を有し、前記高電源とその接地点の間にＰ型トランジスタＰ１、Ｐ２とＮ型トランジスタＮ１、Ｎ２を備えた回路を構成し、Ｐ型トランジスタＰ１とＮ型トランジスタＮ１を１ないし複数個のＮ型トランジスタＶｎを介して直列接続し、同様にＰ型トランジスタＰ２とＮ型トランジスタＮ２を１ないし複数個のＮ型トランジスタＷｎを介して直列接続し、更に、前記Ｎ型トランジスタＶｎのゲートと前記Ｎ型トランジスタＷｎのゲートの接続点にバイアス電位を印加して、前記入力端子に入力された低電圧のレベルの信号から前記高電圧レベルの信号にシフトして前記出力端子から出力することを特徴とするレベルシフタ回路。 （もっと読む）

【課題】追加の大きなハードウェア要件なしに、ブースト電圧レベルを提供できるようにする。
【解決手段】第１の電圧レベルから第２の電圧レベルに、次に追加のブーストされた第２の電圧レベルに出力信号をシフトするための電圧レベルシフタが開示される。電圧レベルシフタは、入力信号を受信するための入力、出力信号を出力するための出力、前記第１の電圧レベルを供給する第１の電圧源に接続するための第１のパワーサプライ入力、前記第２の電圧レベルを供給する第２の電圧源に接続するための第２のパワーサプライ入力、前記ブーストされた第２の電圧レベルを供給する第３の電圧源に接続するための第３のパワーサプライ入力を含み、前記電圧レベルシフタは、前記出力から前記第１のパワーサプライ入力を隔離するため、及び前記出力に前記第２のパワーサプライ入力を接続するために前記入力信号の所定の変化に応える。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して、回路ブロック間の電源電圧の差電圧が大きい場合でも安定に動作可能でありかつ低消費電力で動作するレベルコンバータ回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路３０及びソース接地増幅回路４０は、入力信号ＩＮを増幅して出力信号ＯＵＴに出力し、電流生成回路１０は、入力信号ＩＮの信号レベルが変化するとき差動増幅回路３０及びソース接地増幅回路４０に流れる動作電流Ｉ_Ａ２，Ｉ_Ａ３に対応する制御電流Ｉ_Ａ１を生成し、電流検出回路２０は、電流生成回路１０によって生成された制御電流Ｉ_Ａ１を検出して、動作電流Ｉ_Ａ２，Ｉ_Ａ３が制御電流Ｉ_Ａ１に対応するように制御し、電流生成回路１０は、電流検出回路２０と接地との間に挿入されかつ直列に接続されたｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１，ＭＮ１２を備え、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１は、入力信号ＩＮに応答して動作しかつｎＭＯＳトランジスタＭＮ１２は入力信号ＩＮＢに応答して動作する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性のばらつきにかかわらず画像ムラがなく、高精細・高解像度の良好な画像を得ることができる半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置を提供する。
【解決手段】半導体表示装置はソース信号線側駆動回路と、ゲイト信号線側駆動回路とを有し、駆動回路はシフトレジスタ回路からのタイミング信号をバッファする複数のインバータ回路を有するバッファ回路を有し、インバータ回路は複数のインバータ回路を並列に接続して構成される。 （もっと読む）

【課題】高電圧出力トランジスタまたは回路のゲートを駆動するのに必要な電圧に達することができる。
【解決手段】電圧レベル変換回路は、デジタル論理回路と、第１および第２接続部を有するキャパシタであって、第１および第２接続部のうちの一方がデジタル論理信号へ電気的に結合された、少なくとも１つの高電圧キャパシタと、インバータ対であって、インバータ対のうちの少なくとも１つのインバータの出力が、少なくとも１つの高電圧キャパシタの他方の接続部へ電気的に結合された、たすき掛け結合型インバータ対とを備える。高電圧駆動回路は、２つの低電圧入力信号と、２つの信号であって、第１信号が高位側駆動信号であり、第２信号が低位側駆動信号である、２つの高電圧出力信号と、２つのレベル変換部であって、第１レベル変換部が高位側駆動信号に対応し、第２レベル変換部が低位側駆動信号に対応する。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路の入力側の電源電圧が通常より低くなった場合でも出力が不定とならないレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路５０は、第１の電源電圧ＶＤＤの電圧レベルの入力信号を第１の電源電圧ＶＤＤよりも高い第２の電源電圧ＶＣＣの電圧レベルの出力信号に変換するための回路であって、第１の導電型の第１および第２のトランジスタ５１，５２、第２の導電型の第３および第４のトランジスタ５３，５４、および第１〜第３のインバータ５５〜５７を含む。第１および第２のインバータ５５，５６は、第３の電源電圧ＶＢＡＴによって駆動される。 （もっと読む）

【課題】２つのクロック信号を切り替えて出力する切替回路において、出力信号のデューティ比を、入力されるクロック信号のデューティ比に保つこと。
【解決手段】切替回路１００は、制御信号ＣＯＮＴに応じて、入力信号ＩＮ１，ＩＮ２を切り替えて出力信号ＯＵＴとして出力する。具体的には、制御信号ＣＯＮＴが「Ｌレベル」のときには、クロックドインバーターＸ２が動作し、信号ＩＮ１が信号ＯＵＴとして出力され、制御信号ＣＯＮＴが「Ｈレベル」のときには、クロックドインバーターＸ４が動作し、信号ＩＮ２が信号ＯＵＴとして出力される。 （もっと読む）

【課題】電圧レベルシフト回路において、入力信号の信号レベルによる応答特性の差違を抑制する。
【解決手段】電圧レベルシフト回路は、入力信号とは異なる電圧振幅を有する出力信号ＶＯＵＴを生成する。インバータＩＮＶ２は、入力信号にしたがってＶＳＳ〜ＶＤＤＩの範囲の電圧Ｖ１を生成する。インバータＩＮＶ３は、入力信号にしたがってＶＳＳ〜ＶＰＥＲＩの範囲の電圧Ｖ２を生成する。インバータＩＮＶ４は、Ｖ１およびＶ２にしたがって出力信号ＶＯＵＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】外部電圧が変動したときにも半導体装置の動作安定性を維持する。
【解決手段】入力信号判定部１１６は、第１電流源１２２から供給される電源電位によって動作する。入力信号判定部１１６は、入力信号ＶＩＮと参照電位Ｖｒｅｆを比較する。比較結果はインバータＩＮＶ１により反転され、出力信号Ｖ０となる。電源センサ回路１２０は、第１の電源ラインＶＤＤＩの電位を監視する。外部電位ＶＤＤＩが基準電位ＶＸよりも低くなると、電源センサ回路１２０は第２電流源１２４をオンする。第２電流源１２４がオンされると、判定部１２６には、第１電流源１２２に加えて第２電流源１２４からも動作電流が供給される。 （もっと読む）