【課題】出力バッファーの面積・体積・部品点数の増加を抑制するとともに、ドライブ能力を向上させることが可能な出力バッファー回路を提供する。
【解決手段】第一駆動信号ＬＩＮを伝達する第一入力経路４ａ、第二駆動信号ＲＩＮを伝達する第二入力経路４ｂ、第一入力経路４ａと対応する第一出力バッファー６ａ及び第二入力経路４ｂと対応する第二出力バッファー６ｂを備える出力バッファー回路１において、入力経路切り替え手段８が、ステレオモード及びモノラルモードのうち、モノラルモードでは、第一入力経路４ａと第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂとを電気的に接続させ、出力経路切り替え手段１０が、第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂと、第一入力経路４ａ及び第一出力バッファー６ａと対応する第一負荷２ａとを、電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】７Ｔｒ３Ｃで構成されるインバータ回路１において、入力端子ＩＮ１から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタＴ３と、制御素子１０とを介して、入力電圧Ｖｉｎ２がトランジスタＴ２のゲートに入力される。入力電圧Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２がともにハイレベルの電圧Ｖｄｄとなっている期間においては、入力電圧Ｖｉｎ３がハイレベルの電圧Ｖｄｄとなっているときだけ、トランジスタＴ１，Ｔ２の双方のゲートにオン電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗回路の抵抗値の調整可能範囲が大きな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、複数組の抵抗素子ＲＡ，ＲＢおよび複数組のトランジスタＰ，Ｑを含む出力バッファＤＯＢと、複数のレプリカ回路ＲＰと、複数組の演算増幅器ＡＰ，ＡＮとを備え、出力バッファＤＯＢの出力インピーダンスＺｐ，Ｚｎが所定値になるように、複数組のトランジスタＰ，Ｑのドレイン電流を調整する。したがって、製造プロセスなどの変動によって抵抗素子ＲＡ，ＲＢの抵抗値が大きく変動した場合でも、出力インピーダンスＺｐ，Ｚｎを所定値に設定できる。 （もっと読む）

【課題】 誘導性負荷を駆動する出力バッファ回路の電力損失を低減する。
【解決手段】 誘導性負荷２から出力バッファ回路１００に電流が流入している場合、スルーレート制御部１４０は、出力バッファ回路１００の出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートへ変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行う。また、出力バッファ回路１００から誘導性負荷２に電流が流出している場合に、スルーレート制御部１４０は、出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートに変化させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】出力回路のＳＳＮ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｎｏｉｓｅ）の振動ノイズの低減を可能とする半導体装置の提供。
【解決手段】第１及び第２の電源線と、前記第１の電源線ＶＤＤＱと前記第２の電源線ＶＳＳＱとの間に配置された出力回路１２と、前記第１の電源線と前記第２の電源線との間に配置されたノイズキャンセル回路１３とを備え、前記ノイズキャンセル回路１３は、前記出力回路の前記出力ノードの論理レベルへの切り替え時に発生する所定の周期で指数関数的に減衰振動する電源ノイズに対して、前記電源に、前記振動から半周期分遅れ、前記振動と逆向きに減衰振動する電源ノイズを発生し、互いに打ち消し合わせる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、クロックツリーにおける消費電流を削減しながら、同期回路間の同期動作を行うことが難しかった。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、動作クロック信号ＣＬＫに応じて第１のクロック信号を出力し、第１の応答時間で第１のクロック信号のエッジを変化させる第１のクロックバッファ（ＶＣＢ１１〜ＶＣＢ１４のうちの一つ）と、動作クロック信号ＣＬＫに応じて第２のクロック信号を出力し、第２の応答時間で第２のクロック信号のエッジを変化させる第２のクロックバッファ（ＶＣＢ１１〜ＶＣＢ１４のうちの他の一つ）と、第１のクロック信号に同期して動作し、第１の電圧レベルを閾値電圧とする第１の論理回路と、第２のクロック信号に同期して動作し、第２の電圧レベルを閾値電圧とする第２の論理回路と、を有し、第１、第２の論理回路は、動作クロック信号に応じて一のタイミングで動作する。 （もっと読む）

【課題】キャリブレーション回路に用いる基準電位生成回路を改良する。
【解決手段】キャリブレーション端子ＺＱを駆動するレプリカバッファ１１０と、基準電位ＶＲＥＦを生成する基準電位生成回路２００と、キャリブレーション端子ＺＱに現れる電位と基準電位ＶＲＥＦとを比較する比較回路１５１と、比較回路１５１による比較の結果に基づいてレプリカバッファ１１０の出力インピーダンスを変化させるコントロール回路１４０とを備える。基準電位生成回路２００は、イネーブル信号ＥＮに応答して活性化される電位発生部２１０と、イネーブル信号ＥＮに関わらず活性化される電位発生部２２０とを含み、電位発生部２１０の出力ノードと電位発生部２２０の出力ノードが比較回路１５１に共通接続されている。これにより、イネーブル信号ＥＮが活性化する前に正しく基準電位ＶＲＥＦを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】切り替えスイッチのオンオフに伴うノイズがバイアスラインに重畳するのを防ぐ。
【解決手段】バイアス電流が流れるバイアスラインＶＬと、バイアス電流の量を制御信号ＤＤに基づいて切り替える切り替えスイッチ７０と、制御信号ＤＤが供給される制御ラインとバイアスラインＶＬとの間の寄生容量を介して制御信号ＤＤの変化時に生じるバイアスラインＶＬの電位変動を相殺する相殺回路９１〜９３とを備える。本発明によれば、切り替えスイッチ７０のオンオフに伴ってバイアスラインＶＬに生じるノイズを相殺することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】入力信号のレベルが低電圧であっても、信号レベルの変換を高速かつ確実に行うことのできるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】 実施形態のレベルシフト回路は、厚膜のＰＭＯＳトランジスタＴＰ１（ＴＰ２）および厚膜のＮＭＯＳトランジスタＴＮ１（ＴＮ２）からなる一対の相補回路を有し、厚膜のＮＭＯＳトランジスタＴＮ１（ＴＮ２）のゲートに入力された低電圧レベルの信号Ａ（／Ａ）を、厚膜のＰＭＯＳトランジスタＴＰ２（ＴＰ１）を介して昇圧し、高電圧レベルの信号Ｚ（／Ｚ）を出力する。この一対の相補回路のそれぞれの出力端子と接地端子ＧＮＤとの間には、ブースター回路１１（１２）がそれぞれ接続されている。ブースター回路１１（１２）は、高電圧レベルの出力信号／Ｚ（Ｚ）の立ち下りを加速する。 （もっと読む）

【課題】出力信号のデューティを保ちつつ消費電流の変化を低減する。
【解決手段】出力バッファ回路は、出力回路（３００）と、第１入力回路（２１０）と、第２入力回路（２２０）と、第１クランプ回路（１１０）と、第２クランプ回路（１２０）とを具備する。出力回路（３００）は、第１出力トランジスタ（Ｐ３０１）と第２出力トランジスタ（Ｎ３０１）とを備え、出力信号（ＶＯＵＴ）を出力する。第１クランプ回路（１１０）および第２クランプ回路（１２０）のそれぞれは、カスコード接続される第１導電型のトランジスタ（Ｐ１１１／Ｐ１２１）と、第２導電型のトランジスタ（Ｎ１１１／Ｎ１２１）とを備える。第１クランプ回路（１１０）は、所定の期間第１入力回路（２１０）の出力電圧（ＶＡ１）をクランプする。第２クランプ回路（１２０）は、所定の期間第２入力回路（２２０）の出力電圧（ＶＡ２）をクランプする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極駆動電圧信号が不十分な電圧のためにリーク電流が発生することのない低リーク電圧検出回路及び方法を提供する。
【解決手段】伝送ゲート２０２、フィードバック通路２０４、制御器２００を備え、第１の電位によって給電された第１の装置と第２の電位によって給電された第２の装置との間に置かれた低リーク電圧検出回路である。第１の装置と第２の装置との間における電位のミスマッチは、リーク電流が第２の装置の入力段を流れることを招く可能性がある。低リーク電圧検出回路を採用することによって、第１の装置の発生した高論理レベルは、対応的にほぼ第２の電位の振幅と等しい高論理レベルに転換される。 （もっと読む）

【課題】スキューの少ない出力信号を出力する回路の実現。
【解決手段】差動入力信号INN,INPを受けて、差動駆動信号を出力する駆動回路BF1,BF2;BF3,BF4と、共通の定電流源12に接続され、差動駆動信号に応じて逆相のスイッチ動作を行う２個のトランジスタMN1,MN2を有する差動出力部と、駆動回路の２個の駆動部の電源15,16の電位を、定電流源12と２個のトランジスタの接続ノードTailの電位に応じた電位にするレベル調整回路AMP1,AMP2と、を有する出力回路。 （もっと読む）

【課題】超低圧ＶDDデジタル回路においては、クロックスキューは厳密な時間収率の劣化を招く大きな原因であるが、コンピュータによる設計の高度な自動化（ＥＤＡ）手段の様々なプロセスが存在する中でのスキュー調和がとれたクロックツリーを実現する。
【解決手段】参照信号およびローカル信号を受信し、それらを比較して位相差を検出するための位相比較器、位相差の値に関連して制御信号のオン／オフを切り替えるための制御回路、およびローカル信号バッファーを有し、前記ローカル信号バッファーはｎＭＯＳトランジスタおよび／またはｐＭＯＳトランジスタを有しており、前記制御信号に応じてホットキャリアインジェクションストレスをｎＭＯＳトランジスタまたはｐＭＯＳトランジスタに掛けてｎＭＯＳトランジスタまたはｐＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を増加させる。 （もっと読む）

【課題】回路規模及び消費電流の増大を抑制しながら識別対象電圧の大きさを精度良く識別することができる電圧識別装置及び時計用制御装置を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１２と、被印加線１８並びに電圧線ＶＳＨ及び接地線ＧＮＤが導通可能となるように電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に挿入されると共に、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさに応じてスイッチングを行うスイッチング回路２０を備え、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさと閾値とを比較することにより識別対象電圧の大きさを識別する識別回路１４と、識別回路１４に対して識別対象電圧の大きさを識別させる間、電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に流れる電流の大きさが所定の大きさに保たれるようにスイッチング回路２０と接地線ＧＮＤとの間の抵抗２２を制御可能とする制御部１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、出力トランジスタのしきい値電圧がばらついてもノイズを抑えつつターンオフ時間を短縮する。
【解決手段】駆動信号ＳｄがＬの時、トランジスタＴ１がオン、Ｔ２がオフしてＶGS(T3)がほぼ電源電圧Ｖccに等しくなりトランジスタＴ３がオンする。駆動信号ＳｄがＨになるとトランジスタＴ１がオフ、Ｔ２がオンする。トランジスタＴ４がオンするので抵抗Ｒ２がバイパスされ、トランジスタＴ３のゲート電荷はトランジスタＴ４、Ｔ２を通して急速に放電する。ＶGS(T3)がＶth(T4)＋ＶDS(T2)よりも低下すると、トランジスタＴ４はオフとなり、以後はトランジスタＴ３のゲート電荷が抵抗Ｒ２とトランジスタＴ２を通して緩やかに放電する。トランジスタＴ３、Ｔ４のしきい値電圧は一致する傾向があるので、ＶGS(T3)がＶTH(T3)に低下した時点でトランジスタＴ４をオフできる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート−ソース逆バイアス駆動の動作原理を定量化し、ＭＯＳＴのしきい電圧と動作電圧の関係を明らかにすることにより、逆バイアス駆動の原理を活用した複数のＭＯＳＴの組み合わせを用いて、動作電圧１Ｖ以下の高速低電圧動作を可能にする。
【解決手段】 低ＶｔのＭＯＳＴを含む回路のリーク電流を、ＭＯＳＴのゲート（Ｇ）とソース（Ｓ）を逆バイアスする各種の駆動方式によって低減する。低ＶｔのＭＯＳＴに各種のＧ−Ｓ逆バイアスを加えることにより、リーク電流の少ない１Ｖ以下の高速低電圧ＣＭＯＳ論理回路、あるいはメモリ回路が実現される。 （もっと読む）

【課題】
ＣＭＯＳ回路に中間電圧の入力信号が長時間連続して入力された場合にも貫通電流の発生を短時間にとどめることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】
本発明の一実施態様に係る半導体集積回路は、入力端子と、出力端子と、ゲートが前記入力端子に接続されソースが高電位電源配線に接続された第１ＰＭＯＳトランジスタ及びゲートが前記入力端子に接続されソースが低電位電源配線に接続された第１ＮＭＯＳトランジスタを含み、当該第１ＰＭＯＳトランジスタと当該第１ＮＭＯＳトランジスタとが同時に導通しないように構成された第１ＣＭＯＳ回路と、入力端が前記第１ＣＭＯＳ回路に接続され出力端が前記出力端子に接続された第２ＣＭＯＳ回路と、この第２ＣＭＯＳ回路の出力端とと高電位電源配線及び高電位電源配線との間にそれぞれ配置された第２ＰＭＯＳトランジスタと第２ＮＭＯＳトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】クロック源の消費電力を増大させることなく、動作クロック周波数に応じて駆動能力を変化させることにより消費電力低減可能なクロックバッファ回路を提供すること。
【解決手段】クロック信号を伝達するバッファ部１０２と、クロック信号の参照クロック信号に対する逓倍数をカウントし、バッファ部１０２に対して逓倍数に基づいたイネーブル信号を出力する駆動能力切替部１０１と、を備え、バッファ部１０２は、当該バッファ部１０２の入力に接続された入力インバータ７と、イネーブル信号によりオンオフが可能であって、それぞれの出力が当該バッファ部の出力に共通に接続された複数の出力インバータ１３〜２８と、を備え、入力インバータ７が１個のＣＭＯＳインバータからなるクロックバッファ回路。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧プロセスを使用することなく、回路的に高耐圧化したレベルシフト回路を実現できるようにする。
【解決手段】 一対のＣＭＯＳインバータを有し一方のインバータの出力ノードを他方のインバータのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に交差結合してなるラッチ回路（２２）と、該ラッチ回路のいずれか一方の出力ノードに接続されたＣＭＯＳインバータからなる出力段（２３）とを有するレベルシフト回路において、ラッチ回路を構成する一対のＣＭＯＳインバータの各Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタ（Ｍｐ１，Ｍｐ２）とＮチャネル型のＭＯＳトランジスタ（Ｍｎ１，Ｍｎ２）との間に、ゲート端子が電源電圧と接地電位の中間の電位が印加される第３電圧端子（ＦＧＮＤ）に接続されたＰチャネル型のＭＯＳトランジスタ（Ｍｐ４，Ｍｐ５）をそれぞれ直列形態で設けた。 （もっと読む）