【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ（Ｐ）を提供すること。
【解決手段】接地導体（１３１）と、前記接地導体（１３１）の上部に設けられた２層の高周波基板（１３０）と、上層の前記高周波基板（１３０）を挟むように設けられた一対の導体（１３４）と、を含む、半導体パッケージ（Ｐ）が提供される。また、この半導体パッケージ（Ｐ）を含む高周波電力増幅器（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数（ｆ１−ｆｎ）で整合が取られた差動プッシュプル増幅器（ＰＡ１−ＰＡｎ）の出力を、二次インダクタ（Ｌ１２−Ｌｎ２）で共通に合成して出力する。各差動プッシュプル増幅器は、差動信号入力端子にぞれぞれ接続される増幅器対で構成され、差動プッシュプル増幅器の出力にはキャパシタ（Ｃ１−Ｃｎ）とインダクタ（Ｌ１１−Ｌ１ｎ）の並列共振回路を接続し、共振周波数を変更して整合周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】高周波動作と、低コスト化および小型化とを両立させることが可能な高調波抑圧回路を得ること。
【解決手段】基本波の１／８波長の長さを有し、一端が入力端１６ａを形成し、他端が出力端１６ｂを形成する主線路１０と、一端が主線路１０の入力端１６ａに接続された基本波の１／４波長の長さを有する第１の線路１１ａと、第１の線路１１ａの他端に一端が接続された抵抗体１４および基本波の１／４波長の長さを有する第１のオープンスタブ１２ａと、抵抗体１４の他端に接続された基本波の１／８波長の長さを有する第２のオープンスタブ１３ａと、一端が主線路１０の出力端１６ｂに接続された基本波の１／４波長の長さを有する第２の線路１１ｂと、第２の線路１１ｂの他端に接続された基本波の１／４波長の長さを有する第３のオープンスタブ１２ｂおよび基本波の１／８波長の長さを有する第４のオープンスタブ１３ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 平衡型増幅器の性能を損なわず、小型のモジュールを提供すること、他の回路機能とともに複合して無線通信装置の高周波回路部を構成可能なモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】
絶縁体層と導体パターンとを含む多層基板に、一対の増幅器の入力側に第１ハイブリッド回路を出力側に第２ハイブリッド回路を有する平衡型増幅器を構成したモジュールで、 積層方向に連なる複数のビアホールでなるビアホール群を縦列して構成されたシールドによって、前記第１ハイブリッド回路と前記第２ハイブリッド回路とを区画した。 （もっと読む）

【課題】所望の数の周波数帯で動作する可変整合回路に必要な構成回路素子数を減らす。
【解決手段】伝送線路11Lに、第１の線路スタブSB1と、２つのスイッチSW1, SW2の一端を入力端から順次間隔L1, L2, L3をあけてそれぞれ接続し、２つのスイッチの他端は第２の線路スタブSB2接続し、第１及び第２線路スタブは開放端あるいは短絡端を有し、スイッチSW1, SW2のＯＮ，ＯＦＦの組み合わせにより４つの周波数帯での整合を選択可能にされている。 （もっと読む）

【課題】二重進行波管増幅器において不使用の進行波管の電力消費を減少できるようにした電力管理システムを提供する。
【解決手段】衛星搭載用二重進行波管増幅器のための電力管理システムであって、前記二重進行波管増幅器は２つの進行波管２４とこれらに電力を供給する電子電力調整器２０、２１、２２とからなり、前記電力管理システムは前記電子電力調整器に組み込まれる。各進行波管２４はアノードゼロ電極を備え、該電極には各進行波管２４と関連付けられる電力管理手段２２から電圧Ａ０が印加される。そして、前記電力管理システムは、スリープモードが起動されたときに前記電力管理手段２２により、アノードゼロ電極の電圧Ａ０が所定の最小値に設定され、これにより進行波管２４の動作電力が名目上の動作範囲よりも低い値に維持されるように機能する。望ましくは、前記スリープモードはＲＦミュートモードと組み合わされる。 （もっと読む）

【課題】バイアス回路を組み込んだ通信機器や電子機器の小型化を促進させるため、１つのチップにて構成することができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】ＲＦチョークとバイパスコンデンサとを有するバイアス回路において、少なくとも下面もしくはその内部にグランド電極４０が形成された誘電体基板３０と、前記誘電体基板３０の表面に形成された入力端子３２及び出力端子３４と、前記誘電体基板３０内もしくは表面に形成され、一端が前記入力端子３２に接続され、且つ、他端が前記出力端子３４に接続され、前記ＲＦチョークを形成するＲＦチョーク形成電極３６と、前記誘電体基板３０内に、前記グランド電極４０に対向して形成され、且つ、一端が前記出力端子３４に接続され、前記バイパスコンデンサを形成するためのコンデンサ形成電極３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】サーミスタを使わずに簡便な回路で所望の温度補償が達成できると共に、抵抗での消費電力が増加しないようにし、また温度補償の特性変更や調整を抵抗の仕様等の変更のみで任意に行えるようにする。
【解決手段】ＦＥＴ１のゲート電圧を制御するためのＰＮＰの第１トランジスタＱ1 が設けられ、上記ＦＥＴ１のドレイン及び第１トランジスタＱ1 のエミッタには、ＦＥＴ１のドレイン電流検出用の抵抗Ｒ_４を介して正電源４が配置され、第１トランジスタＱ1 のベースと接地との間に第１抵抗Ｒ_１、このベースと正電源４との間に第２抵抗Ｒ_２が接続される回路で、上記第２抵抗に対し並列となるように、直列接続のダイオード（ＰＮＰトランジスタでもよい）Ｄ1 と第３抵抗Ｒ_３を接続する。これによれば、Ｒ_２とＲ_３のそれぞれの値の組合せの調整で任意の温度勾配のドレイン電流を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】インピーダンス変換の特性を低損失で容易に調整し、高周波大電力への耐用性が高く、小型化を実現するドハティ増幅器及び高周波伝送線路を提供する。
【解決手段】誘電体１０１は、厚さＨ_ＡとＨ_Ｂの２層からなり、基板を構成する。２層の誘電体１０１の間には電極層１０２が積層されている。また、誘電体１０１の一面には、マイクロストリップ線路１０３が配設され、他面がグランド（ＧＮＤ）に接地されている。電極層１０２とＧＮＤとはスイッチ１０４を介して接続されており、制御部１０５がスイッチ１０４を制御して、電極層１０２とＧＮＤとの接続と開放を切り替える。 （もっと読む）

【課題】小型で伝送損失の少ないインピーダンス変換器、集積回路装置を実現する。
【解決手段】集積回路装置は、インピーダンス変換器15と、集積回路11A,11Bとを有し、インピーダンス変換器15は、第１の誘電率を有する第１の基板21の上方に設けられ、第１のインピーダンスを有する第１の伝送線路22A,22Bと、第１の誘電率より高い誘電率を有する第２の基板31の上方に設けられ、第１の伝送線路22A,22Bと電気的に接続され、第１のインピーダンスよりも低い特性インピーダンスを有する第２の伝送線路32AA,32ABおよび第３の伝送線路32BA,32BBと、第２の伝送線路32AA,32ABと第３の伝送線路32BA,32BBとの間に接続される抵抗35A,35Bとを有し、集積回路11A,11Bは、第２の伝送線路32AA,32ABおよび第３の伝送線路32BA,32BBと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子３に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ５及びキャパシタ６が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ７と、接地されたキャパシタ８とインダクタ７との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子９を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子３の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。 （もっと読む）

【課題】広帯域および小型化を可能とすること。
【解決手段】第１端子が接地された第１トランジスタＴ１と、制御端子Ｇ２に第１トランジスタの第２端子Ｄ１が入力し、第１端子が第１キャパシタを介し接地され、第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、第２端子Ｄ１と制御端子Ｇ２との間の第１ノードＮ１に一端が接続され、他端が第２キャパシタを介し接地された第１分布定数線路Ｌ１と、一端が第２端子Ｄ１に接続され、他端が第１ノードに接続された第２分布定数線路Ｌ２と、一端が制御端子Ｇ２に接続され、他端が第１ノードに接続された第３分布定数線路Ｌ３と、第１分布定数線路と第２キャパシタとの間の第２ノードＮ２と、第２トランジスタの第１端子と第１キャパシタとの間の第３ノードＮ３と、の間に接続された抵抗Ｒ１と、第３ノードと第２端子Ｄ１との間を第１分布定数線路と抵抗とを介して直流的に接続する経路と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】異なる周波数、出力電力または変調方式において動作可能な電力増幅器および通信機器を提供できる。
【解決手段】入力端子および出力端子を有する第１増幅器ＰＡ２と、入力端子および出力端子を有する受動回路ＰＣ３と、単極端子と、２つの多投端子とを有する第１スイッチＳＷ２と、を備えた電力増幅器であって、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の一方は、該第１増幅器ＰＡ２０１の該入力端子に接続されており、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の他方は、該受動回路ＰＣ３の該入力端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器を有するマイクロ波受信機において、小形な保護回路で、大電力のマイクロ波信号が入力されたときの後段増幅器の破壊・劣化を防ぐとともに、前段増幅器への反射電力を抑圧する。
【解決手段】この発明のマイクロ波受信機の前段増幅器の出力端と後段増幅器の入力端の間に挿入接続される保護回路は、その入力端子から出力端子へ至る使用周波数で約４分の１波長の伝送線路と、前記入力端子に一端が接続された第１の抵抗と、前記第1の抵抗の他端にカソード端子が接続されアノード端子が接地されたダイオードと、前記バイアス端子と前記ダイオードのカソード端子間に接続された第２の抵抗と、前記ダイオードのカソード端子と前記ゲートバイアス回路間に接続された第３の抵抗と、から構成した。 （もっと読む）

【課題】基板やレイアウトの制限がある場合においても、実現可能なレイアウトで広帯域に出力整合することが可能な高出力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子１に入力される高周波信号を整合する入力整合回路４と、入力整合回路４で整合された高周波信号を増幅させる増幅素子３と、増幅素子３で増幅された高調波信号の出力インピーダンスを、出力端子２の特性インピーダンスに整合する出力整合回路７，８と、増幅素子３と出力整合回路７，８とを接続する出力ワイヤ６とを備え、出力ワイヤ６のワイヤ長を、増幅素子３の出力容量を打ち消すインダクタ成分が得られる長さに略々設定した高出力増幅器である。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波・ミリ波における集積回路寸法を小型化し、安価なマルチチップモジュール構造を有する高周波回路を提供する。
【解決手段】複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３をそれぞれ形成する半導体基板１６₁〜１６₃と、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ４をそれぞれ形成する第１誘電体基板１４₁〜１４₄と、複数の整合回路をそれぞれ形成する第２誘電体基板１８₁,１８₂とを備え、複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３は直列接続されたことを特徴とするマルチチップモジュール構造を有する高周波回路３０。 （もっと読む）

【課題】トランスを用いて複数の増幅器対の出力を合成する電力増幅装置において、各増幅器対の差動動作のずれによって生じる出力の低下を抑制する。
【解決手段】電力増幅装置１１０は、基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタ７，８と、複数の増幅器対３〜６と、二次インダクタ９と、接続配線１０とを備える。各増幅器対は、対応の一次インダクタの両端に接続され、差動入力信号として与えられた一対の第１および第２の信号ＩＮ（＋），ＩＮ（−）をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力する。二次インダクタ９は、複数の一次インダクタ７，８に隣接して環状に設けられ、各一次インダクタで合成された第１および第２の信号の合成信号をさらに合成して出力する。接続配線１０は、基板上で複数の一次インダクタ７，８の内側に設けられ、各一次インダクタの中点ＭＰ１，ＭＰ２を互いに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅部（例えばキャリア増幅器及びピーク増幅器等）を有する増幅器を小型化することを目的としている。
【解決手段】入力信号が入力される入力部３と、入力信号を複数の信号に分岐させる分岐部４と、分岐部４で分岐された信号を増幅させる第一及び第二増幅部５、６と、第一及び第二増幅部５、６からそれぞれ出力されて合成された信号を出力する出力部９と、第一及び第二増幅部５、６が実装された基板２と、を備えており、第一増幅部５は、基板２の一方の主面２ａに設けられ、第二増幅部６は、基板２の他方の主面２ｂに設けられている。 （もっと読む）

【課題】 電力分配器で分岐された複数の増幅回路の相互干渉を防止し、伝送線路長の短い電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 電力分配回路から分岐された第１増幅器４ａからの高周波をインピーダンス整合する第１変成回路１０ａと、第１変成回路より細長の第２変成回路１１ａと、第２変成回路より細長の第３変成回路１２ａと、電力分配回路から分岐された第２増幅器４ｂからの高周波をインピーダンス整合する第４変成回路１０ｂと、第４変成器より細長の第５変成回路１１ｂと、第５変成器より細長の第６変成回路１２ｂと、第３変成回路及び第６変成回路のそれぞれの出力側に接続された電力合成器とを設けて、第３変成回路及び第６変成回路を屈曲させると共に第１及び第２増幅器出力端から電力合成器６出力端までの伝送線路長を伝送周波数波長に略等しくするようにした。 （もっと読む）