【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ４の一端がスイッチＳＷ２の他端に接続され、整合回路Ｍ４の他端が増幅素子Ｔｒ２の出力に直接に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本実施例の一側面における電力増幅器はトランジスタの入力側と出力側の両方に高調波処理を行う整合回路を設けた場合でも発振が生じるのを抑止し、電力増幅器の安定動作を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本実施例の一側面における電力増幅器は、基本波と高調波を含む入力信号を入力ノードで受けとり、入力信号の電力を増幅することにより出力信号を生成し、生成された出力信号を出力ノードから出力する増幅回路と、増幅回路の入力ノードに接続され、入力信号の高調波処理を行う入力整合回路と、増幅回路の出力ノードに接続され、出力信号の高調波処理を行う出力整合回路を含む。増幅回路は、入力信号の電力が所定値より大きい値からその所定値より小さい値に低下したとき、生成される出力信号に含まれる高調波の整合点における出力インピーダンスの位相を回転させる。 （もっと読む）

【課題】 平均電力に対するピーク電力の比が高い信号を増幅する際の電力変換効率を向上させることができる電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 異なる入力レベルの信号を飽和に近い動作で増幅する増幅器２１〜２３と、入力信号をレベルに応じて適切な増幅器に出力する信号分割処理部１と、各増幅器からの出力を低損失で合成する信号合成部３とを備え、増幅器２１〜２３の出力インピーダンスを同一の値とし、信号合成部３の位相調整線路３０１〜３０３と出力線路３０４の特性インピーダンスを増幅器の出力インピーダンスと同一の値とし、合成点３０５におけるインピーダンスが、動作していない増幅器に対して開放となるよう位相調整線路３０１〜３０３のインピーダンスが調整され、動作している増幅器に対して増幅器の出力インピーダンスとなるよう出力線路３０４のインピーダンスが調整されている電力増幅装置としている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成時の負荷変動に高速に対応すると共に、自動インピーダンス制御回路の長寿命化を図ることが可能な増幅システムを提供する。
【解決手段】プラズマの生成によりインピーダンスが変動する負荷と接続する増幅システムは、入力線路、第１及び第２の増幅器、出力線路、接続線路及びインピーダンス制御回路を具備する。入力線路、出力線路及び接続線路の電気長は、駆動前調整により予め設定される。インピーダンス制御回路は、駆動前調整において、入力から前記負荷側を見たインピーダンスが第１のインピーダンスと等しくなるように制御する。駆動中には、第１の増幅器は、プラズマ生成前後において第１のインピーダンスを目標として信号を増幅する。第２の増幅器は、プラズマ生成前には増幅機能をオフとし、プラズマ生成後には第１のインピーダンスを目標として信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数（ｆ１−ｆｎ）で整合が取られた差動プッシュプル増幅器（ＰＡ１−ＰＡｎ）の出力を、二次インダクタ（Ｌ１２−Ｌｎ２）で共通に合成して出力する。各差動プッシュプル増幅器は、差動信号入力端子にぞれぞれ接続される増幅器対で構成され、差動プッシュプル増幅器の出力にはキャパシタ（Ｃ１−Ｃｎ）とインダクタ（Ｌ１１−Ｌ１ｎ）の並列共振回路を接続し、共振周波数を変更して整合周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】アンテナの負荷インピーダンスによらず、食品を高速に加熱すること。
【解決手段】制御部１７で伝送線路１５の長さのバラツキの影響を補正することによって、電力増幅器１４の出力端での反射係数を高い精度で推測し、さらにその反射係数の値に従って予め用意された参照テーブルをベースにきめ細やかに電力増幅器１４への入力電力を過剰に低下することなく制御することによって、高い精度で電力増幅器１４の破壊や発振などを防ぎ、アンテナからの高周波出力を高いレベルに維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置の効率低下を防止する。
【解決手段】ドハティ増幅装置は、メインアンプを構成するメインアンプデバイス１と、ピークアンプを構成するピークアンプデバイス２と、メインアンプデバイス１及びピークアンプ２が実装された基板１５とを有している。メインアンプデバイス１は、第１デバイス本体１ｃ、第１入力端子１ａ、及び、第１出力端子１ｂを備え、第１入力端子１ａ及び第１出力端子１ｂが第１デバイス本体１ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、第２デバイス本体２ｃ、第２入力端子２ａ、及び、第２出力端子２ｂを備え、第２入力端子２ａ及び第２出力端子２ｂが第２デバイス本体２ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、メインアンプデバイス１の位置に対して、メインアンプデバイス１の第１入力端子から第１出力端子に向かう入出力方向Ｄｓにずれた位置に、実装されている。 （もっと読む）

【課題】Ｆ級増幅器における効率を改善することができる電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、予め定められた周波数の基本波を含む信号を増幅する増幅素子と、増幅素子が増幅した信号に含まれる基本波と、基本波の２倍波と、基本波の３倍波とそれぞれの特性インピーダンスとのインピーダンス整合をとる出力整合回路と、２倍波の反射位相を変化させる２倍波用チューナーと、３倍波の反射位相を変化させる３倍波用チューナーと、出力整合回路が出力する信号に含まれる基本波を通過させるとともに、信号に含まれる２倍波及び３倍波を反射する高調波反射フィルタであって、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーが接続され、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーを用いて２倍波及び３倍波の反射位相を独立に変化させる高調波反射フィルタとを備える。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】クラスＥのＨＰＡが広い帯域幅にわたって同時に高いＰＡＥ及び電力を維持することを可能にする。
【解決手段】スイッチングモード電力増幅器の出力に結合されたシャント誘導素子と、前記増幅器の前記出力に結合されている直列の誘導素子と、前記直列の誘導素子に結合されている直列の容量素子とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ２７と、発振トランジスタ２７に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体２９、抵抗体３１及びトランジスタ（スイッチ）３５が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ３０及び可変容量ダイオード３６が含まれている。 （もっと読む）

【課題】高温通電時には、バイアスジャンプを回避することができ、実運用時には、外部電源を製品によらず共通化することができる。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、入力整合回路１７に接続された高温動作用ゲートバイアス回路６０および運用時用ゲートバイアス回路７０と、高温動作用ゲートバイアス回路６０に接続された高温動作用ゲートバイアス端子３１ａと、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１。 （もっと読む）

【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、運用時用ゲートバイアス回路７０と、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１およびその動作方法。 （もっと読む）

【課題】 高調波成分の負荷を、基本波の調整に影響されることなく短絡から開放までの範囲で最適な負荷となるよう独立して設定することができ、高い電力変換効率を得ることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 トランジスタ３の出力に、高調波に対する負荷を設定して反射する高調波反射回路４と、設定された高調波に対する後段の負荷の影響を分離する負荷分離回路５と、基本波についてトランジスタ３と出力負荷との整合を取る基本波整合調整回路６を備え、高調波反射回路４に設けられた先端開放スタブ２３の長さが調整されることで、高調波の負荷を調整する電力増幅器としており、高調波成分及び基本波について独立して最適な負荷調整を行うことができ、電力変換効率を向上させることができるものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、整合条件を変更するための制御回路を必要とせずに、複数の周波数帯で利用可能となる簡素な構成の高周波増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】パッケージ基板と、該パッケージ基板の表面に設置された増幅能動素子と、該増幅能動素子と接続されて高周波信号を伝送する伝送線路とを有する。そして、一端が該伝送線路にシャント接続されたＳＭＤ部品と、該ＳＭＤ部品の他端と接続され一部が該パッケージ基板の裏面に露出するＳＭＤ部品用端子と、該伝送線路のうち該増幅能動素子と接続された部分と反対側の端部と接続され、一部が該パッケージ基板の裏面に露出する外部端子とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器を有するマイクロ波受信機において、小形な保護回路で、大電力のマイクロ波信号が入力されたときの後段増幅器の破壊・劣化を防ぐとともに、前段増幅器への反射電力を抑圧する。
【解決手段】この発明のマイクロ波受信機の前段増幅器の出力端と後段増幅器の入力端の間に挿入接続される保護回路は、その入力端子から出力端子へ至る使用周波数で約４分の１波長の伝送線路と、前記入力端子に一端が接続された第１の抵抗と、前記第1の抵抗の他端にカソード端子が接続されアノード端子が接地されたダイオードと、前記バイアス端子と前記ダイオードのカソード端子間に接続された第２の抵抗と、前記ダイオードのカソード端子と前記ゲートバイアス回路間に接続された第３の抵抗と、から構成した。 （もっと読む）

【課題】少数の部品で高周波回路の安定性を向上させる。
【解決手段】電子回路と、該電子回路に並列に接続されたスタブと、該電子回路に並列に接続された抵抗と、を有する高周波回路において、該抵抗を分布定数回路である等価回路に置き換え、該高周波回路で用いられる第１の周波数で前記高周波回路のインピーダンスマッチングがとれており、且つ前記高周波回路が安定すべき第２の周波数で前記高周波回路が安定するように、前記スタブのインピーダンス値と、前記等価回路の抵抗値とを設定する。 （もっと読む）

本開示は信号電力を混合する手法を含む。一実施形態では、複数の電力増幅器が増幅信号を生成する。複数の第１伝送線は電力増幅器の出力に電気的に結合される。複数の第２伝送線は複数の第１伝送線に磁気的に結合され増幅信号を受信する。増幅信号は複数の第２伝送線を中央導電域内からノードへと伝播する。増幅信号はノードで加算される。ノードはアンテナ端子に結合される。 （もっと読む）

【課題】入力信号が過大レベルになっても半導体増幅素子に機能破壊が生じないようにした高周波増幅装置を提供すること。
【解決手段】ＦＥＴ１０１を用いた高周波増幅装置において、ＦＥＴ１０１対する電源電流Ｉの供給ラインに直列にパワーサーミスタ１３１を設け、入力信号のレベルの増加による電源電流Ｉの急激な増加に対する抑制機能がパワーサーミスタ１３１の電圧降下により与えられるようにしたもの。 （もっと読む）