【課題】数１００ＭＨｚから１０ＧＨｚ付近までの高周波数領域において、高い周波数純度の原発振が得られ、スプリアスが少なく信頼性の高い小型で使い易い、薄膜バルク弾性波発振器、および、その製造方法を提供すること。また、広帯域化された可変周波数範囲を有する電圧可変発振器、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】微細加工技術を用いて基板上にトランジスタやキャパシタンスの回路素子が形成された回路素子部と、回路素子部の上層であって基板及び該回路素子部と音響的に分離する為の高音響インピーダンス材料で構成される薄膜と低音響インピーダンス材料で構成される薄膜とを交互に積み重ねて構成された音響ミラー層と、該音響ミラー層の直上に薄膜形成技術を用いて形成された圧電体薄膜を上部電極層と下部電極層とで挟み込んだ構造とされかつ基板側と音響的に分離された薄膜バルク弾性波共振子とからなり、回路素子と薄膜バルク弾性波共振子とを微細加工技術を用いて配線接続する。 （もっと読む）

【課題】その目的は、デバイス外部からの電磁ノイズ等を遮蔽することにより、ジッタ特性を改善した圧電デバイスを提供することにある。
【解決手段】矩形状の容器体内部に形成された凹状の空間部内に、少なくとも圧電振動素子が搭載されており、この容器体の空間部を囲繞する側壁部の頂面には、この空間部の開口部を覆う形態で矩形平板状の金属製蓋体が配置されており、蓋体と側壁部の頂面に設けた導体層とを接合固着し、空間部内の圧電振動素子を気密封止している圧電デバイスにおいて、蓋体の厚みが１５０μｍ以上であり、且つデバイスとして厚みを２ｍｍ以下である圧電デバイス。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ内に水晶片とＩＣチップなどを実装した状態で、その発振回路を動作させて水晶片自体の温度特性を正確に調整し、その後の補償データの作成とそれを記憶させる作業も続けて行なえるようにし、調整工程の簡素化と高精度化を図る。
【解決手段】 発振回路２０と温度検出回路１８と、その温度検出信号に基づいて発振回路２０の出力信号の周波数を略一定値に保つための温度補償回路３０とを備え、その温度補償回路３０の温度補償機能を有効状態にするか又は無効状態にするかを選択する選択回路４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】温度特性測定の時間を削減した水晶発振器の温度特性補正方法を提供する。
【解決手段】まず振動子の周波数温度特性係数、回転中心温度係数およびＬＳＩに内蔵されているバリキャップダイオードの感度を測定し、測定値を所定のコードに対応させて第１のデータベースに登録、振動子にコードを付加した上でコードを認識する工程（Ｓ１）、データベース上のコードと照合する工程（Ｓ２）、コードに対応する振動子の各測定データに基づいて温度補正データを算出、補正データを第２のデータベースに、コードに対応させて登録する工程（Ｓ３）、補正データを、ＬＳＩの書き込み可能読み出し専用メモリにビット値にて書き込む工程（Ｓ４）、書き込まれたビット値に基づく制御電圧をバリキャップダイオードに印加することにより温度補正された発振器の周波数温度特性を測定し良否判定を行う工程（Ｓ５）により水晶発振器の温度特性補正を行う。 （もっと読む）

【課題】補償信号を発生する補償回路と、補償回路からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部とを有する発振回路に関し、高速に所望の周波数に安定されることができる発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、補償信号を発生する補償回路（１２２）と、補償回路（１２２）からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部（１２１）とを有する発振回路において、抵抗（Ｒ１）及びキャパシタ（Ｃ２）を含み、補償信号の積分波形を発振部（１２１）に供給する積分回路（Ｒ１、Ｃ２）と、積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれるキャパシタ（Ｃ２）を充電する充電回路（１２３）と、積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれる抵抗（Ｒ１）の両端を短絡させるスイッチ回路（１２４）と、キャパシタ（Ｃ２）の充電が終了した後、スイッチ回路（１２４）により積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれる抵抗（Ｒ１）を短絡させる制御回路（１２５）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＣカット水晶振動子を用いた高安定水晶発振器のＣ、Ｂ両モードを選択的に発振させる回路を得る。
【解決手段】 トランジスタと、ＳＣカット水晶振動子と、第１及び第２の容量の直列回路とを備えたコルピッツ型水晶発振器において、前記トランジスタのエミッタと接地との間に第３及び第４の容量の直列回路を接続し、前記第１及び第２の容量の接続点と第３及び第４の容量の接続点との間に、インダクタンスと第５の容量との並列回路を接続し、第６の容量と可変容量ダイオードと第７の容量との直列回路を前記第５の容量に並列接続し、前記可変容量ダイオードのカソードに第１の抵抗の一方の端子を接続し、他方の端子を制御電圧に接続し、可変容量ダイオードのアノードに第２の抵抗の一方の端子を接続し、他方の端子を接地して水晶発振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】温度補償された水晶発振器を低コストで提供することが可能な水晶発振器の製造方法及び水晶発振器を提供する。
【解決手段】予め設定された５次項を含む補正曲線を発生させる補正電圧発生回路３により、水晶発振子の温度特性の補正を行うことで、個別の水晶発振子毎に補正曲線の調整を行うこと無しに温度補償された水晶発振器１の製造を行う。
また、本発明に係る水晶発振器１は、水晶発振回路２と、補正電圧発生回路３と、温度センサー４とを備えた水晶発振器であって、前記補正電圧発生回路３が、主として５次項の補正曲線を発生させる回路のみを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波圧電発振器で発生する電極間容量Ｃ０の増加を低減し、不要共振による発振を抑圧し、高い安定度を得る高周波圧電発振器を提供する。
【解決手段】この高周波発振回路は、発振用トランジスタＴＲ１のベース・接地間に負荷容量の一部となるコンデンサＣ１とＣ２を接続し、この接続点から発振用トランジスタＴＲ２１のエミッタに接続してエミッタ抵抗Ｒ１を介して接地する。更に、発振用トランジスタＴＲ１のベースに抵抗ＲＢ１及び抵抗ＲＢ２とから成るベースバイアス回路を接続すると共に、発振用トランジスタＴＲ１のベース・接地間に圧電振動子ＸｔａｌとインダクタＬ０及び抵抗Ｒ０を並列接続し、その接続点にコンデンサＣ３を挿入接続して接地する。更に、発振用トランジスタＴＲ１のコレクタと電源電圧Ｖｃｃラインとを接続したものである。 （もっと読む）

【課題】 大規模な回路を必要とせずに比較的精度のよい温度補償をできるようにする。
【解決手段】 周波数温度特性が二次関数で表される弾性表面波共振子の周囲温度を検出し、周囲温度に対応した制御電圧を発生する。制御電圧は、周波数温度特性の頂点温度Ｔｐに対して低温側の領域において、温度の変化に対応させて勾配の異なる直線ａと直線ｂとに沿って変化させる。制御電圧は、頂点温度Ｔｐに対して高温側の領域において、温度の変化に対応させて勾配の異なる直線ａと直線ｂとに沿って変化させる。 （もっと読む）

【目的】本発明は水晶共振子を設けて発振周波数の相雑音を小さくし、Ｑ値の高い水晶共振子である故にその帯域幅が狭くて発振周波数が通過しないことによって生ずる水晶発振器の発振停止を防止する。
【構成】インダクタ成分としての水晶振動子に分割コンデンサを接続してなる共振回路と、前記水晶振動子と分割コンデンサの接続点にベースを前記分割コンデンサの接続点にエミッタを接続した発振用トランジスタと、前記分割コンデンサの接続点とエミッタとの間に設けた負荷抵抗を有する帰還線路と、前記帰還線路に挿入された水晶共振子とからなる水晶発振器において、前記水晶共振子に並列に抵抗を接続した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 その目的は、生産性を向上させた圧電デバイスを提供することにある。
【解決手段】 本発明の圧電デバイスは、圧電振動素子と、該圧電振動素子と接続して発振回路を構成する集積回路素子並びに電子部品素子と、前記圧電振動素子及び前記集積回路素子並びに前記電子部品素子を搭載する為の容器体とからなる圧電デバイスにおいて、前記集積回路素子の基板がｐ型半導体で容器体の電源電圧電極に接続する場合は、ｐ型半導体の仕事関数Φｓｐと前記導電性接着剤に含まれる導電性フィラーの仕事関数Φｍの関係をΦｓｐ＞Φｍとなるようにし、整流性を有する接合状態としたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は広い温度範囲で厳しい温度特性が要求される規格を満足することが可能な水晶発振器を提供することにある。
【解決手段】
水晶振動板１３と半導体部品１と収納容器１１と蓋体１２とを少なくとも基本構成部品として組立る水晶発振器１０であって、水晶振動板と半導体部品と収納容器と蓋体とを少なくとも基本構成部品として組立る水晶発振器であって、動作温度環境における出力周波数の偏差を左右する前記半導体部品の持つ温度特性を補正する手段として、前記半導体部品の持つ温度係数が正または負の一次関数に対して、前記水晶素板は負または正の一次関数分だけカットアングルを補正した。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩから制御可能な汎用ポートの“Ｈ”レベルのレベルが、トランスミッションゲートの“Ｈ”レベルを認識する最小許容値を満足しない可能性が発生し、水晶振動子の発振安定に時間かかる。
【解決手段】電源起動時はＮＰＮトランジスタＱＮ１を遮断状態にして、第１のトランスミッションゲートＧ１を導通状態に、第２のトランスミッションゲートＧ２を遮断状態にし、電源電圧ＶＤＤを第１のトランスミッションゲートＧ１を介して電圧制御発振回路１００の制御入力端子ｎ３に印加する。水晶振動子Ｘの発振安定後は汎用端子１２への制御信号によりＮＰＮトランジスタＱＮ１を導通状態に切り替えることを通じて第１のトランスミッションゲートを遮断状態に、第２のトランスミッションゲートを導通状態に切り替え、電圧制御端子１１の電圧を第２のトランスミッションゲートＧ２を介して電圧制御発振回路の制御入力端子に印加する。 （もっと読む）

電源電圧が低電圧であっても、一定の発振周波数の高周波信号を出力する温度補償型圧電発振器を提供する。 温度補償型圧電発振器は、ＡＴカット水晶振動子（ＸＤ）と、該水晶振動子（ＸＤ）の一方端に接続する増幅回路（３）と、水晶振動子（ＸＤ）の他方端に接続するバラクタダイオード（ＶＤ）と、このバラクタダイオード（ＶＤ）の両端に抵抗器（Ｒ１１），（Ｒ１２）を介して接続する温度補償電圧発生回路（１０）とを備える。温度補償電圧発生回路（１０）は、サーミスタ（ＴＨ１），（ＴＨ３）と抵抗器（Ｒ１），（Ｒ３）とからなり、バラクタダイオード（ＶＤ）のカソードに接続する第１電圧発生回路（１）と、サーミスタ（ＴＨ２）と抵抗器（Ｒ２），（Ｒ４）とからなり、バラクタダイオード（ＶＤ）のアノードに接続する第２電圧発生回路（２）とからなる。
（もっと読む）

【課題】簡易な構造で小型化に対応可能であり、かつ発振回路の後段にバッファ回路を必要とせずに、出力負荷による影響を抑えることが可能な圧電発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】電源と接地との間にＰチャネル型のＭＯＳ−ＦＥＴとＮチャネル型のＭＯＳ−ＦＥＴとの直列接続によるＣＭＯＳ構造にて構成されたインバータ増幅器と第１の負荷インピーダンスとの接続回路を挿入し、前記インバータ増幅器の入力と接地との間に圧電振動子と周波数調整回路との直列回路を挿入し、前記インバータ増幅器の入力と前記インバータ増幅器と前記第１の負荷インピーダンスとの接続点に第２の負荷インピーダンスを直列に挿入接続し、更に、前記インバータ増幅器の入出力間に抵抗を接続することにより圧電発振発振器を構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳ型バラクタの非線型性な容量変化を利用して温度補償回路の補償容量曲線を理想的な３次関数に近づけることで、補償精度を向上させる。
【解決手段】 温度センサ８１と、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する高温１次電圧調整回路８２と、この調整回路８２により生成された電圧の高温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高次電圧調整回路８３と、１次電圧調整回路８２及び高次電圧調整回路８３により生成される電圧を合成する合成回路８６と、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する低温１次電圧調整回路８４と、この調整回路８４により生成された電圧の低温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高次電圧調整回路８５と、低温１次電圧調整回路８４及び高次電圧調整回路８５により生成される電圧を合成する合成回路８７とを備えて構成される。 （もっと読む）

【目的】制御電圧に対する周波数特性の直線性を良好にして、周波数可変幅を大きくした電圧制御発振器を提供する。
【構成】他端側を基準電位とした電圧可変容量素子を発振回路の閉ループ内に挿入して、前記電圧可変容量素子の一端側には入力端からの制御電圧を補正回路によって補正した補正電圧が印加され、前記制御電圧に対する前記発振回路の発振周波数を直線的に制御してなる電圧制御発振器において、前記補正回路は前記入力端と前記基準電位との間に順方向降下電圧を有する半導体素子と第１抵抗とを直列接続し、前記半導体素子の端子間に第２抵抗と第３抵抗とを直列接続し、前記第２抵抗と第３抵抗との中点を前記補正電圧の出力端とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高精度に温度補償電圧の設定を図ることができる温度補償圧電発振回路および、それを備えた電子装置を構成する。
【解決手段】 水晶振動子ＸＤ１にバラクタダイオードＶＤ１を接続し、バラクタダイオードＶＤ１に感温抵抗素子回路１５ａ・１５ｂを接続する。各感温抵抗素子回路は分圧回路１６を備え、分圧回路はサーミスタＴＨを含む。第１抵抗回路１７と第２抵抗回路１８とは直列に接続していて、第１抵抗回路１７と第２抵抗回路１８との接続点から分圧電圧を引き出し、感温抵抗素子回路１５ａ・１５ｂは、それぞれバラクタダイオードＶＤ１の端子に分圧電圧を常に印加するように回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】低雑音化に対応可能で、かつバッファ回路を使用することなく発振回路により位相の１８０度異なる２つの出力信号を取り出すことが可能である圧電発振器を提供する。
【解決手段】一対のインバーター増幅器を用いた圧電発振器であって、第１のインバーター増幅器と第２のインバーター増幅器のゲート入力間に圧電振動子を挿入し、前記第１、第２のインバーター増幅器のゲート入力と接地との間に各々、負荷容量を挿入し、前記第１のインバーター増幅器の出力端子と前記第２のインバーター増幅器の入力端子とを第１の直流カット用容量を介して接続し、前記第１のインバーター増幅器の入力端子と前記第２のインバーター増幅器の出力端子とを第２の直流カット用容量を介して接続し、更に、前記第１、第２のインバーター増幅器の入出力間に抵抗を接続したことを特徴とする圧電発振器。 （もっと読む）

【目的】本発明は周波数可変量を大きくする負荷容量の調整を容易にした電圧制御発振器を提供する。
【構成】、特許請求の範囲（請求項１）に示したように、接続点を基準電位として直列接続された一対のコンデンサと、前記一対のコンデンサの両端側に接続した水晶振動子と、前記基準電位と水晶振動子の一端側との間にそれぞれ直列に接続したインダクタ及び前記一対のコンデンサのうちの一方のコンデンサを兼用する場合を含めての電圧可変容量素子とからなる発振閉ループを形成する高周波的な等価回路を備え、前記インダクタはＩＣとは別個のディスクリート部品としてなる電圧制御発振器において、前記インダクタ及び電圧可変容量素子に対して少なくとも並列接続となり、前記水晶振動子から見た負荷容量ＣLの調整用コンデンサを接続した構成とする。 （もっと読む）