【課題】Ｂモードの干渉を確実に抑制すると共に、３次と５次のオーバートーン振動を安定して実現できるデュアルモード水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶振動子の基本波振動に対する３次のオーバートーン振動を発振する第１の発振手段と、水晶振動子の基本波振動に対する５次のオーバートーンを発振する第２の発振手段と、第１、第２の発振手段のいずれか一方と、水晶振動子との間に５次のオーバートーン振動の干渉を阻止する帯域制限手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数以外の周波数で発振するおそれがあり、また、出力される発振周波
数の波形が正弦波に近似しないことがあった。
【解決手段】第１の電位及び第２の電位間に接続されたＣＭＯＳインバータと、一端がＣ
ＭＯＳインバータの入力端に接続された第１の素子部と、一端がＣＭＯＳインバータの入
力端に接続され、他端がＣＭＯＳインバータの出力端に接続された第２の素子部と、一端
がＣＭＯＳインバータの出力端に接続された第３の素子部と、一端が第１の素子部の他端
及び第３の素子部の他端に接続され、他端が第１の電位及び第２の電位のうちの一方に接
続された第４の素子部とを含み、第１、第２、第３、及び第４の素子部は、水晶振動子、
抵抗器、インダクタ及びキャパシタのいずれかであり、第１、第２、及び第３の素子部に
より規定される周波数で発振する。 （もっと読む）

【課題】従来の発振回路では、インダクタを有することから、小型化が困難であった。
【解決手段】各エミッタが実質的に接地電位に接続された第１のトランジスタ及び第２の
トランジスタと、第１のトランジスタのベース及び第２のトランジスタのベース間に接続
された水晶振動子と、第１のトランジスタのコレクタ及び電源電位間に接続された第１の
抵抗器と、第２のトランジスタのコレクタ及び電源電位間に接続された第２の抵抗器と、
第１のトランジスタのコレクタ及び第２のトランジスタのベース間に接続された第１のキ
ャパシタと、第２のトランジスタのコレクタ及び第１のトランジスタのベース間に接続さ
れた第２のキャパシタと、第１のトランジスタのベース及びエミッタ間に接続された第３
のキャパシタと、第２のトランジスタのベース及びエミッタ間に接続された第４のキャパ
シタと、を含む。 （もっと読む）

【課題】１つのＳＡＷ共振片を使用して異なる周波数の信号を出力し、インピーダンス素子でＳＡＷ共振片の周波数変化量と制御電圧の関係を調整するＳＡＷ発振器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、第１ＩＤＴ１４および第２ＩＤＴ１６を圧電基板上に直列配設したＳＡＷ共振片１２と、第１ＩＤＴ１４に入力される信号の位相と第２ＩＤＴ１６に入力される信号の位相とを同じまたは異にするスイッチ部３０と、第１ＩＤＴ１４および第２ＩＤＴ１６に信号を供給する発振段３６と、ＳＡＷ共振片１２に接続されたインピーダンス素子４０とを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】超小形なＦＳＫ送受信装置を提供すること。
【解決手段】デジタルデータをシリアル信号列に変調するエンコーダ回路と前記シリアル信号列により２値の周波数をＦＳＫ変調させＳＡＷ共振素子を発振させる増幅器と、２値の発振周波数状態を切り替えるＳＷ回路を含むＦＳＫ変調回路と、前記ＦＳＫ変調回路からの出力をアンテナに接続するアンテナＳＷ回路とを備える送信系と、前記アンテナからの受信信号は前記アンテナＳＷ回路から２者択一的に選択されてＳＡＷフィルタ素子に入力され、ｆＬ成分とｆＨ成分に分離された後、２チャンネルで構成されているローノイズアンプと検波回路、差動増幅器で構成された周波数弁別回路を経てベースバンド信号として再生され、デコーダ回路により復調されてデジタルデータとする復調系とを備えていることを特徴とするＦＳＫ送受信装置。 （もっと読む）

【課題】製造ばらつき、粗悪品、経年劣化などによって、発振子の発振周波数が所望の周波数範囲内にないとき、発振周波数を修正することが可能な、電力を必要以上に消費しない発振装置を提供する。
【解決手段】発振子１の第１発振周波数を、周波数／電圧変換回路５によって電圧に変換し、判定制御回路６によって、前記電圧を用いて第１発振周波数が所望の周波数範囲内にあるか否かを判定し、第１発振周波数が所望の周波数範囲内にある場合にはスイッチ７をβにつなぎ、トランジスタ８をオフ状態とし、第１発振周波数が所望の周波数範囲内にない場合にはスイッチ７をαにつなぎ、トランジスタ８をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＳＫ変調器において、周波数の切り替え時における出力振幅の変動を低減する。
【解決手段】圧電体平板上に形成した２個の振動状態を有するＳＡＷ共振子と、増幅器とＳＷ回路からなるＦＳＫ変調器において、前記ＳＡＷ共振子は、主ＩＤＴ、ゲイトＩＤＴ、副ＩＤＴ、1対の反射器で構成した２ポート型のＳＡＷ共振子からなり、かつ前記主ＩＤＴと前記副ＩＤＴの極性をＳＷ回路にて同符号として発振器の増幅器に接続して第１の発振周波数ｆＨを発生し、また前記主ＩＤＴと前記副ＩＤＴの極性を前記のＳＷ回路にて逆符号として発振器の増幅器に接続して第１と若干異なる第２の発振周波数ｆＬを発生する構成とした。 （もっと読む）

【課題】
高周波帯域で使用できると共に低ドライブレベルでの発振が可能な高周波コルピッツ発振回路を提供すること。
【解決手段】
コルピッツ発振回路とコレクタ接地増幅回路とを備え、前記コルピッツ発振回路の出力端子を前記コレクタ接地増幅回路の入力端子とを接続し、前記コレクタ接地増幅回路の出力を前記コルピッツ発振回路に帰還接続するよう構成を有することを特徴とする高周波コルピッツ発振回路。 （もっと読む）

【課題】 用途に応じて出力波形を変更することができる水晶発振器を提供する。
【解決手段】 水晶振動子２と発振回路とを備えた水晶発振器８において、複数の異なる波形を出力する複数の波形出力回路１０〜１２と、発振回路８の出力回路として、複数の波形出力回路１０〜１２からの何れか一つを選択するスイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ａ〜ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂと、スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ａ〜ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂを選択するためのデータを記憶する内部メモリ回路６とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】Ｂモード の共振を確実に抑圧でき、それによってＣモード の共振を確実に励振することができる水晶発振器を提供する。
【解決手段】水晶発振回路は、ＳＣカットやＩＴカットなどの水晶振動子を用いているため、Ｃモード（主モード）周波数にＢモード（不要モード）周波数が近接しているため、水晶発振回路の帰還ループ中に、Ｃモード周波数を通過させるＣモード共振回路（主モード共振回路）と、不要モード周波数での発振を抑圧するトラップ回路を具備する構成とする。 （もっと読む）

同調電圧によって制御可能な状態の電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）である。該ＶＣＸＯは、水晶と、調整可能なコンデンサアレイとを有する。一例において、該ＶＣＸＯは、前記同調電圧を対応するディジタル値に変換するアナログ−ディジタル変換器と、前記水晶及び同調プロファイルにおける１つか又は複数のパラメータを格納するメモリと、論理ブロックとを備える。該論理ブロックは、前記ディジタル値と前記水晶及び同調ファイルにおける１つか又は複数のパラメータとを受け取って、前記調整可能なコンデンサアレイを調整することにおいて使用するための１つか又は複数の値を動的に算出する。このようにして、前記論理ブロックは、リアルタイムに、前記ＶＣＸＯの動作（すなわち、発振周波数）を動的に計算し且つ調整することができる。
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【課題】 コルピッツ型水晶発振器の発振を確実にすると共に位相雑音を改善する手段を得る。
【解決手段】 トランジスタのベース−接地間に水晶振動子を接続し、ベース−接地間に第１及び第２の容量を直列接続した回路を接続し、エミッタ−接地間に第１の抵抗を接続し、第１及び第２の容量の中点とエミッタ間に周波数選択素子を接続して構成したコルピッツ型水晶発振器であって、前記周波数選択素子に電界効果トランジスタのドレイン及びソースを並列接続し、ゲート接地間に第２の抵抗を接続し、ゲート電−源間に第３の容量を接続して圧電発振器を構成する。 （もっと読む）

【目的】制御電圧に対する周波数特性の直線性を良好にして、周波数可変幅を大きくした電圧制御発振器を提供する。
【構成】他端側を基準電位とした電圧可変容量素子を発振回路の閉ループ内に挿入して、前記電圧可変容量素子の一端側には入力端からの制御電圧を補正回路によって補正した補正電圧が印加され、前記制御電圧に対する前記発振回路の発振周波数を直線的に制御してなる電圧制御発振器において、前記補正回路は前記入力端と前記基準電位との間に順方向降下電圧を有する半導体素子と第１抵抗とを直列接続し、前記半導体素子の端子間に第２抵抗と第３抵抗とを直列接続し、前記第２抵抗と第３抵抗との中点を前記補正電圧の出力端とした構成とする。 （もっと読む）

機械的発振器（２０）が、サブミクロンの範囲の寸法を有する構成要素を有し、ギガヘルツの範囲において共振モードの発振を生じる。大きな要素（２１）が、小さなサブミクロンの要素（２２）と結合され、直ちに利用可能な技術を用いて検出される大増幅のギガヘルツ周波数発振を生じる。機械的構造は、ビームと、リングとを含む多くのジオメトリに従って形成され得、静電気と、磁気と、熱に関係する力ならびに他の励起技術を用いて励起される。機械的構造は、増幅およびミキシングなどの適用のためにアレイに配列され得、電気的または光学的な相対物よりも衝撃および放熱の環境に対して感応しにくい。
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【課題】確実な発振動作を得るとともに、高周波数帯で発振の実現と、周波数安定度がより高いピアース型発振回路を提供する。
【解決手段】反転増幅回路と、この反転増幅回路の出力回路と入力回路の間に圧電振動子を設けたピアース型発振回路において、
反転増幅回路は、水晶振動子を通した入力を反転増幅するエミッタ接地型のトランジスタＱ_１と、このトランジスタのコレクタと出力回路との間でカスコード接続され、該トランジスタＱ_１のコレクタからみて低入力インピーダンスを呈し、かつ出力回路からみて高出力インピーダンスを呈するベース接地型のトランジスタＱ_２で構成する。Ｒ_２は負帰還抵抗。 （もっと読む）

高周波電磁発振を発生させる発振器回路が、少なくとも１つの入力と少なくとも１つの出力とを有する増幅器構成と、増幅器構成の少なくとも１つの出力に接続される水晶振動子と、少なくとも１つの入力が、水晶振動子と、水晶振動子に接続された少なくとも１つの、増幅器構成の出力とに接続され、少なくとも１つの出力が、増幅器構成の入力または少なくとも１つの入力に反結合されたバンドパス・フィルタ構成とを含む。バンドパス・フィルタ構成の振幅−周波数特性および／または位相−周波数特性を、増幅器構成および水晶振動子の振幅−周波数特性および位相−周波数特性の関数として設計することにより、水晶振動子の選択された高調波に対してのみ発振条件が満たされ、この選択された、水晶振動子の高調波によって形成される高周波電磁発振をバンドパス・フィルタ構成の出力において利用することができる。この発振器回路は、シンプルに構成され、干渉の影響を少なくともほぼ受けない動作が可能である。
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【課題】温度ドリフトに対して周波数安定性を有するＦＢＡＲデバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）は、上部電極および下部電極の間に配設された圧電膜を有する。温度センサは、ＦＢＡＲにおいて温度が原因で生じる周波数ドリフトを決定するべく温度を検出する。電圧制御器は、温度センサに接続され、温度が原因で生じる周波数ドリフトを補正するべく、電圧により周波数ドリフトを逆方向に生じさせるように、ＦＢＡＲに直流（ＤＣ）バイアス電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのＯＮ抵抗を利用した発振回路において、周波数可変幅を大きく拡大した電圧制御型水晶発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】電圧制御型水晶発振器５は、例えば、コルピッツ型発振回路等のような発振回路２と、これと接続する水晶振動子３と、外部から印加する外部制御電圧で容量を可変する容量可変回路６とにより構成し、容量可変回路６は、水晶振動子３と接地間にコンデンサＣ１とＣ２を直列接続し、コンデンサＣ２にはトランジスタＴＲ１及びＴＲ２のドレインをコンデンサＣ３側に、ソース側を接地側に接続する方向でトランジスタＴＲ１及びＴＲ２を接続する。更に、トランジスタＴＲ１及びＴＲ２のゲートには抵抗Ｒ１を介して外部から印加する外部制御電圧を入力する。 （もっと読む）

表面弾性波センサは、ａ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶（ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのようなもの）と交叉指状電極の上の第２の圧電層（酸化亜鉛のようなもの）とから成る第１の層状ＳＡＷデバイスと、ｂ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶と、交叉指状電極の上の第２の圧電層と、第２の圧電層の上の検体感応表面（金のようなもの）とから成る第２の層状ＳＡＷデバイスとを備える。ｃ）ＳＡＷデバイスの両方は、同じ基板上に製作される。表面弾性波センサは、ｄ）ＳＡＷデバイスの帯域幅を低減するため各ＳＡＷデバイスの交叉指状電極に隣接して配置された反射器を更に備え、ｅ）各ＳＡＷデバイスの共振器回路は、従属性の増幅器を組み込んでいる。
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液体が付着した場合であっても、バイアス電圧の印加による電極膜の剥離が生じ難く、かつ安定に動作させ得る弾性表面波センサー内蔵発振回路を提供する。 圧電基板上にインターデジタル電極３３，３４と、インターデジタル電極３３，３４を覆うように、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜が設けられており、微小な質量負荷を周波数変化により検出することを可能とする弾性表面波センサー３２が共振子として接続されている弾性表面波センサー内蔵発振回路であって、弾性表面波センサー３２に対して、直列に直流カット用コンデンサ３６，４２が接続されており、該直流カット用コンデンサ３６，４２が、それぞれ、インピーダンス整合回路を構成している、弾性表面波センサー内蔵発振回路３１。 （もっと読む）