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Fターム[5J081BB02]の内容

LC分布定数、CR発振器 (9,854) | 用途 (545) | 情報機器用 (13)

Fターム[5J081BB02]に分類される特許

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【課題】複雑なバイアス回路を使用せず,抵抗の温度依存性を補償可能なMCU搭載に適したCR発振回路またはLC発振回路を提供する。
【解決手段】マイクロコントローラは,CPUと,CPUに供給するクロックを生成しクロックの周波数が周波数調整信号に応じて可変制御される発振回路と,温度を検知する温度センサと,温度センサにより検知される温度が所定温度変動したことに応答してCPUにより実行される周波数調整プログラムと,周波数調整信号と発振回路の発振周波数との関係を示す調整信号対周波数関係データと,温度と前記発振回路の発振周波数との関係を示す温度対周波数関係データとを格納するメモリとを有する。そして,周波数調整プログラムがCPUにより実行されることで,CPUが,温度対周波数関係データと調整信号対周波数関係データとに基づいて,温度センサにより検知される現在温度に応じて,発振回路の発振周波数を目標の周波数に制御する周波数調整信号を演算し,演算した周波数調整信号が発振回路に設定される。 (もっと読む)


【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのLC共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のLC共振回路が、インダクタL1、第1の微調容量と第1の容量バンクからなる並列回路と、第2の微調容量と第2の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第1の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第1の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第2の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第2の微調容量による周波数変換利得の和となる。 (もっと読む)


【課題】VCOに含まれるスパイラルインダクタとMOSバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および/または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】LCタンクVCOは、第1および第2のスパイラルインダクタL1,L2と、第1および第2のMOSバラクタC1,C2とを備える。第1および第2のMOSバラクタC1,C2は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第1のスパイラルインダクタL1と第2のスパイラルインダクタL2の間の領域に配置される。 (もっと読む)


【課題】同一の筺体内に配置された半導体チップ間でミリ波の信号伝送媒体を介したミリ波帯域の信号を伝送できるようにすると共に、当該半導体チップ間でより簡易に高速伝送システムを実現できるようにする。
【解決手段】入力信号SINが基準搬送信号Sfに基づいてミリ波の送信信号Soutに変換され、変換後の送信信号Soutが、筺体1内に配置されたCMOSチップ101の送信部から当該筺体1内のミリ波の信号伝送媒体51へ伝送される場合であって、局部発振信号Sf’を発振する発振回路を有して筺体1内に配置され、信号伝送媒体51から受信したミリ波の受信信号Sinを発振回路に注入して当該局部発振信号Sf’を基準搬送信号Sfに同期させ、同期後の局部発振信号Sf’に基づいてミリ波の復調信号SOUTを復元するものである。 (もっと読む)


【課題】LC型発振器において、高調波歪みによる位相雑音の劣化が小さく、かつ発振振幅の増大化を図り、これにより良好な低位相雑音特性を有する発振器及びそれを用いた通信システムを提供する。
【解決手段】トランジスタからなる少なくとも1つ以上の電圧-電流変換部と、1対の容量性素子と誘導性素子からなるLCタンクを2つ有している共振器とを具備して成り、前記の電圧-電流変換部の出力端子は、前記の共振器に接続され電流-電圧変換されたのちに、前記電圧-電流変換部の入力端子に接続されることにより、帰還ループが構成されて成り、前記共振器を構成している2つのLCタンクを構成する誘導性素子が相互誘導結合されており、前記相互結合係数がおおよそ-0.6であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】CR発振クロックの周期調整が完了したかを判定できるCR発振クロック内蔵マイクロコンピュータの提供。
【解決手段】判定回路は、カウント数下限設定レジスタが示す値とカウント数上限設定レジスタが示す値との間に、外部発振パルスカウンタが示す値が収まっているかを判定する(S170)。収まっていると判定すると(S170でYes)、判定回路は、補正完了カウンタに格納されている値に1を足してカウントアップする(S180)。その後、出力回路が、補正完了カウンタのカウント数が補正完了カウント数設定レジスタに格納された値以上であるかを判断する(S190)。以上であると判断すると(S190でYes)、出力回路は、補正完了レジスタに「1」(周期調整が完了したことを示す情報)を入力する(S200)。そして、これらのステップを繰り返す。 (もっと読む)


【課題】構成の簡素化を計った上で、温度特性の補正を高精度かつ効率的に行うことができること。
【解決手段】X方向に延びるように形成され、X方向に直交するY方向に振動する振動片36と、振動片36からY方向に分岐してそれぞれ同じ長さだけ延出する延出部37と、振動片36を片持ち状に支持する振動子アイランド34とを有する振動子32と、振動片36に対して所定距離を空けた状態で振動片36を間に挟むように配置され、駆動電圧が印加された時に静電引力を発生させて振動片36を振動させる駆動電極33aと、一対の延出部37に対してギャップgを空けた状態でそれぞれ対向配置され、補正電圧が印加されたときに静電引力を発生させて各延出部37を引き寄せ、振動片36に対してX方向の圧縮応力を作用させる補正電極38a、38bと、を備えた発振子30を提供する。 (もっと読む)


【課題】基準周波数を得る場合、安定した周波数、もしくは遅延要素を得る回路を提供する。
【解決手段】第1の温度変動率を持つ第1のインピーダンス回路1と第1の能動回路3で構成した第1の発振回路6と、第1の温度変動率とは逆の変動方向となる第2の温度変動率を持つ第2のインピーダンス回路2と第2の能動回路4で構成した第2の発振回路7との出力を時系列的に交互に切替器5で選択する。第1のインピーダンス回路1の温度係数の絶対値が第2のインピーダンス回路2の温度係数より大きいとき、第1の発振回路6の使用時間を短くし、温度係数の小さい第2の発振回路7の使用時間を長く動作させるように、温度係数の比と逆の比率で発振回路の使用時間の比率を設定する。温度変動方向が逆の2つの温度係数を有することから、平均値として温度変動がほぼなく軽減される。時間平均値として温度変動が極めて小さく温度変動率の改善された発振周波数を得る。 (もっと読む)


【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのLC共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のLC共振回路が、インダクタL1、第1の微調容量と第1の容量バンクからなる並列回路と、第2の微調容量と第2の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第1の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第1の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第2の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第2の微調容量による周波数変換利得の和となる。 (もっと読む)


【課題】 端子数を削減しながら、半導体装置に搭載されている外部発振子を用いた発振回路と自励発振回路を1品種で使い分けることができるようにする。
【解決手段】 半導体装置20には、バイアス検知回路1、発振回路2、発振回路3、インバータINV1、インバータINV2、クロックドインバータCINV1、クロックドインバータCINV2、及び端子Pad1乃至3が設けられている。発振回路2から生成される高精度のクロック信号CLKを使用する場合、外部の低電位側電源Vss側に設けられた外部端子OPad3と外部端子Opad1の間を接続する。一方、自励発振回路である発振回路3から生成される比較的低消費電流のクロック信号CLKを使用する場合、抵抗R1を介して外部の高電位側電源Vdd側に設けられた外部端子Opad2と外部端子Opad1の間を接続する。 (もっと読む)


【課題】 バラクタダイオードの容量値が温度に依存して発振周波数が変化するのを抑える。
【解決手段】 発振トランジスタ31、32と、カソードに発振周波数制御用の制御電圧が印加されるバラクタダイオード37a、37bを有して発振トランジスタ31、32のコレクタとベースとの間に結合された共振回路37とを備え、バラクタダイオード37a、37bのアノードにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源42を設け、バイアス電圧に負の温度特性を持たせ、温度によるバラクタダイオード37a、37bの容量値変化に起因する発振周波数変化をバイアス電圧の温度による変化によって補正した。 (もっと読む)


ストレインド・シリコン電圧制御発振器(VCO)は、ストレインド・シリコン層を有する第1Pチャネル金属酸化膜半導体(PMOS)装置を含み、ストレインド・シリコン層を有する第2PMOS装置に結合される。
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【課題】 圧電発振回路において、発振周波数の位相雑音特性が、電源電圧の低電圧化にともなって劣化することを防止するに好適な圧電発振回路を提供すること。
【解決手段】 圧電発振回路において、トランジスタのベースに流れるベース電流を決定づけるバイアス抵抗(ブリーダ抵抗)に対して、直列にコイルLを挿入するよう構成する。電源電圧の低電圧化にともなってバイアス抵抗を小さな値に設計した場合においても、発振周波数領域においてバイアス抵抗部がコイルLによってハイインピーダンスになる。このような作用によれば、回路損失が小さくですみ、発振回路の実効Q値が低下しないから、信号純度の良好な発振器を得ることができる。 (もっと読む)


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