【課題】デジタル放送を良好に受信することができる低コストな電圧制御発振器及び電圧制御発振器ユニットを提供する。
【解決手段】本発明の電圧制御発振器１ａは、インダクタ３に対して互いに並列に設けた可変容量素子４・５を有し、インダクタ３のインダクタンスと可変容量素子４・５の容量値の合計とに基づく共振周波数で共振する共振回路２と、可変容量素子４・５のうちの少なくとも１つの容量値制御端子５の接続先を切り替える少なくとも１個のスイッチ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 制御電圧のゲインやリファレンス値を任意に変更するためにスイッチ素子により抵抗分圧回路を構成し、ＩＣのチップ面積を小さくすると共に、ＡＦＣ電圧の低ノイズ化とＣ／Ｎ改善を実現した電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 この電圧制御発振器１００は、基準電圧を調整することにより基準バイアス電圧を生成する基準バイアス電圧生成手段２０と、制御電圧のゲインを調整するゲイン調整回路２１と、発振回路２２とを備えて構成される。尚、基準バイアス電圧生成手段２０は、ＶＲＥＦと接地間に直列に接続した抵抗Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇと、抵抗Ｒｄ、Ｒｅに夫々並列にスイッチＳＷ＿ＡＲ１、ＳＷ＿ＡＲ２とを備えて構成され、ゲイン調整回路２１は、３つの抵抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃと、スイッチＳＷ１〜ＳＷ６と、インバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２とを備えて構成され、発振回路２２はコルピッツ型の発振回路を想定し、バラクタ２３を備えている。 （もっと読む）

【課題】 広帯域発振周波数を得る。
【解決手段】 バイポーラトランジスタＱ１のベースをバイポーラトランジスタＱ２のコレクタに接続する。バイポーラトランジスタＱ２のベースをバイポーラトランジスタＱ１のコレクタに接続する。Ｑ１と電源間に抵抗Ｒ１、Ｑ２と電源間に抵抗Ｒ２を接続する。バイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ間にキャパシタＣ１、Ｃ２，インダクタＬ１を直列に接続する。Ｃ１，Ｃ２のキャパシタ値を変えることで広帯域発振周波数範囲を得る。発振周波数範囲は抵抗Ｒ１，Ｒ２を調節することで、変えることができる。Ｃｖ１，Ｃｖ２は可変キャパシタで、ＶＣＰ電圧によりキャパシタ値を変える。 （もっと読む）

【課題】 トリミングを行わずに電圧制御発振回路の発振周波数を調整すること。制御回路の面積を抑え、調整誤差の少ない発振回路を内蔵した半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】 電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の周波数を調整する可変容量素子を、プロセスや素子のばらつき調整用可変容量素子群と、周波数選択用可変容量素子群との２系統に分離して調整を行い、可変容量素子の切り替えスイッチの数と回路面積の増大を小さくする。調整誤差については、調整期待値との差分を記憶素子で記憶し、その差分値が最小となる容量素子値を求めることにより影響を最小限に押さえることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
静磁波発振装置において、外部からの衝撃や周期的な振動などの外的要因により、空隙の間隔が急激に変化した場合には、静磁波素子用磁気回路の磁界の強さが急激に変動するため、発振周波数も急激に変動する。発振周波数制御装置は、静磁波発振装置の出力を監視して、制御信号をコイル電流制御回路に出力しているため、発振周波数の急激な変動には対応できない。この結果、所望の周波数ではない発振出力を出してしまう。従来のように静磁波発振装置の出力を監視してから制御信号を出力し、発振周波数を制御する方法では、静磁波素子に印加される磁界の強さが急激に変動した場合に対応できない問題があった。
【解決手段】
本発明では、磁気検出素子を用いて静磁波素子に印加される磁界の強さを直接監視し、磁界の強さを調節するコイル電流に反映させることにより、自動的に安定した発振周波数を出力できる。 （もっと読む）

【課題】 左手系デバイスによるカプラ２を用いることにより、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得る。
【解決手段】 左手系デバイスによるカプラ２は、ＦＥＴ１のゲート端子にポート１が接続され、そのポート１を入力ポートとした場合に、周波数帯域ｆｂ１に対しては、ポート２，４がアイソレーションポート、ポート３が通過ポートであり、周波数帯域ｆｂ２に対しては、ポート２が通過ポート、ポート３，４がアイソレーションポートとなるものである。共振回路４ａ、カプラ２のポート１，３、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ１で発振し、共振回路４ｂ、カプラ２のポート１，２、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ２で発振することができ、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、電圧制御発振器の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 第１インダクタ（１）と、第１インダクタ（１）に流れる電流を検出する電流検出回路（３）と、検出された電流に基づいて電流信号を生成する電流源（４）と、電流信号を受ける第２インダクタ（２）とを有し、第１インダクタ（１）と第２インダクタ（２）を所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタ（１）のインダクタンスを所望の値にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
複数系統を有する通信装置において、幅広い温度環境においても通信を継続するとともに、装置の小型化を図る。
【解決手段】
並列接続された複数の静電容量を適宜接続・開放することにより発振周波数を切り換え可能なＩＣ化局部発振器を具備し、温度変化に応じて一つの信号経路における静電容量値の設定を変更し、その後任意の時間経過をもって他の信号経路の発振器における静電容量値の設定を変更する。 （もっと読む）

【課題】可変容量素子などの集中定数素子の実装をともなわず、寄生リアクタンス成分などによる発振特性の劣化が少ない周波数可変発振器を提供することである。
【解決手段】周波数可変発振器は、負性抵抗素子１２と共振器１１とを帰還回路で閉じた発振器である。周波数可変発振器は、帰還回路の少なくとも一部に、共振器１１における電気長を変調できるように分布定数をもって構成された分布定数材料１３と、分布定数材料１３を外部制御する制御手段１５、１５１、１５２とを含み、制御手段１５、１５１、１５２の外部制御によって発振周波数を可変とできる。 （もっと読む）

【課題】
空隙の間隔や磁力の強さを変更せずに、静磁波素子へ影響する磁界の強さを調整し、静磁波素子用磁気回路の発振周波数を容易に調整できる静磁波素子用磁気回路及び静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】
上部磁極及び下部磁極の中心より端面方向にいくほど磁束密度が弱くなることを利用し、静磁波素子を内蔵した発振回路用パッケージを上部磁極及び下部磁極に対し平行に可動させることで、静磁波素子へ影響する磁界の強さを調整し、静磁波素子用磁気回路の発振周波数を容易に調整できる静磁波素子用磁気回路及び静磁波発振装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】 静磁波素子用磁気回路においてその発振周波数を調整するには、永久磁石の磁力の強さ、もしくは、磁極間空隙の間隔を変更する必要がある。しかし、従来は磁気回路の構造により空隙の間隔が一定に定まってしまうため永久磁石の磁力を調整する以外に発振周波数の調整方法が無かった。
【解決手段】 外部ヨークを第１のヨーク部と第２のヨーク部とに分離し、第１のヨーク部と第２のヨーク部との間にスペーサを挿入する構成とし、高透磁率材料からなる厚さの異なるスペーサを用いてギャップの間隔を調整することにより、磁極間空隙の間隔を変更し、静磁波素子用磁気回路の発振周波数を容易に調整することができる静磁波発振装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性が良い発振装置を提供する。
【解決手段】 発振装置１０は、電圧制御型発振器１と、制御電圧供給回路２とを備える。電圧制御型発振器１は、入力電圧Ｖ_ｉｎのビット数に対応して３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３を含み、可変容量ダイオード１４１〜１４３は、ノードＮ４，Ｎ５間に並列に接続される。制御電圧供給回路２は、３ビット［Ａ３Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖ_ｉｎに基づいて、３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３の３個の容量の和が入力電圧Ｖ_ｉｎに比例するように制御電圧Ｖ_ＣＴＬ１，Ｖ_ＣＴＬ２，Ｖ_ＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３へ供給する。 （もっと読む）

【課題】 発振トランジスタ側の負性抵抗を周波数が離れた２つの周波数帯でも十分に得られるようにして、何れの周波数帯でも安定して発振させる
【解決手段】 発振トランジスタ２０のベース−コレクタ間に介挿される共振回路２６は周波数が異なる２つの周波数帯に対応して共振周波数が切り替えられるように構成され、ベース−エミッタ間に介挿される第１の帰還手段２４又はエミッタ−コレクタ間に介挿される第２の帰還手段２５の少なくとも一方を３個のリアクタンス素子を直並列に接続して２つの周波数帯で共に誘導性又は容量性を呈するように構成すると共に、帰還手段の他方を２つの周波数帯で一方の帰還手段と同じく誘導性又は容量性とし、２つの周波数帯で発振させた。 （もっと読む）

【課題】 ほぼ均一な周波数ステップを実現し、可変周波数範囲を拡大することが可能なキャパシタアレイ回路及びそれを用いた電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 端子ＶＣＯout1、ＶＣＯout2の間に、キャパシタＣ０、スイッチ用トランジスタＱＮ０が直列に接続され、これと並列に、キャパシタＣ１、スイッチ用トランジスタＱＮ１が直列に接続され、…、これらと並列に、キャパシタＣｎ、スイッチ用トランジスタＱＮｎが直列に接続されており、スイッチ用トランジスタはそれぞれゲートにトリミング信号Ｔが入力されて導通が制御され、第ｊ（ｊは２以上でｎ以下の整数）のキャパシタの容量は、第ｊ−１のキャパシタの容量の２倍の値より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量が低減された電圧制御発振器等を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の導電型の半導体基板上に形成されたトランジスタおよび電圧制御可変容量素子と、インダクタ回路とを有する電圧制御発振器であって、電圧制御可変容量素子は、半導体基板上に設けられた第２の導電型の第１領域と、第１領域の上に設けられ、トランジスタが形成された第１の導電型の第２領域とを有し、第１領域は、外部と電気的に接続可能とするように構成される電圧制御発振器を提供する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な回路構成により、構成素子の特性の製造バラツキにかかわらず、出力特性のバラツキを抑制する調整が可能な、電圧制御発振回路、およびその調整方法を提供すること。
【解決手段】 低域通過フィルタ１５、高域通過フィルタ１６は、電圧制御発振回路１１を構成する素子と同一構造の素子で構成され、所定の相関関係が形成される。補正素子１４は、電圧制御発振回路１１において発振周波数制御信号ＶＴが入力される主素子と並列に接続される。目標ゲイン値ＴＧにおいて、低域通過フィルタ１５と高域通過フィルタ１６との周波数−ゲイン特性は互いに逆の傾きを有して交差する。容量値が低くばらつく場合、基準周波数ｆＲＥＦにおいて、出力信号ＳＬ２がＳＨ２よりも出力レベルが大きくなり、出力レベル差ＬＤ２が発生し、ＬＤ２に応じた調整信号ＶＣＮＴ２が出力され、発振周波数ｆＶＣＯが低くされる。 （もっと読む）

【課題】発振器回路の周波数同調範囲を調節する方法および装置を提供すること。
【解決手段】発振器回路は少なくとも２つのＭＯＳデバイスと、第１ＭＯＳデバイスのドレイン電極を第２ＭＯＳデバイスのゲート電極に接続する第１リアクタンスと、第２ＭＯＳデバイスのドレイン電極を第１ＭＯＳデバイスのゲート電極に接続する第２リアクタンスと、ソースおよびドレイン電極に接続されたタンク回路とを備える。第１および第２リアクタンスはコンデンサまたはダイオードまたはその組合せを備えることができる。さらに、１つまたは複数の抵抗器を少なくとも１つのＭＯＳデバイスのゲート電極と電源との間に随意に接続することができる。 （もっと読む）

ｐ型半導体基板２中にｎウェル３を形成する。ｐ型半導体基板２およびｎウェル３にゲート絶縁膜４を形成し、ゲート絶縁膜４上にゲート電極６を形成する。ｐ型半導体基板２、ｎウェル３および両者をまたぐ領域の表面にゲート絶縁膜４と隣接して高濃度のｎ型不純物が選択的に拡散されたソース層８が形成される。また、このソース層８と離間して、高濃度のｐ型不純物が選択的に拡散されたコンタクト層１１が形成される。ソース層８とゲート電極６との間に端子間電圧ＶＴを印加することにより、端子間電圧ＶＴに対して広範囲で線形性の良い容量特性を得ることができる。端子間電圧ＶＴに対して広範囲で線形性の良い特性を得られ、ＶＣＯ回路等の性能改善に寄与すると共に、構造が簡単でマスクおよび工程の追加の必要なく製造できる、ＭＯＳ型可変容量素子を提供することができる。
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【課題】 発振周波数の調整手段の選択余地を広げるのが望ましい。
【解決手段】 ＣＲ発振回路１００において、第１発振用コンデンサＣ１および第２発振用コンデンサＣ２を並列に設け、ＣＲ発振回路１００全体の容量値を選択可能に構成し、可変抵抗である、例えば第５トリミング抵抗１１６ｅを少なくとも一つ含む複数の抵抗を直列に設け、第５トリミング抵抗１１６ｅの抵抗値を調整することによってＣＲ発振回路１００全体の抵抗値を選択可能に構成し、ＣＲ発振回路１００全体の容量値として選択可能な最小値ＣＭＩＮと最大値ＣＭＡＸ、およびＣＲ発振回路１００全体の抵抗値として選択可能な最小値ＲＭＩＮと最大値ＲＭＡＸの間に、
ＣＭＩＮ・ＲＭＡＸ≧ＣＭＡＸ・ＲＭＩＮ
なる関係をもたせる。 （もっと読む）

【課題】周波数曲線の切り換え機能と、素子バラツキによる周波数曲線の変動を補償する機能を両立させる点にある。
【解決手段】負性抵抗素子１９ｂとインダクタ素子１９あと外部から与えられる第一電圧１７により容量が変化する第一のキャパシタ１８と制御電圧により容量が変化する複数のキャパシタからから成る第二のキャパシタ１１を備える共振回路と、周波数情報１３と自動校正値１４に基づいて出力が確定する論理合成手段１２とを備え、前記第二のキャパシタの容量値を前記論理合成手段の出力に基づく制御電圧により可変とした。 （もっと読む）