【課題】タンタル酸リチウム基板とニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層を有する圧電体積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、タンタル酸リチウム基板１１の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波利用で、レイリー波スプリアスの影響を抑圧する弾性表面波装置の提供。
【解決手段】（０°±５°，θ，ψ）のＬｉＮｂＯ_３基板２上にＣｕを主体で、ＩＤＴ電極３を含む電極形成領域を除く領域に、第１の酸化ケイ素膜６が形成され、電極及び第１の酸化ケイ素膜６を覆う様に、第２の酸化ケイ素膜７が形成され、電極密度が、第１の酸化ケイ素膜の密度の１．５倍以上で、かつオイラー角（０°±５°，θ，ψ）のψが、１０°〜３０°の範囲内で、θ及びψは、ＩＤＴ電極膜厚が０．０５λの時、ハッチング付与領域範囲内にあり、０．０５λ以外の時、前記領域を、下記式で表われるθ_ｘに変換して得られた領域内にある、弾性表面波装置。
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【課題】タンタル酸リチウム基板とニオブ酸カリウム層を有する圧電体積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、タンタル酸リチウム基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１２またはニオブ酸カリウム固溶体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることである。
【解決手段】基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、前記基板がニオブ酸リチウム基板であり、かつ前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、基板表面から前記櫛型電極上部までの高さで定義される櫛型電極の厚さをｈとしたとき、
ｈ／（２×ｐ）≧４．５％（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐの関係を満たす）
であり、かつ前記保護膜の凹凸形状が電極膜厚に応じて、任意の形になるように制御されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水晶基板に圧電薄膜を形成した表面波装置において、スプリアスが小さく、温度特性が良好であり、かつレイリー波の電気機械結合係数Ｋ² を拡大し得る表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ、θ、ψ）において、φが−２．５°±５°、θが１１６°±５°及びψが＋２．５°±５°の範囲にある水晶基板２と、前記水晶基板２上に形成された圧電薄膜５と、前記圧電薄膜５に接するように形成されたくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂとを備え、前記水晶基板２のオイラー角が、図６におけるレイリー波のパワーフロー角ＰＦＡが±２．５°となる範囲にあり、図７における表面波装置の周波数温度係数ＴＣＦが±５ｐｐｍ／℃となる範囲にあり、前記圧電薄膜５の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、圧電薄膜５の規格化膜厚Ｈ／λが０．０５以上とされており、かつ、前記圧電薄膜５の周波数温度係数ＴＣＦがマイナスの値を有する、表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】基板を温度変化させたときに、温度改善効果が高く、圧電基板において面内周波数温度係数のばらつきが小さく、周波数温度特性が優れた安定性を有するものであるとともに、熱により生じる反りが小さい複合圧電基板を提供する。
【解決手段】圧電基板とセラミック基板とを貼り合せた複合圧電基板であって、前記セラミック基板は厚さが１００μｍ以上であり、該セラミック基板と前記圧電基板とを接着剤を介して貼り合せたものである複合圧電基板。 （もっと読む）

【課題】バルク波の放射損を低減し、通過帯域内における挿入損失を小さくし、通過帯域幅が広く、平衡信号出力に対応可能な弾性表面波フィルタとそれを備えた通信装置とを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子部Ａ，Ｂを有する弾性表面波フィルタ１であって、弾性表面波素子部Ａは、櫛歯状の電極指を有したＩＤＴ電極３，２，４と、反射器電極７，８とが配設されている。弾性表面波素子部Ｂは、櫛歯状の電極指を有するＩＤＴ電極１６と、ＩＤＴ電極１６の外側のＩＤＴ電極１３，１５と、反射器電極１７，１８とが配設されている。ＩＤＴ電極１６は、電極指の片方が２分割され、それぞれに出力端子１１，１２が接続されている。電極指ピッチＬ₁は、ＩＤＴ電極１６の電極指間隔の平均値よりも大きな値となるように規定されている。 （もっと読む）

【課題】通過帯域内において、入出力インピーダンスに対する挿入損失特性に表されるうねりを低減することができ、ＶＳＷＲを向上することができる弾性表面波フィルタを提供すること。
【解決手段】弾性表面波フィルタ１は、圧電基板２上に、弾性表面波の伝搬方向に沿って複数の共振子が結合している弾性表面波素子１０，２０が、複数段、縦続接続されて配設されている。弾性表面波素子１０は、ＩＤＴ電極１１，１４ａ，１４ｂと、挿入反射器電極１３ａ，１３ｂとを含み、弾性表面波素子２０は、ＩＤＴ電極２１，２４ａ，２４ｂと、挿入反射器電極２３ａ，２３ｂとを含んでいる。ＩＤＴ電極１４ａ，１４ｂとＩＤＴ電極２４ａ，２４ｂとは、配線パターン３２ａ，３２ｂで接続され、挿入反射器電極１３ａ，１３ｂと挿入反射器電極２３ａ，２３ｂとは、接地パターン３１ａ，３１ｂで接続されている。 （もっと読む）

【課題】
著しく高いバイアス電圧を印加することなく、弾性表面波の強度を高速で変調しうる弾性表面波デバイスを提供することにある。
【解決手段】
サファイア基板１１と、ＧａＮからなる伝搬層１２と、ＧａＮと比較して広いバンドギャッブを持つＡｌＧａＮからなるバリア層１３と、バリア層１３の表面に形成された一組の電極である第一の櫛形電極１６および、第二の櫛形電極１７と、を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、第一の櫛形電極１６および、第二の櫛形電極１７を、ショットキ電極１６ａ、１７ａと、オーミック電極１６ｂ、１７ｂとから構成し、オーミック電極１６ｂ、１７ｂを伝搬層１２とバリア層１３との接合面付近に存在する二次元電子ガス１５と導通する構造とした。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２５°〜５５°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板１２上に、Ａｌと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板１２上に周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ_２膜１５が形成されている、弾性表面波装置１１。 （もっと読む）

【課題】
優れた伝搬特性と周波数特性の広帯域化を両立させうる弾性表面波デバイスを提供することにある。
【解決手段】
サファイア基板１１と、サファイア基板１１上にＧａＮ薄膜で形成された伝搬層１２と、伝搬層１２の表面上に形成された入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を有する弾性表面波デバイスの一種であるトランスバーサルフィルタ１０において、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４により励振される弾性表面波が伝搬層１２面内で最も遅い速度で伝搬する方向である｛１１−２０｝方向と、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４の電極指の配列方向を整合させ、かつ電極指の線幅および配列間隔を配列方向と直交する方向に変化させて、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷの伝搬損失を無くしかつ電気機械結合係数Ｋ^２ を大きくし、より一層低損失化が可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 カット面及びＳＡＷの伝搬方向がオイラー角表示で（９０±１０°，９０±１０°，ψ°）かつψ＝１４８〜１８０°のＬｉＴａＯ_３ 基板からなる圧電基板２の表面に、伝搬損失が０ｄＢ／λでありかつ電気機械結合係数Ｋ^２ が０．０１５以上となるように、その膜厚Ｈ／λを設定してＩＤＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１２上にＩＤＴ１４と反射器２２（２２ａ，２２ｂ）とを有するＳＡＷ素子片１０を備える。前記圧電基板１２は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向を正として−６２°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝播方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、前記ＩＤＴ１４を含む励振電極がＷ又はＷを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 （もっと読む）

【課題】リップルを低減しつつ、挿入損失劣化を低減し、通過帯域幅が広く、優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子Ａにおいて、電極群２１の少なくとも一端に位置するＩＤＴ電極３２の電極指ピッチは、当該電極群２１の他のＩＤＴ電極３１及び分離電極６１の平均電極指ピッチより狭い。中間電極４５の電極指ピッチは、当該分離電極６１の両側に隣接する電極群２１，２２の端部に位置するＩＤＴ電極３２，３３の電極指ピッチより広い。弾性表面波素子Ａに縦続接続される弾性表面波素子Ｂも同様の構造を有する。 （もっと読む）

音響波により動作するフィルタが２つの部分フィルタに分割され、これら２つの部分フィルタが異なるフィルタ形式に配属され、別個のサブストレートに配置されていることが提案される。これにより部分フィルタを独立して最適化することができる。さらにチップに別のフィルタまたは部分フィルタを集積し、例えばデュプレクサを形成することも提案される。
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【課題】 絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ_３で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数の大きな弾性境界波素子が得られるようにする。
【解決手段】 弾性境界波素子１０は、ニオブ酸カリウムからなる第１圧電基板１２と、ニオブ酸カリウムからなる第２圧電基板１４とを備えている。ニオブ酸カリウムは、カット角がオイラー角表示で（０°±３０°，０°〜±１８０°，０°±２０°）となっている。第１圧電基板１２と第２圧電基板１４とは、相互に接合してある。第１圧電基板１２の接合面中央部には、ＩＤＴ１６を有する。ＩＤＴ１６は、一対の櫛型電極１８（１８ａ、１８ｂ）からなり、櫛型電極１８の電極指２０（２０ａ、２０ｂ）によってすだれ状に形成してある。ＩＤＴ１６の両側には、反射器２４（２４ａ、２４ｂ）が設けてある。 （もっと読む）

【課題】 安価な水晶基板を用い、しかもＳＨ型弾性境界波を利用することが可能であり、電気機械結合係数Ｋ²等の物性や特性を高めること等が可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 水晶基板２上に、少なくともＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように、誘電体３が形成されており、水晶基板２と誘電体３との界面を弾性境界波が伝搬する弾性境界波装置であって、ＩＤＴ４の厚みは、ＳＨ型境界波の音速は、水晶基板２を伝搬する遅い横波及び誘電体３を伝搬する遅い横波の各音速よりも低音速となるように設定されており、かつ水晶基板２のオイラー角が、図１３に示されている斜線を付した領域内とされている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

簡潔に言えば、本発明の一実施形態によれば、電気機械的共振器等の共振器（１１０）は相殺ネットワーク（１１２）と結合されることにより、例えば共振器に固有の静電容量（２１０）に起因する可能性のある共振器（１１０）における反共振効果を低減及び／又は相殺する。共振器応答からの反共振効果の相殺により、共振器（１１０）の共振効果を、共振器（１１０）が、例えばデジタルＲＦ受信機（８００）に用いられてもよい帯域通過シグマ−デルタ変調器（５２６）において比較的高いＱを有する帯域通過フィルタとして利用されることを可能にする、支配的な効果にすることができる。
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【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）