音響波により動作する少なくとも１つのフィルタを備える構成素子
音響波により動作するフィルタが２つの部分フィルタに分割され、これら２つの部分フィルタが異なるフィルタ形式に配属され、別個のサブストレートに配置されていることが提案される。これにより部分フィルタを独立して最適化することができる。さらにチップに別のフィルタまたは部分フィルタを集積し、例えばデュプレクサを形成することも提案される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響波により動作する少なくとも１つのフィルタを備える構成素子に関するものであり、この構成素子はとりわけ移動通信システムの端末機器に使用される。移動端末機器の受信経路は通常、不平衡／平衡に構成されており、ここで不平衡側は有利にはアンテナの不平衡端子と接続されている。ＩＣ側での平衡出力は、平衡信号（バランス信号）との技術的利点と結び付いており、例えば比較的高いクロストーク頑強性およびＩＣプロセスへの比較的良好な適合を達成することができる。受信経路の入力側における対称信号を受信経路の出力側での対称信号に変換することは、例えばＢＡＬＵＮにより行うことができる。しかしこのＢＡＬＵＮの欠点は、これが離散的構成部材として付加的なスペースを基板に必要とすることである。従って、ＢＡＬＵＮ機能が集積されたフィルタを使用するのが有利である。このためにＤＭＳフィルタ（デュアルモードＳＡＷフィルタ）が提供されている。
【０００２】
移動端末機器においてフィルタを備える構成素子では、周波数の温度経過という問題が発生する。すなわち温度が上昇する際の構成素子の周波数安定性である。この周波数対温度経過依存性は使用されるサブストレートまたはカットによって、例えばタンタル酸リチウムでは４０ｐｐｍ／Ｋまでになることがある。これは、周波数に対してセンシティブな適用、例えばＰＣＳシステムでのデュプレクサでは無視できないほど高い。別のサブストレートないしはカットは周波数のさらに高い温度経過を有する。
【０００３】
共振構造体から形成されたリアクタンスフィルタに対してはすでに、周波数対温度経過依存性を低減することのできる手段が公知である。しかしこの方法は通常簡単には、ＤＭＳフィルタに転用できない。
【０００４】
さらなる問題は、２つまたはそれ以上のフィルタを含む構成素子、例えばデュプレクサでは、種々のフィルタ間で十分に高い分離を保証しなければならないということである。
【０００５】
従って本発明の課題は、上記の問題に関して改善された構成素子を提供することである。
【０００６】
本発明では前記課題は、請求項１の特徴を備えた構成素子によって解決される。有利な構成は従属請求項に記載されている。
【０００７】
音響波により動作するフィルタを第１と第２の部分フィルタに分割し、これらが有利には相互に直列に接続され、フィルタ全体の異なる部分タスクまたは異なる部分機能を引き受けるようにすることが提案される。両方の部分フィルタは、これらが異なるフィルタ形式に配属されており、異なるフィルタ技術に基づく点で異なるか、またはこれらが材料または層数の異なる層構造を有するか、または少なくとも１つの層に関して異なる層厚を有する点で異なる。２つの部分フィルタは別個のチップに配置されている。
【０００８】
このようにして、各部分フィルタ他方とは別個に最適化することができ、場合により異なるサブストレート材料、それぞれ固有の金属化材料、または異なる金属化レベルを使用することができる。またはそれぞれ１つの部分フィルタに対してだけさらなる最適化を行い、他方の部分フィルタについては考慮しないこともできる。
【０００９】
従い例えば、２つの部分フィルタの一方に温度補償のために手段を設けることができる。これはとりわけ、共振器からリアクタンスフィルタとして構成された部分フィルタである。共振器は音響波により動作する、簡単に構成された構成素子であり、その物理的および音響的特性は簡単にモデル化することができ、従って相応に簡単に偏光することができる。
【００１０】
ＳＡＷワンゲート共振器から構成された第１の部分フィルタには例えば補償層を設けることができる。この補償層は中央周波数における温度経過依存性を低減し、フィルタを温度補償する。このような補償層は例えば酸化ケイ素層からなり、音響波の波長の５から４０％の層厚で、圧電サブストレート上で金属化部の上方または下方に取り付けられる。このＳｉＯ２層は、圧電材料よりも小さい周波数対温度経過依存性を有する。音響表面波は少なくとも一部が酸化ケイ素層内を伝播し、これによりフィルタ全体の温度経過依存性も低減する。有利にはＳｉＯ２層はもっぱら非結晶変態であり、それぞれ長距離秩序を備えておらず、高い層均質性を有する。
温度補償された第１の部分フィルタは、音響容積波により動作する共振器、いわゆるＢＡＷ共振器から構成することもできる。
【００１１】
２つの部分フィルタから統合され、それらの一方が温度補償されたフィルタは、全体フィルタのパフォーマンスにおいても低減された周波数対温度依存性を示す。第１の部分フィルタがリアクタンスフィルタであれば、第２の部分フィルタは有利にはＤＭＳフィルタであり、その特性は有利にはリアクタンスフィルタの特性により補完され、改善された全体フィルタが得られる。リアクタンスフィルタでは個々の極位置をシフトし、これによりエッジ急峻度と近傍領域抑圧を改善することができるが、ＤＭＳフィルタは良好な長距離選択性を特徴とする。このフィルタは両方の部分フィルタの利点を組み合わせる。
【００１２】
実施形態では、第１の部分フィルタと共に１つの共通のチップに配置された第２のフィルタが設けられている。この第２のフィルタは有利には第１の部分フィルタと同じフィルタ技術を使用し、有利には第１の部分フィルタと共に最適化することができる。
【００１３】
しかしこの第２のフィルタが２つの部分フィルタを有し、これらが異なるフィルタ技術により動作することも可能である。この場合、２つの部分フィルタは同じフィルタ形式であるが、異なるフィルタであり、１つの共通のチップに配置されている。このようにして２つのフィルタの部分フィルタを２つのチップに分散させ、相互に別個に最適化することができる。
【００１４】
第１と第２のフィルタは１つのモジュールに回路接続することができ、例えばデュプレクサとなる。このデュプレクサでは、２つのフィルタが異なる周波数バンドに対する入力フィルタないしは出力フィルタとして用いられる。この周波数バンドは移動無線規格の枠内で送信ないし受信のための設けられた周波数バンドである。送信バンドと受信バンド、および相応するフィルタは通常、周波数的に相互に近接しているから、部分フィルタが１つの共通のチップに組み合わされていても、これらを共通に最適化することができる。なぜなら例えば金属化レベルに関しての、周波数に依存した最適化は、大きな欠点なしで２つの部分フィルタに適用することができるからである。
【００１５】
第３または第４のフィルタを設け、これらを第１または第２の部分フィルタ、および第２のフィルタまたはそのうちの１つの部分フィルタと１つの共通のチップに実現することもできる。このようにして３つまたはそれ以上のフィルタのフィルタ機能が２つのチップに分散される。ここで第３のフィルタおよび場合により別のフィルタは、別の移動無線伝送システムに対して使用することができる。
【００１６】
両方の部分フィルタ並びに場合により第２，第３および別のフィルタは有利には１つの共通のサブストレートに配置されている。このサブストレートは少なくとも１つの金属化面を有し、この金属化面に回路接続が実現されている。この１つの共通のサブストレートを介して、部分フィルタおよび場合によりフィルタの回路接続が行われる。このサブストレートは多層ラミネートまたは有利には多層セラミックであり、誘電セラミック層の上およびそれらの間に金属化面を設けることができる。共通のサブストレートはモジュールサブストレートとすることもでき、この上にさらなる構成素子が配置される。
【００１７】
このさらなる構成素子は、フィルタ、アクティブ半導体素子、およびパッシブ構成素子から選択することができる。しかしパッシブ構成素子の少なくとも一部をサブストレートに集積することも可能である。この場合、サブストレートではパッシブ構成素子が金属化面に相応に形成された金属化構造体により実現され、フィルタと接続される。パッシブ構成素子はとりわけ、フィルタを外部の回路環境に適合するために、および／または相互に接続された種々のフィルタの分離を改善するために用いることができる。
少なくとも１つのフィルタの部分フィルタが実現されているチップは、歪み層による温度補償部を有することができる。この温度補償部はチップの表面と機械的に強固に結合されており、この表面は構成素子構造体を備える表面に対向する表面である。歪み層の材料は、チップ材料に対して低い熱膨張係数を有する。機械的に強固に結合することによって、チップ全体の熱的膨張は２つの異なる材料の特性の平均となる。チップが歪み層に対して小さい層厚を有していれば、歪み層の特性がチップ全体の特性に及ぼす影響の程度は大きくなる。歪み層はリアクタンスフィルタに対しても、ＤＭＳフィルタに対しても使用することができる。
【００１８】
温度補償されたフィルタまたは部分フィルタは次のような構成素子構造体によっても実現される。すなわち和において純粋なアルミニウムよりも大きい密度を有する材料または材料組合せを含む構成素子構造体によっても実現される。このような重い構成素子構造体によっても、周波数経過の比較的小さい温度依存性が達成される。
【００１９】
少なくとも温度補償された部分フィルタまたはフィルタでは、構成素子構造体をストライプ状の電極フィンガとして構成することができ、その側方エッジは基板表面に対して斜めであり、これと６５から８５゜のエッジ角を形成する。とりわけ補償層との関連でこのことによりフィルタ特性を改善することができ、例えば相応する共振器の反射およびＱを改善することができる。
【００２０】
以下では、本発明を実施例および付属の図面に基づき詳細に説明する。図面は一部では概略的であり縮尺通りではない。従って図面からは絶対的寸法も相対的寸法も引き出すことはできない。
【００２１】
図１は、第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２からなる構成体を概略的に示す。第１のフィルタＦ１は２つの部分フィルタＴＦ１、ＴＦ２からなり、これらは２つの異なるチップＣＨ１とＣＨ２に配置されている。第１の部分フィルタＴＦ１は共振器から構成されたリアクタンスフィルタであり、ここでは例としてはしご形に配置されている。共振器は例えば圧電サブストレート上のワンゲート共振器として構成されている。
【００２２】
第１の部分フィルタＴＦ１に直列に第２の部分フィルタＴＦ２が接続されている。この第２の部分フィルタは例えばＤＭＳフィルタとして構成されており、第２の圧電チップＣＨ２上に配置されている。第２のフィルタＦ２も同様に、直列の共振器Ｒｓと並列の共振器Ｒｐからなるリアクタンスフィルタとして、はしご形に構成されており、第１の部分フィルタＴＦ１と共に第１のチップＣＨ１に集積されている。ここで構成体全体はデュプレクサとして構成されており、すべてのフィルタと部分フィルタは相互に接続されている。例えば第２のフィルタＦ２の出力端はアンテナＡＮＴと接続されており、第１のフィルタＦ１の入力端も同様にアンテナＡＮＴと接続されている。第１のフィルタは例えばＲＸフィルタであり、これに対して第２のフィルタはデュプレクサのＴＸフィルタである。
【００２３】
概略的に示され、ＤＭＳフィルタとして構成された第２の部分フィルタＴＦ２は少なくとも３つのインタデジタル変換器を有する。これらの変換器は交互に部分フィルタの入力端または出力端と接続される。しかしＤＭＳフィルタを３つ以上のインタデジタル変換器から構成することも可能であり、これらの変換器は出力端に交互に接続される音響的トラックに並置することができる。しかしＤＭＳフィルタを、並列に接続された２つのＤＭＳ部分コイルから組み立てることも可能である。これらのＤＭＳ部分コイルはそれぞれの独立したＤＭＳフィルタのように構成されている。図示のようにＤＭＳフィルタは不平衡／平衡に動作するフィルタとして構成されており、このフィルタは部分コイル入力端の不平衡信号を部分フィルタ出力端（ＲＸ）で平衡信号に変換する。従って外部のＢＡＬＵＮは不要である。
【００２４】
リアクタンスフィルタは任意の数の共振器から組み立てられる。ここでは少なくとも１つの基本素子が設けられており、この基本素子は直列共振器Ｒｓと、これに対して並列にアースに接続された並列共振器Ｒｐとからなる。接続回路において直接順次連続する同じ形式の共振器はただ１つの共振器にまとめることができる。従って図示の第１の部分フィルタＴＦ１は５つの基本素子からなり、第２のフィルタＦ２はここでは４つの基本素子からなる。
【００２５】
図２は別の実施例を示す。この実施例では、フィルタ形式の異なる２つの部分フィルタ、または層構造の異なる２つの部分フィルタからなるフィルタがそれぞれ２つのチップＣＨ１、ＣＨ２に分散されており、同形式または同構造の少なくとも２つの部分フィルタが１つの共通のチップＣＨに集積されている。各フィルタは図１に示すように、第１のフィルタはリアクタンスタイプの第１の部分フィルタと、ＤＭＳタイプの第２の部分フィルタから組み立てることができ、これにより２つのフィルタに対して不平衡／平衡動作モードが可能である。２つのフィルタは相互に接続することができ、構成素子として同様にデュプレクサ、ダイプレクサまたは一般的にマルチプレクサとなる。しかし２つのフィルタは異なる移動無線バンドに所属することもでき、直接的に相互に接続されない。
【００２６】
図３は、図１に示した構成を第３のフィルタで拡張した別の実施例を示す。第１のチップＣＨ１には、第１のフィルタの第１の部分フィルタＴＦ１１および第２のフィルタＦ２が集積されている。第２のチップＣＨ２には、第１のフィルタＦ１の第２の部分フィルタＴＦ１２および第３のフィルタＦ３が集積されている。この集積は、同じフィルタ形式または同じ層構造のフィルタまたは部分フィルタが１つの共通のサブストレートないしはチップに実現されるように行われる。
【００２７】
図４は、２つの部分フィルタの少なくとも１つを、周波数対温度経過に関して補償する手段を示す。ここで温度補償は補償層ＫＳによって達成され、この補償層は構成素子構造体ＢＥＳの上方に酸化ケイ素層の形態で実現されている。別の手段として、圧電サブストレートＰＳを、構成素子構造体ＢＥＳに対向する側で歪み層ＶＳと機械的に強固に結合することができる。このときに結合サブストレートが得られる。
【００２８】
補償層ＫＳの厚さｄｓは、補償層の層厚ｄｓが比較的大きい場合の最大温度補償と、層厚ｄｓが最小であるときの最小減衰度とのトレードオフの関係にある。完全な補償は例えば厚さｄｓが音響波波長の３０から４０％であるときに達成される（フィルタの中央周波数において）。歪み層ＶＳの作用は、圧電層ＰＳの厚さが、歪み層ＶＳおよび圧電層ＰＳからなる接合層の全体層厚に対して小さいことによって高まる。このことは、接合層の作製後に圧電層を、フィルタの中央周波数における音響波波長の約５％から５０％まで薄くすることによって達成される。
【００２９】
図４は、補償層ＫＳを使用するに際し、フィルタの特性に対してポジティブな側面を示す。補償層ＫＳは有利には表面同形に取り付けられており、構成素子構造体に相応する幾何形状を示す。このようにして、補償層ＫＳ内を伝播する音響表面波の一部が補償層の構造エッジで十分に反射され、共振器が十分なＱを有することが保証される。
【００３０】
図５は、表面同形の補償層ＫＳをどのように支持するかを示す。このために構成素子構造体ＢＥＳは、斜めに下降する側方エッジを有する。このような斜めの側方エッジにより、とりわけ簡単に表面同形のＳｉＯ２層が析出される。付加的にここに示すように、歪み層ＶＳも圧電層の下方に設けることができる。
【００３１】
図６から８は、第２のフィルタＦ２の通過特性を示す。この第２のフィルタＦ２は図１に相応して、散乱パラメータＳ１２に基づいて構成されている。図示されているのは曲線群であり、第１の曲線は第１の温度Ｔ０での、温度補償を行わないフィルタを示す。第２の曲線は、温度が４０Ｋだけ上昇した後のこの無補償のフィルタを示す。ここで曲線は比較的低い周波数の方向にずれている。第３の曲線は同じように構成されたフィルタＦ２の特性を示すが、ここでは第１および第２の曲線とは異なり温度補償が保護濾されている。ここでは、この通過特性曲線が第２の曲線よりは小さい値だけ比較的低い周波数の方向にずれていることが示されている。これらの図から、温度補償により温度係数を近似的に半分にすることができることが分かる。
【００３２】
図９から１１は、第１のフィルタＦ１の通過特性曲線を種々異なる縮尺で周波数軸に示す。この第１のフィルタは図１に従い、散乱パラメータＳ１２に基づいて構成されている。ここでもチップＣＨ上にある無補償のフィルタが温度補償されたフィルタと比較される。ここでも周波数の温度係数の低下が、図６から８に示された第２のフィルタほど顕著ではないが達成されている。これは、第１のフィルタでは１つの部分フィルタだけが温度補償されており、従って温度補償の効果はそれほど顕著ではないためである。
【００３３】
部分フィルタを異なるチップに分散することにより、独立して最適化できる他に、部分フィルタとフィルタとの分離が改善される。例えば図１から３の実施例に従い構成されたデュプレクサでは、異なるチップに分散することにより、ＲＸフィルタとＴＸフィルタとの間の分離が改善され、従ってＴＸ出力端とＲＸ入力端との間の電磁的結合が最小となる。これによりクロストークが低減し、ひいては伝送品質が向上する。
【００３４】
本発明は、図示の実施例に制限されるものではなく、例えば他のフィルタ形式に配属されたフィルタによっても実現することができる。重要なことは、異なるチップに分散された部分フィルタを相互に依存せずに最適化することができ、１つのフィルタ形式では使用することができるが、別のフィルタ形式では使用することのできない手段をとることができることである。複数のフィルタを備える構成素子では、この構成素子が個々のフィルタに従って分散されるのではなく、少なくとも１つのフィルタの一部が複数のチップに分散されていることが重要である。これによりフィルタを、それぞれの部分フィルタに対して最適なやり方でプロセス処理することができ、例えば層構造または層厚の異なる部分フィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、第１のフィルタと第２のフィルタを備える構成体を示す図であり、ここで第１のフィルタは２つの部分フィルタに分割されている。
【図２】図２は、２つのフィルタが２つのチップに集積されており、それぞれが２つの部分フィルタに分割されている構成体を示す図である。
【図３】図３は、３つのフィルタが２つのチップに集積されており、第１のフィルタが２つの部分フィルタに分割されている構成体を示す図である。
【図４】図４は、補償層と歪み層を備えるチップの概略的部分断面図である。
【図５】図５は、傾斜したエッジと補償層と歪み層とを備える構成素子構造体の概略的部分断面図である。
【図６】図６は、図１の第１のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図７】図７は、図１の第１のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図８】図８は、図１の第１のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図９】図９は、第２のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図１０】図１０は、第２のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図１１】図１１は、第２のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響波により動作する少なくとも１つのフィルタを備える構成素子に関するものであり、この構成素子はとりわけ移動通信システムの端末機器に使用される。移動端末機器の受信経路は通常、不平衡／平衡に構成されており、ここで不平衡側は有利にはアンテナの不平衡端子と接続されている。ＩＣ側での平衡出力は、平衡信号（バランス信号）との技術的利点と結び付いており、例えば比較的高いクロストーク頑強性およびＩＣプロセスへの比較的良好な適合を達成することができる。受信経路の入力側における対称信号を受信経路の出力側での対称信号に変換することは、例えばＢＡＬＵＮにより行うことができる。しかしこのＢＡＬＵＮの欠点は、これが離散的構成部材として付加的なスペースを基板に必要とすることである。従って、ＢＡＬＵＮ機能が集積されたフィルタを使用するのが有利である。このためにＤＭＳフィルタ（デュアルモードＳＡＷフィルタ）が提供されている。
【０００２】
移動端末機器においてフィルタを備える構成素子では、周波数の温度経過という問題が発生する。すなわち温度が上昇する際の構成素子の周波数安定性である。この周波数対温度経過依存性は使用されるサブストレートまたはカットによって、例えばタンタル酸リチウムでは４０ｐｐｍ／Ｋまでになることがある。これは、周波数に対してセンシティブな適用、例えばＰＣＳシステムでのデュプレクサでは無視できないほど高い。別のサブストレートないしはカットは周波数のさらに高い温度経過を有する。
【０００３】
共振構造体から形成されたリアクタンスフィルタに対してはすでに、周波数対温度経過依存性を低減することのできる手段が公知である。しかしこの方法は通常簡単には、ＤＭＳフィルタに転用できない。
【０００４】
さらなる問題は、２つまたはそれ以上のフィルタを含む構成素子、例えばデュプレクサでは、種々のフィルタ間で十分に高い分離を保証しなければならないということである。
【０００５】
従って本発明の課題は、上記の問題に関して改善された構成素子を提供することである。
【０００６】
本発明では前記課題は、請求項１の特徴を備えた構成素子によって解決される。有利な構成は従属請求項に記載されている。
【０００７】
音響波により動作するフィルタを第１と第２の部分フィルタに分割し、これらが有利には相互に直列に接続され、フィルタ全体の異なる部分タスクまたは異なる部分機能を引き受けるようにすることが提案される。両方の部分フィルタは、これらが異なるフィルタ形式に配属されており、異なるフィルタ技術に基づく点で異なるか、またはこれらが材料または層数の異なる層構造を有するか、または少なくとも１つの層に関して異なる層厚を有する点で異なる。２つの部分フィルタは別個のチップに配置されている。
【０００８】
このようにして、各部分フィルタ他方とは別個に最適化することができ、場合により異なるサブストレート材料、それぞれ固有の金属化材料、または異なる金属化レベルを使用することができる。またはそれぞれ１つの部分フィルタに対してだけさらなる最適化を行い、他方の部分フィルタについては考慮しないこともできる。
【０００９】
従い例えば、２つの部分フィルタの一方に温度補償のために手段を設けることができる。これはとりわけ、共振器からリアクタンスフィルタとして構成された部分フィルタである。共振器は音響波により動作する、簡単に構成された構成素子であり、その物理的および音響的特性は簡単にモデル化することができ、従って相応に簡単に偏光することができる。
【００１０】
ＳＡＷワンゲート共振器から構成された第１の部分フィルタには例えば補償層を設けることができる。この補償層は中央周波数における温度経過依存性を低減し、フィルタを温度補償する。このような補償層は例えば酸化ケイ素層からなり、音響波の波長の５から４０％の層厚で、圧電サブストレート上で金属化部の上方または下方に取り付けられる。このＳｉＯ２層は、圧電材料よりも小さい周波数対温度経過依存性を有する。音響表面波は少なくとも一部が酸化ケイ素層内を伝播し、これによりフィルタ全体の温度経過依存性も低減する。有利にはＳｉＯ２層はもっぱら非結晶変態であり、それぞれ長距離秩序を備えておらず、高い層均質性を有する。
温度補償された第１の部分フィルタは、音響容積波により動作する共振器、いわゆるＢＡＷ共振器から構成することもできる。
【００１１】
２つの部分フィルタから統合され、それらの一方が温度補償されたフィルタは、全体フィルタのパフォーマンスにおいても低減された周波数対温度依存性を示す。第１の部分フィルタがリアクタンスフィルタであれば、第２の部分フィルタは有利にはＤＭＳフィルタであり、その特性は有利にはリアクタンスフィルタの特性により補完され、改善された全体フィルタが得られる。リアクタンスフィルタでは個々の極位置をシフトし、これによりエッジ急峻度と近傍領域抑圧を改善することができるが、ＤＭＳフィルタは良好な長距離選択性を特徴とする。このフィルタは両方の部分フィルタの利点を組み合わせる。
【００１２】
実施形態では、第１の部分フィルタと共に１つの共通のチップに配置された第２のフィルタが設けられている。この第２のフィルタは有利には第１の部分フィルタと同じフィルタ技術を使用し、有利には第１の部分フィルタと共に最適化することができる。
【００１３】
しかしこの第２のフィルタが２つの部分フィルタを有し、これらが異なるフィルタ技術により動作することも可能である。この場合、２つの部分フィルタは同じフィルタ形式であるが、異なるフィルタであり、１つの共通のチップに配置されている。このようにして２つのフィルタの部分フィルタを２つのチップに分散させ、相互に別個に最適化することができる。
【００１４】
第１と第２のフィルタは１つのモジュールに回路接続することができ、例えばデュプレクサとなる。このデュプレクサでは、２つのフィルタが異なる周波数バンドに対する入力フィルタないしは出力フィルタとして用いられる。この周波数バンドは移動無線規格の枠内で送信ないし受信のための設けられた周波数バンドである。送信バンドと受信バンド、および相応するフィルタは通常、周波数的に相互に近接しているから、部分フィルタが１つの共通のチップに組み合わされていても、これらを共通に最適化することができる。なぜなら例えば金属化レベルに関しての、周波数に依存した最適化は、大きな欠点なしで２つの部分フィルタに適用することができるからである。
【００１５】
第３または第４のフィルタを設け、これらを第１または第２の部分フィルタ、および第２のフィルタまたはそのうちの１つの部分フィルタと１つの共通のチップに実現することもできる。このようにして３つまたはそれ以上のフィルタのフィルタ機能が２つのチップに分散される。ここで第３のフィルタおよび場合により別のフィルタは、別の移動無線伝送システムに対して使用することができる。
【００１６】
両方の部分フィルタ並びに場合により第２，第３および別のフィルタは有利には１つの共通のサブストレートに配置されている。このサブストレートは少なくとも１つの金属化面を有し、この金属化面に回路接続が実現されている。この１つの共通のサブストレートを介して、部分フィルタおよび場合によりフィルタの回路接続が行われる。このサブストレートは多層ラミネートまたは有利には多層セラミックであり、誘電セラミック層の上およびそれらの間に金属化面を設けることができる。共通のサブストレートはモジュールサブストレートとすることもでき、この上にさらなる構成素子が配置される。
【００１７】
このさらなる構成素子は、フィルタ、アクティブ半導体素子、およびパッシブ構成素子から選択することができる。しかしパッシブ構成素子の少なくとも一部をサブストレートに集積することも可能である。この場合、サブストレートではパッシブ構成素子が金属化面に相応に形成された金属化構造体により実現され、フィルタと接続される。パッシブ構成素子はとりわけ、フィルタを外部の回路環境に適合するために、および／または相互に接続された種々のフィルタの分離を改善するために用いることができる。
少なくとも１つのフィルタの部分フィルタが実現されているチップは、歪み層による温度補償部を有することができる。この温度補償部はチップの表面と機械的に強固に結合されており、この表面は構成素子構造体を備える表面に対向する表面である。歪み層の材料は、チップ材料に対して低い熱膨張係数を有する。機械的に強固に結合することによって、チップ全体の熱的膨張は２つの異なる材料の特性の平均となる。チップが歪み層に対して小さい層厚を有していれば、歪み層の特性がチップ全体の特性に及ぼす影響の程度は大きくなる。歪み層はリアクタンスフィルタに対しても、ＤＭＳフィルタに対しても使用することができる。
【００１８】
温度補償されたフィルタまたは部分フィルタは次のような構成素子構造体によっても実現される。すなわち和において純粋なアルミニウムよりも大きい密度を有する材料または材料組合せを含む構成素子構造体によっても実現される。このような重い構成素子構造体によっても、周波数経過の比較的小さい温度依存性が達成される。
【００１９】
少なくとも温度補償された部分フィルタまたはフィルタでは、構成素子構造体をストライプ状の電極フィンガとして構成することができ、その側方エッジは基板表面に対して斜めであり、これと６５から８５゜のエッジ角を形成する。とりわけ補償層との関連でこのことによりフィルタ特性を改善することができ、例えば相応する共振器の反射およびＱを改善することができる。
【００２０】
以下では、本発明を実施例および付属の図面に基づき詳細に説明する。図面は一部では概略的であり縮尺通りではない。従って図面からは絶対的寸法も相対的寸法も引き出すことはできない。
【００２１】
図１は、第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２からなる構成体を概略的に示す。第１のフィルタＦ１は２つの部分フィルタＴＦ１、ＴＦ２からなり、これらは２つの異なるチップＣＨ１とＣＨ２に配置されている。第１の部分フィルタＴＦ１は共振器から構成されたリアクタンスフィルタであり、ここでは例としてはしご形に配置されている。共振器は例えば圧電サブストレート上のワンゲート共振器として構成されている。
【００２２】
第１の部分フィルタＴＦ１に直列に第２の部分フィルタＴＦ２が接続されている。この第２の部分フィルタは例えばＤＭＳフィルタとして構成されており、第２の圧電チップＣＨ２上に配置されている。第２のフィルタＦ２も同様に、直列の共振器Ｒｓと並列の共振器Ｒｐからなるリアクタンスフィルタとして、はしご形に構成されており、第１の部分フィルタＴＦ１と共に第１のチップＣＨ１に集積されている。ここで構成体全体はデュプレクサとして構成されており、すべてのフィルタと部分フィルタは相互に接続されている。例えば第２のフィルタＦ２の出力端はアンテナＡＮＴと接続されており、第１のフィルタＦ１の入力端も同様にアンテナＡＮＴと接続されている。第１のフィルタは例えばＲＸフィルタであり、これに対して第２のフィルタはデュプレクサのＴＸフィルタである。
【００２３】
概略的に示され、ＤＭＳフィルタとして構成された第２の部分フィルタＴＦ２は少なくとも３つのインタデジタル変換器を有する。これらの変換器は交互に部分フィルタの入力端または出力端と接続される。しかしＤＭＳフィルタを３つ以上のインタデジタル変換器から構成することも可能であり、これらの変換器は出力端に交互に接続される音響的トラックに並置することができる。しかしＤＭＳフィルタを、並列に接続された２つのＤＭＳ部分コイルから組み立てることも可能である。これらのＤＭＳ部分コイルはそれぞれの独立したＤＭＳフィルタのように構成されている。図示のようにＤＭＳフィルタは不平衡／平衡に動作するフィルタとして構成されており、このフィルタは部分コイル入力端の不平衡信号を部分フィルタ出力端（ＲＸ）で平衡信号に変換する。従って外部のＢＡＬＵＮは不要である。
【００２４】
リアクタンスフィルタは任意の数の共振器から組み立てられる。ここでは少なくとも１つの基本素子が設けられており、この基本素子は直列共振器Ｒｓと、これに対して並列にアースに接続された並列共振器Ｒｐとからなる。接続回路において直接順次連続する同じ形式の共振器はただ１つの共振器にまとめることができる。従って図示の第１の部分フィルタＴＦ１は５つの基本素子からなり、第２のフィルタＦ２はここでは４つの基本素子からなる。
【００２５】
図２は別の実施例を示す。この実施例では、フィルタ形式の異なる２つの部分フィルタ、または層構造の異なる２つの部分フィルタからなるフィルタがそれぞれ２つのチップＣＨ１、ＣＨ２に分散されており、同形式または同構造の少なくとも２つの部分フィルタが１つの共通のチップＣＨに集積されている。各フィルタは図１に示すように、第１のフィルタはリアクタンスタイプの第１の部分フィルタと、ＤＭＳタイプの第２の部分フィルタから組み立てることができ、これにより２つのフィルタに対して不平衡／平衡動作モードが可能である。２つのフィルタは相互に接続することができ、構成素子として同様にデュプレクサ、ダイプレクサまたは一般的にマルチプレクサとなる。しかし２つのフィルタは異なる移動無線バンドに所属することもでき、直接的に相互に接続されない。
【００２６】
図３は、図１に示した構成を第３のフィルタで拡張した別の実施例を示す。第１のチップＣＨ１には、第１のフィルタの第１の部分フィルタＴＦ１１および第２のフィルタＦ２が集積されている。第２のチップＣＨ２には、第１のフィルタＦ１の第２の部分フィルタＴＦ１２および第３のフィルタＦ３が集積されている。この集積は、同じフィルタ形式または同じ層構造のフィルタまたは部分フィルタが１つの共通のサブストレートないしはチップに実現されるように行われる。
【００２７】
図４は、２つの部分フィルタの少なくとも１つを、周波数対温度経過に関して補償する手段を示す。ここで温度補償は補償層ＫＳによって達成され、この補償層は構成素子構造体ＢＥＳの上方に酸化ケイ素層の形態で実現されている。別の手段として、圧電サブストレートＰＳを、構成素子構造体ＢＥＳに対向する側で歪み層ＶＳと機械的に強固に結合することができる。このときに結合サブストレートが得られる。
【００２８】
補償層ＫＳの厚さｄｓは、補償層の層厚ｄｓが比較的大きい場合の最大温度補償と、層厚ｄｓが最小であるときの最小減衰度とのトレードオフの関係にある。完全な補償は例えば厚さｄｓが音響波波長の３０から４０％であるときに達成される（フィルタの中央周波数において）。歪み層ＶＳの作用は、圧電層ＰＳの厚さが、歪み層ＶＳおよび圧電層ＰＳからなる接合層の全体層厚に対して小さいことによって高まる。このことは、接合層の作製後に圧電層を、フィルタの中央周波数における音響波波長の約５％から５０％まで薄くすることによって達成される。
【００２９】
図４は、補償層ＫＳを使用するに際し、フィルタの特性に対してポジティブな側面を示す。補償層ＫＳは有利には表面同形に取り付けられており、構成素子構造体に相応する幾何形状を示す。このようにして、補償層ＫＳ内を伝播する音響表面波の一部が補償層の構造エッジで十分に反射され、共振器が十分なＱを有することが保証される。
【００３０】
図５は、表面同形の補償層ＫＳをどのように支持するかを示す。このために構成素子構造体ＢＥＳは、斜めに下降する側方エッジを有する。このような斜めの側方エッジにより、とりわけ簡単に表面同形のＳｉＯ２層が析出される。付加的にここに示すように、歪み層ＶＳも圧電層の下方に設けることができる。
【００３１】
図６から８は、第２のフィルタＦ２の通過特性を示す。この第２のフィルタＦ２は図１に相応して、散乱パラメータＳ１２に基づいて構成されている。図示されているのは曲線群であり、第１の曲線は第１の温度Ｔ０での、温度補償を行わないフィルタを示す。第２の曲線は、温度が４０Ｋだけ上昇した後のこの無補償のフィルタを示す。ここで曲線は比較的低い周波数の方向にずれている。第３の曲線は同じように構成されたフィルタＦ２の特性を示すが、ここでは第１および第２の曲線とは異なり温度補償が保護濾されている。ここでは、この通過特性曲線が第２の曲線よりは小さい値だけ比較的低い周波数の方向にずれていることが示されている。これらの図から、温度補償により温度係数を近似的に半分にすることができることが分かる。
【００３２】
図９から１１は、第１のフィルタＦ１の通過特性曲線を種々異なる縮尺で周波数軸に示す。この第１のフィルタは図１に従い、散乱パラメータＳ１２に基づいて構成されている。ここでもチップＣＨ上にある無補償のフィルタが温度補償されたフィルタと比較される。ここでも周波数の温度係数の低下が、図６から８に示された第２のフィルタほど顕著ではないが達成されている。これは、第１のフィルタでは１つの部分フィルタだけが温度補償されており、従って温度補償の効果はそれほど顕著ではないためである。
【００３３】
部分フィルタを異なるチップに分散することにより、独立して最適化できる他に、部分フィルタとフィルタとの分離が改善される。例えば図１から３の実施例に従い構成されたデュプレクサでは、異なるチップに分散することにより、ＲＸフィルタとＴＸフィルタとの間の分離が改善され、従ってＴＸ出力端とＲＸ入力端との間の電磁的結合が最小となる。これによりクロストークが低減し、ひいては伝送品質が向上する。
【００３４】
本発明は、図示の実施例に制限されるものではなく、例えば他のフィルタ形式に配属されたフィルタによっても実現することができる。重要なことは、異なるチップに分散された部分フィルタを相互に依存せずに最適化することができ、１つのフィルタ形式では使用することができるが、別のフィルタ形式では使用することのできない手段をとることができることである。複数のフィルタを備える構成素子では、この構成素子が個々のフィルタに従って分散されるのではなく、少なくとも１つのフィルタの一部が複数のチップに分散されていることが重要である。これによりフィルタを、それぞれの部分フィルタに対して最適なやり方でプロセス処理することができ、例えば層構造または層厚の異なる部分フィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、第１のフィルタと第２のフィルタを備える構成体を示す図であり、ここで第１のフィルタは２つの部分フィルタに分割されている。
【図２】図２は、２つのフィルタが２つのチップに集積されており、それぞれが２つの部分フィルタに分割されている構成体を示す図である。
【図３】図３は、３つのフィルタが２つのチップに集積されており、第１のフィルタが２つの部分フィルタに分割されている構成体を示す図である。
【図４】図４は、補償層と歪み層を備えるチップの概略的部分断面図である。
【図５】図５は、傾斜したエッジと補償層と歪み層とを備える構成素子構造体の概略的部分断面図である。
【図６】図６は、図１の第１のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図７】図７は、図１の第１のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図８】図８は、図１の第１のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図９】図９は、第２のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図１０】図１０は、第２のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【図１１】図１１は、第２のフィルタに対する散乱パラメータＳ１２を示す線図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響波により動作する少なくとも１つのフィルタを備える構成素子であって、
該フィルタは第１の部分フィルタ（ＴＦ１）と第２の部分フィルタ（ＴＦ２）とを有し、
前記２つの部分フィルタは別個のチップ（ＣＨ１，ＣＨ２）に配置されており、異なるフィルタ形式に所属するか、または少なくとも１つの層において層構造が異なるか、または層厚が異なる構成素子。
【請求項２】
請求項１記載の構成素子であって、
前記２つの部分フィルタ（ＴＦ１，ＴＦ２）の一方は温度補償されている構成素子。
【請求項３】
請求項１または２記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）は、共振器から構成されたリアクタンスフィルタである構成素子。
【請求項４】
請求項３記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）は、ＳＡＷワンゲート共振器から構成されている構成素子。
【請求項５】
請求項３記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）は、ＢＡＷ共振器から構成されている構成素子。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項記載の構成素子であって、
第２の部分フィルタ（ＴＦ２）はＤＭＳフィルタである構成素子。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記第１の部分フィルタ（ＴＦ１）と共に１つの共通のチップ（ＣＨ２）に配置された第２のフィルタ（Ｆ２）が設けられている構成素子。
【請求項８】
請求項１から６までのいずれか一項記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）と第２の部分フィルタ（ＴＦ２）とを備える第２の部分フィルタ（Ｆ）が設けられており、
第１もフィルタ（Ｆ１）と第２のフィルタ（Ｆ２）のそれぞれの部分フィルタは１つの共通のチップ（ＣＨ）に配置されている構成素子。
【請求項９】
請求項７または８記載の構成素子であって、
１つの共通のチップ（ＣＨ）に配置された２つのフィルタ（Ｆ）または部分フィルタ（ＴＦ）は同じフィルタ形式に配属されている構成素子。
【請求項１０】
請求項７から９までのいずれか一項記載の構成素子であって、
第１と第２のフィルタ（Ｆ１，Ｆ２）は、デュプレクサとして回路接続されている構成素子。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記第１または第２の部分フィルタ（ＴＦ１，ＴＦ２）と共に同じチップ（ＣＨ）に実現された第３のフィルタ（Ｆ３）が設けられている構成素子。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記２つの部分フィルタ（ＴＦ１，ＴＦ２）は１つの共通のサブストレートに配置されており、
該サブストレートは、回路接続が実現されている少なくとも１つの金属化面を有する構成素子。
【請求項１３】
請求項１２記載の構成素子であって、
前記サブストレートは多層セラミックから形成されている構成素子。
【請求項１４】
請求項１２または１３記載の構成素子であって、
前記サブストレートは、フィルタ、アクティブ半導体構成素子またはパッシブ構成素子から選択された別の構成素子が配置されているモジュールサブストレートである構成素子。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の構成素子であって、
前記サブストレートの多層セラミック内には少なくとも１つの金属化面が設けられており、
該金属化面にパッシブ回路構成素子が実現されており、前記フィルタ（Ｆ）と回路接続されている構成素子。
【請求項１６】
請求項２から１５までのいずれか一項記載の構成素子であって、
一方の部分フィルタ（ＴＦ１）の温度補償は補償層（ＫＳ）により達成され、
該補償層は前記チップ（ＣＨ）に取り付けられており、前記補償層内を音響波が少なくとも部分的に伝播し、該補償層はチップ材料よりも小さい周波数対温度経過依存性を有する構成素子。
【請求項１７】
請求項１６記載の構成素子であって、
前記補償層（ＫＳ）は酸化ケイ素の層であり、該層の層厚はフィルタの中央周波数における音響波波長の１０％から４０％である構成素子。
【請求項１８】
請求項１６または１７記載の構成素子であって、
温度補償された部分フィルタ（ＴＦ１）は、インタデジタル構成素子を備えるＳＡＷフィルタであり、
前記補償層（ＫＳ）は構成素子構造体（ＢＥＳ）上に取り付けられている構成素子。
【請求項１９】
請求項２から１８までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記チップ（ＣＨ）は、前記構成素子構造体（ＢＥＳ）に対する表面上で歪み層（ＶＳ）と機械的に強固に結合しており、
該歪み層はチップ材料よりも小さい熱膨張係数を有する構成素子。
【請求項２０】
請求項２から１９までのいずれか一項記載の構成素子であって、
少なくとも温度補償された部分フィルタ（ＴＦ１）の前記構成素子構造体（ＢＥＳ）は、和において純粋なアルミニウムよりも大きい密度を備える材料または材料組合せからなる構成素子。
【請求項２１】
請求項２から２０までのいずれか一項記載の構成素子であって、
少なくとも温度補償された部分フィルタ（ＴＦ１）の構成素子構造体（ＢＥＳ）はストライプ状の電極フィンガを有し、
該電極フィンガの側方エッジは、サブストレート表面に対して斜めであり、該サブストレート表面と６５°＜ＫＷ＜８５°のエッジ角（ＫＷ）を形成する構成素子。
【請求項１】
音響波により動作する少なくとも１つのフィルタを備える構成素子であって、
該フィルタは第１の部分フィルタ（ＴＦ１）と第２の部分フィルタ（ＴＦ２）とを有し、
前記２つの部分フィルタは別個のチップ（ＣＨ１，ＣＨ２）に配置されており、異なるフィルタ形式に所属するか、または少なくとも１つの層において層構造が異なるか、または層厚が異なる構成素子。
【請求項２】
請求項１記載の構成素子であって、
前記２つの部分フィルタ（ＴＦ１，ＴＦ２）の一方は温度補償されている構成素子。
【請求項３】
請求項１または２記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）は、共振器から構成されたリアクタンスフィルタである構成素子。
【請求項４】
請求項３記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）は、ＳＡＷワンゲート共振器から構成されている構成素子。
【請求項５】
請求項３記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）は、ＢＡＷ共振器から構成されている構成素子。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項記載の構成素子であって、
第２の部分フィルタ（ＴＦ２）はＤＭＳフィルタである構成素子。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記第１の部分フィルタ（ＴＦ１）と共に１つの共通のチップ（ＣＨ２）に配置された第２のフィルタ（Ｆ２）が設けられている構成素子。
【請求項８】
請求項１から６までのいずれか一項記載の構成素子であって、
第１の部分フィルタ（ＴＦ１）と第２の部分フィルタ（ＴＦ２）とを備える第２の部分フィルタ（Ｆ）が設けられており、
第１もフィルタ（Ｆ１）と第２のフィルタ（Ｆ２）のそれぞれの部分フィルタは１つの共通のチップ（ＣＨ）に配置されている構成素子。
【請求項９】
請求項７または８記載の構成素子であって、
１つの共通のチップ（ＣＨ）に配置された２つのフィルタ（Ｆ）または部分フィルタ（ＴＦ）は同じフィルタ形式に配属されている構成素子。
【請求項１０】
請求項７から９までのいずれか一項記載の構成素子であって、
第１と第２のフィルタ（Ｆ１，Ｆ２）は、デュプレクサとして回路接続されている構成素子。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記第１または第２の部分フィルタ（ＴＦ１，ＴＦ２）と共に同じチップ（ＣＨ）に実現された第３のフィルタ（Ｆ３）が設けられている構成素子。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記２つの部分フィルタ（ＴＦ１，ＴＦ２）は１つの共通のサブストレートに配置されており、
該サブストレートは、回路接続が実現されている少なくとも１つの金属化面を有する構成素子。
【請求項１３】
請求項１２記載の構成素子であって、
前記サブストレートは多層セラミックから形成されている構成素子。
【請求項１４】
請求項１２または１３記載の構成素子であって、
前記サブストレートは、フィルタ、アクティブ半導体構成素子またはパッシブ構成素子から選択された別の構成素子が配置されているモジュールサブストレートである構成素子。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の構成素子であって、
前記サブストレートの多層セラミック内には少なくとも１つの金属化面が設けられており、
該金属化面にパッシブ回路構成素子が実現されており、前記フィルタ（Ｆ）と回路接続されている構成素子。
【請求項１６】
請求項２から１５までのいずれか一項記載の構成素子であって、
一方の部分フィルタ（ＴＦ１）の温度補償は補償層（ＫＳ）により達成され、
該補償層は前記チップ（ＣＨ）に取り付けられており、前記補償層内を音響波が少なくとも部分的に伝播し、該補償層はチップ材料よりも小さい周波数対温度経過依存性を有する構成素子。
【請求項１７】
請求項１６記載の構成素子であって、
前記補償層（ＫＳ）は酸化ケイ素の層であり、該層の層厚はフィルタの中央周波数における音響波波長の１０％から４０％である構成素子。
【請求項１８】
請求項１６または１７記載の構成素子であって、
温度補償された部分フィルタ（ＴＦ１）は、インタデジタル構成素子を備えるＳＡＷフィルタであり、
前記補償層（ＫＳ）は構成素子構造体（ＢＥＳ）上に取り付けられている構成素子。
【請求項１９】
請求項２から１８までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記チップ（ＣＨ）は、前記構成素子構造体（ＢＥＳ）に対する表面上で歪み層（ＶＳ）と機械的に強固に結合しており、
該歪み層はチップ材料よりも小さい熱膨張係数を有する構成素子。
【請求項２０】
請求項２から１９までのいずれか一項記載の構成素子であって、
少なくとも温度補償された部分フィルタ（ＴＦ１）の前記構成素子構造体（ＢＥＳ）は、和において純粋なアルミニウムよりも大きい密度を備える材料または材料組合せからなる構成素子。
【請求項２１】
請求項２から２０までのいずれか一項記載の構成素子であって、
少なくとも温度補償された部分フィルタ（ＴＦ１）の構成素子構造体（ＢＥＳ）はストライプ状の電極フィンガを有し、
該電極フィンガの側方エッジは、サブストレート表面に対して斜めであり、該サブストレート表面と６５°＜ＫＷ＜８５°のエッジ角（ＫＷ）を形成する構成素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公表番号】特表２００９−５０９４２９（Ｐ２００９−５０９４２９Ａ）
【公表日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５３１５２５（Ｐ２００８−５３１５２５）
【出願日】平成１８年９月１９日（２００６．９．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＤＥ２００６／００１６４９
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０３３６５２
【国際公開日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（３００００２１６０）エプコス アクチエンゲゼルシャフト (318)
【氏名又は名称原語表記】ＥＰＣＯＳ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｓｔ．−Ｍａｒｔｉｎ−Ｓｔｒａｓｓｅ ５３， Ｄ−８１６６９ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月１９日（２００６．９．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＤＥ２００６／００１６４９
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０３３６５２
【国際公開日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（３００００２１６０）エプコス アクチエンゲゼルシャフト (318)
【氏名又は名称原語表記】ＥＰＣＯＳ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｓｔ．−Ｍａｒｔｉｎ−Ｓｔｒａｓｓｅ ５３， Ｄ−８１６６９ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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