【課題】安価な材料で、又比較的薄い膜厚で微細な電極が形成できる弾性表面波装置、及びそれを用いた通信用フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板上にすだれ状電極１０が形成された弾性表面波装置において、前記すだれ状電極１０を形成する電極材料の主成分が銅であり、且つ圧電基板がＬｉＮｂＯ３基板で、その表面波伝搬モードがラブ波モードである弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高く、生産コストが低い圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶は、点Ａ（Ｌａ_２Ｏ_３が４４重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が４６重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）、点Ｂ（Ｌａ_２Ｏ_３が４５重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５２重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｃ（Ｌａ_２Ｏ_３が３２重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が６５重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｄ（Ｌａ_２Ｏ_３が３７重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５３重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げる。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ²が大きくスプリアスが少ないＳＨ型バルク波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１１のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である水晶基板１１に少なくとも一つのＩＤＴ電極１２を配置してなるＳＨ型バルク波共振子１０において、ＩＤＴ電極１２がアルミニウムであって、オイラー角表示の角度θが９５°＜θ＜１５１°であり、水晶基板１１の厚みをｔ、弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性表面波フィルタの共振点におけるロスの発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、直列共振器７Ａにおけるインターディジタルトランスデューサ電極１０の交差幅重み付け係数を並列共振器８Ａにおけるインターディジタルトランスデューサ電極１２の交差幅重み付け係数よりも小さくしたものである。
この構成により、並列共振器８Ａ、８Ｂにおける反共振点での高いＱ値を担保したまま、直列共振器７Ａ、７Ｂ、７Ｃにおける共振点でも高いＱ値を得ることができ、弾性表面波フィルタの通過特性におけるロスの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めることにより、小型の素子を得る。
【解決手段】圧電基板１上にすだれ状電極３、誘電体薄膜４、更に誘電体薄膜５を付着さた基板であり、基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めた基板を得ることができる。特に、薄膜４として、ＳｉＯ_２薄膜、薄膜５として、ＡｌＮ薄膜を用いることにより、大きな電気機械結合係数（ｋ^２）と周波数温度特性に優れた基板を電極３の膜厚、薄膜４、薄膜５の膜厚を最適の値とすることにより得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】反射係数│κ₁₂│／ｋ₀が適度に小さく、電気機械結合係数Ｋ²が大きく、所望とする帯域幅を有し、かつ通過帯域低域側におけるスプリアスを抑制でき、挿入損失の増大を図り得る弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電体２の上面２ａに複数本の溝２ｂが形成されており、該複数本の溝２ｂに金属が充填されてＩＤＴ電極４が形成されており、ＩＤＴ電極４及び圧電体２の上面２ａに誘電体３が形成されており、誘電体２と圧電体３との境界を伝搬するＳＨ型の弾性境界波を利用しており、弾性境界波の波長λとしたときに、ＩＤＴ電極４の厚みＨがＨ＞８２６１．７４４ρ^-1.376であり、かつ密度ρがρ＞３７４５ｋｇ／ｍ³であり、ＩＤＴ電極の厚みＨが溝２ｂの深さと異なっている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ²が大きくスプリアスが少ないＳＨ型バルク波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である前記水晶基板に少なくとも一つのＩＤＴ電極を配置してなるＳＨ型バルク波共振子であって、前記ＩＤＴ電極がアルミニウムであって、オイラー角表示の前記角度θが０°≦θ≦９５°または１５１°≦θ≦１８０°であり、前記水晶基板の厚みをｔ、前記弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ／λがｔ／λ≦４とする。 （もっと読む）

【課題】円弧状帯を定義可能な三次元基材に電気音響変換素子を設け、電気音響変換素子から励起される弾性表面波を円弧状帯に設けられた反射器で反射して弾性表面波の伝搬経路を制限するとともに、温度係数が０でない場合に、センサの感度に対する温度変化の影響を補償することが可能な球面弾性表面波センサを提供する。
【解決手段】
円弧状帯を定義可能な三次元基材と、その円弧状帯上に位置しそれに沿って弾性表面波を励起する電気音響変換素子と、円弧状帯に沿って反射する反射器と、少なくとも一部が円弧状帯の電気音響変換素子と反射器間に存在し周囲の環境変化に反応する感応膜とを備えたセンサヘッドと、高周波発生部と、高周波信号を計測する検出・出力部とを備える球面弾性表面波センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波を利用しており、煩雑な工法を必要とせず、広帯域のフィルタや共振子に適した電気機械結合係数を得ることができる弾性境界波装置を得る。
【解決手段】ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２を用いており、該ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２上にＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように誘電体３が形成されており、ニオブ酸カリウム系単結晶基板２と誘電体３との境界を伝搬するＰ＋ＳＶ型弾性境界波としてのストンリー波を利用しており、ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）が、図２、図５、図８、図１１、図１４、図１７、図２０、図２３、図２６、図２９、図３２、図３５、図３８、図４１、図４４、図４７、図５０、図５３または図５６のそれぞれにおいて、電気機械結合係数Ｋ^２が９％であることを示す線及び該線よりも電気機械結合係数Ｋ^２が高い領域内のいずれかにある、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ型弾性境界波を利用しており、煩雑な工法を採用することなく得ることができ、広帯域のフィルタや共振子に適した電気機械結合係数を得ることができる弾性境界波装置を得る。
【解決手段】ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２を用いており、該ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２上にＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように誘電体３が形成されており、ニオブ酸カリウム系単結晶基板２と誘電体３との境界を伝搬するＳＨ型弾性境界波を利用しており、ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）が、図２、図５、図８、図１１、図１４、図１７、図２０、図２３、図２６、図２９、図３２、図３５、図３８、図４１、図４４、図４７、図５０、図５３または図５６のそれぞれにおいて、電気機械結合係数Ｋ^２が９％であることを示す線及び該線よりも電気機械結合係数Ｋ^２が高い領域内のいずれかにある、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】２０°〜４８°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、タングステンからなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００２５〜０．０６の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ_２膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】１７°〜５８°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、タンタルからなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００４〜０．０５５の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（０±２°，１０４〜１４１°，０±２°）のＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、密度８７００〜１０３００ｋｇ／ｍ³、ヤング率１．８×１０¹¹〜４×１０¹¹Ｎ／ｍ²あるいは横波音速が３１７０〜３２９０ｍ／秒である、ＮｉやＭｏなどで代表される金属もしくは該金属を主体とする合金または前記金属もしくは合金からなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００８〜０．０６の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】高Ｑ，低挿入損失で電極へのダメージに対する耐性の高いＳＡＷフィルタ及びＳＡＷ共振器を得る。
【解決手段】弾性表面波の伝搬方向に配列させた複数の交差電極指及びこれら交差電極指を接続するバスバーを有する櫛形電極を対向させかつ交差電極指同士を互いに交差させてなるＩＤＴを圧電基板上に備えたＳＡＷフィルタで、前記ＩＤＴは、交差電極指から分岐し、かつ交差電極指同士が交差する交差部とバスバーとの間の非交差部内に位置する、１つ以上の分岐電極指を備え、当該分岐電極指は、弾性表面波の伝搬方向に略直交する方向に延びる分岐電極指本体部を含む。縦結合多重モード型フィルタ、ラダー型フィルタ、共振器、縦結合多重モード型フィルタに共振器を直列に接続したフィルタ等の何れにも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】複数の導体層を積層した電極指を有するＩＤＴ電極において、導体層の破断や剥離等の発生を抑制し、耐久性を高めた弾性表面波素子及びそれを搭載した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、圧電基板１０上に電極指１１ａを有するＩＤＴ電極１１を備えている。電極指１１ａは、中間層１２と、中間層１２に比べて大きな熱膨張係数を有する電極層１３が積層されてなる。電極指１１ａは、圧電基板１０に近づく方向に広がる台形形状となる断面形状を有している。中間層１２の側面１の成す角度α_１は、電極層１３の側面との成す角度β_１よりも大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振子は、対向する一対のバスバー１１それぞれから他方のバスバー１１側へ交互に延出された複数の電極指１２を有する櫛型電極１３とを備え、前記それぞれのバスバー１１から延びる電極指１２が交差する前記櫛型電極１３の交差領域１４における外側部分の交差幅を内側部分の交差幅より小さく設定し、前記電極指１２の延伸方向に他方のバスバー１１から延出したダミー電極１５を配置するとともに、このダミー電極１５が設けられた部分をダミー領域１６とし、前記ダミー領域１６のメタライゼイションレシオを前記交差領域１４のメタライゼイションレシオより大きくするとともに、前記ダミー領域１６のメタライゼイションレシオを前記交差領域１４の内側より外側に向け徐々に大きくしたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有し、速い位相速度、優れた周波数温度特性を有するラム波型高周波共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１０は、水晶基板２０と、水晶基板２０の主面に第１交差指電極３１と第２交差指電極３２が間挿して構成されるＩＤＴ電極３０と、ＩＤＴ電極３０のラム波の進行方向両側に配設される反射器４０，５０と、を備え、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２の交差幅をＷとし、ラム波の波長をλとしたとき、交差幅Ｗが２１λ≦Ｗ≦５４λで表される範囲に設定される。また、水晶基板２０の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で（０、θ、０）になるようにＩＤＴ電極３０が形成され、角度θが、３５度≦θ≦４７．２度で表される範囲において、水晶基板２０の厚みｔと、ラム波の波長λとの関係で表される規格化基板厚みｔ／λが、０．１７６≦ｔ／λ≦１．９２５の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】複数の導体層を積層している電極指でありながら、これらの導体層の破断や剥離等の発生を抑制できるＩＤＴ電極を備えることで、耐久性を高めることができる弾性表面波素子及びそれを搭載した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、圧電基板１０上に電極指１１ａを有するＩＤＴ電極１１を備えている。電極指１１ａは、中間層１２と、中間層１２に比べて大きな熱膨張係数を有する電極層１３が積層されてなる。電極指１１ａは、圧電基板１０に近づく方向に広がる台形形状となる断面形状を有している。中間層１２の側面１の成す角度α_１は、電極層１３の側面との成す角度β_１よりも大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の圧電共振子を利用し優れたパワーハンドリングキャパシティ及び電気応答性を有するフィルタ構造を提供する。
【解決手段】圧電共振子のチェーンを備え、該チェーンは第1の圧電共振子に直列接続された少なくとも2個の圧電共振子からなりかつ第1の圧電共振子と共に直列接続された圧電共振子の群(1020、1110)を形成し、圧電共振子のチェーンに属する各圧電共振子は、第1の共振周波数に実質的に等しい共振周波数を有し、圧電共振子の群(1020、1110)は、フィルタ構造の残りの圧電共振子に、圧電共振子の群の一端において直列接続された第1の圧電共振子(1021a)および圧電共振子の群の他端において直列接続された第2の圧電共振子(1021b)を介してのみ接続され、直列接続された圧電共振子の群のインピーダンスをフィルタ構造のインピーダンスと整合させ、フィルタ構造を梯子型フィルタ構造(1090、1100)とする。 （もっと読む）