弾性境界波基板とその基板を用いた弾性境界波機能素子。
【課題】基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めることにより、小型の素子を得る。
【解決手段】圧電基板1上にすだれ状電極3、誘電体薄膜4、更に誘電体薄膜5を付着さた基板であり、基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めた基板を得ることができる。特に、薄膜4として、SiO2薄膜、薄膜5として、AlN薄膜を用いることにより、大きな電気機械結合係数(k2)と周波数温度特性に優れた基板を電極3の膜厚、薄膜4、薄膜5の膜厚を最適の値とすることにより得ることが出来る。
【解決手段】圧電基板1上にすだれ状電極3、誘電体薄膜4、更に誘電体薄膜5を付着さた基板であり、基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めた基板を得ることができる。特に、薄膜4として、SiO2薄膜、薄膜5として、AlN薄膜を用いることにより、大きな電気機械結合係数(k2)と周波数温度特性に優れた基板を電極3の膜厚、薄膜4、薄膜5の膜厚を最適の値とすることにより得ることが出来る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板表面と電極部にエネルギーを集中させて伝搬する弾性境界波基板とその基板を用いた弾性境界波機能素子に関する。
【背景技術】
【0002】
圧電性基板上にすだれ状電極を設けた弾性表面波変換器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子は、テレビの中間周波数帯のフィルタ、移動体通信用のフィルタとして、広く応用されている。これらのフィルタでは、弾性表面波を用いているため、弾性表面波の送受信表面、伝搬路表面をフリーにする必要があり、パッケージが必要である。一方、基板内部にエネルギーを閉じ込めた弾性境界波を用いることにより、パッケージの要らない機能素子が可能となる。弾性境界波を解析した最初の研究論文として、R.Stoneley:R.Soc.Proc.London Ser.A.,106(1924)416がある。また、圧電性基板と薄膜を組み合わせた論文として、K.Yamanouchi,K.Iwahashi and K.Shibayam,“Piezoelectric Boundary Waves along the Interface between SiO2 and LiTaO3”、IEEE Tranactions.Sonics and Utrasonics,Vol.SU−25,No,6,1978,pp.384−389、がある。この論文では、一層の薄膜のみを用いているため、境界に境界波がトラップされる条件が厳しく、実用までには至らなかった。
本特許は、これらの欠陥を取り除くために考案されたものである。
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
弾性表面波を用いたフィルタでは、送受電極部と伝搬路を表面フリーの条件にするためパッケージが必要であり、素子がやや大きくなる欠陥がる。本特許は基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めることにより、小型の素子を得ることを目的としている。
【発明が解決するための手段】
【0004】
本特許は、圧電基板上に金属電極、誘電体薄膜、更に誘電体薄膜を付着させた構造の基板とすることにより、圧電基板にはエネルギーを放射しない、また薄膜表面には変位の無い、大きな電気機械結合係数と周波数温度特性(TCF)に優れた基板を得ることを目的としている。
【実施例】
【0005】
【実施例1】
実施例の1は、図1、図2のように、圧電性或いは電歪性基板1、或いは基板上に圧電薄膜を付着させた圧電性薄膜基板1の上に、金属膜2、或いは図3のようにすだれ状電極3を付着させ、その上に誘電体薄膜或いは圧電性薄膜4、その上に誘電体薄膜5或いは圧電性薄膜5或いは金属薄膜5を付着させた基板であって、弾性波のエネルギーが基板1の表面と金属膜2或いはすだれ状電極3の境界面付近に集中し、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が零であり、また薄膜5の表面のエネルギー(変位)が零である構造の弾性境界波基板、或いは全体の一部のエネルギーが基板に放射する構造の弾性境界波基板、或いは薄膜5の表面にも全体のエネルギー(変位)の一部が存在する構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の1である。
【実施例2】
実施例の2は、特許請求の範囲1において、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が全体のエネルギーの1/8以下であり、また薄膜5の表面のエネルギーが全体のエネルギーの1/8以下である構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の2である。
【実施例3】
実施例の3は、特許請求範囲の請求項1、請求項2において、基板1の圧電性或いは電歪性基板或いは圧電性薄膜基板として、120°〜136°回転Y−X伝搬LiNbO3、回転−10°〜90°Y−X伝搬LiNbO3、Y−Z LiNbO3、回転25°〜55°Y−X伝搬LiTaO3、X−112°Y LiTaO3、回転0°〜90°Y−X伝搬KNbO3、ランガサイト、リチュウムテトラボレート、水晶、BGO、BSO、ZnO/基板、AlN/基板、AlN/Si、ZnO/Si、であり、これらの基板の伝搬方向として、伝搬軸が±50°の範囲にある基板であり、また誘電体薄膜4或いは圧電体薄膜4として、TeO2薄膜及びTexOy薄膜、SiO2薄膜及びSixOy薄膜、HfO2薄膜、BGO薄膜,BGS薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、Ta2O5薄膜、ZnO薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ガラス薄膜、であり、また誘電体薄膜5或いは圧電体薄膜5或いは金属薄膜5として、SiO2薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ダイヤモンド薄膜、SiC薄膜、Si3N4薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、ベリリューム金属薄膜、Si、或いは誘電体薄膜4より大きな横波速度をもつ誘電体薄膜、圧電性薄膜或いは金属・半導体薄膜を用いた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の3である。
【実施例4】
実施例の4は、特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3において、金属薄膜2或いは、電極膜3として、Al薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、Mo薄膜,W薄膜,Rh薄膜、Pt薄膜、Pb薄膜及びこれらの合金からなる構造の弾性境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子が実施例の4である。
【実施例5】
実施例の5は、特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4において、薄膜5の上に、更に上記の薄膜6、薄膜7など多層の薄膜を付着させた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子、或いは、薄膜6〜Nの横波速度が薄膜4の横波速度より大きな横波速度をもつ薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の5である。
【実施例6】
実施例の6は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5において、薄膜4として、基板と逆の周波数温度特性をもつSiO2薄膜或いはガラスなどの薄膜、薄膜5として、AlN薄膜或いはAl2O3薄膜、SiC薄膜、また、金属膜2、電極膜3としてAl薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、また、圧電基板1として、回転−10°〜70°Y−X伝搬LiNbO3基板、或いは回転30°〜60°Y−X伝搬のLiTaO3基板を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が実施例の6である。
【実施例7】
実施例の7は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、境界波の中心周波数での波長をλとして、金属電極膜2、3の膜厚H2/λ、或いはH3/λとして、0.005〜0.25の範囲、誘電体膜4の膜厚H4/λとして、0.005〜3.5の範囲、薄膜5の膜厚H5/λとして、0.005〜3.5の範囲、また薄膜5の上の薄膜の膜厚H6〜N/λとして、0.00〜3.5の範囲にある境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子が、実施例の7である。
【実施例8】
実施例の8は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より遅い横波速度の薄膜11でその膜厚Hsd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の8である。
【実施例9】
実施例の9は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜22でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が実施例の9である。
【実施例10】
実施例の11は特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜33でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4を付着させた構造の弾性表面波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた機能素子が、実施例の10である。
【実施例11】
実施例の11は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10において、薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜N、薄膜11、22、33の作製法として、抵抗加熱蒸着法、スパッター法、溶液を基板表面にスピンコーティングし加熱分解により目的の薄膜を作製する方法、MOCVD法により作製された薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が実施例の11である。
【実施例12】
実施例の12は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10、請求項11において、電極3の構造として、反射電極をもつ共振器、すだれ状電極共振器、一方向性すだれ状電極、分散型すだれ状電極を用いた構造の弾性境界波機能素子が実施例の11である。
【発明の効果】
【0006】
上記の基板の例として、AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布を図3に示す。図で、各膜厚は、H2/λ=0.05、H4/λ=0.8、H5/λ=2.0の場合であり、電気機械結合係数k2=0.10,周波数温度特性(TCF)=7ppm/℃の特性が得られる。また、基板上の電極部分、及び薄膜部分にエネルギーが集中していることが判る。
図4は、AlN/SiO2/Cu/128°Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布を示す。図で、H2、H3/λ=0.05、H4/λ=1.0、H5/λ=2.0の場合であり、k2=0.055,周波数温度特性(TCF)=22ppm/℃の特性が得られる。図から、基板上の電極部分、及び薄膜部分にエネルギーが集中していることが判る。
図5は、AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3構造の基板の変位分布である。図で、H2、H3/λ=0.05、H4/λ=0.6、H5/λ=1.5〜2.0の場合であり、k2=0.056,周波数温度特性(TCF)=−0ppm/℃の特性が得られる。図から、基板上の電極部分、及び薄膜部分にエネルギーが集中していることが判る。
図6は、AlN/SiO2/Al、Cu,Ag,Au/Y−X LiNbO3基板の弾性境界波の存在領域を示す図であり、Au、Ag、Cu、Al電極をパラメーターとして、横軸が電極膜厚H2/λ、H3/λ、縦軸がSiO2薄膜H4/λであり、AlN膜厚H5/λ=1.0〜2.0とした場合の存在領域を示す曲線であり、図の矢印の方向が弾性境界波が存在する領域である。例として、Al電極の場合は、H2/λ=0.05では、SiO2膜厚H4/λ=0.45以上で弾性境界波領域が存在することを示す。
図7は、AlN/SiO2/電極/Y−XLiNbO3基板の電極膜厚H2、H3/λ=0.05の場合の種々の金属に対する、薄膜5としてH5/λ=1.0〜2.0のAlN薄膜とした場合のSiO2薄膜の膜厚H4/λに対する周波数温度特性(TCF)を示す。図からAuでは、零周波数温度特性は得られないこと、また、Cu電極では、SiO2膜H4/λ=1.2で零周波数温度特性が得られることが判る。上記の結果は、電極膜として、Al,Cu,Ag,Au、誘電体膜として、SiO2、AlN膜を取り上げて得た結果であるが、薄膜5の横波速度が薄膜4より早い横波速度の場合は同様の境界波が得られるので本特許に含まれる。
以上の例では、最上部の薄膜AlNの膜厚H5/λ=1.0〜2.0と十分に厚いとした場合の境界波について解析を行ったが、実用のデバイスでは、境界波となる最上部の膜厚が出来るだけ薄い場合のデバイスが必要であり、請求項7の最上部の膜厚として示した範囲、即ちH5/λ=0.005〜3.5の範囲での境界波の存在する最小膜厚の解析結果及び実験結果を示す。
図8は、AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3基板でHAl/λ=0.05の場合のAlN膜厚に対する伝搬速度の変化を示したもので、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.4付近以下では、AlN膜厚の変化に対する伝搬速度の変化が一定となる領域が遅い横波より小さい領域では存在しないので境界波が存在しないこと、またSiO2膜厚HSiO2/λ=0.5以上の場合、膜厚HAlN/λ=0.5以上では、AlN膜厚の変化に対する伝搬速度の変化はほぼ一定となる領域が存在するので、境界波が存在すること、また、0.5以上のAlN膜は、不要であること、かつ最上部に厚い膜を付着させることは、境界波基板の割れ、
るだけ薄いHAlN/λとして、0.5とすることで、最適の基板が得られる。
図9は、AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.04の場合のAlN膜厚に対する伝搬速度の変化を示したもので、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.15付近以下では、境界波が存在しないこと、またSiO2膜厚HSiO2/λ=0.2以上の場合、膜厚HAlN/λ=0.4以上では、殆どHCu/λに対する伝搬速度の変化は無くなり、境界波となるので、0.4以上のAlN膜は、不要であること、かつ厚い膜を付着させることは、境界波基板の割れ、最上部膜の亀裂、剥離を伴うので基板の悪影響を与える結果となるので、出来るだけ薄いH/λとして、0.4とすることで、最適の基板が得られる。
図10は、AlN/SiO2/Cu/10°Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.03の場合のAlN膜厚に対する伝搬速度の変化を示したもので、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.25付近以下では、境界波が存在しないこと、またSiO2膜厚HSiO2/λ=0.35付近以上の場合、膜厚HAlN/λ=0.45以上では、膜厚HAlN/λの変化に対する伝搬速度の変化は殆ど無くなり、境界波となるので、0.5以上のAlN膜は、不要であること、かつ厚い膜を付着させることは、境界波基板の割れ、最上部膜の亀裂、剥離を伴うので基板の悪影響を与える結果となるので、出来るだけ薄いH/λとして、0.5とすることで、最適の基板が得られる。。
図11は、境界波を得るためのSiO2膜厚に対する最上部AlN膜の最小値をHCu/λ(図では、Cu=0.1はHCu/λ=0.1に対応する)をパラメーターとした、AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板について、境界波の得られる条件して、プロット条件に示すような条件、即ち、AlN膜の変化(Hi/λ−Hi+1/λ)に対する速度の変化(vi+1−vi)/viの値が10−3した場合の境界波が得られるAlNとSiO2最小膜厚の関係を示した図であり、境界波はこの曲線より上の領域で存在することを示している。例えば、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.5では、HCu/λCu=0.05の場合、HAlN/λ=0.45以上が境界波の存在範囲となることを示す。
図12は、境界波を得るためのSiO2膜厚に対する最上部AlN膜の最小値をHCu/λ(図では、Cu=0.3はHCu/λ=0.0375に対応する)をパラメーターとした、AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3基板について、境界波の得られる条件して、プロット条件に示すような条件、即ち、AlN膜の変化(Hi/λ−Hi+1/λ)に対する速度の変化(vi+1−vi)/viの値が10−3した場合の境界波が得られるAlNとSiO2最小膜厚の関係を示した図であり、境界波はこの曲線より上の領域で存在することを示している。例えば、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.4では、HCu/λCu=0.0375の場合、HAlN/λ=0.5以上が境界波の存在範囲となることを示す。
図13は、AlN/SiO2/Cu電極/Y−XLiNbO3基板を用いた共振器の実験結果であり、電極3として、H3/λ=0.04のCu、薄膜4としてH4/λ=0.225のSiO2を付着させた上に薄膜5として、AlN薄膜を付着させ、その膜厚H5/λを大きくして行った場合の共振中心周波数の変化であり、H5/λ=0.5以上では、殆ど中心周波数は変化せず、AlN表面の変位は殆ど零であり、弾性境界波になっていることが判る。
図14は、図13に示した弾性境界波共振器のアドミッタンスの周波数特性である。
図から良好な共振特性が得られていることが判る。また、AlN表面に伝搬減衰の大きなレジストを付着させても特性変化はなかった。
図15は、AlN/SiO2/Cu電極/36°Y−X LiTaO3基板を用いた共振器の実験結果であり、電極3として、H3/λ=0.037のCu、薄膜4としてH4/λ=0.25のSiO2を付着させた上に薄膜5として、AlN薄膜を付着させ、その膜厚H5/λを大きくして行った場合のアドミッタンスの周波数特性であり、HAlN/λ=0.78(AlN=6.3μm)の基板表面に伝搬損失の大きなホトレジスト膜を3μm付着させない特性と付着させた特性には殆ど変化関係が無かったことから、最上部表面には、殆ど変位のない境界波になっていることが解る。この場合も最上部の膜厚は、HAlN/λ=0.78で十分であることが解る。また、この基板の場合、不要波が殆ど発生していないことから、回転Y−X LiTaO3基板では不要波の無い良好なフィルタ特性を容易に得ることができる。
図16は、TeO2薄膜λ/4グレーティング薄膜反射器を用いた一方向性すだれ状電極フィルタの実験結果であり、基板は、AlN/SiO2/TeO2グレーティング薄膜/Y−X LiNbO3構造であり、AlN膜厚5.6λ、SiO2膜厚0.3λ、Cu電極膜厚0.03λであり、良好な一方向特性と低損失特性が得られている。
図17は、特許請求の範囲10において、回転Y−X伝搬の基板1の上に電極膜2、3、その上に薄膜4より大きな横波速度をもつAlN薄膜22をパラメーターとして、Hhs/λ=0,0.05,0.075,0.1を付着させ、その上にSiO2薄膜をH/λ=0〜2.0まで付着させ、その上にAlN膜をH/λ=1.5を付着させた境界波の周波数温度特性であり、零周波数温度特性の得られるSiO2膜厚が、AlN22が零の場合の半分の値で得られることが判る。
以上は、薄膜4より横波速度の大きな薄膜として、AlNを取り上げて示したが、薄膜4より大きな横波速度をもつ種々の薄膜を用いることにより、同様の結果が得られるので、異なる薄膜の組み合わせも本特許に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】金属薄膜2をもつ弾性境界波基板の断面図。
【図2】すだれ状電極3をもつ弾性境界波基板の断面図。
【図3】AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布、SHは面に平行な変位、SVは面に垂直な変位、Pは伝搬方向の変位。
【図4】AlN/SiO2/Cu/128°Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布。
【図5】AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3構造の基板の変位分布。
【図6】電極膜厚とSiO2膜厚に対する弾性境界波の存在領域。→の矢印方向は弾性境界波が存在する領域を示す。
【図7】SiO2膜厚に対する弾性境界波の周波数温度特性
【図8】AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3基板でHAl/λ=0.05の場合のAlN膜厚(H/λ)に対する伝搬速度の変化
【図9】AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.04の場合のAlN膜厚(H/λ)に対する伝搬速度の変化
【図10】AlN/SiO2/Cu/10°Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.03の場合のAlN膜厚(H/λ)に対する伝搬速度の変化
【図11】AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板の境界波を得るためのSiO2薄膜に対する最上膜AlNの膜厚の最小値
【図12】AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3基板の境界波を得るためのSiO2薄膜に対する最上膜AlNの膜厚の最小値
【図13】AlN/SiO2/Cu電極/Y−XLiNbO3基板共振器のAlN膜厚に対する共振周波数の変化を示す図。
【図14】AlN/SiO2/Cu電極/Y−XLiNbO3基板共振器のアドミッタンス特性
【図15】AlN/SiO2/Cu電極/36°Y−XLiTaO3基板共振器のアドミッタンス特性
【図16】AlN/SiO2/Te/Cu電極/Y−XLiNbO3基板の一方向性フィルタ特性
【図17】AlN/SiO2/AlN/電極/Y−XLiNbO3基板の周波数温度特性
【符号の説明】
1−圧電性基板、2−金属薄膜、3−すだれ状電極、4−誘電体薄膜、5−誘電体薄膜或いは金属薄膜、
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板表面と電極部にエネルギーを集中させて伝搬する弾性境界波基板とその基板を用いた弾性境界波機能素子に関する。
【背景技術】
【0002】
圧電性基板上にすだれ状電極を設けた弾性表面波変換器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子は、テレビの中間周波数帯のフィルタ、移動体通信用のフィルタとして、広く応用されている。これらのフィルタでは、弾性表面波を用いているため、弾性表面波の送受信表面、伝搬路表面をフリーにする必要があり、パッケージが必要である。一方、基板内部にエネルギーを閉じ込めた弾性境界波を用いることにより、パッケージの要らない機能素子が可能となる。弾性境界波を解析した最初の研究論文として、R.Stoneley:R.Soc.Proc.London Ser.A.,106(1924)416がある。また、圧電性基板と薄膜を組み合わせた論文として、K.Yamanouchi,K.Iwahashi and K.Shibayam,“Piezoelectric Boundary Waves along the Interface between SiO2 and LiTaO3”、IEEE Tranactions.Sonics and Utrasonics,Vol.SU−25,No,6,1978,pp.384−389、がある。この論文では、一層の薄膜のみを用いているため、境界に境界波がトラップされる条件が厳しく、実用までには至らなかった。
本特許は、これらの欠陥を取り除くために考案されたものである。
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
弾性表面波を用いたフィルタでは、送受電極部と伝搬路を表面フリーの条件にするためパッケージが必要であり、素子がやや大きくなる欠陥がる。本特許は基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めることにより、小型の素子を得ることを目的としている。
【発明が解決するための手段】
【0004】
本特許は、圧電基板上に金属電極、誘電体薄膜、更に誘電体薄膜を付着させた構造の基板とすることにより、圧電基板にはエネルギーを放射しない、また薄膜表面には変位の無い、大きな電気機械結合係数と周波数温度特性(TCF)に優れた基板を得ることを目的としている。
【実施例】
【0005】
【実施例1】
実施例の1は、図1、図2のように、圧電性或いは電歪性基板1、或いは基板上に圧電薄膜を付着させた圧電性薄膜基板1の上に、金属膜2、或いは図3のようにすだれ状電極3を付着させ、その上に誘電体薄膜或いは圧電性薄膜4、その上に誘電体薄膜5或いは圧電性薄膜5或いは金属薄膜5を付着させた基板であって、弾性波のエネルギーが基板1の表面と金属膜2或いはすだれ状電極3の境界面付近に集中し、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が零であり、また薄膜5の表面のエネルギー(変位)が零である構造の弾性境界波基板、或いは全体の一部のエネルギーが基板に放射する構造の弾性境界波基板、或いは薄膜5の表面にも全体のエネルギー(変位)の一部が存在する構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の1である。
【実施例2】
実施例の2は、特許請求の範囲1において、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が全体のエネルギーの1/8以下であり、また薄膜5の表面のエネルギーが全体のエネルギーの1/8以下である構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の2である。
【実施例3】
実施例の3は、特許請求範囲の請求項1、請求項2において、基板1の圧電性或いは電歪性基板或いは圧電性薄膜基板として、120°〜136°回転Y−X伝搬LiNbO3、回転−10°〜90°Y−X伝搬LiNbO3、Y−Z LiNbO3、回転25°〜55°Y−X伝搬LiTaO3、X−112°Y LiTaO3、回転0°〜90°Y−X伝搬KNbO3、ランガサイト、リチュウムテトラボレート、水晶、BGO、BSO、ZnO/基板、AlN/基板、AlN/Si、ZnO/Si、であり、これらの基板の伝搬方向として、伝搬軸が±50°の範囲にある基板であり、また誘電体薄膜4或いは圧電体薄膜4として、TeO2薄膜及びTexOy薄膜、SiO2薄膜及びSixOy薄膜、HfO2薄膜、BGO薄膜,BGS薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、Ta2O5薄膜、ZnO薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ガラス薄膜、であり、また誘電体薄膜5或いは圧電体薄膜5或いは金属薄膜5として、SiO2薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ダイヤモンド薄膜、SiC薄膜、Si3N4薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、ベリリューム金属薄膜、Si、或いは誘電体薄膜4より大きな横波速度をもつ誘電体薄膜、圧電性薄膜或いは金属・半導体薄膜を用いた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の3である。
【実施例4】
実施例の4は、特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3において、金属薄膜2或いは、電極膜3として、Al薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、Mo薄膜,W薄膜,Rh薄膜、Pt薄膜、Pb薄膜及びこれらの合金からなる構造の弾性境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子が実施例の4である。
【実施例5】
実施例の5は、特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4において、薄膜5の上に、更に上記の薄膜6、薄膜7など多層の薄膜を付着させた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子、或いは、薄膜6〜Nの横波速度が薄膜4の横波速度より大きな横波速度をもつ薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の5である。
【実施例6】
実施例の6は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5において、薄膜4として、基板と逆の周波数温度特性をもつSiO2薄膜或いはガラスなどの薄膜、薄膜5として、AlN薄膜或いはAl2O3薄膜、SiC薄膜、また、金属膜2、電極膜3としてAl薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、また、圧電基板1として、回転−10°〜70°Y−X伝搬LiNbO3基板、或いは回転30°〜60°Y−X伝搬のLiTaO3基板を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が実施例の6である。
【実施例7】
実施例の7は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、境界波の中心周波数での波長をλとして、金属電極膜2、3の膜厚H2/λ、或いはH3/λとして、0.005〜0.25の範囲、誘電体膜4の膜厚H4/λとして、0.005〜3.5の範囲、薄膜5の膜厚H5/λとして、0.005〜3.5の範囲、また薄膜5の上の薄膜の膜厚H6〜N/λとして、0.00〜3.5の範囲にある境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子が、実施例の7である。
【実施例8】
実施例の8は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より遅い横波速度の薄膜11でその膜厚Hsd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が、実施例の8である。
【実施例9】
実施例の9は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜22でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が実施例の9である。
【実施例10】
実施例の11は特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜33でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4を付着させた構造の弾性表面波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた機能素子が、実施例の10である。
【実施例11】
実施例の11は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10において、薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜N、薄膜11、22、33の作製法として、抵抗加熱蒸着法、スパッター法、溶液を基板表面にスピンコーティングし加熱分解により目的の薄膜を作製する方法、MOCVD法により作製された薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子が実施例の11である。
【実施例12】
実施例の12は、特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10、請求項11において、電極3の構造として、反射電極をもつ共振器、すだれ状電極共振器、一方向性すだれ状電極、分散型すだれ状電極を用いた構造の弾性境界波機能素子が実施例の11である。
【発明の効果】
【0006】
上記の基板の例として、AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布を図3に示す。図で、各膜厚は、H2/λ=0.05、H4/λ=0.8、H5/λ=2.0の場合であり、電気機械結合係数k2=0.10,周波数温度特性(TCF)=7ppm/℃の特性が得られる。また、基板上の電極部分、及び薄膜部分にエネルギーが集中していることが判る。
図4は、AlN/SiO2/Cu/128°Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布を示す。図で、H2、H3/λ=0.05、H4/λ=1.0、H5/λ=2.0の場合であり、k2=0.055,周波数温度特性(TCF)=22ppm/℃の特性が得られる。図から、基板上の電極部分、及び薄膜部分にエネルギーが集中していることが判る。
図5は、AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3構造の基板の変位分布である。図で、H2、H3/λ=0.05、H4/λ=0.6、H5/λ=1.5〜2.0の場合であり、k2=0.056,周波数温度特性(TCF)=−0ppm/℃の特性が得られる。図から、基板上の電極部分、及び薄膜部分にエネルギーが集中していることが判る。
図6は、AlN/SiO2/Al、Cu,Ag,Au/Y−X LiNbO3基板の弾性境界波の存在領域を示す図であり、Au、Ag、Cu、Al電極をパラメーターとして、横軸が電極膜厚H2/λ、H3/λ、縦軸がSiO2薄膜H4/λであり、AlN膜厚H5/λ=1.0〜2.0とした場合の存在領域を示す曲線であり、図の矢印の方向が弾性境界波が存在する領域である。例として、Al電極の場合は、H2/λ=0.05では、SiO2膜厚H4/λ=0.45以上で弾性境界波領域が存在することを示す。
図7は、AlN/SiO2/電極/Y−XLiNbO3基板の電極膜厚H2、H3/λ=0.05の場合の種々の金属に対する、薄膜5としてH5/λ=1.0〜2.0のAlN薄膜とした場合のSiO2薄膜の膜厚H4/λに対する周波数温度特性(TCF)を示す。図からAuでは、零周波数温度特性は得られないこと、また、Cu電極では、SiO2膜H4/λ=1.2で零周波数温度特性が得られることが判る。上記の結果は、電極膜として、Al,Cu,Ag,Au、誘電体膜として、SiO2、AlN膜を取り上げて得た結果であるが、薄膜5の横波速度が薄膜4より早い横波速度の場合は同様の境界波が得られるので本特許に含まれる。
以上の例では、最上部の薄膜AlNの膜厚H5/λ=1.0〜2.0と十分に厚いとした場合の境界波について解析を行ったが、実用のデバイスでは、境界波となる最上部の膜厚が出来るだけ薄い場合のデバイスが必要であり、請求項7の最上部の膜厚として示した範囲、即ちH5/λ=0.005〜3.5の範囲での境界波の存在する最小膜厚の解析結果及び実験結果を示す。
図8は、AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3基板でHAl/λ=0.05の場合のAlN膜厚に対する伝搬速度の変化を示したもので、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.4付近以下では、AlN膜厚の変化に対する伝搬速度の変化が一定となる領域が遅い横波より小さい領域では存在しないので境界波が存在しないこと、またSiO2膜厚HSiO2/λ=0.5以上の場合、膜厚HAlN/λ=0.5以上では、AlN膜厚の変化に対する伝搬速度の変化はほぼ一定となる領域が存在するので、境界波が存在すること、また、0.5以上のAlN膜は、不要であること、かつ最上部に厚い膜を付着させることは、境界波基板の割れ、
るだけ薄いHAlN/λとして、0.5とすることで、最適の基板が得られる。
図9は、AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.04の場合のAlN膜厚に対する伝搬速度の変化を示したもので、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.15付近以下では、境界波が存在しないこと、またSiO2膜厚HSiO2/λ=0.2以上の場合、膜厚HAlN/λ=0.4以上では、殆どHCu/λに対する伝搬速度の変化は無くなり、境界波となるので、0.4以上のAlN膜は、不要であること、かつ厚い膜を付着させることは、境界波基板の割れ、最上部膜の亀裂、剥離を伴うので基板の悪影響を与える結果となるので、出来るだけ薄いH/λとして、0.4とすることで、最適の基板が得られる。
図10は、AlN/SiO2/Cu/10°Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.03の場合のAlN膜厚に対する伝搬速度の変化を示したもので、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.25付近以下では、境界波が存在しないこと、またSiO2膜厚HSiO2/λ=0.35付近以上の場合、膜厚HAlN/λ=0.45以上では、膜厚HAlN/λの変化に対する伝搬速度の変化は殆ど無くなり、境界波となるので、0.5以上のAlN膜は、不要であること、かつ厚い膜を付着させることは、境界波基板の割れ、最上部膜の亀裂、剥離を伴うので基板の悪影響を与える結果となるので、出来るだけ薄いH/λとして、0.5とすることで、最適の基板が得られる。。
図11は、境界波を得るためのSiO2膜厚に対する最上部AlN膜の最小値をHCu/λ(図では、Cu=0.1はHCu/λ=0.1に対応する)をパラメーターとした、AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板について、境界波の得られる条件して、プロット条件に示すような条件、即ち、AlN膜の変化(Hi/λ−Hi+1/λ)に対する速度の変化(vi+1−vi)/viの値が10−3した場合の境界波が得られるAlNとSiO2最小膜厚の関係を示した図であり、境界波はこの曲線より上の領域で存在することを示している。例えば、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.5では、HCu/λCu=0.05の場合、HAlN/λ=0.45以上が境界波の存在範囲となることを示す。
図12は、境界波を得るためのSiO2膜厚に対する最上部AlN膜の最小値をHCu/λ(図では、Cu=0.3はHCu/λ=0.0375に対応する)をパラメーターとした、AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3基板について、境界波の得られる条件して、プロット条件に示すような条件、即ち、AlN膜の変化(Hi/λ−Hi+1/λ)に対する速度の変化(vi+1−vi)/viの値が10−3した場合の境界波が得られるAlNとSiO2最小膜厚の関係を示した図であり、境界波はこの曲線より上の領域で存在することを示している。例えば、SiO2膜厚HSiO2/λ=0.4では、HCu/λCu=0.0375の場合、HAlN/λ=0.5以上が境界波の存在範囲となることを示す。
図13は、AlN/SiO2/Cu電極/Y−XLiNbO3基板を用いた共振器の実験結果であり、電極3として、H3/λ=0.04のCu、薄膜4としてH4/λ=0.225のSiO2を付着させた上に薄膜5として、AlN薄膜を付着させ、その膜厚H5/λを大きくして行った場合の共振中心周波数の変化であり、H5/λ=0.5以上では、殆ど中心周波数は変化せず、AlN表面の変位は殆ど零であり、弾性境界波になっていることが判る。
図14は、図13に示した弾性境界波共振器のアドミッタンスの周波数特性である。
図から良好な共振特性が得られていることが判る。また、AlN表面に伝搬減衰の大きなレジストを付着させても特性変化はなかった。
図15は、AlN/SiO2/Cu電極/36°Y−X LiTaO3基板を用いた共振器の実験結果であり、電極3として、H3/λ=0.037のCu、薄膜4としてH4/λ=0.25のSiO2を付着させた上に薄膜5として、AlN薄膜を付着させ、その膜厚H5/λを大きくして行った場合のアドミッタンスの周波数特性であり、HAlN/λ=0.78(AlN=6.3μm)の基板表面に伝搬損失の大きなホトレジスト膜を3μm付着させない特性と付着させた特性には殆ど変化関係が無かったことから、最上部表面には、殆ど変位のない境界波になっていることが解る。この場合も最上部の膜厚は、HAlN/λ=0.78で十分であることが解る。また、この基板の場合、不要波が殆ど発生していないことから、回転Y−X LiTaO3基板では不要波の無い良好なフィルタ特性を容易に得ることができる。
図16は、TeO2薄膜λ/4グレーティング薄膜反射器を用いた一方向性すだれ状電極フィルタの実験結果であり、基板は、AlN/SiO2/TeO2グレーティング薄膜/Y−X LiNbO3構造であり、AlN膜厚5.6λ、SiO2膜厚0.3λ、Cu電極膜厚0.03λであり、良好な一方向特性と低損失特性が得られている。
図17は、特許請求の範囲10において、回転Y−X伝搬の基板1の上に電極膜2、3、その上に薄膜4より大きな横波速度をもつAlN薄膜22をパラメーターとして、Hhs/λ=0,0.05,0.075,0.1を付着させ、その上にSiO2薄膜をH/λ=0〜2.0まで付着させ、その上にAlN膜をH/λ=1.5を付着させた境界波の周波数温度特性であり、零周波数温度特性の得られるSiO2膜厚が、AlN22が零の場合の半分の値で得られることが判る。
以上は、薄膜4より横波速度の大きな薄膜として、AlNを取り上げて示したが、薄膜4より大きな横波速度をもつ種々の薄膜を用いることにより、同様の結果が得られるので、異なる薄膜の組み合わせも本特許に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】金属薄膜2をもつ弾性境界波基板の断面図。
【図2】すだれ状電極3をもつ弾性境界波基板の断面図。
【図3】AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布、SHは面に平行な変位、SVは面に垂直な変位、Pは伝搬方向の変位。
【図4】AlN/SiO2/Cu/128°Y−X LiNbO3構造の基板の変位分布。
【図5】AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3構造の基板の変位分布。
【図6】電極膜厚とSiO2膜厚に対する弾性境界波の存在領域。→の矢印方向は弾性境界波が存在する領域を示す。
【図7】SiO2膜厚に対する弾性境界波の周波数温度特性
【図8】AlN/SiO2/Al/Y−X LiNbO3基板でHAl/λ=0.05の場合のAlN膜厚(H/λ)に対する伝搬速度の変化
【図9】AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.04の場合のAlN膜厚(H/λ)に対する伝搬速度の変化
【図10】AlN/SiO2/Cu/10°Y−X LiNbO3基板でHCu/λ=0.03の場合のAlN膜厚(H/λ)に対する伝搬速度の変化
【図11】AlN/SiO2/Cu/Y−X LiNbO3基板の境界波を得るためのSiO2薄膜に対する最上膜AlNの膜厚の最小値
【図12】AlN/SiO2/Cu/36°Y−X LiTaO3基板の境界波を得るためのSiO2薄膜に対する最上膜AlNの膜厚の最小値
【図13】AlN/SiO2/Cu電極/Y−XLiNbO3基板共振器のAlN膜厚に対する共振周波数の変化を示す図。
【図14】AlN/SiO2/Cu電極/Y−XLiNbO3基板共振器のアドミッタンス特性
【図15】AlN/SiO2/Cu電極/36°Y−XLiTaO3基板共振器のアドミッタンス特性
【図16】AlN/SiO2/Te/Cu電極/Y−XLiNbO3基板の一方向性フィルタ特性
【図17】AlN/SiO2/AlN/電極/Y−XLiNbO3基板の周波数温度特性
【符号の説明】
1−圧電性基板、2−金属薄膜、3−すだれ状電極、4−誘電体薄膜、5−誘電体薄膜或いは金属薄膜、
【特許請求の範囲】
【請求項1】
図1、図2のように、圧電性或いは電歪性基板1、或いは基板上に圧電薄膜を付着させた圧電性薄膜基板1の上に、金属膜2、或いは図3のようにすだれ状電極3を付着させ、その上に誘電体薄膜或いは圧電性薄膜4、その上に誘電体薄膜5或いは圧電性薄膜5或いは金属薄膜5を付着させた基板であって、弾性波のエネルギーが基板1の表面と金属膜2或いはすだれ状電極3の境界面付近に集中し、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が零であり、また薄膜5の表面のエネルギー(変位)が零である構造の弾性境界波基板、或いは全体の一部のエネルギーが基板に放射する構造の弾性境界波基板、或いは薄膜5の表面にも全体のエネルギー(変位)の一部が存在する構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項2】
特許請求の範囲1において、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が全体のエネルギーの1/8以下であり、また薄膜5の表面のエネルギーが全体のエネルギーの1/8以下である構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項3】
特許請求範囲の請求項1、請求項2において、基板1の圧電性或いは電歪性基板或いは圧電性薄膜基板として、120°〜136°回転Y−X伝搬LiNbO3、回転−10°〜90°Y−X伝搬LiNbO3、Y−Z LiNbO3、回転25°〜55°Y−X伝搬LiTaO3、X−112°Y LiTaO3、回転0°〜90°Y−X伝搬KNbO3、ランガサイト、リチュウムテトラボレート、水晶、BGO、BSO、ZnO/基板、AlN/基板、AlN/Si、ZnO/Si、であり、これらの基板の伝搬方向として、伝搬軸が±50°の範囲にある基板であり、また誘電体薄膜4或いは圧電体薄膜4として、TeO2薄膜及びTexOy薄膜、SiO2薄膜及びSixOy薄膜、HfO2薄膜、BGO薄膜,BGS薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、Ta2O5薄膜、ZnO薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ガラス薄膜、であり、また誘電体薄膜5或いは圧電体薄膜5或いは金属薄膜5として、SiO2薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ダイヤモンド薄膜、SiC薄膜、Si3N4薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、ベリリューム金属薄膜、Si、或いは誘電体薄膜4より大きな横波速度をもつ誘電体薄膜、圧電性薄膜或いは金属・半導体薄膜を用いた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項4】
特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3において、金属薄膜2或いは、電極膜3として、Al薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、Mo薄膜,W薄膜,Rh薄膜、Pt薄膜、Pb薄膜及びこれらの合金からなる構造の弾性境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子。
【請求項5】
特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4において、薄膜5の上に、更に上記の薄膜6、薄膜7など多層の薄膜を付着させた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子、或いは、薄膜6〜Nの横波速度が薄膜4の横波速度より大きな横波速度をもつ薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項6】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5において、薄膜4として、基板と逆の周波数温度特性をもつSiO2薄膜或いはガラスなどの薄膜、薄膜5として、AlN薄膜或いはAl2O3薄膜、SiC薄膜、また、金属膜2、電極膜3としてAl薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、また、圧電基板1として、回転−10°〜70°Y−X伝搬LiNbO3基板、或いは回転30°〜60°Y−X伝搬のLiTaO3基板を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項7】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、境界波の中心周波数での波長をλとして、金属電極膜2、3の膜厚をH2/λ、H3/λとして、その値が0.005〜0.25の範囲、誘電体膜4の膜厚H4/λとして、その値が0.005〜3.5の範囲、薄膜5の膜厚H5/λとして、その値が0.005〜3.5の範囲、また薄膜5の上の薄膜の膜厚H6〜N/λとして、その値が0.0〜3.5の範囲にある境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子。
【請求項8】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より遅い横波速度の薄膜11でその膜厚Hsd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項9】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜22でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項10】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜33でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4を付着させた構造の弾性表面波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた機能素子。
【請求項11】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10において、薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜N、薄膜11、22、33の作製法として、抵抗加熱蒸着法、スパッター法、溶液を基板表面にスピンコーティングし加熱分解により目的の薄膜を作製する方法、MOCVD法により作製された薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項12】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10、請求項11において、電極3の構造として、反射電極をもつ共振器、すだれ状電極共振器、一方向性すだれ状電極、分散型すだれ状電極を用いた構造の弾性境界波機能素子。
【請求項1】
図1、図2のように、圧電性或いは電歪性基板1、或いは基板上に圧電薄膜を付着させた圧電性薄膜基板1の上に、金属膜2、或いは図3のようにすだれ状電極3を付着させ、その上に誘電体薄膜或いは圧電性薄膜4、その上に誘電体薄膜5或いは圧電性薄膜5或いは金属薄膜5を付着させた基板であって、弾性波のエネルギーが基板1の表面と金属膜2或いはすだれ状電極3の境界面付近に集中し、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が零であり、また薄膜5の表面のエネルギー(変位)が零である構造の弾性境界波基板、或いは全体の一部のエネルギーが基板に放射する構造の弾性境界波基板、或いは薄膜5の表面にも全体のエネルギー(変位)の一部が存在する構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項2】
特許請求の範囲1において、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が全体のエネルギーの1/8以下であり、また薄膜5の表面のエネルギーが全体のエネルギーの1/8以下である構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項3】
特許請求範囲の請求項1、請求項2において、基板1の圧電性或いは電歪性基板或いは圧電性薄膜基板として、120°〜136°回転Y−X伝搬LiNbO3、回転−10°〜90°Y−X伝搬LiNbO3、Y−Z LiNbO3、回転25°〜55°Y−X伝搬LiTaO3、X−112°Y LiTaO3、回転0°〜90°Y−X伝搬KNbO3、ランガサイト、リチュウムテトラボレート、水晶、BGO、BSO、ZnO/基板、AlN/基板、AlN/Si、ZnO/Si、であり、これらの基板の伝搬方向として、伝搬軸が±50°の範囲にある基板であり、また誘電体薄膜4或いは圧電体薄膜4として、TeO2薄膜及びTexOy薄膜、SiO2薄膜及びSixOy薄膜、HfO2薄膜、BGO薄膜,BGS薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、Ta2O5薄膜、ZnO薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ガラス薄膜、であり、また誘電体薄膜5或いは圧電体薄膜5或いは金属薄膜5として、SiO2薄膜、AlN薄膜、Al2O3薄膜、ダイヤモンド薄膜、SiC薄膜、Si3N4薄膜、LiNbO3薄膜、LiTaO3薄膜、ベリリューム金属薄膜、Si、或いは誘電体薄膜4より大きな横波速度をもつ誘電体薄膜、圧電性薄膜或いは金属・半導体薄膜を用いた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項4】
特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3において、金属薄膜2或いは、電極膜3として、Al薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、Mo薄膜,W薄膜,Rh薄膜、Pt薄膜、Pb薄膜及びこれらの合金からなる構造の弾性境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子。
【請求項5】
特許請求範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4において、薄膜5の上に、更に上記の薄膜6、薄膜7など多層の薄膜を付着させた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子、或いは、薄膜6〜Nの横波速度が薄膜4の横波速度より大きな横波速度をもつ薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項6】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5において、薄膜4として、基板と逆の周波数温度特性をもつSiO2薄膜或いはガラスなどの薄膜、薄膜5として、AlN薄膜或いはAl2O3薄膜、SiC薄膜、また、金属膜2、電極膜3としてAl薄膜、Cu薄膜、Au薄膜,Ag薄膜、また、圧電基板1として、回転−10°〜70°Y−X伝搬LiNbO3基板、或いは回転30°〜60°Y−X伝搬のLiTaO3基板を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項7】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、境界波の中心周波数での波長をλとして、金属電極膜2、3の膜厚をH2/λ、H3/λとして、その値が0.005〜0.25の範囲、誘電体膜4の膜厚H4/λとして、その値が0.005〜3.5の範囲、薄膜5の膜厚H5/λとして、その値が0.005〜3.5の範囲、また薄膜5の上の薄膜の膜厚H6〜N/λとして、その値が0.0〜3.5の範囲にある境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子。
【請求項8】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より遅い横波速度の薄膜11でその膜厚Hsd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項9】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜22でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜Nを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項10】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9において、金属膜2、或いはすだれ状電極3と薄膜4の間に、薄膜4より早い横波速度の薄膜33でその膜厚Hhd/λが、0.005〜0.200の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜4を付着させた構造の弾性表面波基板、或いは薄膜11がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた機能素子。
【請求項11】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10において、薄膜4、薄膜5、薄膜H6〜N、薄膜11、22、33の作製法として、抵抗加熱蒸着法、スパッター法、溶液を基板表面にスピンコーティングし加熱分解により目的の薄膜を作製する方法、MOCVD法により作製された薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項12】
特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10、請求項11において、電極3の構造として、反射電極をもつ共振器、すだれ状電極共振器、一方向性すだれ状電極、分散型すだれ状電極を用いた構造の弾性境界波機能素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
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【図10】
【図11】
【図12】
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【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【公開番号】特開2009−10927(P2009−10927A)
【公開日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−98723(P2008−98723)
【出願日】平成20年3月9日(2008.3.9)
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 平成19年9月12日 社団法人 日本音響学会発行の「日本音響学会2007年秋季研究発表会講演論文集 講演要旨・講演論文 CD−ROM」に発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 2007年9月20日 社団法人 電子情報通信学会発行の「電子情報通信学会技術研究報告 信学技報 Vol.107 No.232」に発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 平成19年10月11日 独立行政法人 日本学術振興会主催の「弾性波素子技術第150委員会(第103回)」に文書をもって発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 2007年11月14日 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会発行の「超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム論文集 第28巻」に発表
【出願人】(000179454)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年3月9日(2008.3.9)
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 平成19年9月12日 社団法人 日本音響学会発行の「日本音響学会2007年秋季研究発表会講演論文集 講演要旨・講演論文 CD−ROM」に発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 2007年9月20日 社団法人 電子情報通信学会発行の「電子情報通信学会技術研究報告 信学技報 Vol.107 No.232」に発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 平成19年10月11日 独立行政法人 日本学術振興会主催の「弾性波素子技術第150委員会(第103回)」に文書をもって発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第1項適用申請有り 2007年11月14日 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会発行の「超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム論文集 第28巻」に発表
【出願人】(000179454)
【Fターム(参考)】
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