【課題】第１、第２伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第１、第２伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の上面１１ａの一部に形成された結晶配向調整膜１３と、基板１１の上面１１ａにおける結晶配向調整膜１３の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜１２と、圧電薄膜１２の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第１、第２伝搬路とを備え、圧電薄膜１２のうち、結晶配向調整膜１３の形成領域上に位置する第１領域１２ｃと、結晶配向調整膜１３の非形成領域上に位置する第２領域１２ｄとは、結晶配向が異なっており、第１、第２伝搬路は、それぞれを占める第１、第２領域１２ｃ、１２ｄの面積比が異なる構成とする。 （もっと読む）

【課題】周波数特性のばらつき、及び水晶基板との熱歪みや経年変化による周波数変動を抑制するとともに、電気機械結合係数を改善した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（φ＝０°、１１０°≦θ≦１５０°、８８°≦ψ≦９２°）とした水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に配置された複数の電極指１８を有し、励振波を弾性表面波としたＩＤＴ１２と、を有した弾性表面波共振子であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝３２が配置され、前記電極指１８が、前記溝３２の間、または前記溝の内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な弾性境界波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波フィルタ装置１は、第１〜第３の媒質１１〜１３と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第１のＩＤＴ電極１４と、第２の媒質１２と第３の媒質１３との間に形成されている第２のＩＤＴ電極１５とを備えている。第１及び第２の媒質１１，１２のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されていると共に、第２及び第３の媒質１２，１３のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されている。第２の媒質１２の音速は、第１及び第３の媒質１１，１３のそれぞれの音速よりも遅い。第１のＩＤＴ電極１４により励振された弾性境界波が第２のＩＤＴ電極１５により電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有し、前記弾性表面波としてレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有し、前記弾性表面波がセザワ波の２次モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器１１内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットＴをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットＴに対向して真空容器１１内に配置された基板ホルダ１５に取り付けられた基板Ｓに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ１５と真空容器１１の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Ｓの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ‐ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ‐ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】角型性の良好なヒステリシス特性を有しないことで信頼性を向上させた圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｐｂ（Ｚｒ_ＸＴｉ_ＹＮｂ_Ｚ）Ｏ_３で示され、以下の関係、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１
０≦Ｙ≦０．２５
０．０５≦Ｚ≦０．２５
が成立することを特徴とする圧電体である。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を設けてエッチング除去することなく、メンブレン構造を構成できる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、パターン形成工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）とイオン注入工程（Ｓ１４）と接合工程（Ｓ１５）と剥離工程（Ｓ１６）とを含む。パターン形成工程は、支持基板３の主面に支持部２をパターン形成する。支持部２は支持基板３の主面から突出する。イオン注入工程（Ｓ１４）は圧電基板１の平坦面にイオンを注入する。接合工程（Ｓ１４）は、圧電基板１の平坦面に支持基板３を支持部２で接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、圧電基板１の平坦面から一定距離の内部でマイクロキャビティを成長させて、支持部２に接合する圧電基板１から圧電薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

圧電共振器装置は５つの層を備える。第１層及び第５層は１つまたは複数の金属電極を含む。第２層及び第４層は圧電材料を含む。第３層は金属層を含む。第１層の第１領域において、第１層金属電極は、１つまたは複数の第１層金属電極の１つと第１層金属電極の無い空間とを含む１次元に沿った第１層周期的構造を含む。第５層の第２領域において、第５層金属電極は、１つまたは複数の第５層金属電極の１つと第５層金属電極の無い空間とを含む１次元に沿った第５層周期的構造を含む。第１層周期的構造及び第５層周期的構造は、１つまたは複数の第５層金属電極の１つが第１層金属電極の無い空間の下に中心が置かれ、１つまたは複数の第１層金属電極の１つが第５層金属電極の無い空間上に中心が置かれるように配列されるか、または１つまたは複数の第５層金属電極の１つが第１層金属電極の下に中心が置かれるように配列される。
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バルク音響共振器アセンブリおよびその共振器アセンブリを製造するための方法を提供する。共振器は、基板の第１の表面上にキャビティを含み、低音響損失材料のシートがキャビティに亘って懸吊される。低音響損失材料のシートは、低音響損失材料のシートの関連される基本周波数が、基板の第１の表面に平行する方向における低音響損失材料のシートの長さに応じるように構成される。トランスデューサは、低音響損失材料のシート上に電気機械層、および電気機械材料上に形成されたパターニングされた導電材料を含む。トランスデューサは、電気信号を導電パターンに付与すると、低音響損失材料において振動を誘発するように構成される。 （もっと読む）

【課題】素子面の損傷を防止することができる成膜装置、成膜方法、表面弾性波素子の周波数調整方法、及び表面弾性波フィルターの周波数調整方法を提供する。
【解決手段】イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の材料が限定されず、生産性を向上させることができる圧電デバイスの製造方法及び素子基板を提供する。
【解決手段】基板１０上に素子領域Ａを区画する隔壁２を設ける工程と、素子領域Ａに圧電デバイス（ＳＡＷ素子１００）を設ける工程と、隔壁２にダイシングブレードを導入する溝２ｂを形成する工程と、隔壁２上に、素子領域Ａに連通する第１開口３ａと溝２ｂに連通する第２開口３ｂとを有する上部隔壁３を設ける工程と、第１開口３ａを介して圧電デバイスの周波数調整を行う工程と、溝２ｂにダイシングブレードを導入して圧電デバイスを個片化する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、音速が５０００ｍ／ｓ以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。圧電体薄膜１０６の結晶方位は、圧電体薄膜１０６の支持構造体１２２の側にある下面１０６２のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、電極指片２１ａ〜２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さｔが、０＜ｔ／λ≦３であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η＿ＩＤＴ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ＩＤＴ／λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η＿ｇ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ｇ／λ、とすると、η＿ＩＤＴ＝η＿ｇ＝０のときの周波数Ｆを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆと、前記ギャップ部での周波数変化ΔＦ＿ｇ／Ｆと、の関係が、ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆ＜ΔＦ＿ｇ／Ｆ、を満たす。 （もっと読む）

【課題】圧電基板を薄くした後に圧電基板に支持層を形成すると生じる反りを防止することができる弾性表面波素子の製造方法及び弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】（ａ）圧電基板１０の一方主面１０ａに、ＩＤＴ電極２０を含む導電パターンを形成するパターン形成工程と、（ｂ）圧電基板１０の一方主面１０ａのうちＩＤＴ電極２０による弾性表面波が伝搬する振動伝搬領域以外の領域に、補助層２２を形成する補助層形成工程と、（ｃ）圧電基板１０の他方主面１０ｂについて除去加工を行い、圧電基板１０を薄くする基板薄化工程と、（ｄ）圧電基板１０の他方主面１０ｂに支持層１２を形成する支持層形成工程とを備える。補助層２２は、支持層１２が無ければ圧電基板１０と補助層２２との接合によって生じる第１の反りが、補助層２２が無ければ圧電基板１０と支持層１２との接合によって生じる第２の反りを打ち消すように形成する。 （もっと読む）

【課題】機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。マスク工程（Ｓ１１）は、開口２Ａが形成されたレジストマスク２で機能性材料基板１の主面を覆う。イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。マスク除去工程（Ｓ１３）は、機能性材料基板１の主面からレジストマスク２を除く。接合工程（Ｓ１４）は、支持基板３に機能性材料基板１を接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、パターン領域１Ａを剥離層１Ｃで剥離し、素子薄膜４として複合基板５に残す。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】加熱剥離における問題を解決できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。この加熱剥離を行う際、減圧雰囲気下で、且つ当該減圧雰囲気の気圧に応じた加熱温度を用いる（Ｓ１０４）。このような減圧雰囲気を用いることで、大気圧での加熱よりも低い温度で圧電薄膜１０が剥離形成される。 （もっと読む）