【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有し、前記弾性表面波がセザワ波の２次モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ‐ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ‐ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ラダー型弾性波フィルタのＱ値劣化を抑制する。
【解決手段】本発明のラダー型弾性波フィルタは、直列共振器と並列共振器とを梯子状に接続したラダー型弾性波フィルタであって、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記ラダー型弾性波フィルタの通過帯域の２倍以上３倍以下の周波数に減衰極を形成する第１並列共振器及びこれに直列接続されたインダクタと、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記第１並列共振器より容量の小さい第２並列共振器１９とを備え、前記第２並列共振器１９は互いに音響結合される複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７を有すると共に、前記複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７は直列接続された構成である。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】銅（Ｃｕ）と同レベルの電気機械結合係数ｋ²及び反射率が得られる、アルミニウム（Ａｌ）電極を備えた弾性波素子を実現する。また、弾性波素子の製造プロセスを簡略化する。
【解決手段】圧電基板１１と、圧電基板１１上に配され、アルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金を含むＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２の電極間または電極間の上部に配され、アルミニウムよりも音速が遅い音速調整部材１４と、ＩＤＴ電極１２及び音速調整部材１４を被覆する絶縁膜１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】熱処理や耐湿試験後も複合圧電チップの圧電体部にワレ・カケや剥離が生じず、弾性表面波素子としての電気的特性が安定に保たれる信頼性に優れた複合圧電チップ及びその製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板１と支持基板２とを貼り合わせた複合圧電基板３を細分化した複合圧電チップ４であって、該複合圧電チップ４は、前記複合圧電基板３を該複合圧電基板３の圧電体部の厚みよりも深く切り込みを入れた後に細分化したものであり、該複合圧電チップ４の圧電体部側面の面粗さ（Ｒａ）が、０．１５μｍ以下のものである。 （もっと読む）

【課題】ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法を提供する。
【解決手段】すだれ状電極２６は、ギャップ３４、３６によってトンネル効果を抑制又は排除するために十分に拡張されたエッジギャップ長を、電極の端部と対向するバスバー１６，１８との間に含む。結果として、長手方向に延びるエッジ領域５４，５６内での音響波の波速度がトランスデューサ中央領域４６での波速度より遅く、対向するギャップ領域３８，４０での波速度がトランスデューサ中央領域での速度より速くなり、トランスデューサ２６の開口部では本質的に均一な伝搬モードが生じる。高結合基板上のＳＡＷトランスデューサ又はＳＡＷ共振器では、アポディゼーションを必要とせずにトランスデューサ領域でエネルギーを誘導する。等価結合係数が大きくなり損失が減少する。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失かつ急峻な減衰特性を有する弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタは、信号入力端子ＩＮと信号出力端子ＯＵＴとの間に挿入された直列腕共振子である１端子対弾性表面波共振子１と、信号入力端子ＩＮおよび信号出力端子ＯＵＴと接地との間に挿入された並列腕共振子である１端子対弾性表面波共振子２，３と、１端子対弾性表面波共振子１と並列に接続されたインダクタンス素子４とから構成される。１端子対弾性表面波共振子１〜３が形成される圧電基板は、電気機械結合係数が０．１％以上１％以下である。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の厚さを薄くしてラム波の高周波化を可能にする、ラム波型デバイスを提供する。
【解決手段】ラム波型デバイスであるラム波型共振子１は、水晶基板２と、水晶基板２の一方の面にアルミニウム（Ａｌ）で形成された櫛歯状電極３、反射器４および電極パッド５と、水晶基板２の他方の面に金（Ａｕ）で形成された金属膜６と、金属膜６に接合されたシリコン基板である支持基板７と、支持基板７に形成され水晶基板２および金属膜６を介して櫛歯状電極３、反射器４および電極パッド５と対向して位置するキャビティー部８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱による生じる反りが小さいとともに、温度変化に対して優れた周波数温度特性を有する複合圧電基板や、それを用いて作製された弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板１１と剛体板１２が接着層１３を介して貼り合わされた複合圧電基板１０であって、前記接着層１３が、光硬化性ではなく室温で硬化する接着剤からなるものである複合圧電基板１０。またこのような複合圧電基板１０を切断したものを用いて作製されたものである弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】共振周波数よりも低周波数側の周波数側におけるリップルを小さくすることができる、１ポート型弾性波共振子を得る。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３が交叉幅重み付けされており、ＩＤＴ電極３の中心ＯよりもＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向一端である第１の端部３ａ側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域と、中心ＯよりもＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向他端である第２の端部３ｂ側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域とが非対称とされている、一ポート型弾性波共振子１。 （もっと読む）

【課題】高い品質係数（Ｑ値が数千以上）を有し、かつ、ｋ２が２〜６％の範囲である境界弾性波装置を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】所定のカット角θを有するθＹＸ−ＬＮ単結晶圧電基板１の表面に、境界弾性波の波長λの交差指形変換器（ＩＤＴ）、酸化珪素膜５、および窒化アルミニウム膜６が形成された境界弾性波共振器において、酸化珪素膜５の膜厚ｈ_１およびカット角θ等を最適化する。例えば１２７．５°≦θ≦１２９．５°かつ２０％≦ｈ_１／λ≦１００％とする。 （もっと読む）

【課題】導波型音響波共振装置及び該装置の製造方法の提供。
【解決手段】少なく共２つのフィルタ（Ｆ_１、・・・、Ｆ_Ｎ）を含む導波型音響波共振装置で、各フィルタが少なく共２つの音響波共振器（Ｒ_１１−Ｒ_１２、・・・、Ｒ_Ｎ１−Ｒ_Ｎ２）を含み、各フィルタが、中心周波数（ｆ_１、・・・、ｆ_Ｎ）を中心とする有用な周波数帯域（ＢＦ_１、・・・、ＢＦ_Ｎ）によって特徴づけられ、各共振器が、周期（∧_ｉｊ）の周期的構造を有する少なく共一組の相互噛合型上部電極と圧電材料の層とを含み、各共振器が結合係数及び共振周波数によって特徴づけられる、導波型音響波共振装置において、共振器の少なく共１つが差別化層（ＣＤ_ｆｉ）を含んで、相互噛合型電極の周期と併せて前記共振器の結合係数変更を可能とし有用な帯域及び中心周波数が、決定された有用な帯域幅を有する様に構成される共振器の共振周波数及び結合係数によって決定される導波型音響波共振装置。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を設けてエッチング除去することなく、メンブレン構造を構成できる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、パターン形成工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）とイオン注入工程（Ｓ１４）と接合工程（Ｓ１５）と剥離工程（Ｓ１６）とを含む。パターン形成工程は、支持基板３の主面に支持部２をパターン形成する。支持部２は支持基板３の主面から突出する。イオン注入工程（Ｓ１４）は圧電基板１の平坦面にイオンを注入する。接合工程（Ｓ１４）は、圧電基板１の平坦面に支持基板３を支持部２で接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、圧電基板１の平坦面から一定距離の内部でマイクロキャビティを成長させて、支持部２に接合する圧電基板１から圧電薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ^２を高め、かつ電極指一本あたりの反射係数を効果的に高め得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３を覆うように水晶基板２上にｃ軸配向のＺｎＯ膜６が形成されており、ＩＤＴ電極３のメタライゼーション比が０．２５〜０．４５の範囲にある、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】音速の温度依存性が改善された低コストのタンタル酸リチウム基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶から成るタンタル酸リチウム基板であって、Ｎｉ（ニッケル）を０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の範囲で含有させることにより、結晶の音速温度依存性が改善される。前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を高めることができ、広帯域化を図ることができる弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２の上面に溝２ａが形成されており、ＩＤＴ電極３Ａ〜３Ｃが、厚み方向において少なくとも一部が圧電基板２の上面に形成されている溝２ａに埋め込まれるように形成されており、圧電基板２の上面に、第１の誘電体層６及び第１の誘電体層６よりも音速が速い第２の誘電体層７が積層されている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）