【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 圧電体からなる第１の基板２の一方主面にそれぞれ励振電極３と入力パッド部５，７と出力パッド部６，８とを具備する送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13が形成されているとともに、第１の基板２の他方主面に第１の基板２より比誘電率が小さい材料からなる第２の基板21の一方主面が接合され、第２の基板21の他方主面の全面に導体層22が形成されている弾性表面波素子１である。送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８間に形成されていた寄生容量を、基板の実効誘電率を小さくすることにより低減することができ、アイソレーション特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 横方向に小型化できると共に、全体にコンパクトなデュプレクサを提供する。
【解決手段】 本発明のデュプレクサは、複数枚が積層されて形成され、上部が開放状態となった凹部からなる収納部１ａを有する多層基板１を有し、位相回路８が受信用表面弾性波フィルタ１１の下部に位置する多層基板１の内層に設けられたため、多層基板１の表面積を小さくできて、横方向に小型化できると共に、送信用表面弾性波フィルタ９は、接続面側を上方にした状態で凹み部１ｃ内に配置して、収納部１ａ内の位置でワイヤー１０ボンディングされるため、ワイヤーボンディングが容易となり、また、送信用表面弾性波フィルタ９の下部に位置する多層基板１の箇所には、放熱手段Ｈが設けられたため、送信用表面弾性波フィルタ９からの発熱を効果的に放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 圧電基板２の一方主面にそれぞれ励振電極３と入力パッド部５，７と出力パッド部６，８とを具備する送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13が形成され、他方主面に導体層16が形成された弾性表面波素子１を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装しており、導体層16は、送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８の少なくとも一方と対向する領域５’，８’を除いて他方主面に形成されている弾性表面波装置である。送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８間に形成されていた寄生容量を低減することができ、アイソレーション特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 圧電基板２の一方主面に送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13が形成され、他方主面に導体層16が形成された弾性表面波素子を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装しており、導体層16は、送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８の少なくとも一方に対向する領域５’，８’が他の領域と分離されて形成されている弾性表面波装置である。送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８間に形成されていた寄生容量による各フィルタ間の結合量を小さくすることにより、アイソレーション特性を大幅に改善することができる。 （もっと読む）

本発明は出力側で受信パスと送信パスに分岐された送受信パスを備えたデュプレクサに関している。この受信パスは有利には入力側が非対称の信号伝送のためにそして出力側が対称性の信号伝送のために構成されている。受信パス内には表面音響波で動作する受信フィルタが設けられており、送信パス内にはバルク音響波で動作する送信フィルタが設けられている。これらのフィルタは有利には別個のチップとして構成され共通の支持体基板上に組み付けられている。
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【課題】 ＩＤＴ電極で発生する熱の放熱性に優れ、耐電力性に優れた弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１の一方主面にＩＤＴ電極２および電極パッド３が形成され、これらを取り囲むように接地用環状電極４が形成されている弾性表面波素子が回路基板11の上面に一方主面を対向させて実装されており、接地用環状電極４は、回路基板11の下面に形成された接地導体15に、回路基板11の内部に形成された貫通導体14により接続されている弾性表面波装置である。これによりＩＤＴ電極２で発生した熱が接地用環状電極４，貫通導体14および接地導体15を介して外部に逃げやすくなり、熱による悪影響を抑えて弾性表面波装置の耐電力性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＧＰＳ受信機のＲＦ用ＳＡＷデバイスの要求規格を満たす手段を得る。
【解決手段】 オイラー角（０°±４°，１４４．１°〜１６０．０°，０°±４°）のタンタル酸リチウム基板の上に少なくとも１つのＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側に配置したグレーティング反射器とを備えたＳＡＷデバイスであって、前記ＩＤＴ電極及びグレーティング反射器をアルミニウムあるいはアルミニウム合金で形成し、その基準化電極膜厚Ｈ／λ（Ｈは電極膜厚、λは波長）を０．１０から０．１４の範囲に設定して構成する。 （もっと読む）

【課題】高域側フィルタ素子及び低域側フィルタ素子を備え、これらフィルタ素子の帯域外減衰特性を改善する。
【解決手段】本発明の弾性表面波装置は、圧電基板300の一方主面に低域側の送信用フィルタ素子ＴＸ及び高域側の受信用フィルタ素子ＲＸが形成され、送信用フィルタ素子ＴＸ及び受信用フィルタ素子ＲＸは、回路基板200の上面にフェースダウンで実装されている。受信用フィルタ素子ＲＸの接地電極322は回路基板200に形成された３本の直線状貫通導体221′に接続されておりインダクタンスは小さく、送信用フィルタ素子ＴＸの接地電極312は回路基板200に形成されたクランク状貫通導体211′に接続されインダクタンスは大きい。 （もっと読む）

【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または実装する工程の後に、圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去する工程を具備する弾性表面波装置の製造方法である。圧電基板の他方主面の導体層を全て除去することにより、アイソレーション特性を大幅に改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 圧電基板２の一方主面にそれぞれ励振電極３と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13が形成され、他方主面に導体層16が形成された弾性表面波素子１を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装しており、導体層16は、多数の導体非形成部を点在させて形成されている弾性表面波装置である。従来、圧電基板２の励振電極３の形成面とは異なる他方主面全面に、弾性表面波素子作製工程で発生する焦電破壊を防止するために設けていた導体層16を、多数の導体非形成部を点在させて形成することにより、送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８間に形成されていた寄生容量を低減することができ、これにより、アイソレーション特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波モジュールの低背化を図りつつ、送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子のインピーダンスを容易に調整し不要反射の増加及び伝送特性の劣化を防止する。
【解決手段】誘電体基板の表面に電力増幅用半導体素子３０７および弾性表面波素子からなる送信フィルタ３０６を実装してなり、弾性表面波素子における櫛歯状電極が半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなり、弾性表面波素子の気密空間内の誘電体基板表面の入出力用端子のうちの１つの端子３０８を、誘電体基板内部のインダクタンス素子Ｎ１を経由して誘電体基板の裏面に形成された外部端子３１９と接続され、他の１つの端子３０９は、誘電体基板内部に設けられたビア導体３２０ｈ、３２０ｉ及び導体線路３２１を経由して気密空間外の誘電体基板表面に形成された導体線路３１２と接続する。 （もっと読む）

圧電基板上に複数の縦結合共振子型弾性波フィルタ素子を形成し、これらをカスケード接続して構成した弾性波フィルタにおいて、縦結合共振子型弾性波フィルタ素子間のカスケード接続線に入る寄生容量の悪影響を軽減することで、カスケード接続点のインピーダンス整合を改善し、弾性波フィルタ入出力端のＶＳＷＲを改善する。 圧電基板３００上に弾性波の伝搬方向に沿って形成された３つのＩＤＴ３０２，３０３，３０４；３０８，３０９，３１０をそれぞれ含む２つの縦結合共振子型弾性波フィルタ３０６，３１２をカスケード接続した弾性波フィルタ３５０において、縦結合共振子型弾性波フィルタ３０６，３１１の少なくとも一方について、カスケード接続されたＩＤＴ３０２，３０４；３０８，３１０の電極指ピッチを、他の前記ＩＤＴ３０３；３０９電極指ピッチよりも小さくする。 （もっと読む）

集積回路は、気密封止された空洞（６４）内の能動面（５８）と、前記空洞を気密封止するカバー（６６）と、を有するオンチップ電子部品（３２）と、追加の電子部品（７４）とを含み、前記追加の電子部品は、前記カバーに固定される。
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使用温度範囲において、十分な大きさの減衰量及び帯域幅を得ることを可能とする分波器を提供する。 通過帯域が相対的に低く、かつ第１の温度特性改善薄膜が設けられている第１のフィルタ１１と、通過帯域が相対的に高く、第２の温度特性改善薄膜が設けられている第２のフィルタ１２とを備え、第１のフィルタの周波数温度係数が第２のフィルタの周波数温度係数よりも大きくなるように第１，第２の温度特性改善薄膜の膜厚が異ならされている、分波器１。 （もっと読む）

圧電基板（１２）上に櫛型電極およびグレーティング反射器で構成された弾性表面波共振子（１５〜２０）を複数接続して構成であって、上記弾性表面波共振子（１５〜２０
）のうち、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されており、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されていない構成からなる。これにより、帯域内挿入損失が小さく、また急峻性が良好で、かつ帯域の広いＳＡＷフィルタを得ることができる。 （もっと読む）

十分な減衰量を得ることができ、加えて、低損失かつ広帯域であるフィルタ装置を提供する。 通過帯域の相対的に低い第１のバンドパスフィルタまたは通過帯域が相対的に高い第２のバンドパスフィル
タとを含む通信システムの第１のバンドパスフィルタとして用いられるフィルタ装置であって、入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕に直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３が挿入されており、直列腕と基準電位とを結ぶ並列腕にそれぞれ、並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２が接続されており、少なくとも１つの並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２に直列にインダクタンスＬ１，Ｌ２が接続されており、インダクタンスＬ１，Ｌ２の挿入により生じた副共振の共振周波数が、該ラダー型フィルタに対して相手側のフィルタである受信側または送信側帯域フィルタの通過帯域内またはその近傍に位置されている、フィルタ装置１。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷフィルターの減衰特性が低下してしまうことを防止する。
【解決手段】 ランガサイトを圧電体として備えるＳＡＷフィルターの実装領域１１に、ＳＡＷフィルターの入力端子および出力端子に接続される入力側端子電極１２ａおよび出力側端子電極１３ｅを備えた。各端子電極１２ａ，１３ｅには、ＳＡＷフィルターの実装領域１１から所定距離＃ＬまではＳＡＷフィルターにおける表面弾性波の伝搬方向Ｐに対して直交する方向に伸び、実装領域１１から所定距離＃Ｌだけ離間した屈曲位置において、ＳＡＷフィルターにおける表面弾性波の伝搬方向Ｐに対して平行な方向に伸びるマイクロストリップライン１４，１４を接続した。プリント基板１０における実装領域１１内および実装領域１１以外の領域に、プリント基板１０の表面と接地された裏面とを導通する複数のスルーホール１６，…，１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板上に複数のＳＡＷ共振子を配置して構成するラダー型ＳＡＷフィルタの減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配して形成するＳＡＷ共振子を、複数個配設して構成するラダー型ＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極及び前記グレーティング反射器の電極指幅ＬとスペースＳとの関係を０．５５≦Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）≦０．７５としたラダー型ＳＡＷフィルタである。 （もっと読む）