圧電基板が焦電性を復活しないようにした弾性表面波装置及び該装置の製造方法を提供する。 パッケージ２２内に収納される弾性表面波素子１０の圧電基板１２は、抵抗率が１．０×１０^７Ω・ｃｍ以上１．０×１０^１３Ω・ｃｍ以下である。パッド１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１６ａ，１６ｂ，１６ｃと外部電極との間の電気的接続部分に用いるはんだ材２６とパッケージ２２とキャップ２３との間を封止する封止材２８との少なくとも一方の融点が３００℃以下である。 （もっと読む）

良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．５４＜ｄ＜０．８９とされている、弾性境界波装置。
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良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ周波数の製造偏差を低減し得る弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．３３＜ｄ＜０．４９とされている、弾性境界波装置。
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