【課題】 周波数温度特性を改善する。
【解決手段】 弾性境界波素子１０は、相互に接合された第１圧電基板１２および第２圧電基板１４と、第１圧電基板１２と第２圧電基板１４との境界部に弾性波を励振するすだれ状電極からなるＩＤＴ１６とを有している。ＩＤＴ１６の弾性境界波の伝播方向両側には、反射器２４（２４ａ、２４ｂ）が設けてある。第１圧電基板１２と第２圧電基板１４とは、オイラー角を（φ，θ，ψ）としたときに、カット角が（φ，θ，ψ）または（φ，θ＋１８０°，ψ）の水晶板からなっている。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数の大きな弾性境界波素子が得られるようにする。
【解決手段】 弾性境界波素子１０は、ニオブ酸カリウムからなる第１圧電基板１２と、ニオブ酸カリウムからなる第２圧電基板１４とを備えている。ニオブ酸カリウムは、カット角がオイラー角表示で（０°±３０°，０°〜±１８０°，０°±２０°）となっている。第１圧電基板１２と第２圧電基板１４とは、相互に接合してある。第１圧電基板１２の接合面中央部には、ＩＤＴ１６を有する。ＩＤＴ１６は、一対の櫛型電極１８（１８ａ、１８ｂ）からなり、櫛型電極１８の電極指２０（２０ａ、２０ｂ）によってすだれ状に形成してある。ＩＤＴ１６の両側には、反射器２４（２４ａ、２４ｂ）が設けてある。 （もっと読む）

【課題】本発明はＦＢＡＲおよびＳＡＷ共振器が集積された集積フィルタ（Integrated Filter）が開示される。
【解決手段】本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。ＩＤＴ電極が、第２圧電層上に位置し、コーム構造で製造された第１ＩＤＴ電極と、第１ＩＤＴ電極と噛み合ったコーム構造で製造された第２ＩＤＴ電極とを含むことができ、第１圧電層および第２圧電層が同一物質で製造されることができる。これによって様々な周波数帯域で動作するフィルタを小型で製造できる。 （もっと読む）

【課題】 気密性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
所定の回路パターンが形成されたベース基板１１Ａと、前記ベース基板１１Ａに対向配置される実装基板１２Ａと、前記ベース基板１１Ａと実装基板１２Ａとを接合する接着層１７と、内部に前記ベース基板１１Ａを封止するとともに開口端部２１，２１を備えた封止部材２０とを備え、前記開口端部２１，２１が前記実装基板１２Ａの板厚内に設けられている構成とした。電子部品１０Ａの内部と外部との間のリークを有効に防止できるようになり、電子部品１０Ａの気密性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】二次相が発生せず、組成の均一な結晶を育成できるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法、及びこれを用いた圧電デバイス用基板を提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の化学量論組成を含まない組成領域（点Ａ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇで囲まれる組成範囲）から、点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で原料を秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を引き上げ育成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウム層の薄膜を含むニオブ酸カリウム堆積体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００の製造方法は，
基板１１の上方にニオブ酸カリウム層１３を形成する工程と、
少なくともニオブ酸カリウム層１３に対して、大気圧より低い圧力下で行う熱処理工程と，を含む。 （もっと読む）

本発明は電気音響構成素子に関する。ここでこの電気音響構成素子は、２つの基板の間に配置された層システムを含む。この層システムは、ガイド音響体積波を励振させる電気音響構造体を有する。ここでこの電気音響構造体上には中空空間は設けられていない。この層システムは圧電層と少なくとも１つの金属層と平坦化層を含む。この平坦化層は、自身のすぐ上に配置された基板に向かって平坦な境界面を有している。この種の構成素子はコスト的に有利に、２つのウェハをダイレクトウェハボンディングすることによって製造される。電気音響構成素子構造体は電気的に、垂直な電気的接続部によって、構成素子の外部コンタクトと接続されている。
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【課題】 複合圧電基板の歪、微細な亀裂及び空隙を低減した高い圧電特性を有する、圧電基板を限定しない複合圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１０１の伝導担体を正極性又は負極性にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２との板厚比Ｘ（圧電基板の厚みをａ、シリコン基板の厚みをｂとしたとき、Ｘ＝ａ／ｂ）がＸ＝０．００１以上Ｘ＝１以下の範囲にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２を重ね合わせる工程と所定の温度に保持する工程とシリコン基板１０２と圧電基板１０１間に所定の電圧を印加する工程を備え、適切な熱処理条件および印加電圧条件を規定する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】 より電気機械結合係数が大きく、音速が小さい圧電単結晶とシリコン基板とを直接接合した複合圧電基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 化学式Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄で表される圧電材料の構成元素を置換した同格子構造を有する材料である圧電基板１の格子定数を８．１７０Å以上で、８．５５０Å以下の範囲の圧電基板にすることで、圧電基板１に音速を小さくした上でより大きな電気機械結合係数をもたせ、これらの圧電基板１にシリコン基板２を接合した構造の圧電複合基板６を熱処理で直接接合することで、より簡単な製造プロセスで作製できる。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、音速、ＳＡＷ速度が小さい圧電単結晶組成物を用いることにより、圧電振動子、弾性表面波デバイスを提供すること。
【解決手段】 ランガサイト型構造を有する化学式（Ｓｒ_1-xＢａ_x)₃ＴａＧａ₃Ｓｉ₂Ｏ₁₄（０＜ｘ≦０．７）で表される圧電単結晶組成物を提供することにより、圧電フィルター、圧電共振子、圧電ジャイロ等の体積弾性波を利用した圧電振動子及び圧電フィルター、センサー等の弾性表面波デバイスの小型化を可能にする。 （もっと読む）

モノリシック電子デバイスは、基板と、基板上に形成された半絶縁圧電ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、エピタキシャル層上に表面弾性波デバイスを形成する一対の入力および出力インターディジタル変換器と、基板上に形成された少なくとも１つの電子デバイス（ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、フォトダイオード、ＬＥＤなど）とを含む。電子デバイスをＳＡＷデバイスから、反対にＳＡＷデバイスを電子デバイスから電気的かつ音響的に分離するための分離手段が開示される。いくつかの実施形態ではＳＡＷデバイスと電子デバイスとの間にトレンチが形成される。さらに、その上にＳＡＷデバイスを製造することができる半絶縁ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成するためのイオン注入が開示される。インターディジタル変換器に隣接した吸収および／または反射部品が、ＳＡＷデバイスの動作を妨害する可能性がある不要な反射を低減させる。
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【課題】基板間の音速バラツキが小さく、ＳＡＷデバイス製造の歩留まりが良好なランガサイト単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキ法によるランガサイト単結晶Ｃの製造方法であって、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げるための引き上げ軸５にＹ５４方位のランガサイト種結晶Ｓを取り付け、引き上げ軸５の回転数を、２０ｒｐｍ以上、３０ｒｐｍ以下の状態で、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜とニオブ酸カリウム膜とが積層された圧電体膜積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、ニオブ酸カリウム膜１３と、を含む。 （もっと読む）

電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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【課題】素子同士の干渉を低減して特性を向上させかつ設計を複雑化することなく小型低背で機能性に優れたＳＡＷ装置を実現する。
【解決手段】ベース基板と、ＳＡＷ素子と、ＳＡＷ素子の電気的特性を補完する補完回路素子とを含むＳＡＷ装置で、ＳＡＷ素子はベース基板の表面にフリップチップ実装され、補完回路素子はベース基板に表面実装されたチップ部品である。チップ部品として２以上のインダクタ素子を備え、これらのインダクタ素子が、隣り合って配置されるインダクタ素子の磁束が互いに交差するようにベース基板上に実装されている。チップ部品としてキャパシタ、バリスタ及びサーミスタのうちの１種類以上を含むことがある。ベース基板は、樹脂を主体とする材料からなる樹脂基板、セラミック基板及びポリマー材料基板のいずれかであり、且つ１以上の配線層を含む単層基板又は多層基板である。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は、
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層１２と、
バッファ層１２の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３と、
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３の上方に形成された、ニオブ酸カリウム層１４またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜、これを有するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は，
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含み、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層は、擬立方晶表示において（１００）配向でエピタキシャル成長しており、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の（１００）面は、Ｒ面サファイア基板１１のＲ面（１−１０２）に対して、［１１−２０］方向ベクトルを回転軸として傾いている。 （もっと読む）