【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１、第２伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第１、第２伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の上面１１ａの一部に形成された結晶配向調整膜１３と、基板１１の上面１１ａにおける結晶配向調整膜１３の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜１２と、圧電薄膜１２の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第１、第２伝搬路とを備え、圧電薄膜１２のうち、結晶配向調整膜１３の形成領域上に位置する第１領域１２ｃと、結晶配向調整膜１３の非形成領域上に位置する第２領域１２ｄとは、結晶配向が異なっており、第１、第２伝搬路は、それぞれを占める第１、第２領域１２ｃ、１２ｄの面積比が異なる構成とする。 （もっと読む）

【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるＳＡＷ素子、このＳＡＷ素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に形成されたＩＤＴ電極２０と、水晶基板１０の主面１１に形成され、ＩＤＴ電極２０と隣り合う反射器３０，３１と、水晶基板１０の主面１１に形成されると共に、一端がＩＤＴ電極２０と接続されたスパイラルインダクター４０と、を備え、スパイラルインダクター４０は、水晶基板１０に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子を加熱しながらその熱を周囲に放出する程度を計測することによって、ガスの状態の計測を行う用途において、球形基材の大きな熱容量による応答速度の低下、あるいは加熱部分と温度計測を行う弾性表面波の周回領域の位置的なズレによる計測精度の低下をもたらさない発熱機能を備えた球状弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】球状弾性表面波素子１０は、樽型形状の圧電性結晶基材１１と、この基材１１の弾性表面波周回径路１２上に形成されたすだれ状電極１３と、上記基材１１の周回径路１２を挟む両極の平坦面に形成された加熱電極膜１４および弾性表面波励起検出用電極取り出し部１５とを具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】所定の回路が構成された小型の半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上に形成された絶縁膜１０３ａ〜１０３ｃと、絶縁膜１０３ａ上に島状に形成され、トランジスタＴｒが形成されたシリコン層であるシリコン島領域１０３と、シリコン島領域１０３外に形成されたキャパシターＣを有する受動回路領域と、シリコン島領域１０３外かつ受動回路領域外に形成された電極パッドＰ１〜Ｐ５と、電極パッドＰ１〜Ｐ５上に搭載されたＳＡＷフィルターＳＡＷと、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ及び電極パッドＰ１〜Ｐ５を接続するための第２配線層１０４とを備え、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ、ＳＡＷフィルターＳＡＷ及び第２配線層１０４は、所定の回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】フィルタの低損失化及び広帯域化を行う。
【解決手段】入力側の並列共振器Ｐ１１に対して並列にインダクタＬ１１が接続され、出力側の直列共振器Ｓ１２に対して並列にインダクタＬ１２が接続されている。インダクタＬ１１及びＬ１２は、それぞれ異なる経路上（直列共振器と並列共振器との間の経路上）に接続されている。このような構成とすることにより、入出力間においてインピーダンス整合を行うことができるので、低損失かつ広帯域のラダー型フィルタを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】平衡型端子を有する弾性表面波フィルタに関して、バランス特性が劣化するという課題があった。
【解決手段】圧電基板（１０１）上に形成された複数のインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）とを備えた弾性表面波フィルタ素子であって、前記複数のＩＤＴ電極の内、少なくとも一つのＩＤＴ電極は平衡型端子に接続され、他のＩＤＴ電極は平衡型端子または不平衡型端子または接地電極に接続され、前記少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続された第１の配線電極手段は、前記他のＩＤＴ電極に接続された第２の配線電極手段と異なる平面上に配置されており、前記弾性表面波フィルタ素子は、前記第１の配線電極手段と前記第２の配線電極手段との間に保護膜（１９０２）を備えると共に、前記弾性表面波フィルタ素子の上方からみて、前記第１及び第２の配線電極手段は交差する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】周波数の経時的変化を抑制できるＳＡＷデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板１１にすだれ状電極１２を形成するＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１と、（１）すだれ状電極１２の電極指１２ａ，１２ｂの質量を変化させる工程、（２）すだれ状電極１２に質量体を付加する工程、（３）電極指１２ａ，１２ｂ間に露出している圧電基板１１をエッチングする工程の（１）〜（３）の少なくとも１つの工程を行い、ＳＡＷ素子片１０の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ５と、第１周波数調整工程Ｓ５後、ＳＡＷ素子片１０を２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱するアニール工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入力端子と２つの出力端子間に存在する橋絡容量のアンバランスを解消し、不要な同相成分を除去することで、バランス型フィルタの抑圧度を向上する。
【解決手段】入力端子２ｃと、入力端子２ｃに入力された信号をフィルタリングするフィルタ素子２１，２２と、フィルタ素子２１，２２から信号を差動出力する第１の出力端子２ａ及び第２の出力端子２ｂとを備えたバランス型のフィルタであって、入力端子２ｃと第１の出力端子２ａ及び第２の出力端子２ｂのうちいずれか一方の出力端子との間に、静電容量Ｃ３が接続されている。 （もっと読む）

【課題】所望の特性を有し、しかもパッケージサイズが十分に小型化したＳＡＷ発振器と、このような小型化を可能にするインダクタ部品と、を提供する。
【解決手段】基板２上に渦巻状のスパイラル配線５を有してなる薄膜コイルインダクタ部品１である。スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。また、この薄膜コイルインダクタ部品１と、これをマウントした半導体チップ２３と、薄膜コイルインダクタ部品１の非配置領域９に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子２５と、を備えてなる発振器２０。 （もっと読む）

【課題】実装基板に対するパッケージの所定位置からのずれを防止または抑制し、信頼性の高い圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電振動片２を収容したパッケージ３と、実装基板４と、パッケージ３と実装基板４との間に隙間を形成するスペーサ５１〜５４と、電子部品６とを有している。スペーサ５１〜５４のうちのスペーサ５１、５２は、金属ろう７によりパッケージ３に固定され、スペーサ５３、５４は、熱硬化性接着剤８によりパッケージ３に固定される。熱硬化性接着剤８によるスペーサ５３、５４とパッケージ３の固定は、金属ろう７によるスペーサ５１、５２とパッケージ３の固定に先立って行われる。 （もっと読む）

【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ（すなわち、スペーサの高さ）を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電体素子２を収容したパッケージ３と、スペーサ５１〜５３を介してパッケージ３を支持する実装基板４と、スペーサ５１〜５３により形成されたパッケージ３および実装基板４間の隙間に位置するように実装基板４に設けられ、圧電体素子２を駆動するための電子部品６とを有している。スペーサ５１は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 （もっと読む）

【課題】低損失のバランスフィルタを実現する。
【解決手段】フィルタまたはデュープレクサに含まれる集中定数型バラン１２に、キャパシタとして機能する共振器（ＩＤＴキャパシタ）を備え、さらにＩＤＴキャパシタの共振周波数をフィルタの通過帯域周波数よりも高くしたことにより、キャパシタＱ値が向上し、低損失のバランスフィルタを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子におけるＱ値の向上とＣＩ値の低減。
【解決手段】ＩＤＴ１２における電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、ＩＤＴ１２は、中央部に配置された第１領域１４ａと、その両側に配置された第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃとを備え、電極指間隔が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、かつ第１領域１４ａに比べて第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは電極指間隔が大きく形成され、ライン占有率が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、第１領域１４ａは第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃに比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは第１領域１４ａに比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有している。 （もっと読む）

【課題】電気信号から他の物理量への変換動作と、外部から与えられる物理量から電気信号への変換動作とを同時に実施することができるようにする。
【解決手段】増幅器２の出力信号Ｖ１である電気信号を音響振動に変換して外部に出力すると同時に、外部から与えられる音響振動を電気信号に変換する双方向性トランスデューサ３と、増幅器２の出力信号Ｖ１が入力される擬似負荷回路４と、負荷電流検出抵抗５に誘起される電圧ＶＳ１と負荷電流検出抵抗６に誘起される電圧ＶＳ２の差分を検出して、その電圧の差分を示す差分信号ＶＢＯを出力する減算器７とを設け、増幅器８が減算器７から出力された差分信号ＶＢＯを増幅する。 （もっと読む）

【課題】発振回路に可変容量ダイオードや、コイルを不要とし、発振回路のＩＣ化を容易にするＳＡＷ発振回路とそれを用いた電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子２と、ＳＡＷ共振子２の出力側に接続されて帰還増幅器として機能し利得を可変可能な第１の増幅器３と、ＳＡＷ共振子２の出力側に接続されて帰還増幅器として機能し利得を可変可能とすると共に、第１の増幅器３に入力される信号とは位相が１８０°異なるＳＡＷ共振子２の出力信号が入力される第２の増幅器４と、第１の増幅器３の出力信号を移相する移相器５と、移相器５が出力信号と第２の増幅器４の出力信号とを加算演算する演算器として加算器６とを、備え、加算器６の出力信号をＳＡＷ共振子２にフィードバックすると共に発振信号として出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス以外の電子部品について調整及び／又は検査をする場合であっても、調整及び／又は検査の作業効率を向上させ、さらに、小型化を図ることができる電子モジュールを提供する。
【解決手段】回路基板３１に圧電デバイス２２，２４とその他の電子部品２３，２６，２７が搭載されている電子モジュールであって、電子部品２３は、その電気的特性を調整及び／又は検査するための調整端子２３ａ，２３ｂを有しており、圧電デバイス２２，２４は、圧電振動片が収容されたパッケージ２２ａ，２４ａを封止するための蓋体２２ｂ，２４ｂの主面が上向きに配置されており、蓋体２２ｂ，２４ｂが調整端子２３ａ，２３ｂと導通されている。 （もっと読む）

アンテナ経路（ＡＮＴ）およびダイプレクサ（ＦＷ）を備えるフロントエンドモジュールが開示される。ダイプレクサはアンテナ経路、ならびに第１、第２および第３の信号経路（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）に接続される。第１の信号経路（ＳＰ１）は、異なる送信システムに割り当てられた少なくとも２つの第１の周波数帯の送受信器信号を送信するようになされる。第２の信号経路（ＳＰ２）は、異なる送信システムに割り当てられた少なくとも２つの第２の周波数帯の送受信器信号を送信するようになされる。第３の信号経路（ＳＰ３）は、第３の周波数帯の受信信号を送信するようになされる。 （もっと読む）

【課題】高周波複合部品単体で所望のインピーダンスを容易に設定できてＬＮＡとのマッチング調整が不要で、部品点数の低減、小型化が可能な高周波複合部品を得る。
【解決手段】アンテナ端子ＡＮＴから送受信する信号をＧＳＭ系信号経路とＤＣＳ系信号経路とにダイプレクサ２０で選択的に切り換える高周波複合部品。ＧＳＭ系及びＤＣＳ系には高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄで切り換えられる送信側入力端子Ｔｘｇ，Ｔｘｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄを備えている。端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄと弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄの出力側との間にインダクタＬｇ，ＬｄとコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄからなる整合素子が挿入されている。 （もっと読む）