薄膜コイルインダクタ部品及び発振器
【課題】所望の特性を有し、しかもパッケージサイズが十分に小型化したＳＡＷ発振器と、このような小型化を可能にするインダクタ部品と、を提供する。
【解決手段】基板２上に渦巻状のスパイラル配線５を有してなる薄膜コイルインダクタ部品１である。スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。また、この薄膜コイルインダクタ部品１と、これをマウントした半導体チップ２３と、薄膜コイルインダクタ部品１の非配置領域９に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子２５と、を備えてなる発振器２０。
【解決手段】基板２上に渦巻状のスパイラル配線５を有してなる薄膜コイルインダクタ部品１である。スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。また、この薄膜コイルインダクタ部品１と、これをマウントした半導体チップ２３と、薄膜コイルインダクタ部品１の非配置領域９に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子２５と、を備えてなる発振器２０。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コイルインダクタ部品、及びこれを用いた発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発振器として、表面弾性波素子（surface acoustic wave device；ＳＡＷ）を共振子（ＳＡＷ共振子）として備えたＳＡＷ発振器が知られている。このＳＡＷ発振器は、前記ＳＡＷ共振子とともに発振回路を形成する半導体チップを筐体内に収容し、さらに前記筐体の側壁上に、前記ＳＡＷ共振子及びインダクタ部品を配置した構造となっている。
【０００３】
ところで、近年では携帯情報端末をはじめとして、各種の通信用電子機器の普及が著しく、このような電子機器にあっては、携帯性の向上や高機能化が強く求められている。したがって、通信用電子機器に用いられるＳＡＷ発振器にあっても、一層の小型化、薄厚化が要望されている。しかし、従来の構造では、筐体内に半導体チップ、ＳＡＷ共振子、及びインダクタ部品を平面的に配置した構造をとっているため、パッケージサイズが大きくなっている。
【０００４】
そこで、ＳＡＷ発振器を小型化するべく、例えばその構成部品であるインダクタ部品を小型化、薄厚化することが考えられる。このようなインダクタ部品としては、薄膜コイルを用いることにより、薄厚化を図ったものが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００５】
前記の薄厚のインダクタ部品を用いれば、ＳＡＷ発振器の厚さを許容範囲に抑えた状態で、この薄厚インダクタ部品を前記半導体チップ上に直接配置することが可能になり、その分、ＳＡＷ発振器の小型化が可能になる。
また、さらなる小型化を図るためには、ＳＡＷ共振子も半導体チップ上に直接配置することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４１２０５６２号公報
【特許文献２】特許第３１６１１４７号公報
【特許文献３】特許第３７５５４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳＡＷ共振子を半導体チップ上に直接配置するには、接着剤を用いてＳＡＷ共振子を半導体チップ上にマウントすることが考えられる。
しかし、このようにしてマウントした場合、ＳＡＷ共振子と半導体チップとの間のクリアランスは接着剤層の厚さによって決まるため、十分に大きなクリアランスが確保されなくなる。すると、ＳＡＷ共振子と半導体チップとは、振動や衝撃により物理的に干渉し合い、得られるＳＡＷ発振器の特性が損なわれてしまう。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、所望の特性を有し、しかもパッケージサイズが十分に小型化したＳＡＷ発振器と、このような小型化を可能にするインダクタ部品と、を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の薄膜コイルインダクタ部品は、板上に渦巻状のスパイラル配線を有してなる薄膜コイルインダクタ部品であって、
前記スパイラル配線が、前記基板の中心から偏って配置され、該スパイラル配線が配置されない側に、スパイラル配線の非配置領域が形成されてなることを特徴としている。
【００１０】
この薄膜コイルインダクタ部品によれば、そのスパイラル配線を基板の中心から偏って配置し、該スパイラル配線を配置しない側にスパイラル配線の非配置領域を形成したので、この非配置領域に、共振子としての表面弾性波素子を片持ち状に設けることが可能になる。したがって、この薄膜コイルインダクタ部品をＳＡＷ発振器に用いる場合に、半導体チップ上にこの薄膜コイルインダクタ部品を直接配置し、さらにその非配置領域に表面弾性波素子を片持ち状に設けることで、ＳＡＷ発振器が十分に小型化する。また、表面弾性波素子と半導体チップとの間に、十分に大きなクリアランスを確保することが可能になる。
【００１１】
本発明の発振器は、半導体チップと、
前記半導体チップ上に設けられた請求項１記載の薄膜コイルインダクタ部品と、
前記薄膜コイルインダクタ部品の前記非配置領域に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子と、
を備えてなることを特徴としている。
【００１２】
この発振器によれば、半導体チップ上に薄膜コイルインダクタ部品が設けられ、さらにその非配置領域に表面弾性波素子が片持ち状に設けられているので、ＳＡＷ発振器が十分に小型化する。また、表面弾性波素子と半導体チップとの間に、十分に大きなクリアランスが確保されるので、発振器としての所望の特性が得られる。
【００１３】
また、前記発振器において、前記薄膜コイルインダクタ部品は、複数のスパイラル配線を有してなり、前記表面弾性波素子は、前記複数のスパイラル配線に対応して前記非配置領域に複数設けられていてもよい。
このようにすれば、異なる複数の波長を発振することが可能になる。
【００１４】
また、前記発振器において、前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記第１樹脂膜が露出してなり、前記表面弾性波素子は、露出した前記第１樹脂膜の表面に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、半導体チップに対する表面弾性波素子の上面の高さが、薄膜コイルインダクタ部品の前記第２樹脂膜の厚さに相当する分低くなり、したがって、この第２樹脂膜の厚さに相当する分薄厚化する。
【００１５】
また、前記発振器において、前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記絶縁膜が露出してなり、前記表面弾性波素子は、露出した前記絶縁膜の表面に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、半導体チップに対する表面弾性波素子の上面の高さが、薄膜コイルインダクタ部品の前記第１樹脂膜と第２樹脂膜との合計厚さに相当する分低くなり、したがって、この合計厚さに相当する分薄厚化する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）（ｂ）は薄膜コイルインダクタ部品の第１実施形態の概略構成図である。
【図２】薄膜コイルインダクタ部品の第２実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図３】薄膜コイルインダクタ部品の第３実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図４】薄膜コイルインダクタ部品の第４実施形態の概略構成を示す平面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）はＳＡＷ発振器の第１実施形態の概略構成図である。
【図６】ＳＡＷ発振器の第２実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図７】ＳＡＷ発振器の第３実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図８】ＳＡＷ発振器の第４実施形態の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
（薄膜コイルインダクタ部品）
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第１実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視側断面図である。
【００１８】
図１（ａ）、（ｂ）において符号１は薄膜コイルインダクタ部品であり、この薄膜コイルインダクタ部品１は、図１（ｂ）に示すように、基板２と、基板２上に設けられたパシベーション膜（絶縁膜）３と、パシベーション膜３上に設けられた層間絶縁膜（第１樹脂膜）４と、層間絶縁膜４上に設けられたスパイラル配線５と、スパイラル配線５を覆って設けられた保護膜（第２樹脂膜）６と、を備えて構成されている。
【００１９】
基板２は、図１（ａ）に示すようにシリコンやガラスからなる矩形状のもので、必要に応じて、その表面側から裏面（底面）側にかけて貫通する貫通電極（図示せず）が設けられている。このような貫通電極を設けておくことにより、この基板１上に設けられるスパイラル配線５や別の導電パッド（図示せず）等と、後述する半導体チップの導電部（パッド等）とを、導通させることができるようになる。すなわち、このように貫通電極が設けられる場合では、この貫通電極に導通して基板２の底面にはんだボール等からなる外部接続用端子（図示せず）が設けられる。そして、この外部接続用端子を介して、薄膜コイルインダクタ部品１は半導体チップ上に実装されるようになる。
【００２０】
パシベーション膜３は、基板２を外部の影響から保護するためのもので、図１（ｂ）に示すように基板２の上面を覆って形成されたものである。
層間絶縁膜４は、パシベーション膜３の外周部を除いた内部を覆って設けられたもので、ポリイミド等の絶縁性樹脂によって形成されたものである。この層間絶縁膜４は、後述するように薄膜コイルインダクタ部品１を半導体チップ上に設けた際、半導体チップと前記基板２との間の熱膨張係数の差に起因する応力が薄膜コイルインダクタ部品１に加わるのを抑制するように、機能するものである。
【００２１】
スパイラル配線５は、正方形に近い状態で渦巻状に形成配置されたもので、端子７と端子８との間を連続した状態に形成されたものである。また、このスパイラル配線５は、その渦巻の中心が、前記基板２の中心に一致することなく大きくずれて配置されている。したがって、全体が基板２の中心から偏って配置されたものとなっている。そして、このようにスパイラル配線５が偏って配置されていることで、基板２上には、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。この非配置領域９は、後述する表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を、片持ち状に実装する領域となっている。
【００２２】
保護膜６は、ソルダーレジスト（絶縁性樹脂）からなるもので、前記スパイラル配線５を覆った状態で、前記層間絶縁膜４のほぼ全面に設けられたものである。この保護膜６は、後述するように薄膜コイルインダクタ部品１を半導体チップ上に設ける際などに、スパイラル配線５等が損傷するのを防止するためのものである。なお、この保護膜６には、前記スパイラル配線５の端子７、端子８に対応する箇所に開口が形成されており、これによってこれら開口（図示せず）内には、前記端子７、端子８が露出させられている。
【００２３】
このような薄膜コイルインダクタ部品１にあっては、渦巻状のスパイラル配線５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、特にスパイラル配線５を基板２の中心から偏って配置し、基板２上に非配置領域９を形成したので、この非配置領域９を覆う前記保護膜６上に、表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。
【００２４】
図２は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第２実施形態を示す図であり、図１（ｂ）に対応する側断面図である。図２において符号１０は薄膜コイルインダクタ部品である。この薄膜コイルインダクタ部品１０が、図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１と異なるところは、前記非配置領域９上に保護膜６が形成されておらず、したがって非配置領域９においては、保護膜６の下地である層間絶縁膜４が露出している点である。
【００２５】
このような薄膜コイルインダクタ部品１０にあっても、渦巻状のスパイラル配線５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、非配置領域９において層間絶縁膜４を露出させているので、非配置領域９における層間絶縁膜４上に、表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。
【００２６】
図３は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第３実施形態を示す図であり、図１（ｂ）に対応する側断面図である。図３において符号１２は薄膜コイルインダクタ部品である。この薄膜コイルインダクタ部品１２が、図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１と異なるところは、前記非配置領域９に対応する位置に、保護膜６と層間絶縁膜４の両方が形成されておらず、したがって非配置領域９においては、パシベーション膜３が露出している点である。
【００２７】
このような薄膜コイルインダクタ部品１２にあっても、渦巻状のスパイラル配線５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、非配置領域９においてパシベーション膜３を露出させているので、非配置領域９におけるパシベーション膜３上に、表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。
【００２８】
図４は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第４実施形態を示す図であり、図１（ａ）に対応する平面図である。図４において符号１４は薄膜コイルインダクタ部品である。この薄膜コイルインダクタ部品１４が、図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１と異なるところは、層間絶縁膜４上にスパイラル配線１５が二つ（複数）形成されている点である。
【００２９】
これらスパイラル配線１５は、本実施形態では図１（ａ）に示したスパイラル配線５と相似形状のもので、スパイラル配線５より小さく形成されている。すなわち、これらスパイラル配線１５も、正方形に近い状態で渦巻状に形成配置されたもので、端子７と端子８との間を連続した状態に形成されたものである。そして、これらスパイラル配線１５も、その渦巻の中心が、矩形状の基板２の長辺の長さ方向における中心線上に位置することなく、この中心線を挟んだ一方の側に偏って配置されている。したがって、スパイラル配線１５が偏って配置されていることで、基板２上には、スパイラル配線１５が配置されない側、すなわち前記中心線を挟んだ他方の側に、前記実施形態１〜３と同様に非配置領域９が形成されている。
【００３０】
このような薄膜コイルインダクタ部品１４にあっても、渦巻状のスパイラル配線１５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、非配置領域９に表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。さらに、二つ（複数）のスパイラル配線１５を有しているので、後述するようにこれら二つ（複数）のスパイラル配線１５に対応して表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を非配置領域９に二つ（複数）設け、発振器を構成すれば、異なる二つ（複数）の波長を発振することが可能になる。
【００３１】
なお、この図４に示した薄膜コイルインダクタ部品１４についても、その変形例として、前記第２実施形態と同様に、非配置領域９において保護膜６の下地である層間絶縁膜４を露出させ、この層間絶縁膜４上に表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装可能にしてもよい。同様に、前記第３実施形態と同様に、非配置領域９においてパシベーション膜３を露出させ、このパシベーション膜３上に表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装可能にしてもよい。
【００３２】
次に、このような構成の薄膜コイルインダクタ部品を備えたＳＡＷ発振器について説明する。
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の発振器の第１実施形態となるＳＡＷ発振器の第１実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視側断面図である。
図５（ａ）、（ｂ）において符号２０はＳＡＷ発振器であり、このＳＡＷ発振器２０は、セラミックス製の筐体２１の収容部２２内に、半導体チップ（ＩＣチップ）２３と、前記薄膜コイルインダクタ部品２４と、表面弾性波素子からなるＳＡＷ共振子２５とを備えて構成されたものである。
【００３３】
半導体チップ２３は、周波数調整回路等を有してＳＡＷ共振子２５とともに発振回路を形成するものである。
薄膜コイルインダクタ部品２４は、本実施形態では図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１からなっている。この薄膜コイルインダクタ部品１には、前述したように例えばその基板２の底面に、はんだボール等からなる外部接続用端子（図示せず）が設けられている。したがって、薄膜コイルインダクタ部品２４（１）は、この外部接続用端子を介して半導体チップ２３上に実装され、電気的に接続されている。なお、このような外部接続用端子による電気的接続に代えて、例えばワイヤボンディングにより、薄膜コイルインダクタ部品２４を半導体チップ２３に電気的に接続するようにしてもよい。その場合には、例えば接着剤を用いて、薄膜コイルインダクタ部品２４を半導体チップ２３に実装することができる。
【００３４】
ＳＡＷ共振子２５は、例えば水晶からなるもので、固体の表面に１対の櫛形電極を有し、電気信号を表面弾性波（固体表面を伝わる音波、超音波）に変換して伝達し、再び電気信号として出力するものである。このＳＡＷ共振子２５は、図５（ａ）、（ｂ）に示したように、前記薄膜コイルインダクタ部品２４の非配置領域９に対応する位置にその一端側が片持ち状に設けられている。すなわち、薄膜コイルインダクタ部品２４の非配置領域９を覆う保護膜６上に、例えば接着剤によって接着され、固定されている。
そして、このＳＡＷ共振子２５は、例えばワイヤボンディングにより、薄膜コイルインダクタ部品２４のスパイラル配線５の端子７または８に電気的に接続されている。
【００３５】
したがって、このＳＡＷ発振器２０によれば、半導体チップ２３上に薄膜コイルインダクタ部品２４が設けられ、さらにその非配置領域９にＳＡＷ共振子２５が片持ち状に設けられているので、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間に、薄膜コイルインダクタ部品２４の厚さに相当する大きなクリアランスが確保される。したがって、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間で、振動や衝撃による物理的な干渉が生じるのが防止され、これにより、ＳＡＷ発振器２０は発振器としての所望の特性が得られるようになる。
【００３６】
また、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３とを、薄膜コイルインダクタ部品２４の厚さ分、離間しているので、発振特性がより良好になる。すなわち、薄膜コイルインダクタ部品２４として本実施形態では図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１を用いているため、後述するように薄膜コイルインダクタ部品１０、１２を用いた場合に比べ、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間が広くなってここに形成される寄生容量が小さくなる。したがって、寄生容量に影響される発振器の可変幅や異常発振耐性が良好になるため、発振特性がより良好になる。
【００３７】
また、半導体チップ２３と薄膜コイルインダクタ部品２４とＳＡＷ共振子２５とを、従来のように平面的でなく、立体的に配置したので、筐体２１の平面的な大きさ（面積）を小さくすることができ、したがって十分に小型化することができる。さらに、コイルインダクタ部品として薄膜コイルインダクタ部品２４を用いているので、ＳＡＷ発振器２０全体の薄厚化を図ることもできる。
【００３８】
図６は、本発明のＳＡＷ発振器の第２実施形態を示す図であり、図５（ｂ）に対応する側断面図である。図６において符号３０はＳＡＷ発振器である。このＳＡＷ発振器３０が、図５（ａ）、（ｂ）に示したＳＡＷ発振器２０と異なるところは、薄膜コイルインダクタ部品２４として、図２に示した薄膜コイルインダクタ部品１０を用いている点である。
すなわち、このＳＡＷ発振器３０では、薄膜コイルインダクタ部品１０の、非配置領域９における層間絶縁膜４上に、ＳＡＷ共振子２５が片持ち状に実装されている。したがって、このＳＡＷ発振器３０にあっては、図５（ｂ）に示した前記ＳＡＷ発振器２０に比べ、薄膜コイルインダクタ部品１２の保護膜６の厚さ分、さらに薄厚化される。
【００３９】
図７は、本発明のＳＡＷ発振器の第３実施形態を示す図であり、図５（ｂ）に対応する側断面図である。図７において符号４０はＳＡＷ発振器である。このＳＡＷ発振器４０が、図５（ａ）、（ｂ）に示したＳＡＷ発振器２０と異なるところは、薄膜コイルインダクタ部品２４として、図３に示した薄膜コイルインダクタ部品１２を用いている点である。
すなわち、このＳＡＷ発振器４０では、薄膜コイルインダクタ部品１２の、非配置領域９におけるパシベーション膜３上に、ＳＡＷ共振子２５が片持ち状に実装されている。したがって、このＳＡＷ発振器４０にあっては、図６に示した前記ＳＡＷ発振器３０に比べても、薄膜コイルインダクタ部品１２の層間絶縁膜４の厚さ分、さらに薄厚化される。
【００４０】
図８は、本発明のＳＡＷ発振器の第４実施形態を示す図であり、図５（ａ）に対応する平面図である。図８において符号５０はＳＡＷ発振器である。このＳＡＷ発振器５０が、図５（ａ）、（ｂ）に示したＳＡＷ発振器２０と異なるところは、薄膜コイルインダクタ部品２４として、図４に示した薄膜コイルインダクタ部品１４を用いている点である。
すなわち、このＳＡＷ発振器４０では、薄膜コイルインダクタ部品２４（１４）が、スパイラル配線１５を二つ（複数）形成して構成されている。そして、この薄膜コイルインダクタ部品２４（１４）の非配置領域９における保護膜６上に、二つ（複数）のスパイラル配線１５にそれぞれ対応して、二つ（複数）のＳＡＷ共振子２５がそれぞれ片持ち状に実装されている。
【００４１】
したがって、このＳＡＷ発振器５０にあっては、スパイラル配線１５とＳＡＷ共振子２５とをそれぞれ二つ（複数）ずつ備えているので、異なる二つ（複数）の波長を発振することが可能になる。
また、前記第１実施形態〜第３実施形態と同様に、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間に大きなクリアランスを確保したので、発振器としての所望の特性が得られるようになる。さらに、半導体チップ２３と薄膜コイルインダクタ部品２４とＳＡＷ共振子２５とを立体的に配置したので、十分に小型化されたものとなる。
【００４２】
なお、図８に示したＳＡＷ発振器５０においては、その薄膜コイルインダクタ部品２４として、前述した薄膜コイルインダクタ部品１４の変形例を用いてもよい。すなわち、非配置領域９において保護膜６の下地である層間絶縁膜４を露出させ、この層間絶縁膜４上にＳＡＷ共振子２５を片持ち状に実装可能にしてもよく、同様に、非配置領域９においてパシベーション膜３を露出させ、このパシベーション膜３上にＳＡＷ共振子２５を片持ち状に実装可能にしてもよい。このようにすれば、図６に示したＳＡＷ発振器３０、図７に示したＳＡＷ発振器４０と同様に、さらなる薄厚化が可能になる。
【００４３】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、図５〜図８に示したＳＡＷ発振器では、半導体チップ２３上に一つの薄膜コイルインダクタ部品２４を設けたが、薄膜コイルインダクタ部品２４を複数設けるようにし、ＳＡＷ共振子２５についても、これに対応して複数設けるようにしてもよい。
また、図５〜図８に示したＳＡＷ発振器では、ＳＡＷ共振子２５を、平面視矩形状の半導体チップ２３に対して、その長辺の長さ方向に沿って片持ち状に配設したが、例えば半導体チップ２３の短辺の長さ方向に沿って片持ち状に配設してもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１、１０、１２、１４…薄膜コイルインダクタ部品、２…基板、３…パシベーション膜（絶縁膜）、４…層間絶縁膜（第１樹脂膜）、５、１５…スパイラル配線、６…保護膜（第２樹脂膜）、２０、３０、４０、５０…ＳＡＷ発振器、２１…筐体、２３…半導体チップ、２４…薄膜コイルインダクタ部品、２５…ＳＡＷ共振子（表面弾性波素子）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コイルインダクタ部品、及びこれを用いた発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発振器として、表面弾性波素子（surface acoustic wave device；ＳＡＷ）を共振子（ＳＡＷ共振子）として備えたＳＡＷ発振器が知られている。このＳＡＷ発振器は、前記ＳＡＷ共振子とともに発振回路を形成する半導体チップを筐体内に収容し、さらに前記筐体の側壁上に、前記ＳＡＷ共振子及びインダクタ部品を配置した構造となっている。
【０００３】
ところで、近年では携帯情報端末をはじめとして、各種の通信用電子機器の普及が著しく、このような電子機器にあっては、携帯性の向上や高機能化が強く求められている。したがって、通信用電子機器に用いられるＳＡＷ発振器にあっても、一層の小型化、薄厚化が要望されている。しかし、従来の構造では、筐体内に半導体チップ、ＳＡＷ共振子、及びインダクタ部品を平面的に配置した構造をとっているため、パッケージサイズが大きくなっている。
【０００４】
そこで、ＳＡＷ発振器を小型化するべく、例えばその構成部品であるインダクタ部品を小型化、薄厚化することが考えられる。このようなインダクタ部品としては、薄膜コイルを用いることにより、薄厚化を図ったものが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００５】
前記の薄厚のインダクタ部品を用いれば、ＳＡＷ発振器の厚さを許容範囲に抑えた状態で、この薄厚インダクタ部品を前記半導体チップ上に直接配置することが可能になり、その分、ＳＡＷ発振器の小型化が可能になる。
また、さらなる小型化を図るためには、ＳＡＷ共振子も半導体チップ上に直接配置することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４１２０５６２号公報
【特許文献２】特許第３１６１１４７号公報
【特許文献３】特許第３７５５４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳＡＷ共振子を半導体チップ上に直接配置するには、接着剤を用いてＳＡＷ共振子を半導体チップ上にマウントすることが考えられる。
しかし、このようにしてマウントした場合、ＳＡＷ共振子と半導体チップとの間のクリアランスは接着剤層の厚さによって決まるため、十分に大きなクリアランスが確保されなくなる。すると、ＳＡＷ共振子と半導体チップとは、振動や衝撃により物理的に干渉し合い、得られるＳＡＷ発振器の特性が損なわれてしまう。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、所望の特性を有し、しかもパッケージサイズが十分に小型化したＳＡＷ発振器と、このような小型化を可能にするインダクタ部品と、を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の薄膜コイルインダクタ部品は、板上に渦巻状のスパイラル配線を有してなる薄膜コイルインダクタ部品であって、
前記スパイラル配線が、前記基板の中心から偏って配置され、該スパイラル配線が配置されない側に、スパイラル配線の非配置領域が形成されてなることを特徴としている。
【００１０】
この薄膜コイルインダクタ部品によれば、そのスパイラル配線を基板の中心から偏って配置し、該スパイラル配線を配置しない側にスパイラル配線の非配置領域を形成したので、この非配置領域に、共振子としての表面弾性波素子を片持ち状に設けることが可能になる。したがって、この薄膜コイルインダクタ部品をＳＡＷ発振器に用いる場合に、半導体チップ上にこの薄膜コイルインダクタ部品を直接配置し、さらにその非配置領域に表面弾性波素子を片持ち状に設けることで、ＳＡＷ発振器が十分に小型化する。また、表面弾性波素子と半導体チップとの間に、十分に大きなクリアランスを確保することが可能になる。
【００１１】
本発明の発振器は、半導体チップと、
前記半導体チップ上に設けられた請求項１記載の薄膜コイルインダクタ部品と、
前記薄膜コイルインダクタ部品の前記非配置領域に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子と、
を備えてなることを特徴としている。
【００１２】
この発振器によれば、半導体チップ上に薄膜コイルインダクタ部品が設けられ、さらにその非配置領域に表面弾性波素子が片持ち状に設けられているので、ＳＡＷ発振器が十分に小型化する。また、表面弾性波素子と半導体チップとの間に、十分に大きなクリアランスが確保されるので、発振器としての所望の特性が得られる。
【００１３】
また、前記発振器において、前記薄膜コイルインダクタ部品は、複数のスパイラル配線を有してなり、前記表面弾性波素子は、前記複数のスパイラル配線に対応して前記非配置領域に複数設けられていてもよい。
このようにすれば、異なる複数の波長を発振することが可能になる。
【００１４】
また、前記発振器において、前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記第１樹脂膜が露出してなり、前記表面弾性波素子は、露出した前記第１樹脂膜の表面に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、半導体チップに対する表面弾性波素子の上面の高さが、薄膜コイルインダクタ部品の前記第２樹脂膜の厚さに相当する分低くなり、したがって、この第２樹脂膜の厚さに相当する分薄厚化する。
【００１５】
また、前記発振器において、前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記絶縁膜が露出してなり、前記表面弾性波素子は、露出した前記絶縁膜の表面に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、半導体チップに対する表面弾性波素子の上面の高さが、薄膜コイルインダクタ部品の前記第１樹脂膜と第２樹脂膜との合計厚さに相当する分低くなり、したがって、この合計厚さに相当する分薄厚化する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）（ｂ）は薄膜コイルインダクタ部品の第１実施形態の概略構成図である。
【図２】薄膜コイルインダクタ部品の第２実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図３】薄膜コイルインダクタ部品の第３実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図４】薄膜コイルインダクタ部品の第４実施形態の概略構成を示す平面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）はＳＡＷ発振器の第１実施形態の概略構成図である。
【図６】ＳＡＷ発振器の第２実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図７】ＳＡＷ発振器の第３実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図８】ＳＡＷ発振器の第４実施形態の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
（薄膜コイルインダクタ部品）
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第１実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視側断面図である。
【００１８】
図１（ａ）、（ｂ）において符号１は薄膜コイルインダクタ部品であり、この薄膜コイルインダクタ部品１は、図１（ｂ）に示すように、基板２と、基板２上に設けられたパシベーション膜（絶縁膜）３と、パシベーション膜３上に設けられた層間絶縁膜（第１樹脂膜）４と、層間絶縁膜４上に設けられたスパイラル配線５と、スパイラル配線５を覆って設けられた保護膜（第２樹脂膜）６と、を備えて構成されている。
【００１９】
基板２は、図１（ａ）に示すようにシリコンやガラスからなる矩形状のもので、必要に応じて、その表面側から裏面（底面）側にかけて貫通する貫通電極（図示せず）が設けられている。このような貫通電極を設けておくことにより、この基板１上に設けられるスパイラル配線５や別の導電パッド（図示せず）等と、後述する半導体チップの導電部（パッド等）とを、導通させることができるようになる。すなわち、このように貫通電極が設けられる場合では、この貫通電極に導通して基板２の底面にはんだボール等からなる外部接続用端子（図示せず）が設けられる。そして、この外部接続用端子を介して、薄膜コイルインダクタ部品１は半導体チップ上に実装されるようになる。
【００２０】
パシベーション膜３は、基板２を外部の影響から保護するためのもので、図１（ｂ）に示すように基板２の上面を覆って形成されたものである。
層間絶縁膜４は、パシベーション膜３の外周部を除いた内部を覆って設けられたもので、ポリイミド等の絶縁性樹脂によって形成されたものである。この層間絶縁膜４は、後述するように薄膜コイルインダクタ部品１を半導体チップ上に設けた際、半導体チップと前記基板２との間の熱膨張係数の差に起因する応力が薄膜コイルインダクタ部品１に加わるのを抑制するように、機能するものである。
【００２１】
スパイラル配線５は、正方形に近い状態で渦巻状に形成配置されたもので、端子７と端子８との間を連続した状態に形成されたものである。また、このスパイラル配線５は、その渦巻の中心が、前記基板２の中心に一致することなく大きくずれて配置されている。したがって、全体が基板２の中心から偏って配置されたものとなっている。そして、このようにスパイラル配線５が偏って配置されていることで、基板２上には、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。この非配置領域９は、後述する表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を、片持ち状に実装する領域となっている。
【００２２】
保護膜６は、ソルダーレジスト（絶縁性樹脂）からなるもので、前記スパイラル配線５を覆った状態で、前記層間絶縁膜４のほぼ全面に設けられたものである。この保護膜６は、後述するように薄膜コイルインダクタ部品１を半導体チップ上に設ける際などに、スパイラル配線５等が損傷するのを防止するためのものである。なお、この保護膜６には、前記スパイラル配線５の端子７、端子８に対応する箇所に開口が形成されており、これによってこれら開口（図示せず）内には、前記端子７、端子８が露出させられている。
【００２３】
このような薄膜コイルインダクタ部品１にあっては、渦巻状のスパイラル配線５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、特にスパイラル配線５を基板２の中心から偏って配置し、基板２上に非配置領域９を形成したので、この非配置領域９を覆う前記保護膜６上に、表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。
【００２４】
図２は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第２実施形態を示す図であり、図１（ｂ）に対応する側断面図である。図２において符号１０は薄膜コイルインダクタ部品である。この薄膜コイルインダクタ部品１０が、図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１と異なるところは、前記非配置領域９上に保護膜６が形成されておらず、したがって非配置領域９においては、保護膜６の下地である層間絶縁膜４が露出している点である。
【００２５】
このような薄膜コイルインダクタ部品１０にあっても、渦巻状のスパイラル配線５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、非配置領域９において層間絶縁膜４を露出させているので、非配置領域９における層間絶縁膜４上に、表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。
【００２６】
図３は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第３実施形態を示す図であり、図１（ｂ）に対応する側断面図である。図３において符号１２は薄膜コイルインダクタ部品である。この薄膜コイルインダクタ部品１２が、図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１と異なるところは、前記非配置領域９に対応する位置に、保護膜６と層間絶縁膜４の両方が形成されておらず、したがって非配置領域９においては、パシベーション膜３が露出している点である。
【００２７】
このような薄膜コイルインダクタ部品１２にあっても、渦巻状のスパイラル配線５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、非配置領域９においてパシベーション膜３を露出させているので、非配置領域９におけるパシベーション膜３上に、表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。
【００２８】
図４は、本発明の薄膜コイルインダクタ部品の第４実施形態を示す図であり、図１（ａ）に対応する平面図である。図４において符号１４は薄膜コイルインダクタ部品である。この薄膜コイルインダクタ部品１４が、図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１と異なるところは、層間絶縁膜４上にスパイラル配線１５が二つ（複数）形成されている点である。
【００２９】
これらスパイラル配線１５は、本実施形態では図１（ａ）に示したスパイラル配線５と相似形状のもので、スパイラル配線５より小さく形成されている。すなわち、これらスパイラル配線１５も、正方形に近い状態で渦巻状に形成配置されたもので、端子７と端子８との間を連続した状態に形成されたものである。そして、これらスパイラル配線１５も、その渦巻の中心が、矩形状の基板２の長辺の長さ方向における中心線上に位置することなく、この中心線を挟んだ一方の側に偏って配置されている。したがって、スパイラル配線１５が偏って配置されていることで、基板２上には、スパイラル配線１５が配置されない側、すなわち前記中心線を挟んだ他方の側に、前記実施形態１〜３と同様に非配置領域９が形成されている。
【００３０】
このような薄膜コイルインダクタ部品１４にあっても、渦巻状のスパイラル配線１５を有しているので、全体が十分に薄厚化したものとなっている。また、非配置領域９に表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装することができる。さらに、二つ（複数）のスパイラル配線１５を有しているので、後述するようにこれら二つ（複数）のスパイラル配線１５に対応して表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を非配置領域９に二つ（複数）設け、発振器を構成すれば、異なる二つ（複数）の波長を発振することが可能になる。
【００３１】
なお、この図４に示した薄膜コイルインダクタ部品１４についても、その変形例として、前記第２実施形態と同様に、非配置領域９において保護膜６の下地である層間絶縁膜４を露出させ、この層間絶縁膜４上に表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装可能にしてもよい。同様に、前記第３実施形態と同様に、非配置領域９においてパシベーション膜３を露出させ、このパシベーション膜３上に表面弾性波素子（ＳＡＷ共振子）を片持ち状に実装可能にしてもよい。
【００３２】
次に、このような構成の薄膜コイルインダクタ部品を備えたＳＡＷ発振器について説明する。
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の発振器の第１実施形態となるＳＡＷ発振器の第１実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視側断面図である。
図５（ａ）、（ｂ）において符号２０はＳＡＷ発振器であり、このＳＡＷ発振器２０は、セラミックス製の筐体２１の収容部２２内に、半導体チップ（ＩＣチップ）２３と、前記薄膜コイルインダクタ部品２４と、表面弾性波素子からなるＳＡＷ共振子２５とを備えて構成されたものである。
【００３３】
半導体チップ２３は、周波数調整回路等を有してＳＡＷ共振子２５とともに発振回路を形成するものである。
薄膜コイルインダクタ部品２４は、本実施形態では図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１からなっている。この薄膜コイルインダクタ部品１には、前述したように例えばその基板２の底面に、はんだボール等からなる外部接続用端子（図示せず）が設けられている。したがって、薄膜コイルインダクタ部品２４（１）は、この外部接続用端子を介して半導体チップ２３上に実装され、電気的に接続されている。なお、このような外部接続用端子による電気的接続に代えて、例えばワイヤボンディングにより、薄膜コイルインダクタ部品２４を半導体チップ２３に電気的に接続するようにしてもよい。その場合には、例えば接着剤を用いて、薄膜コイルインダクタ部品２４を半導体チップ２３に実装することができる。
【００３４】
ＳＡＷ共振子２５は、例えば水晶からなるもので、固体の表面に１対の櫛形電極を有し、電気信号を表面弾性波（固体表面を伝わる音波、超音波）に変換して伝達し、再び電気信号として出力するものである。このＳＡＷ共振子２５は、図５（ａ）、（ｂ）に示したように、前記薄膜コイルインダクタ部品２４の非配置領域９に対応する位置にその一端側が片持ち状に設けられている。すなわち、薄膜コイルインダクタ部品２４の非配置領域９を覆う保護膜６上に、例えば接着剤によって接着され、固定されている。
そして、このＳＡＷ共振子２５は、例えばワイヤボンディングにより、薄膜コイルインダクタ部品２４のスパイラル配線５の端子７または８に電気的に接続されている。
【００３５】
したがって、このＳＡＷ発振器２０によれば、半導体チップ２３上に薄膜コイルインダクタ部品２４が設けられ、さらにその非配置領域９にＳＡＷ共振子２５が片持ち状に設けられているので、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間に、薄膜コイルインダクタ部品２４の厚さに相当する大きなクリアランスが確保される。したがって、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間で、振動や衝撃による物理的な干渉が生じるのが防止され、これにより、ＳＡＷ発振器２０は発振器としての所望の特性が得られるようになる。
【００３６】
また、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３とを、薄膜コイルインダクタ部品２４の厚さ分、離間しているので、発振特性がより良好になる。すなわち、薄膜コイルインダクタ部品２４として本実施形態では図１（ａ）、（ｂ）に示した薄膜コイルインダクタ部品１を用いているため、後述するように薄膜コイルインダクタ部品１０、１２を用いた場合に比べ、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間が広くなってここに形成される寄生容量が小さくなる。したがって、寄生容量に影響される発振器の可変幅や異常発振耐性が良好になるため、発振特性がより良好になる。
【００３７】
また、半導体チップ２３と薄膜コイルインダクタ部品２４とＳＡＷ共振子２５とを、従来のように平面的でなく、立体的に配置したので、筐体２１の平面的な大きさ（面積）を小さくすることができ、したがって十分に小型化することができる。さらに、コイルインダクタ部品として薄膜コイルインダクタ部品２４を用いているので、ＳＡＷ発振器２０全体の薄厚化を図ることもできる。
【００３８】
図６は、本発明のＳＡＷ発振器の第２実施形態を示す図であり、図５（ｂ）に対応する側断面図である。図６において符号３０はＳＡＷ発振器である。このＳＡＷ発振器３０が、図５（ａ）、（ｂ）に示したＳＡＷ発振器２０と異なるところは、薄膜コイルインダクタ部品２４として、図２に示した薄膜コイルインダクタ部品１０を用いている点である。
すなわち、このＳＡＷ発振器３０では、薄膜コイルインダクタ部品１０の、非配置領域９における層間絶縁膜４上に、ＳＡＷ共振子２５が片持ち状に実装されている。したがって、このＳＡＷ発振器３０にあっては、図５（ｂ）に示した前記ＳＡＷ発振器２０に比べ、薄膜コイルインダクタ部品１２の保護膜６の厚さ分、さらに薄厚化される。
【００３９】
図７は、本発明のＳＡＷ発振器の第３実施形態を示す図であり、図５（ｂ）に対応する側断面図である。図７において符号４０はＳＡＷ発振器である。このＳＡＷ発振器４０が、図５（ａ）、（ｂ）に示したＳＡＷ発振器２０と異なるところは、薄膜コイルインダクタ部品２４として、図３に示した薄膜コイルインダクタ部品１２を用いている点である。
すなわち、このＳＡＷ発振器４０では、薄膜コイルインダクタ部品１２の、非配置領域９におけるパシベーション膜３上に、ＳＡＷ共振子２５が片持ち状に実装されている。したがって、このＳＡＷ発振器４０にあっては、図６に示した前記ＳＡＷ発振器３０に比べても、薄膜コイルインダクタ部品１２の層間絶縁膜４の厚さ分、さらに薄厚化される。
【００４０】
図８は、本発明のＳＡＷ発振器の第４実施形態を示す図であり、図５（ａ）に対応する平面図である。図８において符号５０はＳＡＷ発振器である。このＳＡＷ発振器５０が、図５（ａ）、（ｂ）に示したＳＡＷ発振器２０と異なるところは、薄膜コイルインダクタ部品２４として、図４に示した薄膜コイルインダクタ部品１４を用いている点である。
すなわち、このＳＡＷ発振器４０では、薄膜コイルインダクタ部品２４（１４）が、スパイラル配線１５を二つ（複数）形成して構成されている。そして、この薄膜コイルインダクタ部品２４（１４）の非配置領域９における保護膜６上に、二つ（複数）のスパイラル配線１５にそれぞれ対応して、二つ（複数）のＳＡＷ共振子２５がそれぞれ片持ち状に実装されている。
【００４１】
したがって、このＳＡＷ発振器５０にあっては、スパイラル配線１５とＳＡＷ共振子２５とをそれぞれ二つ（複数）ずつ備えているので、異なる二つ（複数）の波長を発振することが可能になる。
また、前記第１実施形態〜第３実施形態と同様に、ＳＡＷ共振子２５と半導体チップ２３との間に大きなクリアランスを確保したので、発振器としての所望の特性が得られるようになる。さらに、半導体チップ２３と薄膜コイルインダクタ部品２４とＳＡＷ共振子２５とを立体的に配置したので、十分に小型化されたものとなる。
【００４２】
なお、図８に示したＳＡＷ発振器５０においては、その薄膜コイルインダクタ部品２４として、前述した薄膜コイルインダクタ部品１４の変形例を用いてもよい。すなわち、非配置領域９において保護膜６の下地である層間絶縁膜４を露出させ、この層間絶縁膜４上にＳＡＷ共振子２５を片持ち状に実装可能にしてもよく、同様に、非配置領域９においてパシベーション膜３を露出させ、このパシベーション膜３上にＳＡＷ共振子２５を片持ち状に実装可能にしてもよい。このようにすれば、図６に示したＳＡＷ発振器３０、図７に示したＳＡＷ発振器４０と同様に、さらなる薄厚化が可能になる。
【００４３】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、図５〜図８に示したＳＡＷ発振器では、半導体チップ２３上に一つの薄膜コイルインダクタ部品２４を設けたが、薄膜コイルインダクタ部品２４を複数設けるようにし、ＳＡＷ共振子２５についても、これに対応して複数設けるようにしてもよい。
また、図５〜図８に示したＳＡＷ発振器では、ＳＡＷ共振子２５を、平面視矩形状の半導体チップ２３に対して、その長辺の長さ方向に沿って片持ち状に配設したが、例えば半導体チップ２３の短辺の長さ方向に沿って片持ち状に配設してもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１、１０、１２、１４…薄膜コイルインダクタ部品、２…基板、３…パシベーション膜（絶縁膜）、４…層間絶縁膜（第１樹脂膜）、５、１５…スパイラル配線、６…保護膜（第２樹脂膜）、２０、３０、４０、５０…ＳＡＷ発振器、２１…筐体、２３…半導体チップ、２４…薄膜コイルインダクタ部品、２５…ＳＡＷ共振子（表面弾性波素子）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に渦巻状のスパイラル配線を有してなる薄膜コイルインダクタ部品であって、
前記スパイラル配線が、前記基板の中心から偏って配置され、該スパイラル配線が配置されない側に、スパイラル配線の非配置領域が形成されてなることを特徴とする薄膜コイルインダクタ部品。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に設けられた請求項１記載の薄膜コイルインダクタ部品と、
前記薄膜コイルインダクタ部品の前記非配置領域に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子と、
を備えてなることを特徴とする発振器。
【請求項３】
前記薄膜コイルインダクタ部品は、複数のスパイラル配線を有してなり、
前記表面弾性波素子は、前記複数のスパイラル配線に対応して前記非配置領域に複数設けられていることを特徴とする請求項２記載の発振器。
【請求項４】
前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記第１樹脂膜が露出してなり、
前記表面弾性波素子は、露出した前記第１樹脂膜の表面に設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載の発振器。
【請求項５】
前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記絶縁膜が露出してなり、
前記表面弾性波素子は、露出した前記絶縁膜の表面に設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載の発振器。
【請求項１】
基板上に渦巻状のスパイラル配線を有してなる薄膜コイルインダクタ部品であって、
前記スパイラル配線が、前記基板の中心から偏って配置され、該スパイラル配線が配置されない側に、スパイラル配線の非配置領域が形成されてなることを特徴とする薄膜コイルインダクタ部品。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に設けられた請求項１記載の薄膜コイルインダクタ部品と、
前記薄膜コイルインダクタ部品の前記非配置領域に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子と、
を備えてなることを特徴とする発振器。
【請求項３】
前記薄膜コイルインダクタ部品は、複数のスパイラル配線を有してなり、
前記表面弾性波素子は、前記複数のスパイラル配線に対応して前記非配置領域に複数設けられていることを特徴とする請求項２記載の発振器。
【請求項４】
前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記第１樹脂膜が露出してなり、
前記表面弾性波素子は、露出した前記第１樹脂膜の表面に設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載の発振器。
【請求項５】
前記薄膜コイルインダクタ部品は、基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜上に設けられた前記スパイラル配線と、前記スパイラル配線を覆って設けられた第２樹脂膜と、を有し、かつ、前記非配置領域では前記絶縁膜が露出してなり、
前記表面弾性波素子は、露出した前記絶縁膜の表面に設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載の発振器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−２６８１８２（Ｐ２０１０−２６８１８２Ａ）
【公開日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１１７２９７（Ｐ２００９−１１７２９７）
【出願日】平成２１年５月１４日（２００９．５．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月１４日（２００９．５．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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