【課題】高価なセラミック板を焼成・積層して形成したＨ型断面のパッケージを使用しないで、水晶片を密封封入したパッケージ（水晶振動子）をＩＣ実装基板に積層接合して、廉価な表面実装用水晶発振器を構成するようにする。
【解決手段】表面実装用水晶発振器において、ＩＣチップ４を接合したＩＣ実装基板７と気密封止された水晶片３と水晶パッケージ２ａ，２ｂとからなる水晶振動子２とを積層して接合し、該ＩＣ実装基板７の水晶振動子接続端子９ａと該水晶振動子の端子９ｂとを導電体６ａ、例えば、コアなし半田ボールまたは異方性導電シート、により接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水晶デバイスおよび電子機器の小型化を図ること。
【解決手段】実施形態によれば、容器体と、水晶素子と、電解質部材とを備える水晶デバイスが提供される。容器体は、１または複数のキャビティを有する。水晶素子は、キャビティ内に配置される。電解質部材は、少なくとも一部がキャビティ内に配置される。また、実施形態によれば、これらの容器体と、水晶素子と、電解質部材とを備える水晶デバイスを搭載した電子機器が提供される。 （もっと読む）

【課題】 高温高湿の環境下でも安定して動作し、更に温度補償精度を向上させることができる温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】 第１のパッケージ内に水晶片が封入された水晶振動子２と、発振部４２と、温度センサ部４４と、温度補償部４５とを備えたＩＣチップ３５が第２のパッケージ（パッケージ３０）内に樹脂封入された樹脂封止ＩＣ３とが、第３のパッケージ（パッケージ１）の同一のキャビティ内に近接して搭載され、リッド４によって気密に封止され、ＩＣチップ３５が第２のパッケージに設けられた外部端子の内側の導通面に密着して接続され、更に第２のパッケージの当該外部端子の外側の導通面がパッケージ１の裏面に設けられた外部端子に接続された温度補償型水晶発振器としている。 （もっと読む）

【課題】共振子を接続して発振回路を完成するように設計された集積回路に、温度補償を得るためにＴＣＸＯを接続すると消費電力が大きくなる。
【解決手段】振動子ユニット２０は水晶振動子Ｘtalを含んで一体に構成され、Ｘtalの両端子を外部回路に接続するための外部接続端子Ｎ１，Ｎ２を備える。振動子ユニット２０は、Ｘtalに接続された可変容量キャパシタＣ_Ｖと、Ｃ_Ｖの容量を制御する温度補償部２８とを有する。温度補償部２８はＸtalの近傍における温度を検知する温度センサ回路３０を備え、振動子ユニット２０の外部からのトリガ信号の入力に応じて、温度センサ回路３０の検知出力に基づいてＣ_Ｖの容量を調節する。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、パッケージ２の一主面側に水晶振動素子４が搭載され、蓋３によって水晶振動素子４が封止され、パッケージ２の他主面側にはＩＣチップ５を収容する凹部２３が形成された構造となっている。ＩＣチップ５は、凹部２３の内底面２３０に、ＩＣチップ５の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材７を介して接合されており、ＩＣチップ５の他主面は能動面となっている。そして前記他主面の外部接続用電極パッド５１に形成された導電性部材６は水晶発振器１の外部接続端子となっている。 （もっと読む）

【課題】小型化に対応するとともに接合信頼性が高い貫通電極を有する圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】水晶発振器１は、集積回路基板２の一主面２００に回路パターン５が形成され、他主面２０１に水晶振動素子４が蓋体３で気密封止されている。回路パターン５から他主面２０２までを貫く貫通孔の内壁面には導電膜が被着された中空状の貫通電極６が形成されている。貫通電極６の一端側には金属バンプＢ１が配されており、前記一端側から貫通電極６の内部に金属バンプＢ１の一部が埋没した状態で、樹脂接着材を介して金属バンプＢ１が水晶振動素子４と接合されている。 （もっと読む）

【課題】端子配置に関するユーザの要望に好適に応じることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】発振器１は、圧電体１５と、圧電体１５を利用した信号処理を行う半導体部品１７と、圧電体１５及び半導体部品１７を保持する基体３と、基体３に配置され、半導体部品１７に接続された複数の端子５とを有する。複数の端子５は、３つの選択端子５（５Ａ、５Ｂ及び５Ｅ）を含む。半導体部品１７は、端子制御信号Ｓｃ０に基づいて、所定の入出力信号（第２発振信号Ｏｕｔ２若しくは温度信号Ｔ、駆動制御信号Ｅ／Ｄ、又は、周波数調整信号Ｖｃｏｎ）を出力又は受け付ける端子を３つの選択端子５から選択する設定部３７を有する。 （もっと読む）

【課題】容器本体のキャビティに実装するＩＣチップを有機樹脂で保護したことにより生じる出力周波数の変動を抑制し、当該ＩＣチップの実装作業で生じる可能性がある当該ＩＣチップの破損を回避する。
【解決手段】ＩＣチップ８の容器本体１への実装面である一方の面に当該容器本体１の下部キャビティ３の底面に設けられた回路配線パターン７の端子パッドに接続するバンプ９を有するＩＣチップ本体８ａの面とは反対面に絶縁性の保護シート８ｂを貼付して固着した。 （もっと読む）

【課題】 共有化された配線及び半導体素子を用いて、必要な個所にバンプを形成することで所望される機能の圧電発振器を提供する。
【解決手段】 一対の励振電極を有する圧電振動片（２０）と、励振電極に導通する一対の振動片用電極パッド、電力供給用の一対の電源用電極パッド、及び２以上の異なる機能が割り当てられた少なくとも２つ電極パッド（４５）を有し矩形状の形状を有する電子回路素子（４０）と、複数の配線電極（１６）を有し圧電振動片及び電子回路素子を搭載するパッケージ（１０）と、を備える。また、圧電発振器は振動片用電極パッド、電源用電極パッド及び２以上の異なる機能のうちの必要な機能の電極パッドに対して形成されたバンプ（４９）を備える。そして、バンプが形成された電極パッドが配線電極と導通し、バンプが形成されていない電極パッドと配線電極とにギャップ（ｇａｐ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大きなインダクタンスをもつインダクタ素子を実現する音響半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、素子部と、第１端子と、を備えた音響半導体装置が提供される。前記素子部は、半導体結晶を含み音響定在波が励起可能な音響共振部を含む。前記第１端子は、前記素子部と電気的に接続される。前記第１端子を介して、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部から出力する、及び、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部に入力する、の少なくもいずれかを実施可能である。 （もっと読む）

【課題】反転電圧ＶＴＨ、負性抵抗−ＲＬ、発振周波数ｆ０が電源ＶＤＤの影響を受けることがなく、定電圧回路を追加する必要がなく、しかも、動作電圧も低くなり、水晶振動子に流れる電流も小さくすることができる発振回路を提供する。
【解決手段】ＮＭＯＳインバータＩＶｎと、帰還抵抗Ｒｆと、水晶振動子Ｑｚと、が互いに並列接続され、ＮＭＯＳインバータＩＶｎの入力と電源ＶＳＳとの間にキャパシタＣＧが接続され、ＮＭＯＳインバータＩＶｎの出力と電源ＶＳＳとの間にキャパシタＣＤが接続された水晶発振回路１において、ＮＭＯＳインバータＩＶｎが、電源ＶＤＤに接続された定電流回路Ｉｎと、定電流回路Ｉｎと電源ＶＳＳとの間に接続されたｎ型のＭＯＳトランジスタＴｎと、から構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路（反転増幅回路２０）と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路（反転増幅回路２０）とを接続する接続回路３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低負荷容量値対応の水晶振動子を十分に適用することが可能な水晶発振装置を提供する。
【解決手段】例えば、配線基板ＰＣＢ上に、発振入力信号ＸＩＮ用の配線パターンＬＮ＿ＸＩＮと、発振出力信号ＸＯＵＴ用の配線パターンＬＮ＿ＸＯＵＴを設け、その間の領域に接地電源電圧ＶＳＳ用の配線パターンＬＮ＿ＶＳＳ１ｂを配置する。ＬＮ＿ＸＩＮとＬＮ＿ＸＯＵＴの間には水晶振動子ＸＴＡＬを接続し、その負荷容量となる容量Ｃｇ，Ｃｄの一端をＬＮ＿ＶＳＳ１ｂに接続する。更に、これらの配線パターンを囲むようにＶＳＳ用の配線パターンＬＮ＿ＶＳＳ１ａを配置し、加えて、下層にもＶＳＳ用の配線パターンＬＮ＿ＶＳＳｎを配置する。これらによって、ＸＩＮノードとＸＯＵＴノード間の寄生容量の低減や、当該ノードのノイズ耐性の向上等が可能になる。 （もっと読む）

【課題】サーミスタ素子への外部からのノイズ重畳を低減し、温度情報の差異を抑え、発振周波数が変動する事を防ぐ圧電デバイスの提供。
【解決手段】基板部１１０ａと、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部１１０ｂと、第１の枠部の一方の主面に設けられる第２の枠部１１０ｃとからなる素子搭載部材１１０と、第２の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッド１１２に搭載されているサーミスタ素子１４０と、第１の凹部空間内に露出した第１の枠部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッド１１１に搭載されている圧電振動素子１２０と、第１の凹部空間と第２の凹部空間を気密封止する蓋体１３０と、を備え、素子搭載部材１１０に圧電振動素子１２０とサーミスタ素子１４０とを搭載した状態で、平面視で圧電振動素子に設けられる励振用電極１２２の平面内にサーミスタ素子１４０を位置させて構成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化に対応し、サーミスタ素子接合時に、サーミスタ素子がサーミスタ素子搭載パッドから外れてしまう事を低減する圧電デバイスの提供。
【解決手段】基板部１１０ａと、第１の枠部１１０ｂと、第２の枠部１１０ｃとからなる素子搭載部材１１０と、第１の凹部空間Ｋ１内で圧電振動素子搭載パッド１１１に搭載される圧電振動素子１２０と、第２の凹部空間Ｋ２内に設けられた第１のサーミスタ素子搭載パッド１１２ａと、第２の枠部の他方主面に設けられた第２のサーミスタ素子搭載パッド１１２ｂと、第１及び第２のサーミスタ素子搭載パッドに、サーミスタ素子用接続電極が接続されたサーミスタ素子１４０と、第１の凹部空間を気密封止する蓋体１３０と、第２の枠部の他方の主面に２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とから構成される外部接続用電極端子Ｇと、を備えている圧電デバイス１００。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子として機能する水晶片と水晶片を用いる発振回路を少なくとも有するＩＣチップとを容器に収容して一体化し、ＩＣチップ内に複数の出力バッファを備える水晶発振器において、出力バッファのオン／オフ制御に伴う発振周波数の変動を抑制する。
【解決手段】ＩＣチップ２０において、発振回路２２は一対の水晶接続端子Ｘ１，Ｘ２を介して水晶振動子１０に接続し、また、発振回路２２の出力は出力バッファ３１，３２に供給される。オン／オフ制御が可能な出力バッファ３２の出力とは逆位相となる水晶接続端子Ｘ２から見て、その出力バッファ３２の出力端子が、オン／オフ制御がされない出力バッファ３１の出力端子よりも遠い位置に配置するようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検査などによるＸ線照射を受けても特性変化が小さく、一定の発振周波数を維持できる水晶発振器を提供する。
【解決手段】容器本体１と、容器本体１の一方の主面に形成された第１の凹部１ａ内に収容され金属カバー７によって第１の凹部１ａ内に密閉封入された水晶片２と、水晶片２を用いる発振回路を少なくとも含む電子回路を集積し容器本体１の他方の主面に形成された第２の凹部１ｂ内に収容されたＩＣチップ３と、によって水晶発振器を構成する。ＩＣチップ３の回路形成面が第２の凹部１ｂの底面に対向するようにして、フリップチップボンディングによりＩＣチップ３を第２の凹部１ｂの底面に固着する。ＩＣチップ３の回路形成面でない方の主面に、放射線保護膜１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 小型化を促進する表面実装型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電振動片２とＩＣチップ３と当該ＩＣチップと接続される電極パッドが形成された収納部を有する絶縁性のベース４とを備えており、前記圧電振動片は励振電極と接続電極と引出電極とが形成され、前記ＩＣチップは一方の主面に２列に配置された前記ベースと接続される複数の第１接続端子が形成され、他方の主面に前記第１接続端子と同じ列方向で前記圧電振動片と接続される少なくとも一対の第２接続端子が形成されており、前記ベースの収納部の電極パッドと前記ＩＣチップの第１接続端子とが金属バンプを介してフリップチップボンディング接合され、前記ＩＣチップの第２接続端子と前記圧電振動片の接続電極とが金属バンプを介してフリップチップボンディング接合されてなる。 （もっと読む）

【課題】周波数可変量を容易に調整可能な電圧制御型圧電発振器の提供。
【解決手段】電圧制御型水晶発振器１０は、水晶振動子Ｘ₁と、この水晶振動子Ｘ₁を発振させる発振回路などを含む半導体回路素子としてのＩＣチップ４０と、水晶振動子Ｘ₁に直列に接続されたインダクタンスＬ₁、を有している。インダクタンスＬ₁は、水晶振動子Ｘ₁及びＩＣチップ４０を収容する積層回路基板としてのパッケージの層間に設けられたインダクタ回路パターン、及び、そのインダクタ回路パターンの始端から終端の間に設けられた複数の第１引出端子から層内配線などによりパッケージの表面に引き出されたボンディングパッドａ〜ｄを用いている。ボンディングパッドｂ，ｃ，ｄのいずれかと、ＩＣチップ４０の電極パッド４５とがボンディングワイヤー３７により接続され、インダクタンスＬ₁の終端ａが水晶振動子Ｘ₁に接続される。 （もっと読む）