圧電振動デバイス
【課題】 省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、パッケージ２の一主面側に水晶振動素子４が搭載され、蓋３によって水晶振動素子４が封止され、パッケージ２の他主面側にはＩＣチップ５を収容する凹部２３が形成された構造となっている。ＩＣチップ５は、凹部２３の内底面２３０に、ＩＣチップ５の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材７を介して接合されており、ＩＣチップ５の他主面は能動面となっている。そして前記他主面の外部接続用電極パッド５１に形成された導電性部材６は水晶発振器１の外部接続端子となっている。
【解決手段】 水晶発振器１は、パッケージ２の一主面側に水晶振動素子４が搭載され、蓋３によって水晶振動素子４が封止され、パッケージ２の他主面側にはＩＣチップ５を収容する凹部２３が形成された構造となっている。ＩＣチップ５は、凹部２３の内底面２３０に、ＩＣチップ５の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材７を介して接合されており、ＩＣチップ５の他主面は能動面となっている。そして前記他主面の外部接続用電極パッド５１に形成された導電性部材６は水晶発振器１の外部接続端子となっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器等に用いられる表面実装型の水晶発振器等の圧電振動デバイスに関する。特に、本発明は圧電振動デバイスの小型化に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種情報機器や各種移動体通信機器において薄型および小型化が急速に進んでいる。このため、これらに用いられる水晶発振器などの圧電振動デバイスにも更なる小型化が要求されている。
【０００３】
小型化に対応した水晶発振器の例としては、例えば特許文献１に示す構成の水晶発振器がある。また、別の構成の従来例を図６に示す。図６において水晶発振器１は、セラミックからなる容器（パッケージ２）の上面に水晶振動素子４を収容する凹部２１と、パッケージ２の下面に発振回路用ＩＣ５を収容する凹部２３が設けられている。凹部２３の周縁は、ＩＣ５の厚み（高さ）よりも厚く（高く）形成された堤部２４となっており、堤部２４の下面には外部接続端子５１が形成されている。ＩＣ５は能動面が凹部２３の内底面２３０に対向するようにしてパッケージ２と金属バンプＢを介して接合されており、ＩＣ５の能動面の外部接続端子用の端子（図示省略）は内部接続導体Ｍを経由して外部接続端子５１と電気的に接続されている。また、ＩＣ５の能動面の圧電振動素子との接続端子（図示省略）も同様に内部接続導体Ｍを経由して水晶振動素子４と電気的に接続されている。ここで内部接続導体Ｍを堤部２４の内部に形成するためには堤部２４の幅をある程度確保しておく必要がある。しかしながら圧電振動デバイスが超小型化（例えば平面視矩形状の水晶発振器の外形寸法が２．０ｍｍ×１．６ｍｍ以下）になってくると、前記堤部の幅を確保することが困難になってくる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１４６９６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、圧電振動デバイスのパッケージの一主面側に圧電振動素子が配され、蓋によって前記圧電振動素子が封止されるとともに、前記パッケージの他主面側に電子部品素子を収容する凹部が形成され、当該凹部の内底面に前記電子部品素子の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材を介して接合された圧電振動デバイスであって、前記電子部品素子の他主面が能動面であり、前記他主面の接続端子に形成された導電性部材を前記圧電振動デバイスの外部接続端子としている。
【０００７】
上記構成によれば圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。これを水晶発振器を例に挙げて従来構造と対比して説明する。従来構造の水晶発振器は、水晶発振器のパッケージに形成された凹部に電子部品素子（ＩＣチップ等）の一主面上に形成された電極パッドが金ワイヤ等によって、パッケージの前記凹部を包囲する環状の堤部分（以下、堤部と記載）に形成された内部接続導体を経由してパッケージ下面の外部接続端子へ導出されている構造であった。
【０００８】
これに対して本発明の構造であれば、電子部品素子の能動面（回路パターンや配線が形成された一主面）側の接続端子に形成された導電性部材を圧電振動デバイスの外部接続端子として使用する。したがってパッケージ側に外部接続端子を形成する必要が無くなる。つまり前記堤部への外部接続端子の形成が不要となるため、前記堤部への内部接続導体の形成も不要となる。これにより前記堤部の幅を従来よりも狭くできるため圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。なお前記電子部品素子は例えば圧電振動素子とともに圧電発振回路を構成するＩＣチップであったり、あるいは当該圧電発振回路に付加して、温度補償回路あるいは電圧制御回路等の付加回路を構成してもよい。
【０００９】
本発明において前記導電性部材として、導電性材料からなる球状体（例えば半田ボール）や角柱状の導体（導体ブロック）や、スタッドバンプ、メッキバンプ、導電性接着材の硬化物等が用いられる。これら以外にも、セラミックや樹脂等で構成されるコア部材の表面を導電性材料で被覆したものを用いてもよい。この場合、導電性材料として金属メッキやペースト状導体等が採用可能である。
【００１０】
また上記構成によれば、電子部品素子は前記凹部の内底面に電子部品素子の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材を介して接合されている。これにより前記樹脂材は外部応力の緩衝材として機能する。具体的には、電子部品素子は樹脂材を介してパッケージに接合されるため、圧電振動デバイスの外部接続端子が外部基板（ユーザー使用基板）に接合された際に生じる応力のパッケージへの伝播を緩和することができる。パッケージを介した圧電振動素子への応力伝播を緩和することができるため、安定した特性の圧電振動デバイスを得ることができる。
【００１１】
さらに上記目的を達成するために、前記凹部に絶縁性樹脂が充填されていてもよい。上記構成によれば、凹部内に収容された電子部品素子を安定して保持することができる。具体的には前述の堤部の側壁によって絶縁性樹脂を保持することができるため、当該絶縁性樹脂と接する電子部品素子を安定して保持することができる。前記絶縁性樹脂は必ずしも前記凹部の空間全体に充填する必要はなく、例えばＩＣの側面の一部に接する程度の深さで充填してもよい。なお、前記凹部に電子部品素子全体と導電性部材の一部とが被覆されるように絶縁性樹脂が充填されていれば、電子部品素子はより確実に保持されるとともに、導電性部材の一部分は絶縁性樹脂によって保持されるので好適である。また、電子部品素子としてＩＣを用いた場合、ＩＣの電極パッドとパッケージに形成された電極パッドとを金ワイヤ等によって接続する方法があるが、金属ワイヤ等の保護の点から、金属ワイヤ等を被覆する深さまで絶縁性樹脂を充填するのが望ましい。具体的にはパッケージ下面から前記凹部の内底面の方向に僅かに窪む程度の充填が好ましい。
【００１２】
さらに上記目的を達成するために、前記凹部は前記電子部品素子の厚みよりも深く形成されているとともに、前記導電性部材の一部が、前記圧電振動デバイスの下面よりも下側に突出してもよい。上記構造であれば、電子部品素子が凹部の内底面に接合された状態において、電子部品素子は凹部から外側（パッケージ下面から外側）に突出することが無く、かつ前記導電性部材の一部だけが前記凹部から外側に突出した状態にすることができる。これにより、導電性部材によって圧電振動デバイスと外部基板（ユーザー使用基板）との接続強度を十分に確保できるとともに、導電性部材の一部分だけがパッケージから突出した状態であるため、平坦なパッケージ下面に導電性部材を接合した構造の圧電振動デバイスよりも低背化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明によれば、省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供するこができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る水晶発振器の断面図である。
【図２】図１の底面から見た平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る水晶発振器の断面図である。
【図４】図３の底面から見た平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の変形例に係る水晶発振器の断面図である。
【図６】従来の水晶発振器の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本発明の第１乃至２の実施形態において、表面実装型の水晶発振器に本発明を適用した例について説明する。なお本発明の第１乃至２の実施形態において電子部品素子としてＩＣチップが用いられている。
【００１６】
−第１の実施形態−
図１は本発明の第１の実施形態に係る水晶発振器の断面図であり、図２は図１において水晶発振器の底面側から見た平面図となっている。なお図２においては説明のため絶縁性樹脂で覆われたＩＣチップの位置を破線で示している。
【００１７】
本発明の実施形態において水晶発振器１は、パッケージ２の上面（一主面）２００に接合された水晶振動素子４と、外部基板（ユーザー使用基板）と正対する主面（他主面。後述するパッケージ下面２２０と同じ）に電子部品素子を収容する凹部２３を備えたパッケージ２と、パッケージ２の凹部２３に収容されるＩＣチップ５と、ＩＣチップ５の能動面５０に形成された導電性部材６と、水晶振動素子４を覆い気密に封止する蓋３とが、主要構成部材となっている。
【００１８】
図２においてパッケージ２は、平面視矩形状でアルミナ等のセラミックスからなる絶縁性の容器である。本実施形態ではパッケージ２はアルミナの焼成によって成形されており、パッケージ２の前記他主面（パッケージ２の下面２２０）側に凹部２３を有する構造となっている。パッケージ２の上面２００の縁部には全周囲に亘ってタングステン、ニッケル等からなる金属層（図示省略）がメタライズ技術、メッキ技術を用いて形成されている。なお、この金属層に代えてコバール材等の金属リングを用いてもよい。パッケージ２の上面２００の一端側には、水晶振動素子４を電気的かつ機械的に接合するための圧電振動素子用電極パッド１０，１０が一対で並列形成されている。前記圧電振動素子用電極パッド１０は、周知のセラミック積層技術を用いて形成された内部接続導体Ｍを経由して、凹部２３の内底面２３０に形成される電極（図示省略）と電気的に接続されている。
【００１９】
図１において水晶振動素子４は、ＡＴカット水晶振動板の表裏面に水晶振動板を駆動させるための一対の励振電極（図示省略）が形成されたものであり、それぞれ圧電振動素子用電極パッド１０，１０に導電性接着材９によって接続されるよう水晶振動板の一端部に導出されている。そして図１に示すように水晶振動素子４の一端側が圧電振動素子用電極パッド１０上に導電性接着材９を介して片持ち支持されている。
【００２０】
水晶振動素子４は、接合材８を介して金属からなる蓋３によって気密に接合される（図２参照）。蓋３は周縁に環状の厚肉部３０を有する金属製の蓋であり、厚肉部３０の上面全体には、前述のパッケージ２の上面２００の周縁に形成された金属層に対応してニッケル等からなる金属層が形成されている。なお、蓋３は金属板以外にセラミック板等でもよい。パッケージ２と蓋３は、不活性ガス雰囲気中あるいは減圧雰囲気中で前記パッケージ２の蒸着面２００の周縁の金属層と、蓋３の厚肉部３０の金属層とを溶融させることにより気密に接合される。接合方法は蓋３が金属板の場合、周知のシーム溶接、レーザー溶接、電子ビーム溶接等を用いることができる。また、蓋３がセラミック板の場合にはガラス封止や樹脂封止または金属ロウ材封止による接合方法が採用される。
【００２１】
一方、図１に示すようにパッケージ２の凹部２３にはＩＣチップ５が収容されている。ＩＣチップ５の一主面５０１は樹脂材７によって凹部２３の内底面２３０に接合されている。ここで樹脂材７として例えばエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂ウレタン系樹脂等が使用可能である。またＩＣチップ５の他主面５０２には回路素子（図示省略）が形成されており他主面５０２はＩＣチップ５の能動面５０となっている。ＩＣチップ５の他主面５０２には、外部接続端子用の電極パッド５１（以下、外部接続用電極パッドと記載）と圧電振動素子との接続用端子（図示省略。以下、水晶振動素子接続用端子と記載）が形成されている。前記水晶振動素子接続用端子はＩＣチップ５を厚み方向に貫く貫通電極５２と電気的に接続されている。貫通電極５２の凹部２３の内底面２３０側の端部（以下、上端と略）は、前記内底面２３０に形成された電極パッド（図示省略）と接続されており、内部接続導体Ｍを経由して圧電振動素子用電極パッド１０と電気的につながっている。
【００２２】
図２においてＩＣチップ５は、能動面５０が凹部２３の開口部２２に向くようにして、凹部２３の内底面２３０に絶縁性の樹脂材７によって接合されている。具体的には、凹部２３の内底面２３０に形成された前述の図示しない電極パッドと、貫通電極５２の上端との微小な接合領域だけは導通確保のために導電性の樹脂材（図示省略）によって接合されているが、それ以外のＩＣチップ５の他主面５０２の領域は絶縁性の樹脂材７で接合されている。つまりＩＣチップ５の他主面５０２の一部の領域（他主面５０２の大部分の領域のことを指す）は絶縁性の樹脂材７で前記他主面５０２と接合されている。これにより前記樹脂材７は外部応力の緩衝材として機能する。具体的には、ＩＣチップ５は樹脂材７を介してパッケージ２に接合されるため、水晶発振器１の外部接続端子（導電性部材６）が外部基板（ユーザー使用基板）に接合された際に生じる応力のパッケージ２への伝播を緩和することができる。パッケージを介した圧電振動素子への応力伝播を緩和することができるため、安定した特性の水晶発振器を得ることができる。
【００２３】
外部接続用電極パッド５１には導電性部材６が導電接合されており、この導電性部材６が水晶発振器１の外部接続端子となっている。前記外部接続端子の具体的構成としてＢＧＡ（Ball Grid Alley）技術による導電性部材を使用している。本実施形態では半田材料によって構成される半田ボールを使用しているが、半田ボールに代えてその他の導体ボール（導電性を有する材料より成る球状体）を採用することも可能である（例えば金ボール）。この種の導電性部材は外部接続端子の形成スペースが比較的狭い場合であってもパッケージに対する接続強度を十分に確保できる。
【００２４】
導電性部材６はその一部が、凹部２３から外側、つまりパッケージ２の下面２２０よりも下側に突出している。上記構造であれば、ＩＣチップ５が凹部２３の内底面２３０に接合された状態において、ＩＣチップ５は凹部２３から外側（パッケージ２の下面２２０から外側）に突出することが無く、かつ導電性部材６の一部だけが凹部２３から外側に突出した状態にすることができる。これにより、導電性部材６によって水晶発振器１と外部基板（ユーザー使用基板）との接続強度を十分に確保できるとともに、導電性部材６の一部分だけがパッケージ２から突出した状態であるため、平坦なパッケージ下面に導電性部材を接合した構造の水晶発振器よりも低背化を図ることができる。
【００２５】
また、前述の凹部２３には絶縁性の樹脂Ｒが充填されている。本実施形態では絶縁性樹脂Ｒとしてエポキシ系樹脂を使用しているが、エポキシ系樹脂以外にシリコン系樹脂やウレタン系樹脂も使用可能である。なお、前述の樹脂材７と絶縁性樹脂Ｒ（貫通電極５２の上端の微小な接合領域を含む）に同種の樹脂を用いることにより、樹脂の熱膨張係数差が無くなるため好適である。
【００２６】
絶縁性樹脂ＲはＩＣチップ５全体を覆うように凹部２３内に充填されており、導電性部材６の一部も絶縁性樹脂Ｒによって覆われている。絶縁性樹脂Ｒの充填深さはパッケージ２の下面２２０から外側に突出しない深さとなっている。上記構成によれば、凹部２３に収容されたＩＣチップ５を安定して保持することができる。具体的には堤部２４の側壁によって絶縁性樹脂Ｒを保持することができるため、絶縁性樹脂Ｒと接するＩＣチップ５を安定して保持することができる。絶縁性樹脂Ｒは必ずしも凹部２３の空間全体に充填する必要はなく、例えばＩＣチップ５の側面の一部に接する程度の深さで充填してもよい。なお、凹部２３にＩＣチップ５の全体と導電性部材６の一部とが被覆されるように絶縁性樹脂Ｒが充填されていれば、ＩＣチップ５はより確実に保持されるとともに、導電性部材６の一部分は絶縁性樹脂Ｒによって保持されるので好適である。具体的には図１に示すようにパッケージ２の下面２２０から凹部２３の内底面２３０の方向に僅かに窪む程度の充填が好ましい。
【００２７】
上記構成によれば、ＩＣチップ５は凹部２３の内底面２３０にＩＣチップ５の一主面５０１の一部の領域が樹脂材７を介して接合され、ＩＣチップ５の他主面５０２が能動面５０となっており、他主面５０２に形成された外部接続用電極パッド５１に導電性部材６が導電接合されて水晶発振器１の外部接続端子として機能している。このような構成によって、圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。これを水晶発振器を例に挙げると、従来構造の水晶発振器は水晶発振器のパッケージに形成された凹部に電子部品素子（ＩＣチップ等）の一主面上に形成された電極パッドが金ワイヤ等によって、パッケージの前記凹部を包囲する環状の堤部分に形成された内部接続導体を経由してパッケージ下面の外部接続端子へ導出されている構造であった。これに対して本発明の構造であれば、電子部品素子の能動面側の接続端子に形成された導電性部材を圧電振動デバイスの外部接続端子として使用している。したがってパッケージ側に外部接続端子を形成する必要が無くなる。つまり前記堤部分への外部接続端子の形成が不要となるため、前記堤部分への内部接続導体の形成も不要となる。これにより前記堤部分の幅を従来よりも狭くできるため圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。
【００２８】
−第２の実施形態−
図３は本発明の第２の実施形態に係る水晶発振器の断面図であり、図４は図３において水晶発振器の底面側から見た平面図となっている。なお図３乃至４においては説明のため絶縁性樹脂で覆われたＩＣチップの位置および金線（後述）を破線で示している。本発明の第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の構成については同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、前述の実施形態と同様の効果を有する。以下、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００２９】
本発明の第２の実施形態におけるパッケージ２は第１の実施形態の変形例と同様に、絶縁基材を挟んで上下に２つの凹部（上凹部２１と下凹部２３）を有しているが下凹部２３の一端側に段部２５が形成されている。段部２５の表面には電極パッド２６（図４では図示省略）が形成されており、電極パッド２６は内部接続導体Ｍを経由して圧電振動素子用電極パッド１０と電気的に接続されている。
【００３０】
本実施形態においてＩＣチップ５は第１の実施形態と同様に、能動面５０が下凹部２３の開口部２２に向くようにして、下凹部２３の内底面２３０に樹脂材７によって接合されている。なお、本実施形態では樹脂材７は導電性あるいは絶縁性いずれの樹脂材を使用してもよい。これは本実施形態においてはＩＣチップ５の水晶振動素子４との接続用端子と圧電振動素子用電極パッド１０との電気的接続は、金線および内部接続導体を介して行うため、ＩＣチップ５に貫通電極は形成されておらず、ＩＣチップ５の一主面５０１上にまで水晶振動素子４との接続用端子から端子は導出されていないためである。つまり、樹脂材７がＩＣチップ５の一主面５０１上の全領域に介在した状態で、ＩＣチップ５が下凹部２３の内底面２３０に接合されている。これにより、樹脂材７は外部応力の緩衝材として機能する。具体的には、ＩＣチップ５は樹脂材７を介してパッケージ２に接合されるため、水晶発振器１の外部接続端子（導電性部材６）が外部基板に接合された際に生じる応力のパッケージ２への伝播を緩和することができる。パッケージを介した圧電振動素子への応力伝播を緩和することができるため、安定した特性の水晶発振器を得ることができる。
【００３１】
ＩＣチップ５の能動面５０の周縁には、外部接続用電極パッド５１と圧電振動素子との接続用端子（図示省略）が形成されている。具体的には図４において、４個の導電性部材６，６，６，６の下方に４つの外部接続用電極パッド５１，５１，５１，５１が形成されており、平面視矩形の凹部２３の短辺方向に並列した外部接続用電極パッド５１，５１の間に２つの圧電振動素子との接続用端子が形成されている（図示省略）。前記圧電振動素子との接続用端子は前述の電極パッド２６（図示省略）と金線を用いたワイヤボンディング法によって電気的に接続されている（ワイヤは図３乃至５においてＷの記号で点線にて表示）。なお金線以外にアルミ線も使用可能である。
【００３２】
図３乃至４に示すように下凹部２３には絶縁性樹脂Ｒが充填されている。本実施形態においても絶縁性樹脂Ｒとしてエポキシ系樹脂が使用される。絶縁性樹脂ＲはＩＣチップ５全体を被覆するとともに、段部２５上の電極パッド２６およびワイヤＷ全体と導電性部材６の一部を被覆するように充填されている。絶縁性樹脂Ｒの充填深さはパッケージ２の下面２２０から外側に突出しない深さとなっている。
【００３３】
前述の構成によれば、下凹部２３に収容されたＩＣチップ５を安定して保持することができ、同時にワイヤＷ全体も保護することができる。具体的には堤部２４の側壁によって絶縁性樹脂Ｒを保持することができるため、絶縁性樹脂Ｒと接するＩＣチップ５を安定して保持することができる。絶縁性樹脂Ｒは必ずしも下凹部２３の空間全体に充填する必要はなく、例えばＩＣチップ５の側面の一部に接する程度の深さで充填してもよい。なお、下凹部２３にＩＣチップ５の全体と導電性部材６の一部とが被覆されるように絶縁性樹脂Ｒが充填されていれば、ＩＣチップ５はより確実に保持されるとともに、導電性部材６の一部分は絶縁性樹脂Ｒによって保持されるので好適である。また、本実施形態のようにＩＣの電極パッドとパッケージに形成された電極パッドとを金ワイヤ等によって接続する方法があるが、金属ワイヤ等の保護の点から、金属ワイヤ等を被覆する深さまで絶縁性樹脂を充填するのが望ましい。
【００３４】
導電性部材６はその一部が、下凹部２３から外側、つまりパッケージ２の下面２２０よりも下側に突出している。このような構造であれば、ＩＣチップ５が凹部２３の内底面２３０に接合された状態において、ＩＣチップ５は凹部２３から外側（パッケージ２の下面２２０から外側）に突出することが無く、かつ導電性部材６の一部だけが凹部２３から外側に突出した状態にすることができる。これにより、導電性部材６によって水晶発振器１と外部基板との接続強度を十分に確保できるとともに、導電性部材６の一部分だけがパッケージ２から突出した状態であるため、平坦なパッケージ下面に導電性部材を接合した構造の水晶発振器よりも低背化を図ることができる。
【００３５】
さらに、本実施形態によればＩＣチップ５は下凹部２３の内底面２３０にＩＣチップ５の一主面５０１の全領域が樹脂材７を介して接合され、ＩＣチップ５の他主面５０２が能動面５０となっており、他主面５０２に形成された外部接続用電極パッド５１に導電性部材６が導電接合されて水晶発振器１の外部接続端子として機能している。このような構成によって、圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。つまり上記構成であれば、電子部品素子の能動面側の接続端子に形成された導電性部材を圧電振動デバイスの外部接続端子として使用している。したがってパッケージ側に外部接続端子を形成する必要が無くなる。つまり前記堤部分への外部接続端子の形成が不要となるため、前記堤部分への内部接続導体の形成も不要となる。これにより前記堤部分の幅を従来よりも狭くできるため圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。
【００３６】
本発明の第２の実施形態の変形例として図５に示すように、パッケージ２に段部２５を形成せず、ＩＣチップ５の水晶振動素子接続用端子と圧電振動素子用電極パッド１０との電気的接続を貫通電極５２を介して行う構成であってもよい。
【００３７】
本発明は電子部品素子を収容する凹部を備えたパッケージの圧電振動デバイスに適用可能であるが、第１乃至２の実施形態の構造の圧電振動デバイスに限定されるものではなく、例えば電子部品素子を収容する凹部を有するパッケージであって、前記凹部が形成されていない側の主面上に、圧電振動子（パッケージ内に圧電振動素子を接合して蓋で気密封止したもの）の筐体を電気機械的に接合した構造のものにも本発明は適用可能である。また、本発明で使用されるパッケージ（容器体）の材料として、第１乃至２の実施形態ではセラミックスが用いられているが、これに限定されるものではなく、セラミックス以外にガラスや水晶、シリコン等の材料を使用することも可能である。
【００３８】
本発明は、水晶に限らず、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した圧電振動素子を備えた圧電振動デバイスへの適用も可能である。
【００３９】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
圧電振動デバイスの量産に適用できる。
【符号の説明】
【００４１】
１ 水晶発振器
１０ 圧電振動素子用電極パッド
２ パッケージ
２１ 上凹部
２３ 下凹部
２３０ 内底面（下凹部）
２４ 堤部
３ 蓋
４ 水晶振動素子
５ ＩＣチップ
５０ 能動面
５１ 外部接続用電極パッド
５２ 貫通電極
６ 導電性部材
７ 樹脂材
Ｒ 絶縁性樹脂
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器等に用いられる表面実装型の水晶発振器等の圧電振動デバイスに関する。特に、本発明は圧電振動デバイスの小型化に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種情報機器や各種移動体通信機器において薄型および小型化が急速に進んでいる。このため、これらに用いられる水晶発振器などの圧電振動デバイスにも更なる小型化が要求されている。
【０００３】
小型化に対応した水晶発振器の例としては、例えば特許文献１に示す構成の水晶発振器がある。また、別の構成の従来例を図６に示す。図６において水晶発振器１は、セラミックからなる容器（パッケージ２）の上面に水晶振動素子４を収容する凹部２１と、パッケージ２の下面に発振回路用ＩＣ５を収容する凹部２３が設けられている。凹部２３の周縁は、ＩＣ５の厚み（高さ）よりも厚く（高く）形成された堤部２４となっており、堤部２４の下面には外部接続端子５１が形成されている。ＩＣ５は能動面が凹部２３の内底面２３０に対向するようにしてパッケージ２と金属バンプＢを介して接合されており、ＩＣ５の能動面の外部接続端子用の端子（図示省略）は内部接続導体Ｍを経由して外部接続端子５１と電気的に接続されている。また、ＩＣ５の能動面の圧電振動素子との接続端子（図示省略）も同様に内部接続導体Ｍを経由して水晶振動素子４と電気的に接続されている。ここで内部接続導体Ｍを堤部２４の内部に形成するためには堤部２４の幅をある程度確保しておく必要がある。しかしながら圧電振動デバイスが超小型化（例えば平面視矩形状の水晶発振器の外形寸法が２．０ｍｍ×１．６ｍｍ以下）になってくると、前記堤部の幅を確保することが困難になってくる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１４６９６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、圧電振動デバイスのパッケージの一主面側に圧電振動素子が配され、蓋によって前記圧電振動素子が封止されるとともに、前記パッケージの他主面側に電子部品素子を収容する凹部が形成され、当該凹部の内底面に前記電子部品素子の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材を介して接合された圧電振動デバイスであって、前記電子部品素子の他主面が能動面であり、前記他主面の接続端子に形成された導電性部材を前記圧電振動デバイスの外部接続端子としている。
【０００７】
上記構成によれば圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。これを水晶発振器を例に挙げて従来構造と対比して説明する。従来構造の水晶発振器は、水晶発振器のパッケージに形成された凹部に電子部品素子（ＩＣチップ等）の一主面上に形成された電極パッドが金ワイヤ等によって、パッケージの前記凹部を包囲する環状の堤部分（以下、堤部と記載）に形成された内部接続導体を経由してパッケージ下面の外部接続端子へ導出されている構造であった。
【０００８】
これに対して本発明の構造であれば、電子部品素子の能動面（回路パターンや配線が形成された一主面）側の接続端子に形成された導電性部材を圧電振動デバイスの外部接続端子として使用する。したがってパッケージ側に外部接続端子を形成する必要が無くなる。つまり前記堤部への外部接続端子の形成が不要となるため、前記堤部への内部接続導体の形成も不要となる。これにより前記堤部の幅を従来よりも狭くできるため圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。なお前記電子部品素子は例えば圧電振動素子とともに圧電発振回路を構成するＩＣチップであったり、あるいは当該圧電発振回路に付加して、温度補償回路あるいは電圧制御回路等の付加回路を構成してもよい。
【０００９】
本発明において前記導電性部材として、導電性材料からなる球状体（例えば半田ボール）や角柱状の導体（導体ブロック）や、スタッドバンプ、メッキバンプ、導電性接着材の硬化物等が用いられる。これら以外にも、セラミックや樹脂等で構成されるコア部材の表面を導電性材料で被覆したものを用いてもよい。この場合、導電性材料として金属メッキやペースト状導体等が採用可能である。
【００１０】
また上記構成によれば、電子部品素子は前記凹部の内底面に電子部品素子の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材を介して接合されている。これにより前記樹脂材は外部応力の緩衝材として機能する。具体的には、電子部品素子は樹脂材を介してパッケージに接合されるため、圧電振動デバイスの外部接続端子が外部基板（ユーザー使用基板）に接合された際に生じる応力のパッケージへの伝播を緩和することができる。パッケージを介した圧電振動素子への応力伝播を緩和することができるため、安定した特性の圧電振動デバイスを得ることができる。
【００１１】
さらに上記目的を達成するために、前記凹部に絶縁性樹脂が充填されていてもよい。上記構成によれば、凹部内に収容された電子部品素子を安定して保持することができる。具体的には前述の堤部の側壁によって絶縁性樹脂を保持することができるため、当該絶縁性樹脂と接する電子部品素子を安定して保持することができる。前記絶縁性樹脂は必ずしも前記凹部の空間全体に充填する必要はなく、例えばＩＣの側面の一部に接する程度の深さで充填してもよい。なお、前記凹部に電子部品素子全体と導電性部材の一部とが被覆されるように絶縁性樹脂が充填されていれば、電子部品素子はより確実に保持されるとともに、導電性部材の一部分は絶縁性樹脂によって保持されるので好適である。また、電子部品素子としてＩＣを用いた場合、ＩＣの電極パッドとパッケージに形成された電極パッドとを金ワイヤ等によって接続する方法があるが、金属ワイヤ等の保護の点から、金属ワイヤ等を被覆する深さまで絶縁性樹脂を充填するのが望ましい。具体的にはパッケージ下面から前記凹部の内底面の方向に僅かに窪む程度の充填が好ましい。
【００１２】
さらに上記目的を達成するために、前記凹部は前記電子部品素子の厚みよりも深く形成されているとともに、前記導電性部材の一部が、前記圧電振動デバイスの下面よりも下側に突出してもよい。上記構造であれば、電子部品素子が凹部の内底面に接合された状態において、電子部品素子は凹部から外側（パッケージ下面から外側）に突出することが無く、かつ前記導電性部材の一部だけが前記凹部から外側に突出した状態にすることができる。これにより、導電性部材によって圧電振動デバイスと外部基板（ユーザー使用基板）との接続強度を十分に確保できるとともに、導電性部材の一部分だけがパッケージから突出した状態であるため、平坦なパッケージ下面に導電性部材を接合した構造の圧電振動デバイスよりも低背化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明によれば、省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供するこができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る水晶発振器の断面図である。
【図２】図１の底面から見た平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る水晶発振器の断面図である。
【図４】図３の底面から見た平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の変形例に係る水晶発振器の断面図である。
【図６】従来の水晶発振器の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本発明の第１乃至２の実施形態において、表面実装型の水晶発振器に本発明を適用した例について説明する。なお本発明の第１乃至２の実施形態において電子部品素子としてＩＣチップが用いられている。
【００１６】
−第１の実施形態−
図１は本発明の第１の実施形態に係る水晶発振器の断面図であり、図２は図１において水晶発振器の底面側から見た平面図となっている。なお図２においては説明のため絶縁性樹脂で覆われたＩＣチップの位置を破線で示している。
【００１７】
本発明の実施形態において水晶発振器１は、パッケージ２の上面（一主面）２００に接合された水晶振動素子４と、外部基板（ユーザー使用基板）と正対する主面（他主面。後述するパッケージ下面２２０と同じ）に電子部品素子を収容する凹部２３を備えたパッケージ２と、パッケージ２の凹部２３に収容されるＩＣチップ５と、ＩＣチップ５の能動面５０に形成された導電性部材６と、水晶振動素子４を覆い気密に封止する蓋３とが、主要構成部材となっている。
【００１８】
図２においてパッケージ２は、平面視矩形状でアルミナ等のセラミックスからなる絶縁性の容器である。本実施形態ではパッケージ２はアルミナの焼成によって成形されており、パッケージ２の前記他主面（パッケージ２の下面２２０）側に凹部２３を有する構造となっている。パッケージ２の上面２００の縁部には全周囲に亘ってタングステン、ニッケル等からなる金属層（図示省略）がメタライズ技術、メッキ技術を用いて形成されている。なお、この金属層に代えてコバール材等の金属リングを用いてもよい。パッケージ２の上面２００の一端側には、水晶振動素子４を電気的かつ機械的に接合するための圧電振動素子用電極パッド１０，１０が一対で並列形成されている。前記圧電振動素子用電極パッド１０は、周知のセラミック積層技術を用いて形成された内部接続導体Ｍを経由して、凹部２３の内底面２３０に形成される電極（図示省略）と電気的に接続されている。
【００１９】
図１において水晶振動素子４は、ＡＴカット水晶振動板の表裏面に水晶振動板を駆動させるための一対の励振電極（図示省略）が形成されたものであり、それぞれ圧電振動素子用電極パッド１０，１０に導電性接着材９によって接続されるよう水晶振動板の一端部に導出されている。そして図１に示すように水晶振動素子４の一端側が圧電振動素子用電極パッド１０上に導電性接着材９を介して片持ち支持されている。
【００２０】
水晶振動素子４は、接合材８を介して金属からなる蓋３によって気密に接合される（図２参照）。蓋３は周縁に環状の厚肉部３０を有する金属製の蓋であり、厚肉部３０の上面全体には、前述のパッケージ２の上面２００の周縁に形成された金属層に対応してニッケル等からなる金属層が形成されている。なお、蓋３は金属板以外にセラミック板等でもよい。パッケージ２と蓋３は、不活性ガス雰囲気中あるいは減圧雰囲気中で前記パッケージ２の蒸着面２００の周縁の金属層と、蓋３の厚肉部３０の金属層とを溶融させることにより気密に接合される。接合方法は蓋３が金属板の場合、周知のシーム溶接、レーザー溶接、電子ビーム溶接等を用いることができる。また、蓋３がセラミック板の場合にはガラス封止や樹脂封止または金属ロウ材封止による接合方法が採用される。
【００２１】
一方、図１に示すようにパッケージ２の凹部２３にはＩＣチップ５が収容されている。ＩＣチップ５の一主面５０１は樹脂材７によって凹部２３の内底面２３０に接合されている。ここで樹脂材７として例えばエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂ウレタン系樹脂等が使用可能である。またＩＣチップ５の他主面５０２には回路素子（図示省略）が形成されており他主面５０２はＩＣチップ５の能動面５０となっている。ＩＣチップ５の他主面５０２には、外部接続端子用の電極パッド５１（以下、外部接続用電極パッドと記載）と圧電振動素子との接続用端子（図示省略。以下、水晶振動素子接続用端子と記載）が形成されている。前記水晶振動素子接続用端子はＩＣチップ５を厚み方向に貫く貫通電極５２と電気的に接続されている。貫通電極５２の凹部２３の内底面２３０側の端部（以下、上端と略）は、前記内底面２３０に形成された電極パッド（図示省略）と接続されており、内部接続導体Ｍを経由して圧電振動素子用電極パッド１０と電気的につながっている。
【００２２】
図２においてＩＣチップ５は、能動面５０が凹部２３の開口部２２に向くようにして、凹部２３の内底面２３０に絶縁性の樹脂材７によって接合されている。具体的には、凹部２３の内底面２３０に形成された前述の図示しない電極パッドと、貫通電極５２の上端との微小な接合領域だけは導通確保のために導電性の樹脂材（図示省略）によって接合されているが、それ以外のＩＣチップ５の他主面５０２の領域は絶縁性の樹脂材７で接合されている。つまりＩＣチップ５の他主面５０２の一部の領域（他主面５０２の大部分の領域のことを指す）は絶縁性の樹脂材７で前記他主面５０２と接合されている。これにより前記樹脂材７は外部応力の緩衝材として機能する。具体的には、ＩＣチップ５は樹脂材７を介してパッケージ２に接合されるため、水晶発振器１の外部接続端子（導電性部材６）が外部基板（ユーザー使用基板）に接合された際に生じる応力のパッケージ２への伝播を緩和することができる。パッケージを介した圧電振動素子への応力伝播を緩和することができるため、安定した特性の水晶発振器を得ることができる。
【００２３】
外部接続用電極パッド５１には導電性部材６が導電接合されており、この導電性部材６が水晶発振器１の外部接続端子となっている。前記外部接続端子の具体的構成としてＢＧＡ（Ball Grid Alley）技術による導電性部材を使用している。本実施形態では半田材料によって構成される半田ボールを使用しているが、半田ボールに代えてその他の導体ボール（導電性を有する材料より成る球状体）を採用することも可能である（例えば金ボール）。この種の導電性部材は外部接続端子の形成スペースが比較的狭い場合であってもパッケージに対する接続強度を十分に確保できる。
【００２４】
導電性部材６はその一部が、凹部２３から外側、つまりパッケージ２の下面２２０よりも下側に突出している。上記構造であれば、ＩＣチップ５が凹部２３の内底面２３０に接合された状態において、ＩＣチップ５は凹部２３から外側（パッケージ２の下面２２０から外側）に突出することが無く、かつ導電性部材６の一部だけが凹部２３から外側に突出した状態にすることができる。これにより、導電性部材６によって水晶発振器１と外部基板（ユーザー使用基板）との接続強度を十分に確保できるとともに、導電性部材６の一部分だけがパッケージ２から突出した状態であるため、平坦なパッケージ下面に導電性部材を接合した構造の水晶発振器よりも低背化を図ることができる。
【００２５】
また、前述の凹部２３には絶縁性の樹脂Ｒが充填されている。本実施形態では絶縁性樹脂Ｒとしてエポキシ系樹脂を使用しているが、エポキシ系樹脂以外にシリコン系樹脂やウレタン系樹脂も使用可能である。なお、前述の樹脂材７と絶縁性樹脂Ｒ（貫通電極５２の上端の微小な接合領域を含む）に同種の樹脂を用いることにより、樹脂の熱膨張係数差が無くなるため好適である。
【００２６】
絶縁性樹脂ＲはＩＣチップ５全体を覆うように凹部２３内に充填されており、導電性部材６の一部も絶縁性樹脂Ｒによって覆われている。絶縁性樹脂Ｒの充填深さはパッケージ２の下面２２０から外側に突出しない深さとなっている。上記構成によれば、凹部２３に収容されたＩＣチップ５を安定して保持することができる。具体的には堤部２４の側壁によって絶縁性樹脂Ｒを保持することができるため、絶縁性樹脂Ｒと接するＩＣチップ５を安定して保持することができる。絶縁性樹脂Ｒは必ずしも凹部２３の空間全体に充填する必要はなく、例えばＩＣチップ５の側面の一部に接する程度の深さで充填してもよい。なお、凹部２３にＩＣチップ５の全体と導電性部材６の一部とが被覆されるように絶縁性樹脂Ｒが充填されていれば、ＩＣチップ５はより確実に保持されるとともに、導電性部材６の一部分は絶縁性樹脂Ｒによって保持されるので好適である。具体的には図１に示すようにパッケージ２の下面２２０から凹部２３の内底面２３０の方向に僅かに窪む程度の充填が好ましい。
【００２７】
上記構成によれば、ＩＣチップ５は凹部２３の内底面２３０にＩＣチップ５の一主面５０１の一部の領域が樹脂材７を介して接合され、ＩＣチップ５の他主面５０２が能動面５０となっており、他主面５０２に形成された外部接続用電極パッド５１に導電性部材６が導電接合されて水晶発振器１の外部接続端子として機能している。このような構成によって、圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。これを水晶発振器を例に挙げると、従来構造の水晶発振器は水晶発振器のパッケージに形成された凹部に電子部品素子（ＩＣチップ等）の一主面上に形成された電極パッドが金ワイヤ等によって、パッケージの前記凹部を包囲する環状の堤部分に形成された内部接続導体を経由してパッケージ下面の外部接続端子へ導出されている構造であった。これに対して本発明の構造であれば、電子部品素子の能動面側の接続端子に形成された導電性部材を圧電振動デバイスの外部接続端子として使用している。したがってパッケージ側に外部接続端子を形成する必要が無くなる。つまり前記堤部分への外部接続端子の形成が不要となるため、前記堤部分への内部接続導体の形成も不要となる。これにより前記堤部分の幅を従来よりも狭くできるため圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。
【００２８】
−第２の実施形態−
図３は本発明の第２の実施形態に係る水晶発振器の断面図であり、図４は図３において水晶発振器の底面側から見た平面図となっている。なお図３乃至４においては説明のため絶縁性樹脂で覆われたＩＣチップの位置および金線（後述）を破線で示している。本発明の第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の構成については同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、前述の実施形態と同様の効果を有する。以下、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００２９】
本発明の第２の実施形態におけるパッケージ２は第１の実施形態の変形例と同様に、絶縁基材を挟んで上下に２つの凹部（上凹部２１と下凹部２３）を有しているが下凹部２３の一端側に段部２５が形成されている。段部２５の表面には電極パッド２６（図４では図示省略）が形成されており、電極パッド２６は内部接続導体Ｍを経由して圧電振動素子用電極パッド１０と電気的に接続されている。
【００３０】
本実施形態においてＩＣチップ５は第１の実施形態と同様に、能動面５０が下凹部２３の開口部２２に向くようにして、下凹部２３の内底面２３０に樹脂材７によって接合されている。なお、本実施形態では樹脂材７は導電性あるいは絶縁性いずれの樹脂材を使用してもよい。これは本実施形態においてはＩＣチップ５の水晶振動素子４との接続用端子と圧電振動素子用電極パッド１０との電気的接続は、金線および内部接続導体を介して行うため、ＩＣチップ５に貫通電極は形成されておらず、ＩＣチップ５の一主面５０１上にまで水晶振動素子４との接続用端子から端子は導出されていないためである。つまり、樹脂材７がＩＣチップ５の一主面５０１上の全領域に介在した状態で、ＩＣチップ５が下凹部２３の内底面２３０に接合されている。これにより、樹脂材７は外部応力の緩衝材として機能する。具体的には、ＩＣチップ５は樹脂材７を介してパッケージ２に接合されるため、水晶発振器１の外部接続端子（導電性部材６）が外部基板に接合された際に生じる応力のパッケージ２への伝播を緩和することができる。パッケージを介した圧電振動素子への応力伝播を緩和することができるため、安定した特性の水晶発振器を得ることができる。
【００３１】
ＩＣチップ５の能動面５０の周縁には、外部接続用電極パッド５１と圧電振動素子との接続用端子（図示省略）が形成されている。具体的には図４において、４個の導電性部材６，６，６，６の下方に４つの外部接続用電極パッド５１，５１，５１，５１が形成されており、平面視矩形の凹部２３の短辺方向に並列した外部接続用電極パッド５１，５１の間に２つの圧電振動素子との接続用端子が形成されている（図示省略）。前記圧電振動素子との接続用端子は前述の電極パッド２６（図示省略）と金線を用いたワイヤボンディング法によって電気的に接続されている（ワイヤは図３乃至５においてＷの記号で点線にて表示）。なお金線以外にアルミ線も使用可能である。
【００３２】
図３乃至４に示すように下凹部２３には絶縁性樹脂Ｒが充填されている。本実施形態においても絶縁性樹脂Ｒとしてエポキシ系樹脂が使用される。絶縁性樹脂ＲはＩＣチップ５全体を被覆するとともに、段部２５上の電極パッド２６およびワイヤＷ全体と導電性部材６の一部を被覆するように充填されている。絶縁性樹脂Ｒの充填深さはパッケージ２の下面２２０から外側に突出しない深さとなっている。
【００３３】
前述の構成によれば、下凹部２３に収容されたＩＣチップ５を安定して保持することができ、同時にワイヤＷ全体も保護することができる。具体的には堤部２４の側壁によって絶縁性樹脂Ｒを保持することができるため、絶縁性樹脂Ｒと接するＩＣチップ５を安定して保持することができる。絶縁性樹脂Ｒは必ずしも下凹部２３の空間全体に充填する必要はなく、例えばＩＣチップ５の側面の一部に接する程度の深さで充填してもよい。なお、下凹部２３にＩＣチップ５の全体と導電性部材６の一部とが被覆されるように絶縁性樹脂Ｒが充填されていれば、ＩＣチップ５はより確実に保持されるとともに、導電性部材６の一部分は絶縁性樹脂Ｒによって保持されるので好適である。また、本実施形態のようにＩＣの電極パッドとパッケージに形成された電極パッドとを金ワイヤ等によって接続する方法があるが、金属ワイヤ等の保護の点から、金属ワイヤ等を被覆する深さまで絶縁性樹脂を充填するのが望ましい。
【００３４】
導電性部材６はその一部が、下凹部２３から外側、つまりパッケージ２の下面２２０よりも下側に突出している。このような構造であれば、ＩＣチップ５が凹部２３の内底面２３０に接合された状態において、ＩＣチップ５は凹部２３から外側（パッケージ２の下面２２０から外側）に突出することが無く、かつ導電性部材６の一部だけが凹部２３から外側に突出した状態にすることができる。これにより、導電性部材６によって水晶発振器１と外部基板との接続強度を十分に確保できるとともに、導電性部材６の一部分だけがパッケージ２から突出した状態であるため、平坦なパッケージ下面に導電性部材を接合した構造の水晶発振器よりも低背化を図ることができる。
【００３５】
さらに、本実施形態によればＩＣチップ５は下凹部２３の内底面２３０にＩＣチップ５の一主面５０１の全領域が樹脂材７を介して接合され、ＩＣチップ５の他主面５０２が能動面５０となっており、他主面５０２に形成された外部接続用電極パッド５１に導電性部材６が導電接合されて水晶発振器１の外部接続端子として機能している。このような構成によって、圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。つまり上記構成であれば、電子部品素子の能動面側の接続端子に形成された導電性部材を圧電振動デバイスの外部接続端子として使用している。したがってパッケージ側に外部接続端子を形成する必要が無くなる。つまり前記堤部分への外部接続端子の形成が不要となるため、前記堤部分への内部接続導体の形成も不要となる。これにより前記堤部分の幅を従来よりも狭くできるため圧電振動デバイスの小型化を図ることができる。
【００３６】
本発明の第２の実施形態の変形例として図５に示すように、パッケージ２に段部２５を形成せず、ＩＣチップ５の水晶振動素子接続用端子と圧電振動素子用電極パッド１０との電気的接続を貫通電極５２を介して行う構成であってもよい。
【００３７】
本発明は電子部品素子を収容する凹部を備えたパッケージの圧電振動デバイスに適用可能であるが、第１乃至２の実施形態の構造の圧電振動デバイスに限定されるものではなく、例えば電子部品素子を収容する凹部を有するパッケージであって、前記凹部が形成されていない側の主面上に、圧電振動子（パッケージ内に圧電振動素子を接合して蓋で気密封止したもの）の筐体を電気機械的に接合した構造のものにも本発明は適用可能である。また、本発明で使用されるパッケージ（容器体）の材料として、第１乃至２の実施形態ではセラミックスが用いられているが、これに限定されるものではなく、セラミックス以外にガラスや水晶、シリコン等の材料を使用することも可能である。
【００３８】
本発明は、水晶に限らず、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した圧電振動素子を備えた圧電振動デバイスへの適用も可能である。
【００３９】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
圧電振動デバイスの量産に適用できる。
【符号の説明】
【００４１】
１ 水晶発振器
１０ 圧電振動素子用電極パッド
２ パッケージ
２１ 上凹部
２３ 下凹部
２３０ 内底面（下凹部）
２４ 堤部
３ 蓋
４ 水晶振動素子
５ ＩＣチップ
５０ 能動面
５１ 外部接続用電極パッド
５２ 貫通電極
６ 導電性部材
７ 樹脂材
Ｒ 絶縁性樹脂
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動デバイスのパッケージの一主面側に圧電振動素子が配され、蓋によって前記圧電振動素子が封止されるとともに、
前記パッケージの他主面側に電子部品素子を収容する凹部が形成され、当該凹部の内底面に前記電子部品素子の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材を介して接合された圧電振動デバイスであって、
前記電子部品素子の他主面が能動面であり、前記他主面の接続端子に形成された導電性部材を前記圧電振動デバイスの外部接続端子としたことを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項２】
前記凹部に絶縁性樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動デバイス。
【請求項３】
前記凹部は前記電子部品素子の厚みよりも深く形成されているとともに、前記導電性部材の一部が、前記圧電振動デバイスの下面よりも下側に突出していることを特徴とする請求項１乃至２に記載の圧電振動デバイス。
【請求項１】
圧電振動デバイスのパッケージの一主面側に圧電振動素子が配され、蓋によって前記圧電振動素子が封止されるとともに、
前記パッケージの他主面側に電子部品素子を収容する凹部が形成され、当該凹部の内底面に前記電子部品素子の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材を介して接合された圧電振動デバイスであって、
前記電子部品素子の他主面が能動面であり、前記他主面の接続端子に形成された導電性部材を前記圧電振動デバイスの外部接続端子としたことを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項２】
前記凹部に絶縁性樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動デバイス。
【請求項３】
前記凹部は前記電子部品素子の厚みよりも深く形成されているとともに、前記導電性部材の一部が、前記圧電振動デバイスの下面よりも下側に突出していることを特徴とする請求項１乃至２に記載の圧電振動デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−３０９１０（Ｐ２０１３−３０９１０Ａ）
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６４４６３（Ｐ２０１１−１６４４６３）
【出願日】平成２３年７月２７日（２０１１．７．２７）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２７日（２０１１．７．２７）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
【Ｆターム（参考）】
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