【課題】減衰量の周波数依存性を改善することができる減衰器を提供すること。
【解決手段】減衰器１０は、ＦＥＴ１１〜１３、インダクタ１４及び１５、抵抗１６、入力端子１７、出力端子１８を備え、入力端子１７には、ＦＥＴ１１のドレイン電極と、ＦＥＴ１２のドレイン電極と、インダクタ１４の一方端とが接続され、出力端子１８には、ＦＥＴ１１のソース電極と、ＦＥＴ１３のドレイン電極と、インダクタ１５の一方端とが接続され、ＦＥＴ１１のドレイン電極とソース電極との間にインダクタ１４と、抵抗１６と、インダクタ１５とが直列に接続された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】特性劣化を引き起こす容量結合をしないで次段増幅器と接続でき、非常に広い周波数範囲に渡って同様の特性で、入力される高周波信号の利得を適切に減衰させて次段増幅器に伝達できる可変利得減衰器を提供すること。
【解決手段】高周波信号を入力するための入力ポート１８と、高周波信号を出力するための出力ポート１９と、外部からバイアス電圧を印加するためのバイアスポート２０と、入力ポートと出力ポートとの間に直列に接続され、それぞれ同等の制御電圧により利得が制御されるＭＯＳトランジスタ１０，１１と、ＭＯＳトランジスタ１０，１１の直列接続端とグランドとの間に接続され、ＭＯＳトランジスタ１０，１１に適用する制御電圧とは逆特性の制御電圧によって利得が制御されるＭＯＳトランジスタ１２とを備え、３つのＭＯＳトランジスタの各バックゲート端子は共通にバイアスポートに接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来技術の高インピーダンス回路は、温度変化等の影響を受けて、高いインピーダンスを維持することができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる高インピーダンス回路は、ダイオード接続されたトランジスタ２１，２２を備え、トランジスタ２１のバックゲートとトランジスタ２２のソースとが接続され、トランジスタ２２のバックゲートとトランジスタ２１のソースとが接続される。このような回路構成により、温度変化等の影響を抑え、高いインピーダンスを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小を図りつつ、出力信号に含まれるオフセットを減少させることが可能なフィルタ回路を提供する。
【解決手段】フィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に接続された第１のキャパシタと、前記出力端子と設定電位との間に接続されたバイアス回路と、を備え、前記バイアス回路は、前記出力端子と設定電位との間に接続された第１のＭＯＳトランジスタと、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートと前記出力端子との間に接続された第２のキャパシタと、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートに一端が接続され、第１のバイアス電位が他端に印加された抵抗素子と、を有する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増大を招くことなく、半導体材料に起因するｈｆｅのばらつきなどに影響されることのない安定した増倍率を確保する。
【解決手段】カレントミラー比が共に１：Ｎに設定された第１及び第２のカレントミラー回路２１，２２の各々の入力段の間に、第１及び第２のトランジスタ１，１３がトーテムポール接続により直列接続されて設けられ、この第１及び第２のトランジスタ１，１３の相互の接続点に抵抗器３の一端が接続され、抵抗器３の他端は、入力信号が印加可能とされ、第１及び第２のカレントミラー回路２１，２２の出力段は、相互に接続されて信号出力可能とされると共に、抵抗器３の他端に接続されて、信号入力端子８から見た抵抗器３の見かけ上の抵抗値が１／（１＋Ｎ）倍に見えるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】温度信号の製造バラツキが小さく、高精度の温度信号を生成可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、ピンチオフ状態にせしめられる第１ＦＥＴ（ＦＥＴ１）と、第１ＦＥＴのソース端子Ｓ１に接続されてなる温度信号Ｖｔｅｍｐを出力する温度信号出力端子と、を具備する電子回路である。本発明によれば、ピンチオフ状態のＦＥＴのソース端子から出力される温度信号を用いることにより。製造ばらつきの小さい温度信号を得ることができる。
である。 （もっと読む）

【課題】高精度に設定された受端抵抗を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１回路の第１端子は、所望の抵抗値を有する抵抗素子が接続され、電圧比較部は、第１端子の電圧と第１中間電圧との比較出力信号を形成し、制御論理部は、スイッチ部を制御して第２中間電圧を第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給し、第１抵抗回路の複数のＭＯＳＦＥＴのオン／オフ制御により合成抵抗値を一方から他方に向けて変化させ、電圧比較出力が反転した時点のオン／オフ制御検知して記憶する。スイッチ部を制御して電圧比較出力を第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給する。第２回路の第３抵抗回路は、第１抵抗回路と同様な複数のＭＯＳＦＥＴがオン／オフ制御され、第４抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートは、第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートと同じ電圧比較出力が供給される。 （もっと読む）

【課題】交流成分に対して比較的高い入力インピーダンスを確保しながらも、従来構成に比べてインダクタの必要数を低減することができる交流直流分離回路を提供する。
【解決手段】ボルテージフォロア回路２は、第１のインダクタＬ１の一端と基準電位点との間の交流電圧と同振幅且つ同位相の交流電圧を第１のインダクタＬ１の他端と基準電位点との間に出力する。フィルタ回路３は、第１のインダクタＬ１の前記他端にコレクタが接続され、第１のインダクタＬ１の前記他端に抵抗Ｒ２を介してベースが接続され、直流出力端子Ｔｄｃにエミッタが接続されたトランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ１のベースと前記基準電位点との間に挿入されたキャパシタＣ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】外部抵抗を備える半導体集積回路において、外部抵抗の抵抗値を容易に変更可能にする技術を提供する。
【解決手段】外部抵抗を備える半導体集積回路であって、半導体集積回路の入出力インピーダンスは、外部抵抗の抵抗値に基づいて調整され、外部抵抗は、その抵抗値として、複数の抵抗値の中から所望の抵抗値を選択できるように形成されていることを特徴とする半導体集積回路。 （もっと読む）

【課題】アッテネータの減衰特性を電圧の値によって調整していたため、降圧回路などの電圧供給用回路が新たに必要となるアッテネータの回路規模が増大するとともに、熱雑音やショットノイズがアッテネータの出力信号に混入する。
【解決手段】直列接続された第１および第２回路と、これら第１および第２回路との間にシャント状に接続された第３回とを含むＴ型の二端子対網回路と、からなるアッテネータに対し、第１および第２回路の間に第３回路とは別にシャント容量を接続する。 （もっと読む）

【課題】信号経路切替機能を有するアッテネータ回路において、信号伝搬における損失を抑制することが可能な可変アッテネータ回路を提供する
【解決手段】信号が入力される信号経路に並列に設けられ抵抗値制御端子に制御電圧が入力される可変抵抗ＶＲ１、信号経路と出力端子Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２との間に直列に接続された可変抵抗ＶＲ２ａ、ＶＲ２ｂを有するアッテネータ回路ＡＴＴＮ、制御電圧Ｖｃｔｒｌが入力され制御電圧Ｖｃｔｒｌ２を出力するバイアス電圧発生部ＢＶＧ、一端に制御電圧Ｖｃｔｒｌが入力され、他端が可変抵抗ＶＲ２ａの抵抗値制御端子に接続され出力経路切替信号ＰＳａが与えられてオン／オフが制御される経路切替部ＰＳａ、一端に制御電圧Ｖｃｔｒｌが入力され、他端が可変抵抗ＶＲ２ｂの抵抗値制御端子に接続され出力経路切替信号ＰＳｂが与えられてオン／オフが制御される経路切替部ＰＳｂを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ減衰器としての可変特性を所望に合わせ込んでそのばらつきを吸収することが可能なＭＯＳ抵抗制御装置、これを用いる無線送信機を提供すること。
【解決手段】ソースが第１の基準電位に接続されたＭＯＳトランジスタと、該ＭＯＳトランジスタのドレインと第２の基準電位との間に挿入・接続された第１の制御電流源と、第１、第２の入力端、および出力端を有し、該第１の入力端がＭＯＳトランジスタのドレインと第１の制御電流源との接続ノードに接続され、該出力端がＭＯＳトランジスタのゲートに接続されたオペアンプと、該オペアンプの第２の入力端に一端が接続されたインピーダンス素子と、該インピーダンス素子に一端の側から電流を入力する基準電流源と、インピーダンス素子に一端の側からさらに電流を入力する第２の制御電流源と、ＭＯＳトランジスタのドレインに電流を入力する第３の制御電流源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ抵抗の制御精度を向上することができるＭＯＳ抵抗制御装置およびこれを利用したＭＯＳ減衰器を提供すること。
【解決手段】ソースドレインが直列に接続され、該直列に接続されたソースドレインのうち最も外側のソースが第１の基準電位に接続された２以上のＭＯＳトランジスタと、この２以上のＭＯＳトランジスタの直列に接続されたソースドレインのうち最も外側のドレインと第２の基準電位との間に挿入・接続された電流源と、第１、第２の入力端、および出力端を有し、該第１の入力端に第３の基準電位が供給され、該第２の入力端が最も外側のドレインと第２の基準電位との接続ノードに接続され、該出力端が２以上のＭＯＳトランジスタのゲートそれぞれに接続されたオペアンプとを具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上で、線形な減衰制御特性、優れたノイズ特性をもったばらつきに強い可変減衰回路を提供する。
【解決手段】信号入力端子４０４と信号出力端子４０５とを結ぶ信号ラインに直列に可変減衰用ＭＯＳＦＥＴ４１１を有する信号減衰部４００と、可変減衰用ＭＯＳＦＥＴ４１１のゲート電位を制御し減衰量を調整する減衰量制御回路部４０１と、可変減衰用ＭＯＳＦＥＴ４１１にソースバイアスを与えるためのソースバイアス回路部４０２とを有している。ソースバイアス回路部４０２はバイアス用ＭＯＳＦＥＴを有し、バイアス用ＭＯＳＦＥＴのソース電位が減衰用ＭＯＳＦＥＴのソース電位に与えられる。また、可変減衰用ＭＯＳＦＥＴ４１１のバックゲートと基板間に抵抗４２４を付加し、ゲートと接地端子間に容量４０３を付加し、ソースバイアス回路部と接地端子間に容量４２５とスイッチ４２６を付加している。 （もっと読む）

【課題】物理的な接触を伴うことなく、純電子的に出力抵抗値を決定することおよび集積回路内での製造を可能にすること。
【解決手段】入力端子２３と入力端子２４との間に電圧信号が入力され、入力端子２３に入力される電圧信号を電流に変換する電圧−電流変換器５０と、入力端子２４に入力される電圧信号を電流に変換する電圧−電流変換器６０と、制御端子２５に入力される制御信号に応じた減衰率で電圧−電流変換器５０の出力電流を減衰させ、その減衰させた電流を入力端子２３に出力する電流減衰器７０と、制御端子２５に入力される制御信号に応じた減衰率で電圧−電流変換器６０の出力電流を減衰させ、その減衰させた電流を入力端子２４に出力する電流減衰器８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】減衰器、移相器の動作制御に用いられ、減衰量および移相量を切替えるのに制御電圧が１つで済むことより、ＩＣの小型化、低コスト化が可能なスイッチ回路を提供する。
【解決手段】スイッチ回路は、回路部１、２と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４、ＲＴ０と、キャパシタＣ１、Ｃ２と、ＮＭＯＳトランジスタＴ０とから構成されている。また、ＲＦ入出力端子Ｖｉｏ１、Ｖｉｏ２から信号の入出力が行われる。Ｖｒｅｆは基準となる電位であり、定電位に保持されている。また、不図示の制御手段により制御電圧Ｖｃを変える事によりＮＭＯＳトランジスタＴ０のドレインーソース間抵抗が制御される。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）内に集積可能であり、かつ簡便な構成の可変減衰器を提供する。
【解決手段】可変減衰器１００は、間を空けて対向して配置されている伝送線路１０３、１０４と、接地されている接地電極１１２と、伝送線路１０３、１０４の対向する各端部および接地電極１１２に接続されている抵抗体１１０と、対向する各端部および接地電極１１２の間における抵抗体１１０の一部分と接している制御電極１７３とを備える。 （もっと読む）

【課題】入出力インターフェースにおいてミューティング用ＭＯＳトランジスタの耐圧により制限される電源電圧範囲を拡大できるミュート回路を提供することを目的とする。
【解決手段】正負の信号が出力される出力端子１０のミューティング用ＮｃｈＭＯＳトランジスタ１と、このトランジスタ１のゲートに印加される電圧を切換え、トランジスタ１のオン／オフを制御するミュート切換回路３を備え、トランジスタ１のバックゲートを、出力端子１０と所定のマイナス電位ＶＳＳとの間に直列に接続される抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の抵抗分割でバイアスする。この回路構成によれば、トランジスタ１がオフされることによるミュートオフ時に、トランジスタ１のバックゲート電圧が、出力端子１０に出力される信号の変動に伴い変動され電源電位ＶＣＣの範囲に抑えられることにより、トランジスタ１の耐圧を電源電位ＶＣＣの範囲に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧差動信号受信器及びそれの終端抵抗値の設定方法を提供する。
【解決手段】低電圧差動信号受信器は、外部から提供される基準電圧を感知して第１信号を出力する第１受信部、抵抗制御コードに基づいて可変される可変終端抵抗部の両端に外部から提供される基準電流によって形成される電圧を感知して第２信号を出力する第２受信部を含む。低電圧差動信号受信器は、第１信号と第２信号とを比較してカウンタ制御信号を出力する比較部及びカウンタ制御信号に応答して可変終端抵抗部の抵抗値を変動させるための抵抗制御コードを可変終端抵抗に出力するアップ／ダウンカウンタ部を更に含む。アップ／ダウンカウンタ部は、可変終端抵抗部に抵抗制御コードを提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＰＩＮダイオード回路１に制御電圧補償回路を接続し、制御電圧Ｖｃの変化に対する高周波抵抗Ｒｆの変化の関係をほぼ直線状にして高周波抵抗Ｒｆの調整がし易い可変抵抗回路を提供する。
【解決手段】 制御電圧ＶｃによりＰＩＮダイオード８、９の高周波抵抗Ｒｆが調整されるＰＩＮダイオード回路１、制御電圧Ｖｃの一方に、レベルシフト回路２でレベルシフトし、ツェナダイオード回路３でツェナダイオード特性を用いて非線形特性を与える第１手段、制御電圧Ｖｃの他方に、重み付け回路４で電圧オフセットを与える第２手段、第１手段及び第２手段の各出力電圧を加算する加算回路５を備え、加算回路５の出力をＰＩＮダイオード回路１に加える際に、レベルシフト回路２のシフト電圧、ツェナダイオード回路３のツェナ特性、重み付け回路４の電圧オフセットを選択調整し、ＰＩＮダイオード回路１の高周波抵抗Ｒｆの値を制御電圧Ｖｃの変化に対してほぼ直線状に変化するように設定した。 （もっと読む）